JPH1137873A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH1137873A JPH1137873A JP18996397A JP18996397A JPH1137873A JP H1137873 A JPH1137873 A JP H1137873A JP 18996397 A JP18996397 A JP 18996397A JP 18996397 A JP18996397 A JP 18996397A JP H1137873 A JPH1137873 A JP H1137873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- pressure
- lead terminal
- bonding wire
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】高湿環境下における信頼性を向上した半導体圧
力センサを提供する。 【解決手段】ヘッダー２には、圧力導入孔４ａが穿設さ
れた金属パイプ４と、複数のリード端子５が植設されて
いる。半導体センサチップ１はガラス台座６を介して金
属パイプ４の上端面に配設されており、半導体センサチ
ップ１の受圧ダイアフラムにはガラス台座６に設けられ
た孔６ａを介して圧力導入孔４ａの圧力が導入されてい
る。ここで、半導体センサチップ１の電極とリード端子
５とはアルミニウム細線よりなるボンディングワイヤ７
を介して接続されており、半導体センサチップ１の電極
とボンディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８に覆わ
れ、リード端子５とボンディングワイヤ７との接合部は
ゲル状物質９によって覆われている。
力センサを提供する。 【解決手段】ヘッダー２には、圧力導入孔４ａが穿設さ
れた金属パイプ４と、複数のリード端子５が植設されて
いる。半導体センサチップ１はガラス台座６を介して金
属パイプ４の上端面に配設されており、半導体センサチ
ップ１の受圧ダイアフラムにはガラス台座６に設けられ
た孔６ａを介して圧力導入孔４ａの圧力が導入されてい
る。ここで、半導体センサチップ１の電極とリード端子
５とはアルミニウム細線よりなるボンディングワイヤ７
を介して接続されており、半導体センサチップ１の電極
とボンディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８に覆わ
れ、リード端子５とボンディングワイヤ７との接合部は
ゲル状物質９によって覆われている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体圧力センサとしては、図
７に示すように、半導体基板に凹所を設けることによっ
て形成された受圧ダイアフラムにピエゾ抵抗が形成され
た半導体センサチップ１と、圧力導入孔４ａが穿設され
た金属パイプ４及び複数のリード端子５が一体に設けら
れた絶縁性のヘッダー２とを備え、金属パイプ４の上端
部にガラス台座６を介して半導体センサチップ１を配設
し、半導体センサチップ１の電極（図示せず）とリード
端子５の上端部とを例えばアルミニウム細線よりなるボ
ンディングワイヤ７で接続して、ヘッダー２に金属キャ
ン３を冠着したものがあった。尚、金属キャン３の上面
には外部と連通する大気導入孔３ａが穿設されている。
また、ガラス台座６には圧力導入孔４ａと連通する孔６
ａが穿設されており、半導体センサチップ１の受圧ダイ
アフラムに圧力導入孔４ａからの圧力が伝わるようにな
っている。
７に示すように、半導体基板に凹所を設けることによっ
て形成された受圧ダイアフラムにピエゾ抵抗が形成され
た半導体センサチップ１と、圧力導入孔４ａが穿設され
た金属パイプ４及び複数のリード端子５が一体に設けら
れた絶縁性のヘッダー２とを備え、金属パイプ４の上端
部にガラス台座６を介して半導体センサチップ１を配設
し、半導体センサチップ１の電極（図示せず）とリード
端子５の上端部とを例えばアルミニウム細線よりなるボ
ンディングワイヤ７で接続して、ヘッダー２に金属キャ
ン３を冠着したものがあった。尚、金属キャン３の上面
には外部と連通する大気導入孔３ａが穿設されている。
また、ガラス台座６には圧力導入孔４ａと連通する孔６
ａが穿設されており、半導体センサチップ１の受圧ダイ
アフラムに圧力導入孔４ａからの圧力が伝わるようにな
っている。
【０００３】ここで、図８に示すように、リード端子５
の表面には、例えば下地にニッケル(Ni) めっき５ａが
形成され、上地に厚さ約０．５μｍ程度の金 (Au) めっ
き５ｂが形成されており、上地の金めっき５ｂの厚さが
厚いので、ボンディングワイヤ７は金めっき５ｂの部分
で固定されている。
の表面には、例えば下地にニッケル(Ni) めっき５ａが
形成され、上地に厚さ約０．５μｍ程度の金 (Au) めっ
き５ｂが形成されており、上地の金めっき５ｂの厚さが
厚いので、ボンディングワイヤ７は金めっき５ｂの部分
で固定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体圧力
センサでは、ボンディングワイヤ７が接続された半導体
センサチップ１の上面がＪＣＲ（Junction Coating Res
in）８で覆われているので、半導体センサチップ１の電
極とボンディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８で保護
されているが、リード端子５とボンディングワイヤ７と
の接合部を保護するものがなかった。
センサでは、ボンディングワイヤ７が接続された半導体
センサチップ１の上面がＪＣＲ（Junction Coating Res
in）８で覆われているので、半導体センサチップ１の電
極とボンディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８で保護
されているが、リード端子５とボンディングワイヤ７と
の接合部を保護するものがなかった。
【０００５】ここで、リード端子５の表面に施されため
っきは上地が金であり、ボンディングワイヤ７はアルミ
ニウム細線であるので、高湿環境下では、リード端子５
とボンディングワイヤ７との接合部に異種金属間化合物
が発生し、リード端子５とボンディングワイヤ７との接
合部の強度が著しく低下するという問題があった。ま
た、ＪＣＲ８で保護された半導体センサチップ１の電極
とボンディングワイヤ７との接合部に比べて、リード端
子５とボンディングワイヤ７との接合部は熱応力や振動
等に弱いという問題もあった。
っきは上地が金であり、ボンディングワイヤ７はアルミ
ニウム細線であるので、高湿環境下では、リード端子５
とボンディングワイヤ７との接合部に異種金属間化合物
が発生し、リード端子５とボンディングワイヤ７との接
合部の強度が著しく低下するという問題があった。ま
た、ＪＣＲ８で保護された半導体センサチップ１の電極
とボンディングワイヤ７との接合部に比べて、リード端
子５とボンディングワイヤ７との接合部は熱応力や振動
等に弱いという問題もあった。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、高湿環境下での信頼
性を向上させるとともに、熱応力や振動等にも強い半導
体圧力センサを提供することにある。
であり、その目的とするところは、高湿環境下での信頼
性を向上させるとともに、熱応力や振動等にも強い半導
体圧力センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、半導体基板の受圧ダイアフラ
ム上にピエゾ抵抗が形成された半導体センサチップと、
半導体センサチップがガラス台座を介して配設されると
ともに、半導体センサチップの受圧ダイアフラムに測定
箇所から圧力を導くための圧力導入孔が穿設された金属
パイプ及び半導体センサチップの電極にボンディングワ
イヤを介して電気的に接続されたリード端子が設けられ
たヘッダーとを備え、ボンディングワイヤとリード端子
との接合部がゲル状物質で覆われているので、高湿環境
下でもボンディングワイヤとリード端子との接合部に異
種金属間化合物が発生するのを防止できる。また、ボン
ディングワイヤとリード端子との接合部をゲル状物質で
固定することができる。
に、請求項１の発明では、半導体基板の受圧ダイアフラ
ム上にピエゾ抵抗が形成された半導体センサチップと、
半導体センサチップがガラス台座を介して配設されると
ともに、半導体センサチップの受圧ダイアフラムに測定
箇所から圧力を導くための圧力導入孔が穿設された金属
パイプ及び半導体センサチップの電極にボンディングワ
イヤを介して電気的に接続されたリード端子が設けられ
たヘッダーとを備え、ボンディングワイヤとリード端子
との接合部がゲル状物質で覆われているので、高湿環境
下でもボンディングワイヤとリード端子との接合部に異
種金属間化合物が発生するのを防止できる。また、ボン
ディングワイヤとリード端子との接合部をゲル状物質で
固定することができる。
【０００８】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、リード端子が設けられたヘッダーの部位を囲む壁
を設けているので、ボンディングワイヤとリード端子と
の接合部を覆うゲル状物質が外部や半導体センサチップ
側に流れ出すのを防止することができる。請求項３の発
明では、半導体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗
が形成された半導体センサチップと、半導体センサチッ
プがガラス台座を介して配設されるとともに、半導体セ
ンサチップの受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力を導
くための圧力導入孔が穿設された金属パイプ及び半導体
