KR100708989B1 - 반도체 압력 센서 - Google Patents

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마사아키 타루야
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Abstract

과제
온도 변화나 압력 작동이 심한 환경하에서도 본딩 와이어의 파손을 저감할 수 있고, 장수명화가 도모될 수 있는 반도체 압력 센서를 얻는다.
해결 수단
본 발명에 관한 반도체 압력 센서는, 오목부(1a)를 갖는 수지제의 패키지(1)와, 오목부(1a)에 일단부가 노출하여 있음과 함께 타단부가 패키지(1)의 외부로 도출되고, 인서트 성형에 의해 패키지(1)와 일체화된 리드(2)와, 오목부(1a)에 마련되고 압력을 검출하는 센서 칩(3)과, 이 센서 칩(3)과 리드(2)를 전기적으로 접속한 본딩 와이어(4)를 구비한 반도체 압력 센서에 있어서, 리드(2)와 패키지(1)의 계면에서 오목부(1a)측은 절연성의 제 1의 보호 수지부(6)로 피복되고, 본딩 와이어(4)는 제 1의 보호 수지부(6)보다도 연질의 제 2의 보호 수지부(7)로 피복되어 있다.
센서, 반도체, 압력, 본딩 와이어

Description

반도체 압력 센서{SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR}
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 리드와 다른 예의 리드가 편입된 반도체 압력 센서의 주요부 단면도.
도 3은 도 1의 리드와 다른 예의 리드가 조립된 반도체 압력 센서의 주요부 단면도.
도 4는 도 1의 리드와 다른 예의 리드가 조립된 반도체 압력 센서의 주요부 단면도.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 2의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 3의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 : 패키지 1a : 오목부
2 : 리드 3 : 센서 칩(반도체 칩)
4 : 본딩 와이어 5 : 접착부
6 : 제 1의 보호 수지부 7 : 제 2의 보호 수지부
8 : 처리 칩(반도체 칩)
기술 분야
본 발명은, 예를 들면 내연 기관의 흡입 매니폴드의 내압, 탱크 내압 등의 압력을 검출하는 반도체 압력 센서에 관한 것이다.
배경 기술
일반적인 압력 검출 소자로서, 예를 들면 피에조 저항 효과를 이용한 반도체 압력 센서가 알려져 있다.
이 반도체 압력 센서는, 패키지의 오목부에, 다이어프램이 접착된 대좌가 마련되고, 피측정 매체와, 다이어프램과 대좌와의 사이에 형성된 진공실과의 압력차에 의해 생긴 다이어프램의 왜곡을, 다이어프램상에 형성된 스트레인 게이지가 저항치 변화로서 파악하고, 이 저항치 변화를 전기 신호로서 리드를 통하여 외부에 출력되고, 피측정 유체의 압력을 검출하고 있다.
그런데, 다이어프램 및 리드는, 본딩 와이어를 통하여 전기적으로 접속되어 있는데, 피측정 매체에 대한, 다이어프램이나 본딩 와이어의 방식(防蝕), 절연성을 확보하기 위해 절연성의 보호 수지부에 의해 피복되고, 보호되지만, 이 수지 재료는 다이어프램의 왜곡 변형을 저해하지 않도록, 비교적 연질의 예를 들면 겔상태의 것이 사용되고 있다.
그러나, 패키지와, 패키지와 인서트 성형에 의해 일체화된 리드의 계면에는, 미소한 간격이 있고, 다이어프램이나 본딩 와이어에 보호 수지부를 피복한 때에, 그 계면에 존재한 공기가 보호 수지부 내로 방출되고, 이 공기에 기인하여 본딩 와이어에 스트레스가 가하여져서, 본딩 와이어가 파손될 우려가 있다.
이와 같은 사태를 막기 위해 보호 수지부를 피복하는 작업을, 진공 분위기의 환경하에서 행하고, 계면에 갇혀지는 공기량을 저감한 대책이 취해지고 있지만, 이 경우에도, 다이어프램이 대기보다 부압(負壓)으로 되면, 그 미소한 간극에 존재하는 공기가 기포로서 팽창하여 보호 수지부중으로 침입하여 버려, 보호 수지부 및 본딩 와이어에 스트레스가 가하여지고, 역시 본딩 와이어의 파손이 야기되어 버린다는 문제점이 있다.
또한, 패키지의 외부로부터 작은 간극을 통하여 침입하는 공기에 의해서도 마찬가지의 문제점이 생겼다.
이와 같은 문제점을 해결하는 수단으로서, 예를 들면 특허 문헌 1에는, 리드와 패키지의 계면에서 오목부측, 와이어본딩의 하부, 및 리드를 비교적 경질의 절연성의 제 1의 보호 수지부로 피복하여, 계면에서의 공기가 갇혀지고, 다이어프램 및 와이어본딩의 상부를, 다이어프램의 변형을 저해하지 않는, 비교적 연질의 제 2의 보호 수지부로 피복한 반도체 압력 센서가 기재되어 있다.
[특허 문헌 1]
특개평11-304619호 공보(도 1)
그러나, 상기 반도체 압력 센서에서는, 본딩 와이어는 선팽창 계수, 탄성률이 다른 제 1의 보호 수지부 및 제 2의 보호 수지부로 덮여 있기 때문에, 온도 변 화나 압력 작동에 의해 생기는, 제 1의 보호 수지부 및 제 2의 보호 수지부의 응력이나 왜곡의 차이가, 그대로 본딩 와이어에 큰 힘으로서 작용하기 때문에, 이 것의 경우에도 본딩 와이어가 파손될 우려가 있다는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하는 것을 과제로 한 것이고, 온도 변화나 압력 작동이 심한 환경하에서도 본딩 와이어의 파손을 저감할 수 있고, 장수명화를 도모할 수 있는 반도체 압력 센서를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 반도체 압력 센서는, 오목부를 갖는 수지제의 패키지와, 상기 오목부에 일단부가 노출하여 있음과 함께 타단부가 상기 패키지의 외부에 도출되고, 인서트 성형에 의해 상기 패키지와 일체화된 리드와, 상기 오목부에 마련되고 압력을 검출하는 반도체 칩과, 이 반도체 칩과 상기 리드에 전기적으로 접속된 본딩 와이어를 구비한 반도체 압력 센서에 있어서, 상기 리드와 상기 패키지의 계면에서 상기 오목부측은 절연성의 제 1의 보호 수지부로 피복되고, 상기 본딩 와이어는 상기 제 1의 보호 수지부보다도 연질의 제 2의 보호 수지부로 피복되어 있다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 각 실시의 형태에 관해 도면에 의거하여 설명하는데, 각 도면에 있어서, 동일, 또는 상당 부재, 부위에 관해서는, 동일 부호를 병기하여 설명한다.
실시의 형태 1
도 1은 실시의 형태 1의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도이다.
이 반도체 압력 센서에서는, 열경화성의 에폭시 수지제의 패키지(1)에는, 반도체 칩인 센서 칩(3)을 설치하기 위한 오목부(1a)가 형성되어 있다.
센서 칩(3)은, 오목부(1a)의 저면에 접착부(5)에 접착된 유리 대좌(3b)와, 이 유리 대좌(3b)에 양극 접합된, Si재로 구성된 다이어프램(3a)으로 구성되어 있다. 다이어프램(3a)과 유리 대좌(3b)와의 사이에는, 측정 압력의 기준이 되는 진공실(3c)이 형성되어 있다.
다이어프램(3a)상에는, 휘스톤 브리지 회로를 구성한 스트레인 게이지가 형성되어 있다.
오목부(1a)에는, 인서트 성형에 의해 패키지(1)와 일체화된 리드(2)의 일단부가 노출하고 있다. 리드(2)의 타단부는 패키지(1)의 외부로 도출하고 있다. 이 리드(2)의 일단부에서는, 도면중 다이어프램(3a)측을 향하여 계단형상으로 절곡되어 형성된 본딩 패드(2a)가 형성되어 있다. 본딩 와이어(4)의 재질은 금(金)이고, 본딩 와이어(4)의 양단부는, 초음파를 병용한 열압착법으로 본딩 패드(2a) 및 다이어프램(3a)의 연부(緣部)에서 접합되어 있다.
오목부(1a) 내에는, 피측정 매체에 대해, 이물 침입의 보호, 방식 그리고 절연성의 확보를 목적으로 하여 절연성의, 제 1의 보호 수지부(6) 및 제 2의 보호 수지부(7)가 형성되어 있다.
제 1의 보호 수지부(6)는 오목부(1a)의 저면을 피복하고 있다. 이 제 1의 보호 수지부(6)는, 최저한, 리드(2)와 패키지(1)의 계면에서 오목부(1a)측을 피복하는 것이면 좋다. 이 제 1의 보호 수지부(6)는 고무 상태 또는 겔 상태의 비교적 경 도가 높은 것이 사용되고 있고, 주로 오목부(1a) 내가 부압으로 된 때에 리드(2)와 패키지(1)의 계면으로부터 오목부(1a) 내로 기포가 방출되는 것을 방지하는, 즉 실 기능을 갖고 있다.
또한, 도 1에 도시된 본딩 와이어(4) 및 리드(2)는, 휘스톤 브리지 회로로부터의 출력 경로이지만, 휘스톤 브리지 회로에 기준 전위를 인가하기 위해 이용되는 본딩 와이어(도시 생략) 및 리드(도시 생략)에 대해서도, 제 1의 보호 수지부(6)에 의해 당연히 리드와 패키지(1)의 계면으로부터 오목부(1a) 내로 기포가 방출되는 것이 방지되어 있다.
제 1의 보호 수지부(6) 위를 덮은 제 2의 보호 수지부(7)는, 제 1의 보호 수지부(6)보다도 연질이고, 본딩 와이어(4), 본딩 패드(2a) 및 다이어프램(3a)을 덮고 있다. 제 2의 보호 수지부(7)로서는, 예를 들면 자동차의 흡기압 검출에 이용되는 경우는, 가솔린이나 엔진 오일 등에 내약품성이 높은 불소계 수지가 사용된다.
상기 구성의 반도체 압력 센서에서는, 피측정 유체의 압력이 화살표(A)의 방향으로부터 다이어프램(3a)에 인가되면, 다이어프램(3a)은 왜곡되어 변형한다. 그것에 수반하여, 스트레인 게이지에는 응력이 가해지고, 그 응력에 비례하여 스트레인 게이지의 저항치가 변화한다.
