JPH0650270B2 - 高圧用圧力検出器 - Google Patents
高圧用圧力検出器Info
- Publication number
- JPH0650270B2 JPH0650270B2 JP59103433A JP10343384A JPH0650270B2 JP H0650270 B2 JPH0650270 B2 JP H0650270B2 JP 59103433 A JP59103433 A JP 59103433A JP 10343384 A JP10343384 A JP 10343384A JP H0650270 B2 JPH0650270 B2 JP H0650270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensing
- semiconductor chip
- thin
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は油圧あるいは内燃機関の燃焼圧などの高圧ガス
など比較的高圧（５０kg／cm2以上）を検出する圧力検
出器に関する。
など比較的高圧（５０kg／cm2以上）を検出する圧力検
出器に関する。
一般に高い圧力を検出する場合には、金属箱歪ゲージを
用いた圧力計を用いる。金属箱歪ゲージの感度は小さい
ため回路処理が難しく、計測器として使用するにはそれ
ほど問題はないが、センサとして常時使用するには零ド
リフトなどが問題となる。また、感度の高いゲージとし
て半導体式のものが実用化されているが、低圧用であり
半導体基板の耐圧上、高圧を検出することは困難であっ
た。例えば特開昭５５−２０２１８号公報、特公昭５５
−１９４３４号公報等のものがあった。
用いた圧力計を用いる。金属箱歪ゲージの感度は小さい
ため回路処理が難しく、計測器として使用するにはそれ
ほど問題はないが、センサとして常時使用するには零ド
リフトなどが問題となる。また、感度の高いゲージとし
て半導体式のものが実用化されているが、低圧用であり
半導体基板の耐圧上、高圧を検出することは困難であっ
た。例えば特開昭５５−２０２１８号公報、特公昭５５
−１９４３４号公報等のものがあった。
本発明は感度の高い半導体歪ゲージを用い、高圧が検出
できる高圧用圧力検出器を提供することにある。
できる高圧用圧力検出器を提供することにある。
即ち、本発明は圧力導入部たるセンシングボディを金属
で構成するとともにその一部を薄肉としてダイヤフラム
としての機能を持たせ、この反対側に、半導体チップに
構成された半導体歪ゲージで間接的に圧力を検出するこ
とにより高圧による半導体チップの破壊を防止し、しか
も感度良く圧力検出を行うことにある。
で構成するとともにその一部を薄肉としてダイヤフラム
としての機能を持たせ、この反対側に、半導体チップに
構成された半導体歪ゲージで間接的に圧力を検出するこ
とにより高圧による半導体チップの破壊を防止し、しか
も感度良く圧力検出を行うことにある。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、本発明の前提となる実施例の構成について説明す
る。
る。
第１図において、１はハウジングでありネジ山１１が切
ってあり被検出体に取り付けれるようになっている。２
はハウジングの内部に設けるセンシングボディであり、
例えばＳＵＳ材等の金属より構成され、内側は一端閉鎖
の空洞となっている。閉鎖端側の終端部中央２ａは非常
に薄く構成されていて、ハウジング１とは各々の端部１
ａと２ｂを電気溶接等で密着固定されている。３はセン
シングボディに固定された半導体の歪ゲージチップであ
る。４はセラミック基板であり表面に導電性のペースト
を印刷し焼成してある。５はワイヤであり半導体チップ
電極とセラミック基板のペースト部とを電気接続してい
る。６はセラミック基板のペースト部に固定されたポス
トである。７はハウジング１に打ち込み固定してあるス
ペーサ、８はＯリング、９はコネクタ、１０はポスト６
とコネクタ９の電極を接続するリード線である。
ってあり被検出体に取り付けれるようになっている。２
はハウジングの内部に設けるセンシングボディであり、
例えばＳＵＳ材等の金属より構成され、内側は一端閉鎖
の空洞となっている。閉鎖端側の終端部中央２ａは非常
に薄く構成されていて、ハウジング１とは各々の端部１
ａと２ｂを電気溶接等で密着固定されている。３はセン
シングボディに固定された半導体の歪ゲージチップであ
る。４はセラミック基板であり表面に導電性のペースト
を印刷し焼成してある。５はワイヤであり半導体チップ
電極とセラミック基板のペースト部とを電気接続してい
る。６はセラミック基板のペースト部に固定されたポス
トである。７はハウジング１に打ち込み固定してあるス
ペーサ、８はＯリング、９はコネクタ、１０はポスト６
とコネクタ９の電極を接続するリード線である。
センシングボディ２の詳細図を第２図に示す。センシン
グボディ２の上端は半導体チップが固定されるので平坦
とし、受圧側に凹凸をつけて薄肉部としてある。薄肉部
２ａの肉厚をｔ、直径をＤとしてある。このｔとＤは最
大印加圧力に安全係数を見積もってダイヤフラムとなる
薄肉部が破断されないように設計してある。（例えば薄
肉部の材質をＳＵＳとし、１０００kg／cm2の保証を得
るのにＤ＝2.0mm、ｔ＝0.6mmあるいはＤ＝1.0mm、ｔ＝
