JP3307276B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JP3307276B2
JP3307276B2 JP13465597A JP13465597A JP3307276B2 JP 3307276 B2 JP3307276 B2 JP 3307276B2 JP 13465597 A JP13465597 A JP 13465597A JP 13465597 A JP13465597 A JP 13465597A JP 3307276 B2 JP3307276 B2 JP 3307276B2
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤフラムを用
いて圧力検出を行う半導体圧力センサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来の半導体圧力センサの概略
構成図である。1は圧力センサチップであり、薄肉のダ
イヤフラム2上に圧力変化に応じてその抵抗値が変化す
る歪みゲージ抵抗3が形成されている。歪みゲージ抵抗
3は、ワイヤ4により外部端子5と接続されている。
【0003】6はガラス等で形成される台座であり、圧
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。
【0004】8はパッケージであり、圧力センサチップ
1及び台座6を収納する。パッケージ8は貫通孔7に被
測定圧力を導入するための導入孔9を有している。
【0005】以上の構成の半導体圧力センサでは、被圧
力抵抗がパッケージ8の導入孔9から台座6の貫通孔7
介してダイヤフラム2に印加されると、ダイヤフラム2
が被測定圧力に応じて歪み、その歪みを歪みゲージ抵抗
3により電気的に検出することで被測定圧力を測定す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成の半導体圧力センサでは、パッケージ8に外力等
が印加されるとダイヤフラム2にこの外力による歪みが
発生し、正確な圧力測定が行えないという問題があっ
た。
【0007】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、パッケージに外力等
が印加されたとしても精度よく圧力測定が可能な半導体
圧力センサを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗
を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し前記圧力
センサチップを支持する台座と、前記貫通孔に被測定圧
力を導入するための導入孔を有するとともに前記台座が
固定され前記圧力センサチップ及び前記台座を収納する
パッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され
前記パッケージの外部に引き出される外部端子とを有し
て成る半導体圧力センサにおいて、前記パッケージに
形に形成された凸状の突起部を複数設け、前記突起部
先端部にて前記台座とを接着することにより前記台座を
支持するようにしたことを特徴とするものである。
【0009】請求項2記載の発明は、圧力変化に応じて
その抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフ
ラム上に形成して成る圧力センサチップと、前記ダイヤ
フラムに通じる貫通孔を有し前記圧力センサチップを支
持する台座と、前記貫通孔に被測定圧力を導入するため
の導入孔を有するとともに前記台座が固定され前記圧力
センサチップ及び前記台座を収納するパッケージと、前
記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され前記パッケージの
外部に引き出される外部端子とを有して成る半導体圧力
センサにおいて、前記パッケージに凸状の突起部を設
け、前記突起部により前記台座を支持するとともに、前
記パッケージに前記台座を囲む側壁部を設け、前記突起
部と台座とを非接着として前記側壁部と前記台座とを接
着するようにしたことを特徴とするものである。
【0010】請求項3記載の発明は、圧力変化に応じて
その抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフ
ラム上に形成して成る圧力センサチップと、前記ダイヤ
フラムに通じる貫通孔を有し前記圧力センサチップを支
持する台座と、前記貫通孔に被測定圧力を導入するため
の導入孔を有するとともに前記台座が固定され前記圧力
センサチップ及び前記台座を収納するパッケージと、前
記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され前記パッケージの
外部に引き出される外部端子とを有して成る半導体圧力
センサにおいて、前記パッケージに凸状の突起部を設
け、前記突起部により前記台座を支持するとともに、前
記導入孔の中心に向かって高くなるように前記突起部を
設け、前記突起部と前記台座とを接着するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【0011】
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図1は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサの概略構成図である。1は圧力
センサチップであり、薄肉のダイヤフラム2上に圧力変
化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗3が形
成されている。歪みゲージ抵抗3は、ワイヤ4により外
部端子5と接続されている。外部端子5の素材は、銅や
コバール、ステンレスばね鋼、42合金等であり、耐湿
性や酸化防止の観点から表面に金・銀等のめっきを施し
てあることが望ましい。
【0013】6はガラス等で形成される台座であり、圧
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。
【0014】8はプラスチック等により形成されたパッ
ケージであり、圧力センサチップ1及び台座6を収納す
る。パッケージ8は貫通孔7に被測定圧力を導入するた
めの導入孔9を有している。
【0015】10はパッケージ8の台座6が設置される
部分を山形に加工することにより形成した凸状の突起部
であり、突起部10の先端には接着剤11により台座6
が固定されている。その際、貫通孔7と導入孔9との間
から被測定圧力の漏れがないように台座6とパッケージ
8を接着している。
【0016】本実施形態によれば、パッケージ8を加工
することにより形成した凸状の突起部10により台座6
を支持するため、台座6とパッケージ8との接触面積を
従来の半導体圧力センサに比べて小さくすることができ
るので、パッケージ8から台座6に伝播される外力を小
さくすることが可能となる。また、突起部10が撓むこ
とにより、その外力をさらに小さくすることが可能とな
る。
【0017】図2は、本発明の他の実施形態に係る半導
体圧力センサの概略構成図である。本実施形態では、図
1に示した半導体圧力センサのようにパッケージ8に突
起部10を設けているが、台座6と突起部10とを接着
剤11によって接合せず、パッケージ8を加工すること
により側壁部12を設け、この側壁部12と台座6とを
接着剤11により接着している。これにより、台座6を
パッケージ8に固定するとともに、貫通孔7と導入孔9
との間から被測定圧力が漏れることを防止している。
【0018】本実施形態によれば、凸状の突起部10に
より台座6を支持するため、台座6とパッケージ8との
接触面積を従来の半導体圧力センサに比べて小さくする
ことが可能となり、パッケージ8から台座6に伝播され
る外力を小さくすることができる。また、台座6と突起
部10とが接着されていないので、台座6と突起部10
との間に滑りが発生し、側壁部12が撓むことにより、
その外力をさらに小さくすることが可能となる。
【0019】図3は、本発明の他の実施形態に係る半導
体圧力センサの概略構成図である。本実施形態では、パ
ッケージ8の台座6が接着される部分を導入孔9の中心
に近づくほど高さが高くなるように加工した突起部10
aを設け、導入孔9の中心から遠ざかるほど厚みが増す
ように接着剤11を塗布し、突起部10aの先端により
台座6を支持するように台座6をパッケージ8に接着し
ている。
【0020】本実施形態によれば、凸状の突起部10a
により台座6を支持するため、台座6とパッケージ8と
の接触面積を従来の半導体圧力センサに比べて小さくす
ることができるので、パッケージ8から台座6に伝播さ
れる外力を小さくすることができる。また、パッケージ
8から台座6に伝播する外力を接着剤11の弾性により
吸収することが可能となる。さらに、台座6とパッケー
ジ8に形成した突起部10aの頂部とを接触するように
接着するため、突起部10aの高さを調節することによ
り接着剤11の厚みの制御を容易に行うことができる。
【0021】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明にあ
っては、圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲ
ージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る圧力セ
ンサチップと、ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し圧力
センサチップを支持する台座と、貫通孔に被測定圧力を
導入するための導入孔を有するとともに台座が固定され
圧力センサチップ及び台座を収納するパッケージと、歪
みゲージ抵抗と電気的に接続されパッケージの外部に引
き出される外部端子とを有して成る半導体圧力センサに
おいて、パッケージに山形に形成された凸状の突起部を
複数設け、突起部の先端部にて前記台座とを接着するこ
により台座を支持するようにしたので、台座とパッケ
ージとの接触面積を従来の半導体圧力センサに比べて小
さくすることができ、また、突起部が撓むことにより、
パッケージから台座に伝搬される外力をさらに小さくす
ることが可能となるので、パッケージに外力等が印加さ
れたとしても精度よく圧力測定が可能な半導体圧力セン
サを提供することができた。
【0022】請求項2記載の発明にあっては、圧力変化
に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉の
ダイヤフラム上に形成して成る圧力センサチップと、ダ
イヤフラムに通じる貫通孔を有し圧力センサチップを支
持する台座と、貫通孔に被測定圧力を導入するための導
入孔を有するとともに台座が固定され圧力センサチップ
及び台座を収納するパッケージと、歪みゲージ抵抗と電
気的に接続されパッケージの外部に引き出される外部端
子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、パッケー
ジに凸状の突起部を設け、突起部により台座を支持する
とともに、パッケージに台座を囲む側壁部を設け、突起
部と台座とを非接着として側壁部と台座とを接着するよ
うにしたので、凸状の突起部により台座を支持するた
め、台座とパッケージとの接触面積を従来の半導体圧力
センサに比べて小さくすることが可能となるとともに、
台座と突起部とが接着されておらず、台座と突起部との
間に滑りが発生し、側壁部が撓むことにより、パッケー
ジから台座に伝搬される外力をさらに小さくすることが
可能となる。
【0023】請求項3記載の発明にあっては、圧力変化
に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉の
ダイヤフラム上に形成して成る圧力センサチップと、ダ
イヤフラムに通じる貫通孔を有し圧力センサチップを支
持する台座と、貫通孔に被測定圧力を導入するための導
入孔を有するとともに台座が固定され圧力センサチップ
及び台座を収納するパッケージと、歪みゲージ抵抗と電
気的に接続されパッケージの外部に引き出される外部端
子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、パッケー
ジに凸状の突起部を設け、突起部により台座を支持する
とともに、導入孔の中心に向かって高くなるように突起
部を設け、突起部と台座とを接着するようにしたので
座とパッケージとの接触面積を従来の半導体圧力セン
サに比べて小さくすることができるとともに、パッケー
ジから台座に伝搬する外力を接着剤の弾性により吸収す
ることが可能となる。また、台座とパッケージに形成し
た突起部の頂部とを接触するように接着するため、突起
部の高さを調整することにより接着剤の厚みの制御を容
易に行うことができる。
【0024】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
概略構成図である。
【図2】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略構成図である。
【図3】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略構成図である。
【図4】従来の半導体圧力センサの概略構成図である。
【符号の説明】
1 圧力センサチップ 2 ダイヤフラム 3 歪みゲージ抵抗 4 ワイヤ 5 外部端子 6 台座 7 貫通孔 8 パッケージ 9 導入孔 10 突起部 11 接着剤 12 側壁部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/04 H01L 29/84

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧力変化に応じてその抵抗値が変化する
    歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る
    圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
    を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
    通孔に被測定圧力を導入するための導入孔を有するとと
    もに前記台座が固定され前記圧力センサチップ及び前記
    台座を収納するパッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電
    気的に接続され前記パッケージの外部に引き出される外
    部端子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前記
    パッケージに山形に形成された凸状の突起部を複数
    け、前記突起部の先端部にて前記台座とを接着すること
    により前記台座を支持するようにしたことを特徴とする
    半導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 圧力変化に応じてその抵抗値が変化する
    歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る
    圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
    を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
    通孔に被測定圧力を導入するための導入孔を有するとと
    もに前記台座が固定され前記圧力センサチップ及び前記
    台座を収納するパッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電
    気的に接続され前記パッケージの外部に引き出される外
    部端子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前記
    パッケージに凸状の突起部を設け、前記突起部により前
    記台座を支持するとともに、前記パッケージに前記台座
    を囲む側壁部を設け、前記突起部と台座とを非接着とし
    て前記側壁部と前記台座とを接着するようにしたことを
    特徴とする半導体圧力センサ。
  3. 【請求項3】 圧力変化に応じてその抵抗値が変化する
    歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る
    圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
    を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
    通孔に被測定圧力を導入するための導入孔を有するとと
    もに前記台座が固定され前記圧力センサチップ及び前記
    台座を収納するパッケージと、前記歪みゲージ抵抗と電
    気的に接続され前記パッケージの外部に引き出される外
    部端子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前記
    パッケージに凸状の突起部を設け、前記突起部により前
    記台座を支持するとともに、前記導入孔の中心に向かっ
    て高くなるように前記突起部を設け、前記突起部と前記
    台座とを接着するようにしたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
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