JPH05172674A - 検出装置 - Google Patents
検出装置Info
- Publication number
- JPH05172674A JPH05172674A JP31045291A JP31045291A JPH05172674A JP H05172674 A JPH05172674 A JP H05172674A JP 31045291 A JP31045291 A JP 31045291A JP 31045291 A JP31045291 A JP 31045291A JP H05172674 A JPH05172674 A JP H05172674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- lead frame
- frame base
- sensitive portion
- pressure sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、半導体歪みゲージ感圧部パッ
ケージ内のリードフレームの一部を変形させリードフレ
ームベースとし、このベース上へ感圧部チップを付ける
ことにより、良好な耐電波障害性を得ることにある。 【構成】感圧部を保護するパッケージ中にモールドされ
ているリードフレームの一部を感圧部チップと同等以上
の大きさとし、このベース上へ感圧部チップを付ける。 【効果】プリント基板に実装するモールドパッケージタ
イプの圧力センサにおいて、金属ケースなどによる耐電
波障害構造を採用した単体型センサと同等の耐電波障害
性を有する効果がある。
ケージ内のリードフレームの一部を変形させリードフレ
ームベースとし、このベース上へ感圧部チップを付ける
ことにより、良好な耐電波障害性を得ることにある。 【構成】感圧部を保護するパッケージ中にモールドされ
ているリードフレームの一部を感圧部チップと同等以上
の大きさとし、このベース上へ感圧部チップを付ける。 【効果】プリント基板に実装するモールドパッケージタ
イプの圧力センサにおいて、金属ケースなどによる耐電
波障害構造を採用した単体型センサと同等の耐電波障害
性を有する効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体歪みゲージ式圧
力センサに係り、特にプリント基板に実装する圧力セン
サの耐電波障害構造に関する。
力センサに係り、特にプリント基板に実装する圧力セン
サの耐電波障害構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の感圧部におけるパッケージは、モ
ールドにより感圧素子をおおう構造であり、電波障害に
対する対策としては、この感圧部モールドパッケージの
外部に金属板等を設けこれにより電波を遮るのが主な方
法であった。
ールドにより感圧素子をおおう構造であり、電波障害に
対する対策としては、この感圧部モールドパッケージの
外部に金属板等を設けこれにより電波を遮るのが主な方
法であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体歪みゲー
ジ式圧力センサの感圧部における電波障害対策は、この
感圧部を有するモールド外部へ金属のシールド板を設
け、感圧部の接地端子とこの金属板とをＮｉ等のワイヤ
により接続し行なっていた。しかし、この方法ではシー
ルド板と感圧部間に余分な距離が生じてしまうことと、
接続に要するワイヤ長により良好な電波遮断が得られな
かった。また、外部に引出したワイヤが電波を拾い、良
好な特性を得ることができない。
ジ式圧力センサの感圧部における電波障害対策は、この
感圧部を有するモールド外部へ金属のシールド板を設
け、感圧部の接地端子とこの金属板とをＮｉ等のワイヤ
により接続し行なっていた。しかし、この方法ではシー
ルド板と感圧部間に余分な距離が生じてしまうことと、
接続に要するワイヤ長により良好な電波遮断が得られな
かった。また、外部に引出したワイヤが電波を拾い、良
好な特性を得ることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する手段
として、モールド内のリードフレームの一部をベース状
に変形させ、このリードフレームベース上へ感圧部チッ
プを取付けることにより達成される。
として、モールド内のリードフレームの一部をベース状
に変形させ、このリードフレームベース上へ感圧部チッ
プを取付けることにより達成される。
【０００５】
【作用】本発明による感圧部のパッケージ構造によれ
ば、外的な電波の遮断方法によらず、感圧部を保護する
パッケージのみにより、耐電波障害特性を得ることがで
きる。
ば、外的な電波の遮断方法によらず、感圧部を保護する
パッケージのみにより、耐電波障害特性を得ることがで
きる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図２を用いて説明す
る。（図１は、上面より見た構成図）圧力を検出する半
導体歪みゲージを有する感圧部２は、半田接合、もしく
はガラスによる接合、もしくは樹脂接着剤による接着な
どの方法により鍍金処理されたリードフレームベース３
に接合されている。また、感圧部２とリードフレームベ
ース３とは、一定の圧力下による接合により圧力基準室
７を有する構造になっている。又、パッケージ１にモー
ルディングされているリードフレームベース３とリード
フレーム４へ感圧部２よりワイヤ６により接続させるこ
とにより、感圧部２により検出された信号を外部へ取出
すようになっている。
る。（図１は、上面より見た構成図）圧力を検出する半
導体歪みゲージを有する感圧部２は、半田接合、もしく
はガラスによる接合、もしくは樹脂接着剤による接着な
どの方法により鍍金処理されたリードフレームベース３
に接合されている。また、感圧部２とリードフレームベ
ース３とは、一定の圧力下による接合により圧力基準室
７を有する構造になっている。又、パッケージ１にモー
ルディングされているリードフレームベース３とリード
フレーム４へ感圧部２よりワイヤ６により接続させるこ
とにより、感圧部２により検出された信号を外部へ取出
すようになっている。
【０００７】本実施例によれば、従来、感圧部２で検出
した信号を外部へ取出すための中継の役割だけであった
リードフレームの一部を感圧部２を乗せることができる
ような形状とし、他のリードフレーム４と同様にモール
ド１へ一体成形されている。感圧部２は、半田接着５な
どの方法によりリードフレームベース３へ強固に接合さ
れ、接合時の圧力条件を変化させることにより圧力基準
室７を有している。又、感圧部２の下部をリードフレー
ムベース３が被う構造になっているため、電波に影響さ
れず良好な圧力特性を得ることができる。
した信号を外部へ取出すための中継の役割だけであった
リードフレームの一部を感圧部２を乗せることができる
ような形状とし、他のリードフレーム４と同様にモール
ド１へ一体成形されている。感圧部２は、半田接着５な
どの方法によりリードフレームベース３へ強固に接合さ
れ、接合時の圧力条件を変化させることにより圧力基準
室７を有している。又、感圧部２の下部をリードフレー
ムベース３が被う構造になっているため、電波に影響さ
れず良好な圧力特性を得ることができる。
【０００８】図３は図２と同様であるが、基準圧力室７
を感圧部２と台座８により形成し、台座８を接着剤５に
よりリードフレームベース３へ接合した構造である。こ
の結果、圧力基準室の形成が容易で上記と同様に耐電波
障害に優れた効果がある。
を感圧部２と台座８により形成し、台座８を接着剤５に
よりリードフレームベース３へ接合した構造である。こ
の結果、圧力基準室の形成が容易で上記と同様に耐電波
障害に優れた効果がある。
【０００９】図４は図３と同様であるが、リードフレー
ムベース３をＬ字形に成形することにより、感圧部２と
リードフレーム４とを同一の高さとすることができ、こ
れによりワイヤ６にボンデイング作業を容易とすること
ができ、かつ、上記と同様に耐電波障害に効果がある。
ムベース３をＬ字形に成形することにより、感圧部２と
リードフレーム４とを同一の高さとすることができ、こ
れによりワイヤ６にボンデイング作業を容易とすること
ができ、かつ、上記と同様に耐電波障害に効果がある。
【００１０】図６は図４と同様であるが、リードフレー
ムベースを凹形とすることにより、パッケージ１と感圧
部２間のＸ方向（図中矢印）へ働く、例えば熱などによ
る変形を防ぎワイヤ６にかかる応力を低減することがで
き、かつ、上記と同様に耐電波障害に効果がある。
ムベースを凹形とすることにより、パッケージ１と感圧
部２間のＸ方向（図中矢印）へ働く、例えば熱などによ
る変形を防ぎワイヤ６にかかる応力を低減することがで
き、かつ、上記と同様に耐電波障害に効果がある。
【００１１】図７は図２と同様であるが、感圧部２を有
するチップのリム部９をｐ+ とし、半田接着５によりリ
ードフレームベース３へ取付けることにより、ワイヤに
よる接続が不要となり、かつ、上記と同様に耐電波障害
に効果がある。
するチップのリム部９をｐ+ とし、半田接着５によりリ
ードフレームベース３へ取付けることにより、ワイヤに
よる接続が不要となり、かつ、上記と同様に耐電波障害
に効果がある。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので以下に記載されるような効果を奏する。
ているので以下に記載されるような効果を奏する。
【００１３】パッケージにモールドされているリードフ
レームの形状をベース状とし、そのベース上へ半導体歪
みゲージを有する感圧部チップを接着することにより、
従来金属のシールドケースで被っていたのと同等の耐電
波障害性をえられる。また、リードフレームベースの形
状を凹字形とすることにより、モールドとリードフレー
ム間で熱等により発生する応力を緩和することができ、
耐久性及び品質の向上がはかれる。
レームの形状をベース状とし、そのベース上へ半導体歪
みゲージを有する感圧部チップを接着することにより、
従来金属のシールドケースで被っていたのと同等の耐電
波障害性をえられる。また、リードフレームベースの形
状を凹字形とすることにより、モールドとリードフレー
ム間で熱等により発生する応力を緩和することができ、
耐久性及び品質の向上がはかれる。
【図１】本発明の一実施例の全体図である。
【図２】本発明の一実施例の説明図である。
【図３】本発明の他の実施例の説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の説明図である。
【図５】本発明の他の実施例の全体図である。
【図６】本発明の他の実施例の説明図である。
【図７】本発明の他の実施例の説明図である。
１…パッケージ、２…感圧部、３…リードフレームベー
ス、４…リードフレーム、５…接着剤、６…ワイヤ、７
…基準圧力室、８…台座、９…ｐ+ 層。
ス、４…リードフレーム、５…接着剤、６…ワイヤ、７
…基準圧力室、８…台座、９…ｐ+ 層。
フロントページの続き (72)発明者 石川 人志 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 ３ 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】半導体歪みゲージ式圧力検出装置におい
て、この感圧部を有するシリコンチップを熱膨張係数が
近似したリードフレームベース上へ取付けたことを特徴
とする耐電波障害性を向上させた圧力検出装置。 - 【請求項２】請求項１において、外部との接続用ピンが
少なくとも１端子以上リードフレームベースと接続され
ていることを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項３】請求項１において、感圧回路部の少なくと
も一点以上の接地端子とリードフレームベース間が接続
され、同電位とすることにより電波障害に対し優れた特
性を有することを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項４】請求項２において、感圧部を有するシリコ
ンチップがリードフレームベースへ金属的、もしくは接
着などの手段により接合されたことを特徴とする圧力検
出装置。 - 【請求項５】請求項４において、感圧部チップとリード
フレームベース間に、基準圧力室を有していることを特
徴とする圧力検出装置。 - 【請求項６】請求項５において、感圧部を有するチップ
と熱膨張係数が近似している台座間で基準圧力室を形成
し、その台座がリードフレームベース上に接着されてい
ることを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項７】請求項１において、感圧部を有する例えば
Ｓｉチップのリム部をｐ+ とし、ワイヤ接続によらずリ
ードフレームベースと感圧部を同一の電位とすることを
特徴とする圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31045291A JPH05172674A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31045291A JPH05172674A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05172674A true JPH05172674A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18005423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31045291A Pending JPH05172674A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05172674A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521966B1 (en) | 1999-04-14 | 2003-02-18 | Denso Corporation | Semiconductor strain sensor |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31045291A patent/JPH05172674A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521966B1 (en) | 1999-04-14 | 2003-02-18 | Denso Corporation | Semiconductor strain sensor |
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