0.3mmとする。） 半導体チップ３の取り付け状態についての詳細図が第４
図、第５図である。第４図（Ａ）において３１〜３４は
歪ゲージであり、例えばＮ型シリコンの基板上にボロン
を拡散させたものであり、歪ゲージの配置は第４図
（Ａ）に示すように３１，３２は半導体チップ３の中央
に、３３，３４は半導体チップ３の端に配置する。半導
体チップ３は第４図（Ｂ）に示すように薄肉部２ａが半
導体チップの中央にくるように配置するので、歪ゲージ
３１，３２は薄肉部で構成されるダイヤフラムの中央に
位置し、圧力によって生じるシリコン基板上の応力を等
しく受けるようになっている。また歪ゲージ３３，３４
はダイヤフラムからはずれた両端にあるので圧力による
応力をほとんど受けないようになっている。この４つの
歪ゲージは第４図（Ｃ）に示すように半導体チップ上に
ブリッジを構成するように半導体チップ上に電気的に結
線されている。第５図は半導体チップの断面を示すもの
である。３ａはシリコン基板であり、３ｂはその裏面に
ＳｉＯ２をスパッタしたものである。さらにその上にＴ
ｉを蒸着したものが３ｃであり、３ｄはその上にＮｉを
蒸着したものであり、さらに３ｅはその上にＡｕを蒸着
したものである。シリコン基板は直接ハンダがのらない
ので上記のように４層薄膜を重ねるようにして半導体チ
ップの裏面をメタライズし、最終層であるＡｕを介し
て、第４図（Ｂ）に示すようにセンシングボディ２の上
面にハンダ１００で固定してある。
グボディ２の上端は半導体チップが固定されるので平坦
とし、受圧側に凹凸をつけて薄肉部としてある。薄肉部
２ａの肉厚をｔ、直径をＤとしてある。このｔとＤは最
大印加圧力に安全係数を見積もってダイヤフラムとなる
薄肉部が破断されないように設計してある。（例えば薄
肉部の材質をＳＵＳとし、１０００kg／cm2の保証を得
るのにＤ＝2.0mm、ｔ＝0.6mmあるいはＤ＝1.0mm、ｔ＝
0.3mmとする。） 半導体チップ３の取り付け状態についての詳細図が第４
図、第５図である。第４図（Ａ）において３１〜３４は
歪ゲージであり、例えばＮ型シリコンの基板上にボロン
を拡散させたものであり、歪ゲージの配置は第４図
（Ａ）に示すように３１，３２は半導体チップ３の中央
に、３３，３４は半導体チップ３の端に配置する。半導
体チップ３は第４図（Ｂ）に示すように薄肉部２ａが半
導体チップの中央にくるように配置するので、歪ゲージ
３１，３２は薄肉部で構成されるダイヤフラムの中央に
位置し、圧力によって生じるシリコン基板上の応力を等
しく受けるようになっている。また歪ゲージ３３，３４
はダイヤフラムからはずれた両端にあるので圧力による
応力をほとんど受けないようになっている。この４つの
歪ゲージは第４図（Ｃ）に示すように半導体チップ上に
ブリッジを構成するように半導体チップ上に電気的に結
線されている。第５図は半導体チップの断面を示すもの
である。３ａはシリコン基板であり、３ｂはその裏面に
ＳｉＯ２をスパッタしたものである。さらにその上にＴ
ｉを蒸着したものが３ｃであり、３ｄはその上にＮｉを
蒸着したものであり、さらに３ｅはその上にＡｕを蒸着
したものである。シリコン基板は直接ハンダがのらない
ので上記のように４層薄膜を重ねるようにして半導体チ
ップの裏面をメタライズし、最終層であるＡｕを介し
て、第４図（Ｂ）に示すようにセンシングボディ２の上
面にハンダ１００で固定してある。
次に上記実施例の作動について説明する。センサに圧力
が印加されるとセンシングボディ２の内側には圧力がか
かり薄肉部は内部応力により歪み、歪ゲージ３１，３２
は抵抗値が増加する。一方歪ゲージ３３，３４には応力
が加わらないので抵抗値は変化しない。圧力が印加され
る前の４つの歪ゲージの抵抗値をＲΩとし、ある圧力が
印加されたときの歪ゲージ３１，３２の抵抗値をＲ＋Δ
Ｒとすると、第４図（Ｃ）の端子３５，３７に一定電圧
Ｅを印加しておくと端子３６，３８の電位差は｛ΔＲ／
（２Ｒ＋ΔＲ）｝Ｅとなり、この値は圧力の変化に応じ
て変わるので、圧力検出を行うことができる。
が印加されるとセンシングボディ２の内側には圧力がか
かり薄肉部は内部応力により歪み、歪ゲージ３１，３２
は抵抗値が増加する。一方歪ゲージ３３，３４には応力
が加わらないので抵抗値は変化しない。圧力が印加され
る前の４つの歪ゲージの抵抗値をＲΩとし、ある圧力が
印加されたときの歪ゲージ３１，３２の抵抗値をＲ＋Δ
Ｒとすると、第４図（Ｃ）の端子３５，３７に一定電圧
Ｅを印加しておくと端子３６，３８の電位差は｛ΔＲ／
（２Ｒ＋ΔＲ）｝Ｅとなり、この値は圧力の変化に応じ
て変わるので、圧力検出を行うことができる。
ここで、上述の前提構成を示す実施例によれば、金属製
のセンシングボディ２の一部を薄肉化してダイヤフラム
とすることで、高耐圧なダイヤフラムを得ることがで
き、高感度な検出を半導体式歪ゲージにて実現すること
ができる。しかしながら、その反面センシングボディ２
を金属製とするため、センシングボディ２を構成する圧
力導管部と薄肉部とを一体に製作することが難しくなる
ということがある。
のセンシングボディ２の一部を薄肉化してダイヤフラム
とすることで、高耐圧なダイヤフラムを得ることがで
き、高感度な検出を半導体式歪ゲージにて実現すること
ができる。しかしながら、その反面センシングボディ２
を金属製とするため、センシングボディ２を構成する圧
力導管部と薄肉部とを一体に製作することが難しくなる
ということがある。
次に、本発明を適用した具体的な一実施例について説明
する。
する。
第３図は本発明一実施例を適用したセンシングボディを
示すもので、上述の第１図におけるセンシングボディ２
に相当する。本一実施例において、センシングボディ
は、半導体チップに対応して薄肉部を形成したセンシン
グ部２１と圧力を薄肉部に導入する圧力導管２２とから
構成され、両者はハンダ２３等で密着固定されている。
従って、上述の前提構成である実施例に比べてセンシン
グボディを分割してあるので空洞部分および薄肉ダイヤ
フラム部分の製作が容易である。
示すもので、上述の第１図におけるセンシングボディ２
に相当する。本一実施例において、センシングボディ
は、半導体チップに対応して薄肉部を形成したセンシン
グ部２１と圧力を薄肉部に導入する圧力導管２２とから
構成され、両者はハンダ２３等で密着固定されている。
従って、上述の前提構成である実施例に比べてセンシン
グボディを分割してあるので空洞部分および薄肉ダイヤ
フラム部分の製作が容易である。
また、センシング部２１は圧力導管２２に密着固定され
るとともに、センシング部２１外周には段部２４が設け
られており、圧力導管２２内周に突設したストッパ部２
５に嵌合せしめられている。従って、圧力導管２２の圧
力導入口側より高圧が導入されてもセンシング部２１の
ずれが生じるおそれはない。また、仮に過大圧力によっ
てセンシング部２１と圧力導管２２の接合部が損なわれ
ても、高圧圧力はセンシング部２１のストッパ部２５へ
の押力として作用するため、センシング部２１の抜けを
防止することができる。このように、センシングボディ
を分割構成しても、センシング部２１を圧力導管２２に
確実に密着固定することができ、高圧流体のシール性，
安全性が飛躍的に向上し、高圧用として高い信頼性を有
する圧力検出器が実現できる。
るとともに、センシング部２１外周には段部２４が設け
られており、圧力導管２２内周に突設したストッパ部２
５に嵌合せしめられている。従って、圧力導管２２の圧
力導入口側より高圧が導入されてもセンシング部２１の
ずれが生じるおそれはない。また、仮に過大圧力によっ
てセンシング部２１と圧力導管２２の接合部が損なわれ
ても、高圧圧力はセンシング部２１のストッパ部２５へ
の押力として作用するため、センシング部２１の抜けを
防止することができる。このように、センシングボディ
を分割構成しても、センシング部２１を圧力導管２２に
確実に密着固定することができ、高圧流体のシール性，
安全性が飛躍的に向上し、高圧用として高い信頼性を有
する圧力検出器が実現できる。
また、第３図に示すようにセンシング部２１の上面と圧
力導管２２との上面とがほぼ同一高さとなるように構成
すれば、薄肉上に配置する半導体チップ３とその外側の
センシングボディ２を構成する圧力導管２２上に配置す
るセラミック基板４との高低差を極めて小さくでき、両
者間のワイヤ５による電気接続は容易となる。さらに、
第３図に示すように、センシング部２１の上面と圧力導
管２２の上面とを同一平面とすれば、薄肉部上に配置さ
れる半導体チップの大きさに自由度がとれることにな
る。
力導管２２との上面とがほぼ同一高さとなるように構成
すれば、薄肉上に配置する半導体チップ３とその外側の
センシングボディ２を構成する圧力導管２２上に配置す
るセラミック基板４との高低差を極めて小さくでき、両
者間のワイヤ５による電気接続は容易となる。さらに、
第３図に示すように、センシング部２１の上面と圧力導
管２２の上面とを同一平面とすれば、薄肉部上に配置さ
れる半導体チップの大きさに自由度がとれることにな
る。
以上述べたように本発明によれば以下の効果がある。被
検出流体（液体あるいは気体）に面する金属製のセンシ
ングボディの一部を薄肉部分とすることで、この薄肉部
分がダイヤフラムとなり薄肉部分の内側に密着固定され
た半導体式歪ゲージでダイヤフラムに加えられる圧力を
高感度で検出することができる。また、受圧部分（ダイ
ヤフラム）は金属製のセンシングボディの薄肉部分にて
構成してあるので薄肉部の破断による被検出流体のもれ
はなく、高耐圧であり高圧検出に使用することができ
る。さらに、センシングボディを分割構成するようにし
ているため、金属製としても空洞部分及び薄肉部分の製
作が容易である。さらに、センシングボディをセンシン
グ部と圧力導管とに分割構成した際に問題となる接合部
におけるシール性の低下，特に高圧流体印加時に想定さ
れる接合部破損によるセンシング部のずれ、あるいはセ
ンシング部のぬけは、センシング部の外周に段部を設け
て圧力導管内周に突設したストッパ部に嵌合せしめるこ
とで確実に防止でき、高圧用として高い信頼性を得るこ
とができる。
検出流体（液体あるいは気体）に面する金属製のセンシ
ングボディの一部を薄肉部分とすることで、この薄肉部
分がダイヤフラムとなり薄肉部分の内側に密着固定され
た半導体式歪ゲージでダイヤフラムに加えられる圧力を
高感度で検出することができる。また、受圧部分（ダイ
ヤフラム）は金属製のセンシングボディの薄肉部分にて
構成してあるので薄肉部の破断による被検出流体のもれ
はなく、高耐圧であり高圧検出に使用することができ
る。さらに、センシングボディを分割構成するようにし
ているため、金属製としても空洞部分及び薄肉部分の製
作が容易である。さらに、センシングボディをセンシン
グ部と圧力導管とに分割構成した際に問題となる接合部
におけるシール性の低下，特に高圧流体印加時に想定さ
れる接合部破損によるセンシング部のずれ、あるいはセ
ンシング部のぬけは、センシング部の外周に段部を設け
て圧力導管内周に突設したストッパ部に嵌合せしめるこ
とで確実に防止でき、高圧用として高い信頼性を得るこ
とができる。
第１図は本発明の前提構成を示す実施例の要部縦断面
図、第２図は第１図図示のセンシングボディの詳細図、
第３図は本発明一実施例のセンシングボディの詳細図、
第４図（Ａ）は半導体チップと歪ゲージを示す半導体チ
ップ上面図、第４図（Ｂ）は半導体チップと薄肉部を示
す半導体チップ取付図、第４図（Ｃ）は歪ゲージ回路
図、第５図は半導体チップ拡大図である。 １……ハウジング，２……センシングボディ，２ａ……
薄肉部，３……半導体チップ，４……セラミック基板，
９……コネクタ，１０……リード線，２１……センシン
グ部，２２……圧力導管，２３……ハンダ，２４……段
部，２５……ストッパ部
図、第２図は第１図図示のセンシングボディの詳細図、
第３図は本発明一実施例のセンシングボディの詳細図、
第４図（Ａ）は半導体チップと歪ゲージを示す半導体チ
ップ上面図、第４図（Ｂ）は半導体チップと薄肉部を示
す半導体チップ取付図、第４図（Ｃ）は歪ゲージ回路
図、第５図は半導体チップ拡大図である。 １……ハウジング，２……センシングボディ，２ａ……
薄肉部，３……半導体チップ，４……セラミック基板，
９……コネクタ，１０……リード線，２１……センシン
グ部，２２……圧力導管，２３……ハンダ，２４……段
部，２５……ストッパ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−51489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−78991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−22815（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−30698（ＪＰ，Ａ) 特公 昭48−35032（ＪＰ，Ｂ１) 実公 昭44−9672（ＪＰ，Ｙ１) 工業計測技術大系編集委員会「圧力・真 空・レベル測定」日刊工業新聞社（昭40− ５−31）Ｐ．174−175
Claims (1)
- 【請求項１】高圧の被検出体を導入するとともに終端部
が閉塞される圧力導入部を構成し、かつ該終端部を薄肉
として受圧部となす金属製のセンシングボディと、 該受圧部の圧力導入側と反対側の面に密着固定された半
導体チップと、 該半導体チップに形成され、前記受圧部を介して前記半
導体チップに作用する前記被検出体の圧力を検出する半
導体式歪ゲージと を有する圧力検出器において、 前記センシングボディは、前記薄肉とされた受圧部を含
む前記圧力導入部の終端部近傍を構成するセンシング部
と、前記圧力導入部を構成するとともに前記センシング
部と接続する圧力導管部の別体から構成され、 さらに、前記センシング部の外周に段部を設けるととも
に、前記圧力導管部の内周には突設したストッパ部を設
け、該段部を該ストッパ部に嵌合せしめるように前記セ
ンシング部を前記圧力導管部の内側に密着固定せしめた
ことを特徴とする高圧用圧力検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103433A JPH0650270B2 (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 高圧用圧力検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103433A JPH0650270B2 (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 高圧用圧力検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247129A JPS60247129A (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0650270B2 true JPH0650270B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=14353901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103433A Expired - Lifetime JPH0650270B2 (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 高圧用圧力検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650270B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH089621Y2 (ja) * | 1989-04-06 | 1996-03-21 | 株式会社長野計器製作所 | 圧力変換器 |
| JP2545640Y2 (ja) * | 1989-04-06 | 1997-08-25 | 株式会社 長野計器製作所 | 圧力変換器 |
