JPH1130559A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH1130559A JPH1130559A JP9185140A JP18514097A JPH1130559A JP H1130559 A JPH1130559 A JP H1130559A JP 9185140 A JP9185140 A JP 9185140A JP 18514097 A JP18514097 A JP 18514097A JP H1130559 A JPH1130559 A JP H1130559A
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- pressure
- pressure sensor
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上に複数の抵抗体からなる圧力検
出素子を備えた圧力センサにおいて、圧力検出素子をハ
ウジング内に確実にかつ気密に固定する。 【解決手段】 金属材料からなるハウジング１１と，該
ハウジングの内部に配置された半導体基板１３上に設け
た圧力を検出する圧力検出素子とを備えた圧力センサ１
０において、ハウジング１１に、流体導入孔１１ｄと、
該流体導入孔に連通するとともに上部が開口した内部空
間と、該内部空間の底部に前記流体導入孔の開口の周囲
を取り囲む閉じた形状に形成された堤状の突起１１ｇを
設け、圧力検出素子１３を、圧力検出素子載置部材２１
−１とステム接合部材２１−２とからなる中央に開口２
１ａを有する台座２１と、中央に開口２０ｄを有するス
テム２０とを介して前記ハウジング１１の突起１１ｇ上
に気密に溶着固定した。
出素子を備えた圧力センサにおいて、圧力検出素子をハ
ウジング内に確実にかつ気密に固定する。 【解決手段】 金属材料からなるハウジング１１と，該
ハウジングの内部に配置された半導体基板１３上に設け
た圧力を検出する圧力検出素子とを備えた圧力センサ１
０において、ハウジング１１に、流体導入孔１１ｄと、
該流体導入孔に連通するとともに上部が開口した内部空
間と、該内部空間の底部に前記流体導入孔の開口の周囲
を取り囲む閉じた形状に形成された堤状の突起１１ｇを
設け、圧力検出素子１３を、圧力検出素子載置部材２１
−１とステム接合部材２１−２とからなる中央に開口２
１ａを有する台座２１と、中央に開口２０ｄを有するス
テム２０とを介して前記ハウジング１１の突起１１ｇ上
に気密に溶着固定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサに係
り、特に、冷凍・冷房装置の冷媒等の流体の圧力を検出
するに好適な半導体圧力センサに関する。
り、特に、冷凍・冷房装置の冷媒等の流体の圧力を検出
するに好適な半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体チップを備えた圧
力センサは、例えば、特開平３−２２６６３８号公報に
示されるように、ハウジングと、該ハウジングの下部に
固定され半導体チップ収納室を有するステムとを備え、
該収納室の凹部内にガラス台座を接合するとともに、該
ガラス台座上に半導体チップを気密に接合して構成さ
れ、前記ステムの圧力導入孔と前記ガラス台座の圧力導
入孔とを通じて導入された検出冷媒の圧力を前記半導体
チップで測定するようにしている。
力センサは、例えば、特開平３−２２６６３８号公報に
示されるように、ハウジングと、該ハウジングの下部に
固定され半導体チップ収納室を有するステムとを備え、
該収納室の凹部内にガラス台座を接合するとともに、該
ガラス台座上に半導体チップを気密に接合して構成さ
れ、前記ステムの圧力導入孔と前記ガラス台座の圧力導
入孔とを通じて導入された検出冷媒の圧力を前記半導体
チップで測定するようにしている。
【０００３】このような圧力センサでは、ガラス台座の
材料としてホウ珪酸ガラスが、ステムの材料として鉄−
ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）系合金が使用され、これらの材
料は熱膨張係数等の温度特性が大きく異なっている。こ
のようなガラス台座と金属性のステムを接合した圧力セ
ンサに温度変化が生じると、熱膨張係数の相違によっ
て、接合部に離脱が生じるおそれがあり、圧力が圧力検
出素子に正確に加えられなくなる不具合が発生する傾向
がある。
材料としてホウ珪酸ガラスが、ステムの材料として鉄−
ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）系合金が使用され、これらの材
料は熱膨張係数等の温度特性が大きく異なっている。こ
のようなガラス台座と金属性のステムを接合した圧力セ
ンサに温度変化が生じると、熱膨張係数の相違によっ
て、接合部に離脱が生じるおそれがあり、圧力が圧力検
出素子に正確に加えられなくなる不具合が発生する傾向
がある。
【０００４】このような不具合を防止するために、ガラ
ス台座の外周部とステムの凹部内壁との接合を、ガラス
台座とステムとの各々の熱膨張係数の中間の熱膨張係数
を備えた低融点ガラスで行うことで、材料の熱膨張係数
の違いに基づく前述した不具合に対処し、圧力センサを
長期間使用する過程で、ガラス台座とステム部分に繰り
返し温度変化が生じても、その接合部に離脱・剥離等が
発生せず、ステム上にガラス台座を確実に接合できるよ
うにしている。
ス台座の外周部とステムの凹部内壁との接合を、ガラス
台座とステムとの各々の熱膨張係数の中間の熱膨張係数
を備えた低融点ガラスで行うことで、材料の熱膨張係数
の違いに基づく前述した不具合に対処し、圧力センサを
長期間使用する過程で、ガラス台座とステム部分に繰り
返し温度変化が生じても、その接合部に離脱・剥離等が
