JPH0510830A - 温度検知素子 - Google Patents
温度検知素子Info
- Publication number
- JPH0510830A JPH0510830A JP18360291A JP18360291A JPH0510830A JP H0510830 A JPH0510830 A JP H0510830A JP 18360291 A JP18360291 A JP 18360291A JP 18360291 A JP18360291 A JP 18360291A JP H0510830 A JPH0510830 A JP H0510830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- temperature
- detecting element
- temperature detecting
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】測定対象物を汚染せずに特定温度を検知するこ
とができる温度検知素子を提供することを目的とする。 【構成】シリコンウエハ１と、その上にプラズマＣＶＤ
で成膜されたアモルファス水素化シリコン膜２とで温度
検知素子を構成する。そして、ある一定温度に達すると
アモルファス水素化シリコン膜２の水素が脱離してウエ
ハ１と膜２との間に気泡３が発生し、それに伴って膜表
面が粗面化して光を乱反射するようになり、これにより
温度を検知することができる。
とができる温度検知素子を提供することを目的とする。 【構成】シリコンウエハ１と、その上にプラズマＣＶＤ
で成膜されたアモルファス水素化シリコン膜２とで温度
検知素子を構成する。そして、ある一定温度に達すると
アモルファス水素化シリコン膜２の水素が脱離してウエ
ハ１と膜２との間に気泡３が発生し、それに伴って膜表
面が粗面化して光を乱反射するようになり、これにより
温度を検知することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ある特定の温度を検
知するための温度検知素子に関する。
知するための温度検知素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
特定温度を検知することを目的として、サ−モラベルが
用いられている。このサ−モラベルは、温度により変色
する色素等の示温材料を用いたラベルであり、直接温度
検知対象物に貼り付けて用いられる。このようなサ−モ
ラベルの利点は、外部から視覚的に温度を検知できるこ
とにある。
特定温度を検知することを目的として、サ−モラベルが
用いられている。このサ−モラベルは、温度により変色
する色素等の示温材料を用いたラベルであり、直接温度
検知対象物に貼り付けて用いられる。このようなサ−モ
ラベルの利点は、外部から視覚的に温度を検知できるこ
とにある。
【０００３】しかしながら、測定対象物によっては、サ
−モラベルに用いられる接着剤及びその他の材料がその
測定対象物を汚染してしまうおそれがある。
−モラベルに用いられる接着剤及びその他の材料がその
測定対象物を汚染してしまうおそれがある。
【０００４】この発明は、このような実情に鑑みてなさ
れたものであって、測定対象物を汚染せずに特定温度を
検知することができる温度検知素子を提供することを目
的とする。
れたものであって、測定対象物を汚染せずに特定温度を
検知することができる温度検知素子を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板と、その上に成膜されたアモルファ
ス水素化シリコン膜とを有し、前記アモルファス水素化
シリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと表わす）膜の水素の脱離
に伴うその膜の表面状態の変化により温度を検知するこ
とを特徴とする温度検知素子を提供する。
成するために、基板と、その上に成膜されたアモルファ
ス水素化シリコン膜とを有し、前記アモルファス水素化
シリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと表わす）膜の水素の脱離
に伴うその膜の表面状態の変化により温度を検知するこ
とを特徴とする温度検知素子を提供する。
【０００６】
【作用】基板上に成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜中の水素
は、特定の温度（例えば４５０℃）で脱離し、その際、
基板とａ−Ｓｉ：Ｈ膜との境界部に多数の気泡が発生す
る。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、その気泡発生部分が膨出して膜
表面が粗面となる。この膜表面の状態変化は、膜表面で
の光の反射状態の変化として表れるので、例えば反射光
を目視することによって特定温度（例えば４５０℃）を
超えたことを検知することができる。
は、特定の温度（例えば４５０℃）で脱離し、その際、
基板とａ−Ｓｉ：Ｈ膜との境界部に多数の気泡が発生す
る。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、その気泡発生部分が膨出して膜
表面が粗面となる。この膜表面の状態変化は、膜表面で
の光の反射状態の変化として表れるので、例えば反射光
を目視することによって特定温度（例えば４５０℃）を
超えたことを検知することができる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して、この発明の実施
例について説明する。
例について説明する。
【０００８】図１は、この発明の実施例に係る温度検知
素子を示す概略構成図である。この実施例では、基板と
してシリコンウエハを用いており、シリコンウエハ１上
にはａ−Ｓｉ：Ｈ膜２が形成されている。このａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜２はプラズマＣＶＤ法により容易に形成するこ
とができる。この際の成膜条件は、例えば以下のように
設定される。
素子を示す概略構成図である。この実施例では、基板と
してシリコンウエハを用いており、シリコンウエハ１上