センサチップの電極にアルミニウム細線よりなるボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されたリード端子が
設けられたヘッダーとを備え、リード端子の表面に下地
にニッケルめっきを形成するとともに、上地に厚さが約
０．１μｍ以下の金めっきを形成しているので、リード
端子の表面に形成した金めっきの膜厚を薄くすることに
より、ボンディングワイヤをニッケルめっきの部位で接
合させ、ボンディングワイヤと金めっきとの接触面積を
少なくすることができる。
いて、リード端子が設けられたヘッダーの部位を囲む壁
を設けているので、ボンディングワイヤとリード端子と
の接合部を覆うゲル状物質が外部や半導体センサチップ
側に流れ出すのを防止することができる。請求項３の発
明では、半導体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗
が形成された半導体センサチップと、半導体センサチッ
プがガラス台座を介して配設されるとともに、半導体セ
ンサチップの受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力を導
くための圧力導入孔が穿設された金属パイプ及び半導体
センサチップの電極にアルミニウム細線よりなるボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されたリード端子が
設けられたヘッダーとを備え、リード端子の表面に下地
にニッケルめっきを形成するとともに、上地に厚さが約
０．１μｍ以下の金めっきを形成しているので、リード
端子の表面に形成した金めっきの膜厚を薄くすることに
より、ボンディングワイヤをニッケルめっきの部位で接
合させ、ボンディングワイヤと金めっきとの接触面積を
少なくすることができる。
【０００９】請求項４の発明では、請求項３の発明にお
いて、ボンディングワイヤが接合されるリード端子の部
位の金めっきを除去しているので、ボンディングワイヤ
と金めっきとが接触するのを防止できる。請求項５の発
明では、請求項４の発明において、リード端子の材質を
ニッケルとしており、上地の金めっきを除去する際に下
地のニッケルめっきまで除去したとしても、リード端子
の材質がニッケルなのでボンディングワイヤをニッケル
からなるリード端子に接合することができる。
いて、ボンディングワイヤが接合されるリード端子の部
位の金めっきを除去しているので、ボンディングワイヤ
と金めっきとが接触するのを防止できる。請求項５の発
明では、請求項４の発明において、リード端子の材質を
ニッケルとしており、上地の金めっきを除去する際に下
地のニッケルめっきまで除去したとしても、リード端子
の材質がニッケルなのでボンディングワイヤをニッケル
からなるリード端子に接合することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。 （実施形態１）本実施形態の半導体圧力センサの断面図
を図１（ａ）に、金属キャンを外した状態の上面図を図
１（ｂ）に示す。尚、半導体圧力センサの基本的な構成
は、上述した従来の半導体圧力センサと同様であるの
で、同一の構成部材には、同一の符号を付し、その説明
を省略する。
して説明する。 （実施形態１）本実施形態の半導体圧力センサの断面図
を図１（ａ）に、金属キャンを外した状態の上面図を図
１（ｂ）に示す。尚、半導体圧力センサの基本的な構成
は、上述した従来の半導体圧力センサと同様であるの
で、同一の構成部材には、同一の符号を付し、その説明
を省略する。
【００１１】本実施形態の半導体圧力センサは、半導体
基板に凹所を設けることによって形成された受圧ダイア
フラムにピエゾ抵抗が形成された半導体センサチップ１
と、圧力導入孔４ａが穿設された金属パイプ４及び例え
ば５本のリード端子５が一体に設けられた絶縁性のヘッ
ダー２とを備え、金属パイプ４の上端部にガラス台座６
を介して半導体センサチップ１を配設し、半導体センサ
チップ１の電極（図示せず）とリード端子５の上端部と
を例えばアルミニウム細線よりなるボンディングワイヤ
７で接続して、ヘッダー２に金属キャン３を冠着してい
る。
基板に凹所を設けることによって形成された受圧ダイア
フラムにピエゾ抵抗が形成された半導体センサチップ１
と、圧力導入孔４ａが穿設された金属パイプ４及び例え
ば５本のリード端子５が一体に設けられた絶縁性のヘッ
ダー２とを備え、金属パイプ４の上端部にガラス台座６
を介して半導体センサチップ１を配設し、半導体センサ
チップ１の電極（図示せず）とリード端子５の上端部と
を例えばアルミニウム細線よりなるボンディングワイヤ
７で接続して、ヘッダー２に金属キャン３を冠着してい
る。
【００１２】ここで、半導体センサチップ１の上面はＪ
ＣＲ８で覆われており、半導体センサチップ１の各電極
とボンディングワイヤ７との接合部がＪＣＲ８で保護さ
れている。また、リード端子５とボンディングワイヤ７
との接合部は、それぞれ、例えばシリコンゲルからなる
ゲル状物質９で個別に覆われている。尚、金属キャン３
の上面には外部と連通する大気導入孔３ａが穿設されて
いる。また、ガラス台座６には圧力導入孔４ａと連通す
る孔６ａが穿設されており、半導体センサチップ１の受
圧ダイアフラムに圧力導入孔４ａからの圧力が伝わるよ
うになっている。
ＣＲ８で覆われており、半導体センサチップ１の各電極
とボンディングワイヤ７との接合部がＪＣＲ８で保護さ
れている。また、リード端子５とボンディングワイヤ７
との接合部は、それぞれ、例えばシリコンゲルからなる
ゲル状物質９で個別に覆われている。尚、金属キャン３
の上面には外部と連通する大気導入孔３ａが穿設されて
いる。また、ガラス台座６には圧力導入孔４ａと連通す
る孔６ａが穿設されており、半導体センサチップ１の受
圧ダイアフラムに圧力導入孔４ａからの圧力が伝わるよ
うになっている。
【００１３】上述のように、本実施形態の半導体圧力セ
ンサでは、リード端子５とボンディングワイヤ７との接
合部がゲル状物質９で覆われているので、リード端子５
の表面に形成されためっき層とボンディングワイヤ７と
が異種金属から形成されていたとしても、両者の接合部
に異種金属間化合物が発生するのを防止でき、信頼性が
向上する。また、リード端子５とボンディングワイヤ７
との接合部がゲル状物質９で固定されているので、接合
部の強度を高めて、熱応力や振動等の外乱に対して強く
することができる。
ンサでは、リード端子５とボンディングワイヤ７との接
合部がゲル状物質９で覆われているので、リード端子５
の表面に形成されためっき層とボンディングワイヤ７と
が異種金属から形成されていたとしても、両者の接合部
に異種金属間化合物が発生するのを防止でき、信頼性が
向上する。また、リード端子５とボンディングワイヤ７
との接合部がゲル状物質９で固定されているので、接合
部の強度を高めて、熱応力や振動等の外乱に対して強く
することができる。
【００１４】また、半導体センサチップ１の電極とボン
ディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８で保護されてい
るので、両者の接合部に異種金属間化合物が発生するの
を防止できるとともに、接合部の強度を高めて、熱応力
や振動等の外乱に対して強くすることができる。ところ
で、リード端子５とボンディングワイヤ７との接合部を
ゲル状物質９で覆う際に、ゲル状物質９がヘッダー２の
外側に流れ出すのを防ぐために、図２（ａ）（ｂ）に示
すように、ヘッダー２の外周に沿って壁２ａを突設して
も良いし、さらにゲル状物質９が半導体センサチップ１
側に流れるのを防ぐために、図３（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、金属パイプ４の上端面の外周に沿って壁４ｂを突
設し、壁２ａ，４ｂで囲まれるヘッダー２の部位全体を
ゲル状物質９で覆っても良い。このように、ヘッダー２
及び金属パイプ４にそれぞれ壁２ａ，４ｂを設けるとと
もに、壁２ａ，４ｂで囲まれるヘッダー２の部位全体を
ゲル状物質９で覆っているので、リード端子５とボンデ
ィングワイヤ７との接合部を個別にゲル状物質９で覆う
場合に比べて、作業性が向上する。
ディングワイヤ７との接合部はＪＣＲ８で保護されてい
るので、両者の接合部に異種金属間化合物が発生するの
を防止できるとともに、接合部の強度を高めて、熱応力
や振動等の外乱に対して強くすることができる。ところ
で、リード端子５とボンディングワイヤ７との接合部を
ゲル状物質９で覆う際に、ゲル状物質９がヘッダー２の
外側に流れ出すのを防ぐために、図２（ａ）（ｂ）に示
すように、ヘッダー２の外周に沿って壁２ａを突設して
も良いし、さらにゲル状物質９が半導体センサチップ１
側に流れるのを防ぐために、図３（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、金属パイプ４の上端面の外周に沿って壁４ｂを突
設し、壁２ａ，４ｂで囲まれるヘッダー２の部位全体を
ゲル状物質９で覆っても良い。このように、ヘッダー２
及び金属パイプ４にそれぞれ壁２ａ，４ｂを設けるとと
もに、壁２ａ，４ｂで囲まれるヘッダー２の部位全体を
ゲル状物質９で覆っているので、リード端子５とボンデ
ィングワイヤ７との接合部を個別にゲル状物質９で覆う
場合に比べて、作業性が向上する。
【００１５】尚、本実施形態では、ゲル状物質９にシリ
コンゲルを用いているが、ゲル状物質９をシリコンゲル
に限定する趣旨のものではなく、シリコンゲル以外の有
機接着剤でもよい。 （実施形態２）本実施形態では、実施形態１の半導体圧
力センサにおいて、リード端子５とボンディングワイヤ
７との接合部をゲル状物質９で覆う代わりに、リード端
子５の表面に施された金めっきの厚さを薄くしている。
尚、リード端子５とボンディングワイア７との接合部以
外の構成は実施形態１の半導体圧力センサと同様である
ので、その説明を省略する。
コンゲルを用いているが、ゲル状物質９をシリコンゲル
に限定する趣旨のものではなく、シリコンゲル以外の有
機接着剤でもよい。 （実施形態２）本実施形態では、実施形態１の半導体圧
力センサにおいて、リード端子５とボンディングワイヤ
７との接合部をゲル状物質９で覆う代わりに、リード端
子５の表面に施された金めっきの厚さを薄くしている。
尚、リード端子５とボンディングワイア７との接合部以
外の構成は実施形態１の半導体圧力センサと同様である
ので、その説明を省略する。
【００１６】図４に示すように、リード端子５の表面に
は、下地に約３μｍ〜７μｍのニッケルめっき５ａが施
され、上地に約０．０５μｍ〜０．１μｍの金めっきが
施されており、従来の半導体圧力センサに比べて、リー
ド端子５に施された金めっき５ｂの膜厚が遙かに薄くな
っている。したがって、リード端子５に接合されるボン
ディングワイヤ７が、下地のニッケルめっき５ｂの部分
で固定されることになり、アルミニウム細線よりなるボ
ンディングワイヤ７と金めっき５ｂとの接触面積を小さ
くすることができるので、高湿環境下でも、ボンディン
グワイヤ７と金めっき５ｂとの接触部分で異種金属間化
合物が発生するのを抑制できる。
は、下地に約３μｍ〜７μｍのニッケルめっき５ａが施
され、上地に約０．０５μｍ〜０．１μｍの金めっきが
施されており、従来の半導体圧力センサに比べて、リー
ド端子５に施された金めっき５ｂの膜厚が遙かに薄くな
っている。したがって、リード端子５に接合されるボン
ディングワイヤ７が、下地のニッケルめっき５ｂの部分
で固定されることになり、アルミニウム細線よりなるボ
ンディングワイヤ７と金めっき５ｂとの接触面積を小さ
くすることができるので、高湿環境下でも、ボンディン
グワイヤ７と金めっき５ｂとの接触部分で異種金属間化
合物が発生するのを抑制できる。
【００１７】また、図５に示すように、リード端子５の
表面にニッケルめっき５ａ（下地）、金めっき５ｂ（上
地）を形成した後に、ボンディングワイヤ７が接合され
るリード端子５の上端面を研磨し、金めっき５ｂを除去
してから、リード端子５の上端面にボンディングワイヤ
７を接合するようにしても良い。この時、ボンディング
ワイヤ７はリード端子５の表面に形成されたニッケルめ
っき５ｂの部位に接合されるので、ボンディングワイヤ
７が金めっき５ａと接触することがなく、高湿環境下で
もボンディングワイヤ７とリード端子５との接合部で異
種金属間化合物が発生することはない。
表面にニッケルめっき５ａ（下地）、金めっき５ｂ（上
地）を形成した後に、ボンディングワイヤ７が接合され
るリード端子５の上端面を研磨し、金めっき５ｂを除去
してから、リード端子５の上端面にボンディングワイヤ
７を接合するようにしても良い。この時、ボンディング
ワイヤ７はリード端子５の表面に形成されたニッケルめ
っき５ｂの部位に接合されるので、ボンディングワイヤ
７が金めっき５ａと接触することがなく、高湿環境下で
もボンディングワイヤ７とリード端子５との接合部で異
種金属間化合物が発生することはない。
【００１８】ところで、リード端子５の上端面を研磨
し、ニッケルめっき５ａを残して、金めっき５ｂのみを
除去するためには、高い研磨精度が要求されるが、図６
に示すように、リード端子５の材質をニッケル (Ni) に
すれば、研磨時にニッケルめっき５ａまで研磨したとし
ても、ボンディングワイヤ７をニッケルからなるリード
端子５に接合することができるので、研磨に高い精度が
必要なくなる。
し、ニッケルめっき５ａを残して、金めっき５ｂのみを
除去するためには、高い研磨精度が要求されるが、図６
に示すように、リード端子５の材質をニッケル (Ni) に
すれば、研磨時にニッケルめっき５ａまで研磨したとし
ても、ボンディングワイヤ７をニッケルからなるリード
端子５に接合することができるので、研磨に高い精度が
必要なくなる。
【００１９】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、半導
体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗が形成された
半導体センサチップと、半導体センサチップがガラス台
座を介して配設されるとともに、半導体センサチップの
受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力を導くための圧力
導入孔が穿設された金属パイプ及び半導体センサチップ
の電極にボンディングワイヤを介して電気的に接続され
たリード端子が設けられたヘッダーとを備え、ボンディ
ングワイヤとリード端子との接合部がゲル状物質で覆わ
れているので、高湿環境下でもボンディングワイヤとリ
ード端子との接合部に異種金属間化合物が発生するのを
防止でき、両者の接合部の強度を高めて、高湿環境下に
おける信頼性を向上させることができるという効果があ
る。また、ボンディングワイヤとリード端子との接合部
をゲル状物質で固定することができるので、両者の接合
部が熱応力や振動等の外乱に強くなるという効果もあ
る。