発生せず、ステム上にガラス台座を確実に接合できるよ
うにしている。
【０００５】このような従来の技術にかかる半導体チッ
プからなる圧力検出素子を備えた圧力センサは、ガラス
台座をステムの凹部に配置し、ガラス台座の外周部とス
テムの凹部との間の間隙に低融点ガラス材を置き、該低
融点ガラス材を溶融して前記ステムとガラス台座とを気
密状態に接合することから、ガラス台座とステムとの接
合をワンタッチで行うことができず、両者の接合に手間
と時間を要するとの問題があった。
プからなる圧力検出素子を備えた圧力センサは、ガラス
台座をステムの凹部に配置し、ガラス台座の外周部とス
テムの凹部との間の間隙に低融点ガラス材を置き、該低
融点ガラス材を溶融して前記ステムとガラス台座とを気
密状態に接合することから、ガラス台座とステムとの接
合をワンタッチで行うことができず、両者の接合に手間
と時間を要するとの問題があった。
【０００６】また、前述した従来の技術は、ガラス台座
とステムとの接合を、両部材の各熱膨張係数の間の中間
の熱膨張係数を備えた低融点ガラスで行うことから、特
定の熱膨張係数のガラス素材を選定しなければならず、
限られたガラス材料しか使用できない不都合が生じる。
とステムとの接合を、両部材の各熱膨張係数の間の中間
の熱膨張係数を備えた低融点ガラスで行うことから、特
定の熱膨張係数のガラス素材を選定しなければならず、
限られたガラス材料しか使用できない不都合が生じる。
【０００７】さらに、接合のために特定のガラス素材を
選定することによって、前述した膨張係数の相違に基づ
く弊害を是正しているが、ガラス台座とステムとは、そ
の素材の相違により熱膨張係数が大きく異なるものであ
るから、接合材として両者の中間熱膨張係数の低融点ガ
ラスを使用したとしても、その接合が圧力センサの長期
間の使用において、完全なものとは云えない問題があ
る。
選定することによって、前述した膨張係数の相違に基づ
く弊害を是正しているが、ガラス台座とステムとは、そ
の素材の相違により熱膨張係数が大きく異なるものであ
るから、接合材として両者の中間熱膨張係数の低融点ガ
ラスを使用したとしても、その接合が圧力センサの長期
間の使用において、完全なものとは云えない問題があ
る。
【０００８】かかる問題に鑑み本出願人は、半導体チッ
プからなる圧力検出素子を装着する台座とステムとの接
合を含む圧力センサにおいて、部品の組立・装着が容易
で、かつ、温度変化があっても、装着・接合した部品に
離脱・剥離等を発生しない圧力センサの構造を提供し上
記問題を解決する発明を、特願平８−２６８９２７号の
特許出願として提案している。
プからなる圧力検出素子を装着する台座とステムとの接
合を含む圧力センサにおいて、部品の組立・装着が容易
で、かつ、温度変化があっても、装着・接合した部品に
離脱・剥離等を発生しない圧力センサの構造を提供し上
記問題を解決する発明を、特願平８−２６８９２７号の
特許出願として提案している。
【０００９】以下、図３を用いて上記発明にかかる圧力
センサの構造を説明する。図３は、上記発明にかかる圧
力センサ１０の縦断面図である。該圧力センサ１０は、
その外装部分が金属材料のハウジング１１と該ハウジン
グ１１に嵌合結合される電気コネクタ１２とで構成さ
れ、前記ハウジング１１と前記電気コネクタ１２とで構
成される内部空間には、上面に歪ゲージを有する圧力検
出素子が形成された半導体チップ１３と、該半導体チッ
プの出力を電圧または電流等の電気出力に変換する演算
回路等が設けられた電気回路基板（プリント基板）１４
とが配置される。
センサの構造を説明する。図３は、上記発明にかかる圧
力センサ１０の縦断面図である。該圧力センサ１０は、
その外装部分が金属材料のハウジング１１と該ハウジン
グ１１に嵌合結合される電気コネクタ１２とで構成さ
れ、前記ハウジング１１と前記電気コネクタ１２とで構
成される内部空間には、上面に歪ゲージを有する圧力検
出素子が形成された半導体チップ１３と、該半導体チッ
プの出力を電圧または電流等の電気出力に変換する演算
回路等が設けられた電気回路基板（プリント基板）１４
とが配置される。
【００１０】前記ハウジング１１は、鉄（Ｆｅ）もしく
は不錆鋼（ＳＵＳ）等の金属で形成され、下部に冷媒の
流体導入孔１１ｄを有する筒状ネジ部１１ｃを備え、上
部に嵌合開口筒部１１ａを備えるとともに、中間部内部
に濾斗状支持部１１ｂを備え、該濾斗状支持部１１ｂ
は、下部に平面の底部１１ｅを有して構成される。
は不錆鋼（ＳＵＳ）等の金属で形成され、下部に冷媒の
流体導入孔１１ｄを有する筒状ネジ部１１ｃを備え、上
部に嵌合開口筒部１１ａを備えるとともに、中間部内部
に濾斗状支持部１１ｂを備え、該濾斗状支持部１１ｂ
は、下部に平面の底部１１ｅを有して構成される。
【００１１】前記電気コネクタ１２は、ガラスで補強さ
れたポリブチレンテレフタレート等の合成樹脂製の電気
絶縁材料で形成され、上部に接続コネクタの嵌合・離脱
のためのガイド筒部１２ｂを備え、下部に拡大嵌合筒部
１２ａを備えている。前記電気コネクタ１２の内部に
は、前記ガイド筒部１２ｂの内部空間から前記拡大嵌合
筒部１２ａの内部空間に渡って貫通した三本のコネクタ
端子１７（三本の内、二本の図示を省略した）が固定さ
れている。
れたポリブチレンテレフタレート等の合成樹脂製の電気
絶縁材料で形成され、上部に接続コネクタの嵌合・離脱
のためのガイド筒部１２ｂを備え、下部に拡大嵌合筒部
１２ａを備えている。前記電気コネクタ１２の内部に
は、前記ガイド筒部１２ｂの内部空間から前記拡大嵌合
筒部１２ａの内部空間に渡って貫通した三本のコネクタ
端子１７（三本の内、二本の図示を省略した）が固定さ
れている。
【００１２】前記ハウジング１１の前記嵌合開口筒部１
１ａの内部の環状部１１ｆには、前記電気回路基板１４
が嵌合載置され、該電気回路基板１４の上には、防水お
よび前記基板１４の支持のために環状Ｏリング１５が位
置し、前記環状部１１ｆに嵌合配置されている。前記電
気コネクタ１２の嵌合筒部１２ａは、前記ハウジング１
１の前記嵌合開口筒部１１ａの上端に嵌合しており、前
記電気コネクタ１２の前記嵌合筒部１２ａの下端傾斜部
１２ｃで前記Ｏリング１５を介して前記電気回路基板１
４を押圧した状態で、前記ハウジング１１の嵌合開口筒
部１１ａの端部の開口縁部１１ａ´を前記電気コネクタ
１２の前記拡大筒部１２ａの型部１２ｄに対してカシメ
等を行うことによって、前記ハウジング１１と前記電気
コネクタ１２とを嵌合結合するとともに、該両者の内部
に前記電気回路基板１４をしっかりと嵌合挾持固定して
いる。
１ａの内部の環状部１１ｆには、前記電気回路基板１４
が嵌合載置され、該電気回路基板１４の上には、防水お
よび前記基板１４の支持のために環状Ｏリング１５が位
置し、前記環状部１１ｆに嵌合配置されている。前記電
気コネクタ１２の嵌合筒部１２ａは、前記ハウジング１
１の前記嵌合開口筒部１１ａの上端に嵌合しており、前
記電気コネクタ１２の前記嵌合筒部１２ａの下端傾斜部
１２ｃで前記Ｏリング１５を介して前記電気回路基板１
４を押圧した状態で、前記ハウジング１１の嵌合開口筒
部１１ａの端部の開口縁部１１ａ´を前記電気コネクタ
１２の前記拡大筒部１２ａの型部１２ｄに対してカシメ
等を行うことによって、前記ハウジング１１と前記電気
コネクタ１２とを嵌合結合するとともに、該両者の内部
に前記電気回路基板１４をしっかりと嵌合挾持固定して
いる。
【００１３】前記コネクタ端子１７の下端屈曲端部１７
ａには、接続導電スリーブ１８がスポット溶接等で接続
固定されており、該接続導電スリーブ１８には、ピン端
子１９の上部１９ｂが挿入係合し、該ピン端子１９の下
部１９ａは、前記電気回路基板１４にハンダ付け等で固
定されている。前記ピン端子１９は、前記電気回路基板
１４から前記コネクタ端子１７に電気信号を伝達してい
る。
ａには、接続導電スリーブ１８がスポット溶接等で接続
固定されており、該接続導電スリーブ１８には、ピン端
子１９の上部１９ｂが挿入係合し、該ピン端子１９の下
部１９ａは、前記電気回路基板１４にハンダ付け等で固
定されている。前記ピン端子１９は、前記電気回路基板
１４から前記コネクタ端子１７に電気信号を伝達してい
る。
【００１４】前記ハウジング１１の中間部内部の濾斗状
支持部１１ｂには、４２アロイなどの鉄−ニッケル（Ｆ
ｅ−Ｎｉ）合金のステム２０が装着固定されている。前
記ステム２０は、前記ハウジング１１の流体導入孔１１
ｄに嵌合する下部筒部２０ａと前記濾斗状支持部１１ｂ
の平面１１ｅに載置される突出鍔部２０ｂと台座２１を
載置する上部載置部２０ｃとを有するとともに、流体の
通路として上下方向に貫通孔２０ｄを備えており、少な
くとも台座２１と接する部分の面が１μｍ程度の厚さに
金（Ａｕ）メッキされている。前記ステム２０は、前記
突出鍔部２０ｂの下面Ａで、前記ハウジング１１と電位
抵抗溶接によって前記ハウジング１１の前記平面１１ｅ
にしっかりと溶着固定されている。
支持部１１ｂには、４２アロイなどの鉄−ニッケル（Ｆ
ｅ−Ｎｉ）合金のステム２０が装着固定されている。前
記ステム２０は、前記ハウジング１１の流体導入孔１１
ｄに嵌合する下部筒部２０ａと前記濾斗状支持部１１ｂ
の平面１１ｅに載置される突出鍔部２０ｂと台座２１を
載置する上部載置部２０ｃとを有するとともに、流体の
通路として上下方向に貫通孔２０ｄを備えており、少な
くとも台座２１と接する部分の面が１μｍ程度の厚さに
金（Ａｕ）メッキされている。前記ステム２０は、前記
突出鍔部２０ｂの下面Ａで、前記ハウジング１１と電位
抵抗溶接によって前記ハウジング１１の前記平面１１ｅ
にしっかりと溶着固定されている。
【００１５】前記ステム２０の前記上部載置部２０ｃ上
には、シリコン製の台座２１が載置固定されている。該
台座２１は、前記ステム２０と同様に、上下に流体を通
す貫通孔２１ａを前記ステム２０の貫通孔２０ｄと同心
に備えている。前記台座２１は、その上面を電気絶縁の
ために１μｍ程度の厚さのＳｉＯ2の絶縁膜を形成する
とともに、該絶縁膜の上にさらに１μｍ程度の厚さの金
（Ａｕ）メッキをして金属層を形成している。また、前
記台座２１の下面にも１μｍ程度の厚さの金（Ａｕ）メ
ッキをして金属層を形成し、前記ステム２０の上部載置
部２０ｃに金（Ａｕ）のロー付けで溶接固定されてい
る。
には、シリコン製の台座２１が載置固定されている。該
台座２１は、前記ステム２０と同様に、上下に流体を通
す貫通孔２１ａを前記ステム２０の貫通孔２０ｄと同心
に備えている。前記台座２１は、その上面を電気絶縁の
ために１μｍ程度の厚さのＳｉＯ2の絶縁膜を形成する
とともに、該絶縁膜の上にさらに１μｍ程度の厚さの金
（Ａｕ）メッキをして金属層を形成している。また、前
記台座２１の下面にも１μｍ程度の厚さの金（Ａｕ）メ
ッキをして金属層を形成し、前記ステム２０の上部載置
部２０ｃに金（Ａｕ）のロー付けで溶接固定されてい
る。
【００１６】前記台座２１の上には、冷媒流体の圧力を
計測する半導体チップ１３が載置固定されている。該半
導体チップ１３には、ダイヤフラムが形成されていると
ともに、該ダイヤフラムには半導体歪ゲージ（いずれも
図示省略）が配置されており、前記ステム２０の貫通孔
２０ｄと前記台座２１の貫通孔２１ａとを介して導入さ
れる冷媒の圧力が、前記ダイヤフラムに印加され、該冷
媒の圧力の度合いに基づき前記半導体歪ゲージから電気
信号が出力される。
計測する半導体チップ１３が載置固定されている。該半
導体チップ１３には、ダイヤフラムが形成されていると
ともに、該ダイヤフラムには半導体歪ゲージ（いずれも
図示省略）が配置されており、前記ステム２０の貫通孔
２０ｄと前記台座２１の貫通孔２１ａとを介して導入さ
れる冷媒の圧力が、前記ダイヤフラムに印加され、該冷
媒の圧力の度合いに基づき前記半導体歪ゲージから電気
信号が出力される。
【００１７】前記半導体チップ１３の下面にも１μｍ程
度の厚さの金（Ａｕ）メッキによる金属層が形成され、
前記台座２１と前記半導体チップ１３とが、金（Ａｕ）
ロー付け溶接で気密接合固定されている。前記電気回路
基板１４の上部には、増幅回路等の電気回路の実装部１
４ａが載置されているとともに、該実装部１４ａと前記
半導体チップ１３の歪ゲージとは、ボンディングワイヤ
１４ｂで電気的に接続され、前記半導体チップ１３の歪
ゲージからの電気信号が、前記ボンディングワイヤ１４
ｂを介して前記電気回路基板１４の増幅回路に伝達され
て増幅等され、さらに、前記ピン端子１９を介して前記
コネクタ端子１７に出力される。
度の厚さの金（Ａｕ）メッキによる金属層が形成され、
前記台座２１と前記半導体チップ１３とが、金（Ａｕ）
ロー付け溶接で気密接合固定されている。前記電気回路
基板１４の上部には、増幅回路等の電気回路の実装部１
４ａが載置されているとともに、該実装部１４ａと前記
半導体チップ１３の歪ゲージとは、ボンディングワイヤ
１４ｂで電気的に接続され、前記半導体チップ１３の歪
ゲージからの電気信号が、前記ボンディングワイヤ１４
ｂを介して前記電気回路基板１４の増幅回路に伝達され
て増幅等され、さらに、前記ピン端子１９を介して前記
コネクタ端子１７に出力される。
【００１８】前記ハウジング１１と前記Ｆｅ−Ｎｉ合金
製のステム２０とを接合する他の手法として、レーザ溶
接による手法、銀あるいは銅等のロー付け溶接により接
合する手法が提案され、さらに、ステム２０をセラミッ
ク製とし、前記ハウジング１１と前記セラミック製のス
テム２０とを接合する手法として、ハウジング１１と前
記セラミック製のステム２０との間にＦｅ−Ｎｉ合金製
の接合キャップを介在させ、前記ハウジング１１、前記
セラミック製のステム２０、前記接合キャップ、およ
び、台座２１との各部材と部材間の接合は、各部材の接
合部のみに金メッキを施して金属層を形成し、該金属層
の部分を金（Ａｕ）のロー付け溶接で接合固定する方法
が提案されている。
製のステム２０とを接合する他の手法として、レーザ溶
接による手法、銀あるいは銅等のロー付け溶接により接
合する手法が提案され、さらに、ステム２０をセラミッ
ク製とし、前記ハウジング１１と前記セラミック製のス
テム２０とを接合する手法として、ハウジング１１と前
記セラミック製のステム２０との間にＦｅ−Ｎｉ合金製
の接合キャップを介在させ、前記ハウジング１１、前記
セラミック製のステム２０、前記接合キャップ、およ
び、台座２１との各部材と部材間の接合は、各部材の接
合部のみに金メッキを施して金属層を形成し、該金属層
の部分を金（Ａｕ）のロー付け溶接で接合固定する方法
が提案されている。
【００１９】しかしながら、上記提案によっても、ステ
ム２０の突出鍔部２０ｂと、ハウジング１１の濾斗状支
持部１１ｂの平面１１ｅを接合するときには、両者のあ
たりを確実なものとすることが必要であり、かつ、開口
１１ｄと濾斗状支持部１１ｂ内の空間との間を完全に遮
断する環状の溶接部を設けなければならないが、このよ
うな広い接触面に環状の閉じた接合部を電気抵抗溶接に
よって得ることは困難であり、長期間の使用によって接
合部が剥がれるおそれが生じるという問題がある。
ム２０の突出鍔部２０ｂと、ハウジング１１の濾斗状支
持部１１ｂの平面１１ｅを接合するときには、両者のあ
たりを確実なものとすることが必要であり、かつ、開口
１１ｄと濾斗状支持部１１ｂ内の空間との間を完全に遮
断する環状の溶接部を設けなければならないが、このよ
うな広い接触面に環状の閉じた接合部を電気抵抗溶接に
よって得ることは困難であり、長期間の使用によって接
合部が剥がれるおそれが生じるという問題がある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑み、半導体基板上に複数の抵抗体からなる半導体チッ
プによる圧力検出素子を備えた圧力センサにおいて、圧
力検出素子をハウジング内に確実にかつ気密に固定する
構造を提供することを課題とし、かつ、圧力検出素子と
演算回路を同じ環境に配置する構造を提供し、測定精度
を向上させることを課題とする。
鑑み、半導体基板上に複数の抵抗体からなる半導体チッ
プによる圧力検出素子を備えた圧力センサにおいて、圧
力検出素子をハウジング内に確実にかつ気密に固定する
構造を提供することを課題とし、かつ、圧力検出素子と
演算回路を同じ環境に配置する構造を提供し、測定精度
を向上させることを課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、金属材料からなるハウジングと、該ハウ
ジングの内部に配置された半導体基板上に設けた圧力を
検出する圧力検出素子とを備えた圧力センサにおいて、
ハウジングに、流体導入孔と、該流体導入孔に連通する
とともに上部が開口した内部空間と、該内部空間の底部
に前記流体導入孔の開口の周囲に形成された環状の突起
を設け、前記圧力検出素子は、圧力検出素子載置部材と
ステム接合部材とからなる中央に開口を有する台座と、
上記開口に連通するその中央に設けられた開口を有する
ステムとを介して前記ハウジングの突起上に気密に固定
した。
に、本発明は、金属材料からなるハウジングと、該ハウ
ジングの内部に配置された半導体基板上に設けた圧力を
検出する圧力検出素子とを備えた圧力センサにおいて、
ハウジングに、流体導入孔と、該流体導入孔に連通する
とともに上部が開口した内部空間と、該内部空間の底部
に前記流体導入孔の開口の周囲に形成された環状の突起
を設け、前記圧力検出素子は、圧力検出素子載置部材と
ステム接合部材とからなる中央に開口を有する台座と、
上記開口に連通するその中央に設けられた開口を有する
ステムとを介して前記ハウジングの突起上に気密に固定
した。
【００２２】さらに、本発明は、上記圧力センサにおい
て、圧力検出素子を台座の圧力検出素子載置部材の上面
に、台座の圧力検出素子載置部材とステム接合部材をそ
れぞれ気密に固定し、さらに台座のステム接合部材をス
テムに、ステムをハウジングの内部空間内の底部に設け
た突起上にそれぞれ気密に固定した。
て、圧力検出素子を台座の圧力検出素子載置部材の上面
に、台座の圧力検出素子載置部材とステム接合部材をそ
れぞれ気密に固定し、さらに台座のステム接合部材をス
テムに、ステムをハウジングの内部空間内の底部に設け
た突起上にそれぞれ気密に固定した。
【００２３】また、本発明は、上記圧力センサにおい
て、ステムと突起との固定を電気抵抗溶接によって、圧
力検出素子と圧力検出素子載置部材との固定および圧力
検出素子載置部材とステム接合部材との固定を陽極接合
（ＦＡＢ接合）によって行った。さらに、本発明は、上
記圧力センサにおいて、ステムの少なくともステム接合
部材と対向する部分には金メッキが施され、かつステム
接合部材の少なくともステムと対向する部分に金メッキ
が設けられ、ステムとステム接合部材との溶着固定は、
加熱により形成された金とシリコンの合金により行って
いる。
て、ステムと突起との固定を電気抵抗溶接によって、圧
力検出素子と圧力検出素子載置部材との固定および圧力
検出素子載置部材とステム接合部材との固定を陽極接合
（ＦＡＢ接合）によって行った。さらに、本発明は、上
記圧力センサにおいて、ステムの少なくともステム接合
部材と対向する部分には金メッキが施され、かつステム
接合部材の少なくともステムと対向する部分に金メッキ
が設けられ、ステムとステム接合部材との溶着固定は、
加熱により形成された金とシリコンの合金により行って
いる。
【００２４】また、本発明は、上記圧力センサにおい
て、台座の圧力検出素子載置部材をガラスから構成し、
ステム接合部材をシリコンから構成し、ステムを４２ア
ロイから構成した。
て、台座の圧力検出素子載置部材をガラスから構成し、
ステム接合部材をシリコンから構成し、ステムを４２ア
ロイから構成した。
【００２５】本発明は、上記圧力センサにおいて、圧力
検出素子は、半導体基板の中央部に形成された肉薄状の
ダイヤフラム部と周辺部に設けた変形しにくい肉厚部と
を設け、半導体基板の中央部のダイヤフラム部上に複数
の抵抗体としてピエゾ抵抗体を設けた圧力検知部を設
け、周辺部の肉厚部上に集積回路製造技術によって設け
られた演算部を設けた。
検出素子は、半導体基板の中央部に形成された肉薄状の
ダイヤフラム部と周辺部に設けた変形しにくい肉厚部と
を設け、半導体基板の中央部のダイヤフラム部上に複数
の抵抗体としてピエゾ抵抗体を設けた圧力検知部を設
け、周辺部の肉厚部上に集積回路製造技術によって設け
られた演算部を設けた。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる圧力センサ
の実施の形態を図１および図２を用いて説明する。図１
は、本実施の形態にかかる圧力センサ１０の縦断面図で
ある。本発明にかかる圧力センサ１０は、その外装部分
が金属材料のハウジング１１と該ハウジング１１に嵌合
結合される電気コネクタ１２とで構成され、前記ハウジ
ング１１と前記電気コネクタ１２とで構成される内部空
間には、半導体基板上に複数の抵抗をブリッジ状に設け
たピエゾ素子からなる圧力検出素子および該圧力検出素
子の出力を増幅する増幅回路や圧力検出素子の出力を所
望の電気信号に変換演算する演算回路などを形成した半
導体チップ１３と、所定の外部回路を搭載した電気回路
基板（プリント基板）１４とが配置される。
の実施の形態を図１および図２を用いて説明する。図１
は、本実施の形態にかかる圧力センサ１０の縦断面図で
ある。本発明にかかる圧力センサ１０は、その外装部分
が金属材料のハウジング１１と該ハウジング１１に嵌合
結合される電気コネクタ１２とで構成され、前記ハウジ
ング１１と前記電気コネクタ１２とで構成される内部空
間には、半導体基板上に複数の抵抗をブリッジ状に設け
たピエゾ素子からなる圧力検出素子および該圧力検出素
子の出力を増幅する増幅回路や圧力検出素子の出力を所
望の電気信号に変換演算する演算回路などを形成した半
導体チップ１３と、所定の外部回路を搭載した電気回路
基板（プリント基板）１４とが配置される。
【００２７】ハウジング１１は、鉄（Ｆｅ）もしくは不
錆鋼（ＳＵＳ）等の金属で形成され、下部に冷媒の流体
導入孔１１ｄを有する筒状ネジ部１１ｃを備え、上部に
嵌合開口筒部１１ａを備えるとともに、中間部内部に濾
斗状支持部１１ｂを備え、該濾斗状支持部１１ｂは下部
に平面の底部１１ｅを有している。さらに、底部１１ｅ
には、所定の高さの堤状の突起１１ｇが流体導入孔１１
ｄの周囲を囲むように環状もしくは四角状の形状に設け
られている。
錆鋼（ＳＵＳ）等の金属で形成され、下部に冷媒の流体
導入孔１１ｄを有する筒状ネジ部１１ｃを備え、上部に
嵌合開口筒部１１ａを備えるとともに、中間部内部に濾
斗状支持部１１ｂを備え、該濾斗状支持部１１ｂは下部
に平面の底部１１ｅを有している。さらに、底部１１ｅ
には、所定の高さの堤状の突起１１ｇが流体導入孔１１
ｄの周囲を囲むように環状もしくは四角状の形状に設け
られている。
【００２８】電気コネクタ１２は、ガラスで補強された
ポリブチレンテレフタレート等の合成樹脂製の電気絶縁
材料で形成され、上部に接続コネクタの嵌合・離脱のた
めのガイド筒部１２ｂを備え、下部に拡大嵌合筒部１２
ａを備えている。電気コネクタ１２の内部には、ガイド
筒部１２ｂの内部空間から拡大嵌合筒部１２ａの内部空
間に亘って貫通した複数本のコネクタ端子１７が固定さ
れている。
ポリブチレンテレフタレート等の合成樹脂製の電気絶縁
材料で形成され、上部に接続コネクタの嵌合・離脱のた
めのガイド筒部１２ｂを備え、下部に拡大嵌合筒部１２
ａを備えている。電気コネクタ１２の内部には、ガイド
筒部１２ｂの内部空間から拡大嵌合筒部１２ａの内部空
間に亘って貫通した複数本のコネクタ端子１７が固定さ
れている。
【００２９】ハウジング１１の嵌合開口筒部１１ａの内
部の環状部１１ｆには、電気回路基板１４が嵌合載置さ
れ、該電気回路基板１４の上には、防水及び基板１４の
支持のために環状Ｏリング１５が位置し、環状部１１ｆ
に嵌合配置されている。電気コネクタ１２の嵌合筒部１
２ａは、ハウジング１１の嵌合開口筒部１１ａの上端に
嵌合しており、電気コネクタ１２の嵌合筒部１２ａの下
端傾斜部１２ｃでＯリング１５を介して電気回路基板１
４を押圧した状態で、ハウジング１１の嵌合開口筒部１
１ａの端部の開口縁部１１ａ´を電気コネクタ１２の拡
大筒部１２ａの肩部１２ｄに対してカシメ等を行うこと
によって、ハウジング１１と電気コネクタ１２とを嵌合
結合するとともに、該両者の内部に電気回路基板１４を
嵌合挾持固定している。
部の環状部１１ｆには、電気回路基板１４が嵌合載置さ
れ、該電気回路基板１４の上には、防水及び基板１４の
支持のために環状Ｏリング１５が位置し、環状部１１ｆ
に嵌合配置されている。電気コネクタ１２の嵌合筒部１
２ａは、ハウジング１１の嵌合開口筒部１１ａの上端に
嵌合しており、電気コネクタ１２の嵌合筒部１２ａの下
端傾斜部１２ｃでＯリング１５を介して電気回路基板１
４を押圧した状態で、ハウジング１１の嵌合開口筒部１
１ａの端部の開口縁部１１ａ´を電気コネクタ１２の拡
大筒部１２ａの肩部１２ｄに対してカシメ等を行うこと
によって、ハウジング１１と電気コネクタ１２とを嵌合
結合するとともに、該両者の内部に電気回路基板１４を
嵌合挾持固定している。
【００３０】コネクタ端子１７の下端屈曲端部１７ａに
は接続導電スリーブ１８がスポット溶接等で接続固定さ
れており、該接続導電スリーブ１８には、ピン端子１９
の上部１９ｂが挿入係合し、該ピン端子１９の下部１９
ａは、電気回路基板１４に設けた図示を省略した電極パ
ッドにハンダ付け等で固定されている。ピン端子１９
は、電気回路基板１４からコネクタ端子１７に電気信号
を伝達している。
は接続導電スリーブ１８がスポット溶接等で接続固定さ
れており、該接続導電スリーブ１８には、ピン端子１９
の上部１９ｂが挿入係合し、該ピン端子１９の下部１９
ａは、電気回路基板１４に設けた図示を省略した電極パ
ッドにハンダ付け等で固定されている。ピン端子１９
は、電気回路基板１４からコネクタ端子１７に電気信号
を伝達している。
【００３１】ステム２０は、４２アロイなどの鉄−ニッ
ケル（Ｆｅ−Ｎｉ）系合金からなり、所定の厚みを有す
る環状の平板として形成され、台座２１を載置する上部
載置部２０ｃと、中央に流体の通路となる上下方向の貫
通孔２０ｄを有しており、少なくとも台座２１と対向す
る面に１μｍ程度の厚さの金（Ａｕ）メッキ層が設けら
れている。ステム２０は、ハウジング１１の中間部内部
の濾斗状支持部１１ｂの下部に形成された平面の底部１
１ｅに設けた突起１１ｇ上に、電気抵抗溶接（プロジェ
クション溶接）Ａによって気密に溶着固定されている。
ステム２０の上部載置部２０ｃ上には、台座２１が気密
に溶着固定されている。
ケル（Ｆｅ−Ｎｉ）系合金からなり、所定の厚みを有す
る環状の平板として形成され、台座２１を載置する上部
載置部２０ｃと、中央に流体の通路となる上下方向の貫
通孔２０ｄを有しており、少なくとも台座２１と対向す
る面に１μｍ程度の厚さの金（Ａｕ）メッキ層が設けら
れている。ステム２０は、ハウジング１１の中間部内部
の濾斗状支持部１１ｂの下部に形成された平面の底部１
１ｅに設けた突起１１ｇ上に、電気抵抗溶接（プロジェ
クション溶接）Ａによって気密に溶着固定されている。
ステム２０の上部載置部２０ｃ上には、台座２１が気密
に溶着固定されている。
【００３２】台座２１は、ガラス製の圧力検出素子載置
部材２１−１と、シリコン（Ｓｉ）からなるステム接合
部材２１−２からガラス−シリコン台座として形成さ
れ、ガラス製の載置部材２１−１とステム接合部材２１
−２は、陽極接合（ＦＡＢ接合）されている。上記それ
ぞれの部材には、ステム２０と同様に上下に流体を通す
貫通孔２１ａをステム２０の貫通孔２０ｄと同心状に備
えており、導入孔１１ｄに連通している。台座２１のス
テム接合部材２１−２の下面のステム２０と対向する部
分には、金スパッタにより１μｍ程度の厚さの金（Ａ
ｕ）メッキ層を設けている。ステム２０の上部載置部２
０ｃと、ステム接合部材２１−２の下面との間に、金−
シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）ハンダを介在させて加熱するこ
とによって金（Ａｕ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を形成
する金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）接合により、両者を気
密に溶着固定している。
部材２１−１と、シリコン（Ｓｉ）からなるステム接合
部材２１−２からガラス−シリコン台座として形成さ
れ、ガラス製の載置部材２１−１とステム接合部材２１
−２は、陽極接合（ＦＡＢ接合）されている。上記それ
ぞれの部材には、ステム２０と同様に上下に流体を通す
貫通孔２１ａをステム２０の貫通孔２０ｄと同心状に備
えており、導入孔１１ｄに連通している。台座２１のス
テム接合部材２１−２の下面のステム２０と対向する部
分には、金スパッタにより１μｍ程度の厚さの金（Ａ
ｕ）メッキ層を設けている。ステム２０の上部載置部２
０ｃと、ステム接合部材２１−２の下面との間に、金−
シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）ハンダを介在させて加熱するこ
とによって金（Ａｕ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を形成
する金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）接合により、両者を気
密に溶着固定している。
【００３３】台座２１の圧力検出素子載置部材２１−１
の上面には、圧力検出素子１３が載置され、両者は陽極
接合（ＦＡＢ接合）によって互いに気密に溶着固定され
ている。
の上面には、圧力検出素子１３が載置され、両者は陽極
接合（ＦＡＢ接合）によって互いに気密に溶着固定され
ている。
【００３４】半導体チップである圧力検出素子１３は、
半導体基板の下面中央部を肉薄部とすることによってダ
イヤフラムが形成されており、該ダイヤフラムの上面に
複数の抵抗をブリッジ状にピエゾ抵抗素子として形成す
ることによって歪ゲージが形成されており、ステム２０
の貫通孔２０ｄと台座２１の貫通孔２１ａとを介して導
入される冷媒の圧力が、ダイヤフラムに印加され、歪ゲ
ージから冷媒の圧力に応じた電気信号を出力として取り
出すことができる。さらに、圧力検出素子１３にはダイ
ヤフラム部分以外の圧力の影響を受けない肉圧部の上面
に、上記歪ゲージからの出力を増幅する増幅回路および
演算回路等の電気回路が集積回路製造技術を用いて設け
られている。
半導体基板の下面中央部を肉薄部とすることによってダ
イヤフラムが形成されており、該ダイヤフラムの上面に
複数の抵抗をブリッジ状にピエゾ抵抗素子として形成す
ることによって歪ゲージが形成されており、ステム２０
の貫通孔２０ｄと台座２１の貫通孔２１ａとを介して導
入される冷媒の圧力が、ダイヤフラムに印加され、歪ゲ
ージから冷媒の圧力に応じた電気信号を出力として取り
出すことができる。さらに、圧力検出素子１３にはダイ
ヤフラム部分以外の圧力の影響を受けない肉圧部の上面
に、上記歪ゲージからの出力を増幅する増幅回路および
演算回路等の電気回路が集積回路製造技術を用いて設け
られている。
【００３５】電気回路基板１４には、所定の外部電気回
路が実装されるとともに、基板１４と半導体チップ１３
とは、ボンディングワイヤ１４ｂで電気的に接続され、
半導体チップ１３の電気信号が、ボンディングワイヤ１
４ｂを介して電気回路基板１４に伝達され、さらに、ピ
ン端子１９を介してコネクタ端子１７に出力される。な
お、半導体チップ１３およびプリント基板１４上には、
シリコーン防湿材を防湿ゲルとしてコーティングしても
よい。
路が実装されるとともに、基板１４と半導体チップ１３
とは、ボンディングワイヤ１４ｂで電気的に接続され、
半導体チップ１３の電気信号が、ボンディングワイヤ１
４ｂを介して電気回路基板１４に伝達され、さらに、ピ
ン端子１９を介してコネクタ端子１７に出力される。な
お、半導体チップ１３およびプリント基板１４上には、
シリコーン防湿材を防湿ゲルとしてコーティングしても
よい。
【００３６】ハウジング１１とステム２０との接合は、
突起１１ｇにステム２０を載置して電気抵抗溶接するの
で、電流が突起１１ｇに集中し、突起１１ｇの上面の全
周に亘って溶接することができ、極めて状態のよい溶接
を得ることができる。
突起１１ｇにステム２０を載置して電気抵抗溶接するの
で、電流が突起１１ｇに集中し、突起１１ｇの上面の全
周に亘って溶接することができ、極めて状態のよい溶接
を得ることができる。
【００３７】図２を用いて、図１に示した半導体チップ
１３の回路構成（図２の点線で囲む部分）の概略を説明
する。半導体基板のダイヤフラム部分の上面に４本のピ
エゾ抵抗をブリッジ接続した歪ゲージ１３１が設けら
れ、ダイヤフラム部分以外の圧力の影響を受けない肉圧
部の上面に演算増幅器１３２，１３３，１３４と抵抗１
３５〜１３８からなる増幅回路が設けられている。可変
抵抗Ｒ1および抵抗Ｒ2は、回路上のオフセット調整用電
圧設定抵抗であり、圧力検出素子に既知の圧力を加え、
その出力を監視しながら可変抵抗Ｒ1の抵抗値をレーザ
を用いてトリミングすることによって回路上のオフセッ
トを調整することができる。可変抵抗Ｒ3は、ゲイン調
整用抵抗であり、圧力検出素子に既知の圧力を加え、そ
の出力を監視しながら可変抵抗Ｒ3の抵抗値をレーザを
用いてトリミングすることによって増幅回路のゲインを
を調整することができる。抵抗Ｒ4は演算増幅器１３４
の帰還抵抗である。これらの抵抗は、電気回路基板１４
上に設けられている。なお、Ｖｃｃは電源電圧、Ｖｏｕ
ｔは出力端子、ＧＮＤは設置端子を示している。
１３の回路構成（図２の点線で囲む部分）の概略を説明
する。半導体基板のダイヤフラム部分の上面に４本のピ
エゾ抵抗をブリッジ接続した歪ゲージ１３１が設けら
れ、ダイヤフラム部分以外の圧力の影響を受けない肉圧
部の上面に演算増幅器１３２，１３３，１３４と抵抗１
３５〜１３８からなる増幅回路が設けられている。可変
抵抗Ｒ1および抵抗Ｒ2は、回路上のオフセット調整用電
圧設定抵抗であり、圧力検出素子に既知の圧力を加え、
その出力を監視しながら可変抵抗Ｒ1の抵抗値をレーザ
を用いてトリミングすることによって回路上のオフセッ
トを調整することができる。可変抵抗Ｒ3は、ゲイン調
整用抵抗であり、圧力検出素子に既知の圧力を加え、そ
の出力を監視しながら可変抵抗Ｒ3の抵抗値をレーザを
用いてトリミングすることによって増幅回路のゲインを
を調整することができる。抵抗Ｒ4は演算増幅器１３４
の帰還抵抗である。これらの抵抗は、電気回路基板１４
上に設けられている。なお、Ｖｃｃは電源電圧、Ｖｏｕ
ｔは出力端子、ＧＮＤは設置端子を示している。