にはａ−Ｓｉ：Ｈ膜２が形成されている。このａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜２はプラズマＣＶＤ法により容易に形成するこ
とができる。この際の成膜条件は、例えば以下のように
設定される。
【０００９】 反応ガス： ＳｉＨ4 （流量２０ｃｃｍ） Ｈ2 （流量１８０ｃｃｍ） 圧力： ０．８Torr ＲＦパワ−： ０．０６Ｗ／cm2 成膜温度： １００℃ このような条件でシリコンウエハ１上に成膜されたａ−
Ｓｉ：Ｈ膜２は、その表面が平坦である。この基板を加
熱していくと、４５０℃において膜中の水素が急激に脱
離するため、図２に示すように、ウエハ１とａ−Ｓｉ：
Ｈ膜２との間に多数の気泡３が発生し、また、これに伴
い膜２の表面には直径が０．１〜２．０mm程度の大きさ
で円形に膨出４が形成され、表面が粗面となる。
Ｓｉ：Ｈ膜２は、その表面が平坦である。この基板を加
熱していくと、４５０℃において膜中の水素が急激に脱
離するため、図２に示すように、ウエハ１とａ−Ｓｉ：
Ｈ膜２との間に多数の気泡３が発生し、また、これに伴
い膜２の表面には直径が０．１〜２．０mm程度の大きさ
で円形に膨出４が形成され、表面が粗面となる。
【００１０】このような膜面の変化は、膜面が平坦であ
ると光が鏡面反射し、粗面であると乱反射するので、反
射光の目視により金属光沢の有無として認識することが
でき、これにより温度が４５０℃を超えたことを検知す
ることができる。
ると光が鏡面反射し、粗面であると乱反射するので、反
射光の目視により金属光沢の有無として認識することが
でき、これにより温度が４５０℃を超えたことを検知す
ることができる。
【００１１】なお、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２の膜厚によって
は、気泡により膜２に貫通孔が形成される場合もある
が、この場合も膜２の表面は粗面となるので、同様に特
定温度を検知することができる。
は、気泡により膜２に貫通孔が形成される場合もある
が、この場合も膜２の表面は粗面となるので、同様に特
定温度を検知することができる。
【００１２】このように、上記温度検知素子は半導体プ
ロセスに使用している汚染のない材料のみで構成されて
いるので、測定対象物を汚染することなく温度を検知す
ることができ、特に半導体プロセスでの温度検知に有効
である。
ロセスに使用している汚染のない材料のみで構成されて
いるので、測定対象物を汚染することなく温度を検知す
ることができ、特に半導体プロセスでの温度検知に有効
である。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、測定対象物を汚染す
ることなく特定温度を検知することができる温度検知素
子が提供される。従って、特に不純物元素による汚染が
問題となる半導体プロセスでの温度モニタとして有効で
ある。
ることなく特定温度を検知することができる温度検知素
子が提供される。従って、特に不純物元素による汚染が
問題となる半導体プロセスでの温度モニタとして有効で
ある。
【図１】この発明の実施例に係る温度検知素子を示す構
成図。
成図。
【図２】この発明の実施例に係る温度検知素子のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜の表面が粗面化した状態を示す図。
ｉ：Ｈ膜の表面が粗面化した状態を示す図。
１；シリコンウエハ、２；ａ−Ｓｉ：Ｈ膜、３；気泡、
４；膨出部。
４；膨出部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板と、その上に成膜されたアモルファ
ス水素化シリコン膜とを有し、前記アモルファス水素化
シリコン膜の水素の脱離に伴うその膜の表面状態の変化
により温度を検知することを特徴とする温度検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360291A JPH0510830A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360291A JPH0510830A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510830A true JPH0510830A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16138685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18360291A Pending JPH0510830A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655620A1 (en) * | 1993-11-30 | 1995-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Real-time wafer temperature measurement based on light scattering |
| JP2009036756A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-02-19 | Kobe Steel Ltd | 温度測定方法、温度測定具および温度測定装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18360291A patent/JPH0510830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655620A1 (en) * | 1993-11-30 | 1995-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Real-time wafer temperature measurement based on light scattering |
| JP2009036756A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-02-19 | Kobe Steel Ltd | 温度測定方法、温度測定具および温度測定装置 |
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