JPH01169333A - 半導体圧力変換器 - Google Patents
半導体圧力変換器Info
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- JPH01169333A JPH01169333A JP32706087A JP32706087A JPH01169333A JP H01169333 A JPH01169333 A JP H01169333A JP 32706087 A JP32706087 A JP 32706087A JP 32706087 A JP32706087 A JP 32706087A JP H01169333 A JPH01169333 A JP H01169333A
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- pressure transducer
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- Pending
Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基準圧室を有する半導体圧力変換器に係り、
特に圧力変換部とハウジングの接着構造の高自由度化及
びリードピンの細線化、構造の簡略化、小型化に好適な
半導体圧力変換器に関する。
特に圧力変換部とハウジングの接着構造の高自由度化及
びリードピンの細線化、構造の簡略化、小型化に好適な
半導体圧力変換器に関する。
従来の半導体圧力変換器は、公知例■特開昭６０−１２
７４３７号に記載のように、半導体圧力変換器のリード
ピンは圧力導入管と同一平面上に位置し、直接基板と半
田により接合され、圧力導入管は直接ハウジング部の圧
力導入口とＯリングによってシール固定されていた。こ
のように圧力導入管とリードピンが同一平面内に位置す
る構造の場合、公知例■に示す構造のように、基板に穴
をあけてその中を通して、ハンダ付などによって電気的
接続を得るか、公知例■特開昭６２−５５５３６号に示
すように、ハウジングに溝を掘りリードピンを曲げて厚
膜混成基板と電気的接続を得ていた。このように、公知
例■、■とも自由度が無い上、センサ自体を小型化でき
ないという問題があった。
７４３７号に記載のように、半導体圧力変換器のリード
ピンは圧力導入管と同一平面上に位置し、直接基板と半
田により接合され、圧力導入管は直接ハウジング部の圧
力導入口とＯリングによってシール固定されていた。こ
のように圧力導入管とリードピンが同一平面内に位置す
る構造の場合、公知例■に示す構造のように、基板に穴
をあけてその中を通して、ハンダ付などによって電気的
接続を得るか、公知例■特開昭６２−５５５３６号に示
すように、ハウジングに溝を掘りリードピンを曲げて厚
膜混成基板と電気的接続を得ていた。このように、公知
例■、■とも自由度が無い上、センサ自体を小型化でき
ないという問題があった。
上記従来の技術は、リードピンの細線化、ハウジングと
圧力変換部の接着構造の高自由度化小型化という点につ
いて配慮がされておらず、信頼性及び構造の簡略化、作
業性の悪さに問題があった。
圧力変換部の接着構造の高自由度化小型化という点につ
いて配慮がされておらず、信頼性及び構造の簡略化、作
業性の悪さに問題があった。
本発明の目的は、圧力変換部の小型化及びり−ドピンの
細線化及びハウジングと圧力変換部の接着構造の高自由
度化を達成する実装構造を得ることにある。
細線化及びハウジングと圧力変換部の接着構造の高自由
度化を達成する実装構造を得ることにある。
上記目的は、リードピンの位置を圧力導入管と隣合った
平面上に設けることによって、達成できる。
平面上に設けることによって、達成できる。
リードピンの位置をヘッダー側面に置くことにより、基
準圧室内のり−ドピンの長さは、受圧素子部とヘッダー
内側凹部間しか必要なくなるため細線化、短少化が図れ
ると伴にヘッダ凹部しか面積が必要でないため、小型化
できる。又、これに伴って受圧素子部のシリコンチップ
の位置は、ヘッダー上面に位置することが無いため、ギ
ャップの４型化も図れる。
準圧室内のり−ドピンの長さは、受圧素子部とヘッダー
内側凹部間しか必要なくなるため細線化、短少化が図れ
ると伴にヘッダ凹部しか面積が必要でないため、小型化
できる。又、これに伴って受圧素子部のシリコンチップ
の位置は、ヘッダー上面に位置することが無いため、ギ
ャップの４型化も図れる。
八ツグーの下面で直接ハウジングと接着、０リングを用
いてシールできるため、スペーサも不要になり、構造も
簡略化できる。
いてシールできるため、スペーサも不要になり、構造も
簡略化できる。
以下、本発明の一実施例を第１図、及び第２図により説
明する。
明する。
片面に半導体歪ゲージ、裏面に凹加工を施して得たダイ
ヤフラムを有するシリコンチップ１を、シリコン又は硼
珪酸ガラス（例えばパイレックス＃７７４０）の台座２
に、軟ろう剤又はアノ−デイックボンディングにより接
合する。この受圧端子部を、Ｎｉメツキを施した４２Ｎ
ｉ又は４ＯＮｉ（又は４１Ｎｉ）の圧力導入口及び受圧
素子部が挿入可能な穴径の凹加工を施し、この内側側面
に中心から半円周上に４ケの外部回路と電気的接続を得
るためのリードピン１ｏをハーメチックシールガラス１
１で封入した穴と下部に０リング溝を有した円筒のヘッ
ダー４とを軟ろう材で接合する。シリコンチップ１とリ
ードピン１０とを金線細線１２で接続後、基準圧に設定
された雰囲気中でキャップ３とヘッダー４に溶接するこ
とで、基僧圧室を有した半導体圧力変換器が得られる。
ヤフラムを有するシリコンチップ１を、シリコン又は硼
珪酸ガラス（例えばパイレックス＃７７４０）の台座２
に、軟ろう剤又はアノ−デイックボンディングにより接
合する。この受圧端子部を、Ｎｉメツキを施した４２Ｎ
ｉ又は４ＯＮｉ（又は４１Ｎｉ）の圧力導入口及び受圧
素子部が挿入可能な穴径の凹加工を施し、この内側側面
に中心から半円周上に４ケの外部回路と電気的接続を得
るためのリードピン１ｏをハーメチックシールガラス１
１で封入した穴と下部に０リング溝を有した円筒のヘッ
ダー４とを軟ろう材で接合する。シリコンチップ１とリ
ードピン１０とを金線細線１２で接続後、基準圧に設定
された雰囲気中でキャップ３とヘッダー４に溶接するこ
とで、基僧圧室を有した半導体圧力変換器が得られる。
第２図は、第１図に示した構造の半導体圧力変換器を被
測定圧導入管を有したハウジング６に実装した一実施例
である。ハウジング６には、増幅回路及び温度補償回路
を含んだ厚膜混成回路基板８が接着剤７で固定されてい
る。ハウジング６の凹部に、０リング溝に０リング５を
挿入した半導体圧力変換器を挿入し接着剤１３で接着す
る。リードピン１０の先端部は、厚膜混成回路基板上に
絞ろう材等で接合されたウェルディングパット９へ溶接
により接合し、電気的接合を得る。
測定圧導入管を有したハウジング６に実装した一実施例
である。ハウジング６には、増幅回路及び温度補償回路
を含んだ厚膜混成回路基板８が接着剤７で固定されてい
る。ハウジング６の凹部に、０リング溝に０リング５を
挿入した半導体圧力変換器を挿入し接着剤１３で接着す
る。リードピン１０の先端部は、厚膜混成回路基板上に
絞ろう材等で接合されたウェルディングパット９へ溶接
により接合し、電気的接合を得る。
本実施例によれば、リードピンの位置を圧力導入管と隣
り合う面に置くことにより、圧力変換部とハウジング６
の接着構造に自由度ができる。又、回路基板の中に穴を
あけて圧力変換部を通すことが無いため、基板に厚膜混
成基板を使用することができ、その上、ヘッダー凹部か
ら出たり一ドピン１０の長さを短くできたため、リード
ピン１０と金線細線の超音波熱圧着時にリードピン１０
が長いために起きていた共振が防止できたうえ、リード
ピン１ｏを細線化することができた。金線ボンディング
をするため、リードピン１ｏとシリコンチップ１の間隔
をあけなくてはならなかったが、ヘッダー４の内側側壁
からり一ドピン１０を出すことが可能となったため、ヘ
ッダー４のを小型化できた。以上より、信頼性、作業性
の向上、小型化、低コスト化に効果がある。
り合う面に置くことにより、圧力変換部とハウジング６
の接着構造に自由度ができる。又、回路基板の中に穴を
あけて圧力変換部を通すことが無いため、基板に厚膜混
成基板を使用することができ、その上、ヘッダー凹部か
ら出たり一ドピン１０の長さを短くできたため、リード
ピン１０と金線細線の超音波熱圧着時にリードピン１０
が長いために起きていた共振が防止できたうえ、リード
ピン１ｏを細線化することができた。金線ボンディング
をするため、リードピン１ｏとシリコンチップ１の間隔
をあけなくてはならなかったが、ヘッダー４の内側側壁
からり一ドピン１０を出すことが可能となったため、ヘ
ッダー４のを小型化できた。以上より、信頼性、作業性
の向上、小型化、低コスト化に効果がある。
本発明によれば、半導体圧力変換器のギャップの薄型化
、圧力変換部の小型化、リードピンの細線化スペーサの
中にリードピンを通し厚膜混成基板と接合するという作
業性の悪さを改善でき、リードピンを曲げて厚膜混成基
板と接合するときのリードピンのガラス封止部へ加わる
応力の低減を目的とした十分なたるみを持たせるという
信頼性の向上、スペーサを排除したことによる構造の簡
略化、コスト低減１作業工程の減少に効果がある。
、圧力変換部の小型化、リードピンの細線化スペーサの
中にリードピンを通し厚膜混成基板と接合するという作
業性の悪さを改善でき、リードピンを曲げて厚膜混成基
板と接合するときのリードピンのガラス封止部へ加わる
応力の低減を目的とした十分なたるみを持たせるという
信頼性の向上、スペーサを排除したことによる構造の簡
略化、コスト低減１作業工程の減少に効果がある。
第１図は本発明の一実施例の基準圧室を有する絶対圧半
導体圧力変換器の中央断面図、第２図は本発明の半導体
圧力変換器をハウジングに実装した時の側面中央断面図
である。 １・・・シリコンチップ、２・・・台座、３・・・キャ
ップ、４・・・ヘッダー、５・・・Ｏリング、６・・・
ハウジング。 ７・・・接着剤、８・・・厚膜混成回路基板、９・・・
ウェルディングバット、１０・・・リードピン、１１・
・・バー第１図 第２図
導体圧力変換器の中央断面図、第２図は本発明の半導体
圧力変換器をハウジングに実装した時の側面中央断面図
である。 １・・・シリコンチップ、２・・・台座、３・・・キャ
ップ、４・・・ヘッダー、５・・・Ｏリング、６・・・
ハウジング。 ７・・・接着剤、８・・・厚膜混成回路基板、９・・・
ウェルディングバット、１０・・・リードピン、１１・
・・バー第１図 第２図
Claims (1)
- １、被測定圧力導入部及び外部回路と電気的接続を得る
ためのリードピンとを有するヘッダー（ステム）と、こ
のヘッダー上に設けられた被測定圧力に感応するシリコ
ンダイヤフラムとそれを固定するシリコンとほぼ熱膨張
係数の等しい材料の台座から成る受圧素子部。受圧素子
部を囲んでダイヤフラムに基準圧室を与えるキャップと
被測定圧力を導入するための圧力導入パイプと、増幅回
路及び温度補償回路を含んだ厚膜混成回路基板を有する
ハウジングとを備える半導体圧力変換器において、リー
ドピンの位置を圧力導入管と隣り合つた平面上に設ける
ことを特徴とした半導体圧力変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32706087A JPH01169333A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体圧力変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32706087A JPH01169333A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体圧力変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169333A true JPH01169333A (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=18194851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32706087A Pending JPH01169333A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体圧力変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169333A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6062089A (en) * | 1998-01-28 | 2000-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor having a flange surface configured to fit into a stepped hole of a housing body |
| WO2014058006A1 (ja) | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Kanai Tomio | 粘着ローラー式掃除用具 |
| WO2014069575A1 (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 株式会社 豊田自動織機 | 蓄電装置及び蓄電装置の製造方法 |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP32706087A patent/JPH01169333A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6062089A (en) * | 1998-01-28 | 2000-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor having a flange surface configured to fit into a stepped hole of a housing body |
| US9148731B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9338560B1 (en) | 2000-11-28 | 2016-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9023689B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9024432B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9051171B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-09 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9096423B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-08-04 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9067780B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-30 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9156684B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-13 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9061893B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-23 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphones |
| US9133020B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-15 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9139422B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9139421B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9150409B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-06 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| WO2014058006A1 (ja) | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Kanai Tomio | 粘着ローラー式掃除用具 |
| WO2014069575A1 (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 株式会社 豊田自動織機 | 蓄電装置及び蓄電装置の製造方法 |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
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