【００３８】このように、同一チップ上に検出素子と増
幅器を搭載することによって、両電気回路の温度は同様
に変化し、温度補償を施しやすくなり測定精度を向上さ
せることができる。さらに、圧力検出素子と増幅回路を
同一チップ上に半集積回路製造技術を用いて形成するこ
とによって、圧力センサ自体を小型化するとともに製造
工程を簡略化することができる。
幅器を搭載することによって、両電気回路の温度は同様
に変化し、温度補償を施しやすくなり測定精度を向上さ
せることができる。さらに、圧力検出素子と増幅回路を
同一チップ上に半集積回路製造技術を用いて形成するこ
とによって、圧力センサ自体を小型化するとともに製造
工程を簡略化することができる。
【００３９】さらに、台座２１をガラス製の圧力検出素
子載置部材２１−１とシリコンからなるステム接合部材
２１−２から構成したので、ハウジング１１と圧力検出
素子１３との間に確実な電気絶縁を得ることができる。
子載置部材２１−１とシリコンからなるステム接合部材
２１−２から構成したので、ハウジング１１と圧力検出
素子１３との間に確実な電気絶縁を得ることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧力検出素子を装着する台座とステムとハウジングとの
接合を気密が高く確実なものとすることができ、圧力セ
ンサの部品の組立・装着が容易にかつ確実にできるとと
もに、信頼性の高い圧力センサを得ることができる。
圧力検出素子を装着する台座とステムとハウジングとの
接合を気密が高く確実なものとすることができ、圧力セ
ンサの部品の組立・装着が容易にかつ確実にできるとと
もに、信頼性の高い圧力センサを得ることができる。
【図１】本発明にかかる圧力センサの構造を示す縦断面
図。
図。
【図２】本発明にかかる圧力センサの圧力検出素子の回
路の概略を示す回路図。
路の概略を示す回路図。
【図３】本発明の先行技術になる圧力センサの構造を示
す縦断面図。
す縦断面図。
１０ 圧力センサ １１ ハウジング １２ 電気コネクタ １３ 圧力検出素子 １４ 電気回路基板 ２０ ステム ２１ 台座
Claims (8)
- 【請求項１】 金属材料からなるハウジングと、該ハウ
ジングの内部に配置した半導体基板上に設けた圧力を検
出する圧力検出素子とを備えた圧力センサにおいて、ハ
ウジングは、流体導入孔と、該流体導入孔に連通すると
ともに上部が開口した内部空間と、該内部空間の底部に
前記流体導入孔の開口の周囲に形成された環状の突起を
有し、前記圧力検出素子は、圧力検出素子載置部材とス
テム接合部材とからなる中央に開口を有する台座と、中
央に開口を有するステムとを介して前記ハウジングの突
起上に気密に固定されていることを特徴とする圧力セン
サ。 - 【請求項２】 圧力検出素子は、台座の圧力検出素子載
置部材の上面に気密に固定され、台座の圧力検出素子載
置部材とステム接合部材は、気密に固定され、台座のス
テム接合部材は、ステムに気密に固定され、ステムは、
ハウジングの内部空間内の底部に設けた突起上に気密に
固定されている請求項１に記載された圧力センサ。 - 【請求項３】 ステムと突起との固定は電気抵抗溶接に
よって溶着固定されている請求項２に記載された圧力セ
ンサ。 - 【請求項４】 圧力検出素子と圧力検出素子載置部材と
の固定、および、圧力検出素子載置部材とステム接合部
材との固定は、陽極接合（ＦＡＢ接合）によって溶着固
定されている請求項２または請求項３に記載された圧力
センサ。 - 【請求項５】 ステムの少なくともステム接合部材と対
向する部分には金メッキ層が設けられ、かつステム接合
部材の少なくともステムと対向する部分に金メッキ層が
設けられ、ステムとステム接合部材との溶着固定は、加
熱により形成された金とシリコンの合金によりなされて
いる請求項１ないし請求項４のいずれかに記載された圧
力センサ。 - 【請求項６】 台座の圧力検出素子載置部材がガラスか
ら構成され、ステム接合部材がシリコンまたはシリコン
合金から構成され、ステムが４２アロイから構成される
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載された圧力セ
ンサ。 - 【請求項７】 圧力検出素子は、半導体基板の中央部に
形成された肉薄状のダイヤフラム部と周辺部に設けた変
形しにくい肉厚部とを有しており、中央部のダイヤフラ
ム部上に複数の抵抗体を設けた圧力検知部が設けられ、
周辺部の肉厚部上に集積回路製造技術によって設けられ
た演算部が設けられていることを特徴とする請求項１な
いし請求項７のいずれかに記載された圧力センサ。 - 【請求項８】 圧力検出素子は、半導体基板の中央部に
形成された肉薄状のダイヤフラム部と周辺部に設けた変
形しにくい肉厚部とを有しており、中央部のダイヤフラ
ム部上にピエゾ抵抗体を設けた圧力検知部が設けられ、
周辺部の肉厚部上に集積回路製造技術によって設けられ
た演算部が設けられていることを特徴とする請求項１な
いし請求項７のいずれかに記載された圧力センサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185140A JPH1130559A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 圧力センサ |
| EP98111202A EP0890830B1 (en) | 1997-07-10 | 1998-06-18 | Pressure sensor |
| DE69803519T DE69803519T2 (de) | 1997-07-10 | 1998-06-18 | Drucksensor |
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