| US4939497A (en) * | 1989-04-18 | 1990-07-03 | Nippon Soken, Inc. | Pressure sensor |
| DE19701055B4 (de) | 1997-01-15 | 2016-04-28 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter-Drucksensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451489A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-23 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure converter |
| US4129042A (en) * | 1977-11-18 | 1978-12-12 | Signetics Corporation | Semiconductor transducer packaged assembly |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59103433A patent/JPH0650270B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 工業計測技術大系編集委員会「圧力・真空・レベル測定」日刊工業新聞社（昭４０−５−３１）Ｐ．１７４−１７５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60247129A (ja) | 1985-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2724419B2 (ja) | 圧力センサ | |
| US6272913B1 (en) | Apparatus for detecting the pressure and temperature in the intake tube of an internal combustion engine, and method for producing it | |
| US7219554B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| EP0545319B1 (en) | Semiconductor pressure sensor having double diaphragm structure | |
| US4531415A (en) | Differential pressure transducer | |
| JP2001174353A (ja) | 圧力測定装置 | |
| KR0176983B1 (ko) | 내연기관의 연소실 내의 압력 탐지용 압력 센서 | |
| US8770032B2 (en) | Relative pressure sensor | |
| US6907789B2 (en) | Sensor package | |
| JP2719448B2 (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JP3697862B2 (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPH0650270B2 (ja) | 高圧用圧力検出器 | |
| JPH02138776A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| EP3255402B1 (en) | Strain detector and manufacturing method thereof | |
| CN215893878U (zh) | 一种耐高温充油压力检测装置 | |
| US5349491A (en) | Pre-stressed pressure transducer and method of forming same | |
| US6499352B2 (en) | Pressure measuring cell | |
| JP2732433B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0629819B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3800759B2 (ja) | 圧力検出装置およびその製造方法 | |
| JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH11194060A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPS6273131A (ja) | 圧力検出器 | |
| US6938492B2 (en) | Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor | |
| JP3136549B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |