JP3307275B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- pressure sensor
- pedestal
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Description
いて圧力検出を行う半導体圧力センサに関するものであ
る。
構成図である。1は圧力センサチップであり、薄肉のダ
イヤフラム2上に圧力変化に応じてその抵抗値が変化す
る歪みゲージ抵抗3が形成されている。歪みゲージ抵抗
3は、ワイヤ4により外部端子5と接続されている。
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。
1及び台座6を収納する。パッケージ8は貫通孔7に被
測定圧力を導入するための導入孔9を有している。
定圧力がパッケージ8の導入孔9から台座6の貫通孔7
を介してダイヤフラム2に印加されると、ダイヤフラム
2が被測定圧力に応じて歪み、その歪みを歪みゲージ抵
抗3により電気的に検出することで被測定圧力を測定す
る。
な構成の半導体圧力センサでは、被測定圧力以外の要因
によりダイヤフラム2が変形すると正確な圧力測定が困
難になるが、台座6とパッケージ8との間の熱膨張係数
の差により発生した歪みがダイヤフラム2に伝播し、温
度によっては正確な圧力測定ができないという問題があ
った。
であり、その目的とするところは、台座とパッケージと
の熱膨張係数の差から発生するダイヤフラムの歪みを緩
和し、温度によらず正確に圧力測定が可能な半導体圧力
センサを提供することにある。
圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗
を薄肉のダイヤフラム上に形成してなる圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し前記圧力
センサチップを支持する台座と、前記貫通孔に被測定圧
力を導入するための導入孔を有するとともに前記台座が
固定され前記圧力センサチップ及び前記台座を収納する
パッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され
前記パッケージの外部に引き出される外部端子とを有し
てなる半導体圧力センサにおいて、前記台座と前記パッ
ケージとの間の熱膨張係数を有する緩衝部を介して前記
パッケージと前記台座とを接合するようにしたものであ
って、前記緩衝部として前記台座と前記パッケージとを
接着する接着剤に前記パッケージよりも熱膨張係数の低
い粒状物を混入したものを用いたものである。
て図面に基づき説明する。図1は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサの概略構成図である。1は圧力
センサチップであり、薄肉のダイヤフラム2上に圧力変
化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗3が形
成されている。歪みゲージ抵抗3は、ワイヤ4により外
部端子5と接続されている。外部端子5の素材は、銅や
コバール、ステンレスばね鋼、42合金等であり、耐湿
性や酸化防止の観点から表面に金・銀等のめっきを施し
てあることが望ましい。
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。
ケージであり、圧力センサチップ1及び台座6を収納す
る。パッケージ8は貫通孔7に被測定圧力を導入するた
めの導入孔9を有している。
接着剤であり、コバール等の金属材料やガラス等の無機
材料のように熱膨張係数がパッケージ8よりも低い粒状
物11が混入されている。(以下、この接着剤10と粒
状物11の混合物を緩衝部12と呼ぶ。)この粒状物1
1の混入量を調節することにより、緩衝部12の熱膨張
係数が台座6よりも高くパッケージ8よりも低い値とな
るようにする。
よりも高くパッケージ8よりも低い値を有するように粒
状物11を接着剤10に混入した緩衝部12により台座
6とパッケージ8とを接合したので、台座6とパッケー
ジ8との間の熱膨張係数の差から発生する歪みを緩和す
ることができるので、温度によらずダイヤフラム2に発
生する被測定圧力以外の歪みを低減することが可能とな
る。
サチップ1とパッケージ8との距離が長くなるため、パ
ッケージ8から圧力センサチップ1に伝播する外力をよ
り緩和することができるが、緩衝部12の部材として台
座6と近似する熱膨張係数を有するものを用いれば、台
座6を高くするのと同様の効果を得ることができる。
センサの概略構成図である。本参考例では、図1に示し
た緩衝部12を外部端子5と同じ部材により構成してい
る。(以下、この緩衝部を緩衝部12aと記載する。)
緩衝部12aは、外部端子5を形成する際に同時に形成
する。
し、かつ、台座6とパッケージ8との間の熱膨張係数を
有するものであればよく、例えば、台座6としてガラス
を用いた場合、緩衝部12aとしてコバール等を用い
る。
との間の熱膨張係数を有する緩衝部12aを介して台座
6とパッケージ8とを接着するようにしたので、台座6
とパッケージ8との間の熱膨張係数の差により発生する
歪みを緩衝部12aにより緩和することができる。ま
た、緩衝部12aは外部端子5と同じ部材であるので、
外部端子5をパッケージ8に形成する際に容易に形成す
ることができる。さらに、圧力センサチップ1や台座6
をパッケージ8にアースする際のアース線として緩衝部
12aを用いることが可能となる。
サチップ1とパッケージ8との距離が長くなるため、パ
ッケージ8から圧力センサチップ1に伝播する外力をよ
り緩和することができるが、緩衝部12aの部材として
台座6と近似する熱膨張係数を有するものを用いれば、
台座6を高くするのと同様の効果を得ることができる。
っては、圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲ
ージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成してなる圧力セ
ンサチップと、ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し圧力
センサチップを支持する台座と、貫通孔に被測定圧力を
導入するための導入孔を有するとともに台座が固定され
圧力センサチップ及び台座を収納するパッケージと、歪
みゲージ抵抗と電気的に接続されパッケージの外部に引
き出される外部端子とを有してなる半導体圧力センサに
おいて、台座とパッケージとを接続する接着剤にパッケ
ージよりも熱膨張係数の低い粒状物を混入するなどによ
りなされた、台座とパッケージとの間の熱膨張係数を有
する緩衝部を介してパッケージと台座とを接合するよう
にしたので、台座とパッケージとの間の熱膨張係数の差
から発生する歪みを緩和することができ、温度によらず
正確に圧力測定が可能な半導体圧力センサを提供するこ
とができた。
概略構成図である。
構成図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 圧力変化に応じてその抵抗値が変化する
歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成してなる
圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
通孔に被測定圧力を導入するための導入孔を有するとと
もに前記台座が固定され前記圧力センサチップ及び前記
台座を収納するパッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電
気的に接続され前記パッケージの外部に引き出される外
部端子とを有してなる半導体圧力センサにおいて、前記
台座と前記パッケージとの間の熱膨張係数を有する緩衝
部を介して前記パッケージと前記台座とを接合するよう
にしたものであって、前記緩衝部として前記台座と前記
パッケージとを接着する接着剤に前記パッケージよりも
熱膨張係数の低い粒状物を混入したものを用いたことを
特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13465397A JP3307275B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13465397A JP3307275B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10325770A JPH10325770A (ja) | 1998-12-08 |
JP3307275B2 true JP3307275B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=15133411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13465397A Expired - Fee Related JP3307275B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3307275B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5595145B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-09-24 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
CN114088282B (zh) * | 2021-11-24 | 2024-05-10 | 北京七星华创流量计有限公司 | 压力传感器 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13465397A patent/JP3307275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10325770A (ja) | 1998-12-08 |
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