JP2002107249A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2002107249A JP2002107249A JP2000303634A JP2000303634A JP2002107249A JP 2002107249 A JP2002107249 A JP 2002107249A JP 2000303634 A JP2000303634 A JP 2000303634A JP 2000303634 A JP2000303634 A JP 2000303634A JP 2002107249 A JP2002107249 A JP 2002107249A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ボンディングワイヤの断線を防止できる半導体
圧力センサを提供する。 【解決手段】センサチップ１をガラス製スペーサ２上に
載置し、このガラス製スペーサ２を樹脂製ケース３の収
容部の底面に接着剤４で固着するとともに、接着剤４を
ガラス製スペーサ２と樹脂製ケース３との隙間の一部お
よび全部のいずれかによって充填し、樹脂製ケース３に
インサートモールドされた金属端子５とセンサチップ１
とをボンディングワイヤ６で接続し、ゲル状の保護用樹
脂７で被覆する。
圧力センサを提供する。 【解決手段】センサチップ１をガラス製スペーサ２上に
載置し、このガラス製スペーサ２を樹脂製ケース３の収
容部の底面に接着剤４で固着するとともに、接着剤４を
ガラス製スペーサ２と樹脂製ケース３との隙間の一部お
よび全部のいずれかによって充填し、樹脂製ケース３に
インサートモールドされた金属端子５とセンサチップ１
とをボンディングワイヤ６で接続し、ゲル状の保護用樹
脂７で被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自動車用、民生
用等で広く用いられている、シリコンダイヤフラム上に
歪ゲージを配置したセンシング部を有する半導体圧力セ
ンサのハウジング構造に関する。
用等で広く用いられている、シリコンダイヤフラム上に
歪ゲージを配置したセンシング部を有する半導体圧力セ
ンサのハウジング構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力のセンシング部である半導体センサ
チップを保護するためのハウジングとして、構造がシン
プルであり、かつ比較的低価格で実現できる樹脂製ケー
スの半導体圧力センサが広く用いられている。図２に、
半導体圧力センサの従来例を示す。センシング部、また
はセンシング部と信号処理回路とを搭載した半導体セン
サチップ１を陽極接合によりガラス製スペーサ２に接合
する。このガラス製スペーサ２はシリコンからなる半導
体センサチップ１と線膨張係数が近似である。ガラス製
スペーサ２はシリコーン系接着剤４で樹脂製ケース３に
接合される。センサチップ１と金属製端子５とをボンデ
ィングワイヤ６で接続する。金属製端子５は、電源電圧
を供給する電源端子、ＧＮＤ端子および出力信号を出力
する出力端子等である。センサチップ１およびボンディ
ングワイヤ６を保護用樹脂７で被覆し保護する。通常、
この保護用樹脂７はゲルのような比較的柔らかいものが
用いられる。測定圧はセンサチップ１の上方より保護用
樹脂７を介してセンサチップ１に伝わり、それに応じた
圧力の電気信号が出力端子に出力される。
チップを保護するためのハウジングとして、構造がシン
プルであり、かつ比較的低価格で実現できる樹脂製ケー
スの半導体圧力センサが広く用いられている。図２に、
半導体圧力センサの従来例を示す。センシング部、また
はセンシング部と信号処理回路とを搭載した半導体セン
サチップ１を陽極接合によりガラス製スペーサ２に接合
する。このガラス製スペーサ２はシリコンからなる半導
体センサチップ１と線膨張係数が近似である。ガラス製
スペーサ２はシリコーン系接着剤４で樹脂製ケース３に
接合される。センサチップ１と金属製端子５とをボンデ
ィングワイヤ６で接続する。金属製端子５は、電源電圧
を供給する電源端子、ＧＮＤ端子および出力信号を出力
する出力端子等である。センサチップ１およびボンディ
ングワイヤ６を保護用樹脂７で被覆し保護する。通常、
この保護用樹脂７はゲルのような比較的柔らかいものが
用いられる。測定圧はセンサチップ１の上方より保護用
樹脂７を介してセンサチップ１に伝わり、それに応じた
圧力の電気信号が出力端子に出力される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】保護用樹脂７は、柔ら
かい反面、線膨張係数が極めて大きく（約４×１０-4／
℃）、およそガラス製スペーサ２の１００倍、樹脂製ケ
ース３の１０倍である。図２の構造において、環境温度
の変化によりゲルが膨張、収縮し、それによりボンディ
ングワイヤ６がこのワイヤ６の下部のゲルの影響（膨
張、収縮）で上下方向の変形力を受ける。このように環
境温度の変化を連続的に受けると、ボンディングワイヤ
６は連続的に上下方向の変形力を受け、疲労によって断
線する場合がある。更に、保護用樹脂７は一般的に低温
になるほど固くなる傾向があり、ボンディングワイヤ６
の断線は低温になるほど起こりやすい傾向がある。
かい反面、線膨張係数が極めて大きく（約４×１０-4／
℃）、およそガラス製スペーサ２の１００倍、樹脂製ケ
ース３の１０倍である。図２の構造において、環境温度
の変化によりゲルが膨張、収縮し、それによりボンディ
ングワイヤ６がこのワイヤ６の下部のゲルの影響（膨
張、収縮）で上下方向の変形力を受ける。このように環
境温度の変化を連続的に受けると、ボンディングワイヤ
６は連続的に上下方向の変形力を受け、疲労によって断
線する場合がある。更に、保護用樹脂７は一般的に低温
になるほど固くなる傾向があり、ボンディングワイヤ６
の断線は低温になるほど起こりやすい傾向がある。
【０００４】本発明は、上記の問題点を解決し、ボンデ
ィングワイヤの変形量を抑制し、その断線を防止するこ
とのできる半導体圧力センサを提供するものである。
ィングワイヤの変形量を抑制し、その断線を防止するこ
とのできる半導体圧力センサを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、 ダイヤフラム上に歪ゲージの形成され
たセンシング部を有するセンサチップがスペーサに載置
され、該スペーサが樹脂製ケースの収容部の底面に接着
剤により固着され、該樹脂製ケースにインサートモール
ドされた金属製端子と前記センサチップとがボンディン
グワイヤで接続され、保護用樹脂で被覆された半導体圧
力センサにおいて、前記接着剤は前記保護用樹脂の線膨
張係数よりも小さい線膨張係数を有し、かつ前記スペー
サと前記樹脂製ケースとの間の一部および全部のいずれ
かに充填されることとする。また、前記接着剤はシリコ
ーン系接着剤であり、前記保護用樹脂はゲル状の樹脂で
あることでよい。このような構成とすることにより、一
般にゲル状の保護用樹脂よりも線膨張係数が小さいシリ
コーン系接着剤の特性に着目し、ボンディングワイヤの
下の保護用樹脂をシリコーン系接着剤に置きかえること
により、ボンディングワイヤの下の保護用樹脂の量を減
少し膨張、収縮する量を減少させることで、環境温度の
変化によるボンディングワイヤの変形量を抑制し、その
断線を防止することができる。
に、本発明は、 ダイヤフラム上に歪ゲージの形成され
たセンシング部を有するセンサチップがスペーサに載置
され、該スペーサが樹脂製ケースの収容部の底面に接着
剤により固着され、該樹脂製ケースにインサートモール
ドされた金属製端子と前記センサチップとがボンディン
グワイヤで接続され、保護用樹脂で被覆された半導体圧
力センサにおいて、前記接着剤は前記保護用樹脂の線膨
張係数よりも小さい線膨張係数を有し、かつ前記スペー
サと前記樹脂製ケースとの間の一部および全部のいずれ
かに充填されることとする。また、前記接着剤はシリコ
ーン系接着剤であり、前記保護用樹脂はゲル状の樹脂で
あることでよい。このような構成とすることにより、一
般にゲル状の保護用樹脂よりも線膨張係数が小さいシリ
コーン系接着剤の特性に着目し、ボンディングワイヤの
下の保護用樹脂をシリコーン系接着剤に置きかえること
により、ボンディングワイヤの下の保護用樹脂の量を減
少し膨張、収縮する量を減少させることで、環境温度の
変化によるボンディングワイヤの変形量を抑制し、その
断線を防止することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態として、図
１に半導体圧力センサの断面模式図を示す。従来例の図
２と同一な部分には同一の符号を付しその説明を省略す
ることがある。従来例の図２との相違点は次のとおりで
ある。半導体センサチップ１を載置したガラス製スペー
サ２を樹脂製ケース３（例えば、エポキシ樹脂）の収容
部の底面に固着するシリコーン系接着剤４は、ボンディ
ングワイヤ６（例えば、アルミニウム）の下のガラス製
スペーサ２と樹脂製ケース３の収容部との隙間に充填さ
れており、シリコーン系接着剤４の線膨張係数はゲル状
の保護用樹脂７（例えば、シリーコンゲル）のそれより
も小さい点である。シリコーン系接着剤４はガラス製ス
ペーサ２と樹脂製ケース３の収容部との隙間の一部およ
び全部のいずれかに充填される。その充填量は、温度変
化によるボンディングワイヤ６の変形量やシリコーン系
接着剤４によるストレスがセンサチップ１の特性に及ぼ
す影響などを考慮して決定される。シリコーン系接着剤
４の充填方法としては、図２の従来例に示した場合より
も多くの量のシリコーン系接着剤４を樹脂製ケース３の
収容部に注入した状態で、センサチップ１を載置したガ
ラス製スペーサ２を樹脂製ケース３の収容部の底面にダ
イボンディングすることにより、シリコーン系接着剤４
がガラス製スペーサ２と樹脂ケース３の収容部との隙間
を這い上がって埋め、更に加熱もしくは常温放置により
硬化させる。温度変化を生じた場合のボンディングワイ
ヤ６の変形量について説明する。ここで、ボンディング
ワイヤはその近傍のゲル状の保護用樹脂７の変形量と同
量だけ変形するものとする。またボンディングワイヤ６
のループ頂点とセンサチップ１の表面の間にあるゲル状
の保護用樹脂７の影響はないものとする。ゲル状の保護
用樹脂７の線膨張係数は代表値として４×１０-4／℃と
し、シリコーン系接着剤４の線膨張係数の代表値として
２×１０-4／℃とする。車に搭載する場合、環境温度
は、およそ−３０℃〜１００℃の範囲で変化する。この
ような温度の変化が生じた場合のボンディングワイヤ６
の変形量を、ガラス製スペーサ２と樹脂製ケース３との
隙間が全て保護用樹脂で充填された場合と、全てシリコ
ーン系接着剤４で充填された場合とで比較する。隙間の
深さは３ｍｍとする。まず、上記の隙間がゲル状の保護
用樹脂７で充填された場合のボンディングワイヤ６の変
形量ｄ１は、 ｄ１＝３(mm)×１３０(℃)×４×１０-4(／℃)＝0.156
(mm) となる。次に、上記の隙間にシリコーン系接着剤４で充
填された場合のボンディングワイヤ６の変形量ｄ２は、 ｄ２＝３(mm)×１３０(℃)×２×１０-4(／℃)＝0.078
(mm) となる。ボンディングワイヤの高さ（電極との接続面か
らループ頂点までの高さ）は通常０．３〜０．６mmであ
り、上記のように隙間にゲル状の保護用樹脂７を充填し
た従来例の場合には、ボンディングワイヤ６の変形量は
最大でボンディングワイヤの高さの半分にも及ぶので、
断線が容易に起こる状態になる。これに対し、シリコー
ン系接着剤４を充填した場合は、ボンディングワイヤ６
の変形量を１／４に抑制でき、ボンディングワイヤの断
線を防止することができる。ここで、ゲル状の保護用樹
脂７として、フッ素ゲル、アクリル系ゲル、エポキシゲ
ルなどを用いてもよい。また、樹脂ケース３の樹脂は、
ＰＰＳ樹脂，ＰＢＴ樹脂，ＡＢＳ樹脂などを用いてもよ
い。
１に半導体圧力センサの断面模式図を示す。従来例の図
２と同一な部分には同一の符号を付しその説明を省略す
ることがある。従来例の図２との相違点は次のとおりで
ある。半導体センサチップ１を載置したガラス製スペー
サ２を樹脂製ケース３（例えば、エポキシ樹脂）の収容
部の底面に固着するシリコーン系接着剤４は、ボンディ
ングワイヤ６（例えば、アルミニウム）の下のガラス製
スペーサ２と樹脂製ケース３の収容部との隙間に充填さ
れており、シリコーン系接着剤４の線膨張係数はゲル状
の保護用樹脂７（例えば、シリーコンゲル）のそれより
も小さい点である。シリコーン系接着剤４はガラス製ス
ペーサ２と樹脂製ケース３の収容部との隙間の一部およ
び全部のいずれかに充填される。その充填量は、温度変
化によるボンディングワイヤ６の変形量やシリコーン系
接着剤４によるストレスがセンサチップ１の特性に及ぼ
す影響などを考慮して決定される。シリコーン系接着剤
４の充填方法としては、図２の従来例に示した場合より
も多くの量のシリコーン系接着剤４を樹脂製ケース３の
収容部に注入した状態で、センサチップ１を載置したガ
ラス製スペーサ２を樹脂製ケース３の収容部の底面にダ
イボンディングすることにより、シリコーン系接着剤４
がガラス製スペーサ２と樹脂ケース３の収容部との隙間
を這い上がって埋め、更に加熱もしくは常温放置により
硬化させる。温度変化を生じた場合のボンディングワイ
ヤ６の変形量について説明する。ここで、ボンディング
ワイヤはその近傍のゲル状の保護用樹脂７の変形量と同
量だけ変形するものとする。またボンディングワイヤ６
のループ頂点とセンサチップ１の表面の間にあるゲル状
の保護用樹脂７の影響はないものとする。ゲル状の保護
用樹脂７の線膨張係数は代表値として４×１０-4／℃と
し、シリコーン系接着剤４の線膨張係数の代表値として
２×１０-4／℃とする。車に搭載する場合、環境温度
は、およそ−３０℃〜１００℃の範囲で変化する。この
ような温度の変化が生じた場合のボンディングワイヤ６
の変形量を、ガラス製スペーサ２と樹脂製ケース３との
隙間が全て保護用樹脂で充填された場合と、全てシリコ
ーン系接着剤４で充填された場合とで比較する。隙間の
深さは３ｍｍとする。まず、上記の隙間がゲル状の保護
用樹脂７で充填された場合のボンディングワイヤ６の変
形量ｄ１は、 ｄ１＝３(mm)×１３０(℃)×４×１０-4(／℃)＝0.156
(mm) となる。次に、上記の隙間にシリコーン系接着剤４で充
填された場合のボンディングワイヤ６の変形量ｄ２は、 ｄ２＝３(mm)×１３０(℃)×２×１０-4(／℃)＝0.078
(mm) となる。ボンディングワイヤの高さ（電極との接続面か
らループ頂点までの高さ）は通常０．３〜０．６mmであ
り、上記のように隙間にゲル状の保護用樹脂７を充填し
た従来例の場合には、ボンディングワイヤ６の変形量は
最大でボンディングワイヤの高さの半分にも及ぶので、
断線が容易に起こる状態になる。これに対し、シリコー
ン系接着剤４を充填した場合は、ボンディングワイヤ６
の変形量を１／４に抑制でき、ボンディングワイヤの断
線を防止することができる。ここで、ゲル状の保護用樹
脂７として、フッ素ゲル、アクリル系ゲル、エポキシゲ
ルなどを用いてもよい。また、樹脂ケース３の樹脂は、
ＰＰＳ樹脂，ＰＢＴ樹脂，ＡＢＳ樹脂などを用いてもよ
い。
【０００７】
【発明の効果】この発明は、スペーサと樹脂製ケースと
を固着する接着剤が保護用樹脂の線膨張係数よりも小さ
い線膨張係数を有し、かつスペーサと樹脂製ケースとの
間の一部および全部のいずれかに充填されることによ
り、ボンディングワイヤの断線を防止することができ、
信頼性の向上を図ることができる。
を固着する接着剤が保護用樹脂の線膨張係数よりも小さ
い線膨張係数を有し、かつスペーサと樹脂製ケースとの
間の一部および全部のいずれかに充填されることによ
り、ボンディングワイヤの断線を防止することができ、
信頼性の向上を図ることができる。
【図1】この発明の実施の形態を示す半導体圧力センサ
の断面模式図
の断面模式図
【図2】従来例の半導体圧力センサの断面模式図
１ ： 半導体センサチップ ２ ： ガラス製スペーサ ３ ： 樹脂製ケース １ ： 接着剤 ５ ： 金属製端子 １ ： ボンディングワイヤ ７ ： 保護用樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】ダイヤフラム上に歪ゲージの形成されたセ
ンシング部を有するセンサチップがスペーサに載置さ
れ、、該スペーサが樹脂製ケースの収容部の底面に接着
剤により固着され、該樹脂製ケースにインサートモール
ドされた金属製端子と前記センサチップとがボンディン
グワイヤで接続され、保護用樹脂で被覆された半導体圧
力センサにおいて、前記接着剤は前記保護用樹脂の線膨
張係数よりも小さい線膨張係数を有し、かつ前記スペー
サと前記樹脂製ケースとの間の一部および全部のいずれ
かに充填されることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】前記接着剤はシリコーン系接着剤であり、
前記保護用樹脂はゲル状の樹脂であることを特徴とする
請求項１記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303634A JP2002107249A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303634A JP2002107249A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002107249A true JP2002107249A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18784812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000303634A Withdrawn JP2002107249A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002107249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005524847A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力センサ組立体 |
| DE102006011753A1 (de) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit Sensorgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP2010107366A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| US7749797B2 (en) | 2004-09-07 | 2010-07-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a sensor chip, and method for producing the same |
Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0878727A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JPH1090095A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH10173098A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置およびその製法 |
| JPH1123613A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Tokai Rika Co Ltd | ダイアフラム式センサチップを利用したセンサ |
| JPH11304619A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | 半導体圧力センサ装置 |
-
2000
- 2000-10-03 JP JP2000303634A patent/JP2002107249A/ja not_active Withdrawn
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| JP2005524847A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力センサ組立体 |
| US7749797B2 (en) | 2004-09-07 | 2010-07-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a sensor chip, and method for producing the same |
| DE102006011753A1 (de) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit Sensorgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US7964954B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-06-21 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit having a semiconductor sensor device with embedded column-like spacers |
| DE102006011753B4 (de) * | 2006-03-13 | 2021-01-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil, Verfahren zur Herstellung eines Nutzens und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen |
| JP2010107366A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体圧力センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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