한편, 휘스톤 브리지 회로를 구성한 스트레인 게이지에는, 리드(도시 생략), 본딩 와이어(도시 생략)를 통하여 기준 전위가 인가되어 있고, 스트레인 게이지의 저항치의 변화에 수반하여, 휘스톤 브리지 회로로부터의 출력 전압이 변화한다. 이 출력 전압의 변화량은, 본딩 와이어(4), 리드(2)를 통하여 외부로 출력되고, 피측 정 유체의 압력이 검출된다.
상기 구성의 반도체 압력 센서에 의하면, 리드(2)와 패키지(1)의 계면에서 오목부(1a)측은, 절연성의 제 1의 보호 수지부(6)로 피복되어 있기 때문에, 패키지(1)와 리드(2)의 계면에서의 미소한 간극에 기포가 있어도, 그 기포가 오목부(1a) 내로 방출하는 것을 방지할 수 있고, 기포에 기인한 본딩 와이어(4)의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 본딩 와이어(4)는, 제 1의 보호 수지부(6)보다도 연질의 제 2의 보호 수지부(7)로 일률적으로 피복되어 있다. 따라서, 다른 보호 수지부에 의한 선팽창 계수, 탄성률 등에 의한 본딩 와이어(4)의 파손이 생기는 일은 없다.
또한, 리드(2)의 일단부는, 도중에 제 2의 보호 수지부(7)측을 향하여 계단형상으로 절곡되어 형성된 본딩 패드(2a)를 구비하고 있기 때문에, 제 1의 보호 수지부(6)는 본딩 와이어(4)를 일체 피복하는 일 없이 형성된다.
또한, 리드(2)의 일단부의 형상에 관해서는, 도 2, 도 3 및 도 4에 도시한 것이라도 좋다.
도 2에 도시된 리드(2)의 경우, 리드(2)의 일단부가 도중에 90°로 절곡되어 있고, 그 선단면에 본딩 와이어(4)의 일단부가 접속되어 있다.
이것의 경우, 리드(2)의 일단부가 90°로 절곡되어 있고, 리드(2)의 판두께의 영향을 받는 일 없이, 제 1의 보호 수지부(6)의 두께를 설정할 수 있다. 또한, 패키지(1)와 리드(2)가 인서트 성형에 의해 성형될 때에 이용되는 성형 금형은, 간단한 구성으로 된다는 효과도 있다.
도 3에 도시된 리드(2)의 경우, 리드(2)의 일단부가 프레스 성형 가공에 의해 사다리꼴 형상으로 형성되어 있고, 그 정면(頂面)에 본딩 와이어(4)의 일단부가 접속되어 있다.
이것의 경우도, 도 2에 도시된 것과 마찬가지로, 리드(2)의 판두께의 영향을 받는 일 없이, 제 1의 보호 수지부(6)의 두께를 설정할 수 있다.
도 4에 도시된 리드(2)의 경우, 리드(2)의 일단부가 도중에 380° 절곡되어 있고, 그 상면에 본딩 와이어(4)의 일단부가 접속되어 있다.
이것의 경우도, 도 2에 도시된 것과 마찬가지로, 리드(2)의 판두께의 영향을 받는 일 없이, 제 1의 보호 수지부(6)의 두께를 설정할 수 있다.
실시의 형태 2
도 5는 실시의 형태 2의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도이다.
이 반도체 압력 센서에서는, 센서 칩(3)은 제 1의 보호 수지부(6)로 오목부(1a)의 저면에 접착되어 있다.
다른 구성은, 실시의 형태 1과 마찬가지이다.
이 실시의 형태에 의한 반도체 압력 센서에 의하면, 실시의 형태 1과 같은 효과를 얻을 수 있음과 함께, 제 1의 보호 수지부(6)는 리드(2)와 패키지(1)의 계면의 오목부(1a)측을 실 하는 기능과 함께, 센서 칩(3)의 패키지(1)에 대해 접착하는 기능도 구비하고 있고, 실시의 형태 1에서 필요로 한 접착부(5)의 도포 공정이 불필요하다고 되고, 조립 작업성이 향상된다.
실시의 형태 3
도 6은 실시의 형태 3의 반도체 압력 센서를 도시한 단면도이다.
이 반도체 압력 센서에서는, 오목부(1a)에는 센서 칩(3)과 함께, 압력을 검출하는 센서 칩(3)으로부터의 전기 신호를 보정 및 증폭 처리하는 처리 칩(8)이 마련되어 있다.
반도체 칩인 처리 칩(8)은, 오목부(1a)의 돌출한 저면에 접착부(5)에 접착되어 있다.
이 처리 칩(8)도, 센서 칩(3)과 마찬가지로, 본딩 와이어(4)의 양단부가 초음파를 병용한 열압착법으로 본딩 패드(2a) 및 처리 칩(8)의 연부에서 접합되어 있다.
다른 구성은, 실시의 형태 1과 마찬가지이고, 실시의 형태 1과 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 실시의 형태 1 내지 3에 관해서는, 패키지(1)의 재료로서 열경화성 수지를 사용하였지만, 열가소성 수지라도 좋다.
또한, 센서 칩으로서는, 피에조 저항 효과를 이용한 것에 관해 설명하였지만, 예를 들면 정전 용량 방식의 반도체 압력 센서 칩이라도 좋다.
또한, 센서 칩(3) 및 처리 칩(8)의 기능이 동일한 칩 위에 형성된 IC로 구성된 것에도, 본 발명은 적용할 수 있다.
본 발명에 관한 반도체 압력 센서에 의하면, 온도 변화나 압력 작동이 심한 환경하에서도 본딩 와이어의 파손을 저감할 수 있고, 장수명화를 도모할 수 있다.

Claims (6)

  1. 오목부를 갖는 수지제의 패키지와,
    상기 오목부에 일단부가 노출하여 있음과 함께 타단부가 상기 패키지의 외부에 도출되고, 인서트 성형에 의해 상기 패키지와 일체화된 리드와,
    상기 오목부에 마련된 반도체 칩과,
    이 반도체 칩과 상기 리드를 전기적으로 접속한 본딩 와이어를 구비한 반도체 압력 센서에 있어서,
    상기 리드와 상기 패키지의 계면에서 상기 오목부측은 절연성의 제 1의 보호 수지부로 피복되고,
    상기 본딩 와이어 전체는 상기 제 1의 보호 수지부보다도 연질의 제 2의 보호 수지부로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 칩은, 상기 제 1의 보호 수지부에 의해 상기 오목부의 저면에 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 리드의 상기 오목부 내의 일단부는, 상기 제 1의 보호 수지부로부터 노출하도록 도중에 계단 형상으로 절곡되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 칩은, 압력을 검출하는 센서 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 칩은, 압력을 검출하는 센서 칩으로부터의 전기 신호를 보정 및 증폭 처리하는 처리 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 센서 칩 및 상기 처리 칩은, 동일한 상기 오목부에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 압력 센서.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291590A (ja) * 1992-04-16 1993-11-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
JPH09289235A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサの特性測定装置
JPH11304619A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Denso Corp 半導体圧力センサ装置
US6335568B1 (en) * 1998-10-28 2002-01-01 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabrication thereof, circuit board, and electronic equipment
US6521966B1 (en) * 1999-04-14 2003-02-18 Denso Corporation Semiconductor strain sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291590A (ja) * 1992-04-16 1993-11-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
JPH09289235A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサの特性測定装置
JPH11304619A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Denso Corp 半導体圧力センサ装置
US6335568B1 (en) * 1998-10-28 2002-01-01 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabrication thereof, circuit board, and electronic equipment
US6521966B1 (en) * 1999-04-14 2003-02-18 Denso Corporation Semiconductor strain sensor

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