体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗が形成された
半導体センサチップと、半導体センサチップがガラス台
座を介して配設されるとともに、半導体センサチップの
受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力を導くための圧力
導入孔が穿設された金属パイプ及び半導体センサチップ
の電極にボンディングワイヤを介して電気的に接続され
たリード端子が設けられたヘッダーとを備え、ボンディ
ングワイヤとリード端子との接合部がゲル状物質で覆わ
れているので、高湿環境下でもボンディングワイヤとリ
ード端子との接合部に異種金属間化合物が発生するのを
防止でき、両者の接合部の強度を高めて、高湿環境下に
おける信頼性を向上させることができるという効果があ
る。また、ボンディングワイヤとリード端子との接合部
をゲル状物質で固定することができるので、両者の接合
部が熱応力や振動等の外乱に強くなるという効果もあ
る。
【００２０】請求項２の発明は、リード端子が設けられ
たヘッダーの部位を囲む壁を設けているので、ボンディ
ングワイヤとリード端子との接合部を覆うゲル状物質が
外部や半導体センサチップ側に流れ出すのを防止でき、
両者の接合部をゲル状物質で覆う際の作業性が向上する
という効果がある。請求項３の発明は、半導体基板の受
圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗が形成された半導体セン
サチップと、半導体センサチップがガラス台座を介して
配設されるとともに、半導体センサチップの受圧ダイア
フラムに測定箇所から圧力を導くための圧力導入孔が穿
設された金属パイプ及び半導体センサチップの電極にア
ルミニウム細線よりなるボンディングワイヤを介して電
気的に接続されたリード端子が設けられたヘッダーとを
備え、リード端子の表面に下地にニッケルめっきを形成
するとともに、上地に厚さが約０．１μｍ以下の金めっ
きを形成しているので、リード端子の表面に形成した金
めっきの膜厚を薄くすることにより、ボンディングワイ
ヤをニッケルめっきの部位で接合させ、ボンディングワ
イヤと金めっきとの接触面積を少なくすることができ
る。したがって、高湿環境下でもボンディングワイヤと
リード端子との接合部に異種金属間化合物が発生するの
を防止でき、両者の接合部の強度を高めて、高湿環境下
における信頼性を向上させることができるという効果が
ある。
たヘッダーの部位を囲む壁を設けているので、ボンディ
ングワイヤとリード端子との接合部を覆うゲル状物質が
外部や半導体センサチップ側に流れ出すのを防止でき、
両者の接合部をゲル状物質で覆う際の作業性が向上する
という効果がある。請求項３の発明は、半導体基板の受
圧ダイアフラム上にピエゾ抵抗が形成された半導体セン
サチップと、半導体センサチップがガラス台座を介して
配設されるとともに、半導体センサチップの受圧ダイア
フラムに測定箇所から圧力を導くための圧力導入孔が穿
設された金属パイプ及び半導体センサチップの電極にア
ルミニウム細線よりなるボンディングワイヤを介して電
気的に接続されたリード端子が設けられたヘッダーとを
備え、リード端子の表面に下地にニッケルめっきを形成
するとともに、上地に厚さが約０．１μｍ以下の金めっ
きを形成しているので、リード端子の表面に形成した金
めっきの膜厚を薄くすることにより、ボンディングワイ
ヤをニッケルめっきの部位で接合させ、ボンディングワ
イヤと金めっきとの接触面積を少なくすることができ
る。したがって、高湿環境下でもボンディングワイヤと
リード端子との接合部に異種金属間化合物が発生するの
を防止でき、両者の接合部の強度を高めて、高湿環境下
における信頼性を向上させることができるという効果が
ある。
【００２１】請求項４の発明は、ボンディングワイヤが
接合されるリード端子の部位の金めっきを除去している
ので、ボンディングワイヤと金めっきとが接触するのを
防止でき、ボンディングワイヤとリード端子との接合部
に異種金属間化合物が発生することがなく、両者の接合
部の強度を高めて、高湿環境下における信頼性をさらに
向上させることができるという効果がある。
接合されるリード端子の部位の金めっきを除去している
ので、ボンディングワイヤと金めっきとが接触するのを
防止でき、ボンディングワイヤとリード端子との接合部
に異種金属間化合物が発生することがなく、両者の接合
部の強度を高めて、高湿環境下における信頼性をさらに
向上させることができるという効果がある。
【００２２】請求項５の発明は、リード端子の材質をニ
ッケルとしており、上地の金めっきを除去する際に下地
のニッケルめっきまで除去したとしても、リード端子の
材質がニッケルなのでボンディングワイヤをニッケルか
らなるリード端子に接合することができるので、金めっ
きを除去する際に高い加工精度を必要としないという効
果がある。
ッケルとしており、上地の金めっきを除去する際に下地
のニッケルめっきまで除去したとしても、リード端子の
材質がニッケルなのでボンディングワイヤをニッケルか
らなるリード端子に接合することができるので、金めっ
きを除去する際に高い加工精度を必要としないという効
果がある。
【図１】実施形態１の半導体圧力センサを示し、（ａ）
は断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上面図で
ある。
は断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上面図で
ある。
【図２】同上の別の半導体圧力センサを示し、（ａ）は
断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上面図であ
る。
断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上面図であ
る。
【図３】同上のまた別の半導体圧力センサを示し、
（ａ）は断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上
面図である。
（ａ）は断面図、（ｂ）は金属キャンを外した状態の上
面図である。
【図４】実施形態２の半導体圧力センサのリード端子と
ボンディングワイヤとの接合状態を示す説明図である。
ボンディングワイヤとの接合状態を示す説明図である。
【図５】同上の別の半導体圧力センサのリード端子とボ
ンディングワイヤとの接合状態を示す説明図である。
ンディングワイヤとの接合状態を示す説明図である。
【図６】同上のまた別の半導体圧力センサのリード端子
とボンディングワイヤとの接合状態を示す説明図であ
る。
とボンディングワイヤとの接合状態を示す説明図であ
る。
【図７】従来の半導体圧力センサを示す断面図である。
【図８】同上のリード端子とボンディングワイヤとの接
合状態を示す説明図である。
合状態を示す説明図である。
１ 半導体センサチップ ２ ヘッダー ４ 金属パイプ ４ａ 圧力導入孔 ５ リード端子 ６ ガラス台座 ６ａ 孔 ７ ボンディングワイヤ ８ ＪＣＲ ９ ゲル状物質
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ
抵抗が形成された半導体センサチップと、半導体センサ
チップがガラス台座を介して配設されるとともに、半導
体センサチップの受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力
を導くための圧力導入孔が穿設された金属パイプ及び半
導体センサチップの電極にボンディングワイヤを介して
電気的に接続されたリード端子が設けられたヘッダーと
を備え、ボンディングワイヤとリード端子との接合部が
ゲル状物質で覆われて成ることを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項２】リード端子が設けられたヘッダーの部位を
囲む壁を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体
圧力センサ。 - 【請求項３】半導体基板の受圧ダイアフラム上にピエゾ
抵抗が形成された半導体センサチップと、半導体センサ
チップがガラス台座を介して配設されるとともに、半導
体センサチップの受圧ダイアフラムに測定箇所から圧力
を導くための圧力導入孔が穿設された金属パイプ及び半
導体センサチップの電極にアルミニウム細線よりなるボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続されたリード端
子が設けられたヘッダーとを備え、リード端子の表面に
下地にニッケルめっきを形成するとともに、上地に厚さ
が約０．１μｍ以下の金めっきを形成して成ることを特
徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項４】ボンディングワイヤが接合されるリード端
子の部位の金めっきを除去したことを特徴とする請求項
３記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項５】リード端子の材質をニッケルとしたことを
特徴とする請求項４記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18996397A JPH1137873A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18996397A JPH1137873A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1137873A true JPH1137873A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16250127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18996397A Withdrawn JPH1137873A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1137873A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015162890A1 (ja) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| CN109959481A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 浙江三花制冷集团有限公司 | 一种压力传感器 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18996397A patent/JPH1137873A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015162890A1 (ja) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| CN109959481A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 浙江三花制冷集团有限公司 | 一种压力传感器 |
| CN109959481B (zh) * | 2017-12-14 | 2021-03-26 | 浙江三花制冷集团有限公司 | 一种压力传感器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6310421B2 (en) | Surface acoustic wave device and method for fabricating the same | |
| JP2528991B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリ―ドフレ―ム | |
| JP2569939B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US7307325B2 (en) | High temperature interconnects for high temperature transducers | |
| US20050046035A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH1137873A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US6895822B2 (en) | Apparatus and method for interconnecting leads in a high temperature pressure transducer | |
| JPH01169333A (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JP2908350B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000124235A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH10209469A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH09101219A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0566979B2 (ja) | ||
| JP2003318362A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH10319127A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JPH0621304A (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2924858B2 (ja) | リードフレームとその製造方法 | |
| JPS6327724A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPS59208767A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04106941A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6336686Y2 (ja) | ||
| JPH0846121A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000150769A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |