JP2002158362A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板にキャビティを形成した後、熱処
理を行うことによりキャビティが閉じてなる基準圧力室
を形成し、半導体基板のうち基準圧力室に対応する部位
に圧力検出用のダイヤフラムを形成し、しかる後、半導
体基板に素子を形成するようにした半導体圧力センサの
製造方法において、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発
生を防止する。 【解決手段】 キャビティ２が形成された半導体基板１
と別基板３とを酸化膜４を介して貼り合わせ、熱処理し
て接合することにより、基準圧力室５を形成した後、半
導体基板１に対して歪みゲージ７や電極９等の素子を形
成する。ここで、基準圧力室５を形成した後に半導体基
板１に対して行われる熱処理温度をＴ1（℃）、基準圧
力室５の室温における内圧をＰ0（ａｔｍ）としたと
き、熱処理温度Ｔ1を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満
とする。
理を行うことによりキャビティが閉じてなる基準圧力室
を形成し、半導体基板のうち基準圧力室に対応する部位
に圧力検出用のダイヤフラムを形成し、しかる後、半導
体基板に素子を形成するようにした半導体圧力センサの
製造方法において、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発
生を防止する。 【解決手段】 キャビティ２が形成された半導体基板１
と別基板３とを酸化膜４を介して貼り合わせ、熱処理し
て接合することにより、基準圧力室５を形成した後、半
導体基板１に対して歪みゲージ７や電極９等の素子を形
成する。ここで、基準圧力室５を形成した後に半導体基
板１に対して行われる熱処理温度をＴ1（℃）、基準圧
力室５の室温における内圧をＰ0（ａｔｍ）としたと
き、熱処理温度Ｔ1を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にキャ
ビティを形成した後、熱処理を行うことにより該キャビ
ティが閉じてなる基準圧力室を形成し、該半導体基板の
うち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用のダイヤフ
ラムを形成し、しかる後、該半導体基板に素子を形成す
るようにした半導体圧力センサの製造方法に関する。
ビティを形成した後、熱処理を行うことにより該キャビ
ティが閉じてなる基準圧力室を形成し、該半導体基板の
うち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用のダイヤフ
ラムを形成し、しかる後、該半導体基板に素子を形成す
るようにした半導体圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体圧力センサの製造方法と
しては、例えば、特開平８−２３６７８８号公報、特開
平６−１８３４５号公報、特開平１１−２９８００９号
公報等に記載のものが提案されている。
しては、例えば、特開平８−２３６７８８号公報、特開
平６−１８３４５号公報、特開平１１−２９８００９号
公報等に記載のものが提案されている。
【０００３】これらの製造方法は、次のようである。ま
ず、シリコン基板等よりなる半導体基板の一面側にキャ
ビティ（凹部）を形成した後、該キャビティを覆うよう
に半導体基板の一面に、半導体等よりなる別基板を貼り
合わせる。そして、貼り合わせられた両基板に対して熱
処理を行うことにより、半導体基板と別基板とを接合さ
せて所定の内圧を有する基準圧力室を形成する。
ず、シリコン基板等よりなる半導体基板の一面側にキャ
ビティ（凹部）を形成した後、該キャビティを覆うよう
に半導体基板の一面に、半導体等よりなる別基板を貼り
合わせる。そして、貼り合わせられた両基板に対して熱
処理を行うことにより、半導体基板と別基板とを接合さ
せて所定の内圧を有する基準圧力室を形成する。
【０００４】また、この基準圧力室を形成することによ
り、半導体基板のうち基準圧力室に対応する部位即ちキ
ャビティの底面側には、圧力検出用のダイヤフラムが形
成される。その後、拡散や注入等の処理を行って歪みゲ
ージや集積回路等の素子を半導体基板に形成すること
で、半導体圧力センサが出来上がる。
り、半導体基板のうち基準圧力室に対応する部位即ちキ
ャビティの底面側には、圧力検出用のダイヤフラムが形
成される。その後、拡散や注入等の処理を行って歪みゲ
ージや集積回路等の素子を半導体基板に形成すること
で、半導体圧力センサが出来上がる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の検討によれば、上記従来の製造方法においては、
次のような問題が生じることが分かった。上記従来の製
造方法では、半導体基板に形成されたキャビティが閉じ
られた空間、即ち基準圧力室を形成した後に、この半導
体基板に対して歪みゲージや集積回路等の素子を形成す
るようにしている。
者等の検討によれば、上記従来の製造方法においては、
次のような問題が生じることが分かった。上記従来の製
造方法では、半導体基板に形成されたキャビティが閉じ
られた空間、即ち基準圧力室を形成した後に、この半導
体基板に対して歪みゲージや集積回路等の素子を形成す
るようにしている。
【０００６】この場合、基準圧力室を形成した後の工程
（上記素子形成工程等）において、拡散や注入等の処理
を行う際に半導体基板に対して熱処理が行われるが、こ
の熱処理の温度が高すぎると、基準圧力室の内圧が大き
くなり、ダイヤフラムが変形する。
（上記素子形成工程等）において、拡散や注入等の処理
を行う際に半導体基板に対して熱処理が行われるが、こ
の熱処理の温度が高すぎると、基準圧力室の内圧が大き
くなり、ダイヤフラムが変形する。
【０００７】すると、変形したダイヤフラムのうち応力
が集中する部位には、結晶欠陥が生じる。例えば、ダイ
ヤフラムのエッジ部等は、特に結晶欠陥が発生しやすい
部位である。そして、結晶欠陥が発生した部位では、電
気的なリークや機械的なリークが発生し、素子形成を阻
害したり、ダイヤフラムの損傷（ひび割れ等）や基準圧
力室の圧力漏れが生じたりする等の不具合が起こる。
が集中する部位には、結晶欠陥が生じる。例えば、ダイ
ヤフラムのエッジ部等は、特に結晶欠陥が発生しやすい
部位である。そして、結晶欠陥が発生した部位では、電
気的なリークや機械的なリークが発生し、素子形成を阻
害したり、ダイヤフラムの損傷（ひび割れ等）や基準圧
力室の圧力漏れが生じたりする等の不具合が起こる。
【０００８】本発明は上記問題に鑑み、半導体基板にキ
ャビティを形成した後、熱処理を行うことによりキャビ
ティが閉じてなる基準圧力室を形成し、半導体基板のう
ち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用のダイヤフラ
ムを形成し、しかる後、半導体基板に素子を形成するよ
うにした半導体圧力センサの製造方法において、ダイヤ
フラムにおける結晶欠陥の発生を防止することを目的と
する。
ャビティを形成した後、熱処理を行うことによりキャビ
ティが閉じてなる基準圧力室を形成し、半導体基板のう
ち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用のダイヤフラ
ムを形成し、しかる後、半導体基板に素子を形成するよ
うにした半導体圧力センサの製造方法において、ダイヤ
フラムにおける結晶欠陥の発生を防止することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するべく、次のような実験検討を行った。まず、
キャビティが形成された半導体基板を用いて熱処理を行
うことにより、上記基準圧力室及びダイヤフラムを形成
した状態のもの（これをサブワークという）を作製し
た。そして、このサブワークについて、種々の温度で熱
処理を加え、当該熱処理温度と基準圧力室の室温（２５
℃）における内圧とを種々変えていったときに、ダイヤ
フラムに発生する結晶欠陥の有無を調べた。
を達成するべく、次のような実験検討を行った。まず、
キャビティが形成された半導体基板を用いて熱処理を行
うことにより、上記基準圧力室及びダイヤフラムを形成
した状態のもの（これをサブワークという）を作製し
た。そして、このサブワークについて、種々の温度で熱
処理を加え、当該熱処理温度と基準圧力室の室温（２５
℃）における内圧とを種々変えていったときに、ダイヤ
フラムに発生する結晶欠陥の有無を調べた。
【００１０】その結果、種々の上記熱処理温度、基準圧
力室の室温における内圧（キャビティ内圧）において、
結晶欠陥の有無を示すと、図３のように示されることが
わかった。この図３において、丸プロットは結晶欠陥無
し、クロスプロットは結晶欠陥有りを示す。
力室の室温における内圧（キャビティ内圧）において、
結晶欠陥の有無を示すと、図３のように示されることが
わかった。この図３において、丸プロットは結晶欠陥無
し、クロスプロットは結晶欠陥有りを示す。
【００１１】つまり、上記熱処理温度と上記キャビティ
内圧との関係において、ダイヤフラムに結晶欠陥が発生
するかしないかの境界線が直線的なもの（図中の直線Ｌ
１）であることがわかる。本発明は、この図３に示す様
な、本発明者等が独自に見出した熱処理温度とキャビテ
ィ内圧との関係に基づいてなされたものである。
内圧との関係において、ダイヤフラムに結晶欠陥が発生
するかしないかの境界線が直線的なもの（図中の直線Ｌ
１）であることがわかる。本発明は、この図３に示す様
な、本発明者等が独自に見出した熱処理温度とキャビテ
ィ内圧との関係に基づいてなされたものである。
【００１２】すなわち、請求項１に記載の発明は、半導
体基板（１）にキャビティ（２）を形成した後、熱処理
を行うことによりキャビティが閉じてなる基準圧力室
（５）を形成し、半導体基板のうち基準圧力室に対応す
る部位に圧力検出用のダイヤフラム（６）を形成し、し
かる後、半導体基板に素子（７、８、９）を形成するよ
うにした半導体圧力センサの製造方法であって、基準圧
力室を形成した後に半導体基板に対して行われる熱処理
の温度をＴ1（℃）、基準圧力室の室温における内圧を
Ｐ0（ａｔｍ）としたとき、これら熱処理の温度Ｔ1と内
圧Ｐ0とが、次の数式３の関係を満足するようにしたこ
とを特徴としている。
体基板（１）にキャビティ（２）を形成した後、熱処理
を行うことによりキャビティが閉じてなる基準圧力室
（５）を形成し、半導体基板のうち基準圧力室に対応す
る部位に圧力検出用のダイヤフラム（６）を形成し、し
かる後、半導体基板に素子（７、８、９）を形成するよ
うにした半導体圧力センサの製造方法であって、基準圧
力室を形成した後に半導体基板に対して行われる熱処理
の温度をＴ1（℃）、基準圧力室の室温における内圧を
Ｐ0（ａｔｍ）としたとき、これら熱処理の温度Ｔ1と内
圧Ｐ0とが、次の数式３の関係を満足するようにしたこ
とを特徴としている。
【００１３】
【数３】Ｔ1＜−４３０Ｐ0＋１４３０ つまり、基準圧力室を形成した後に、半導体基板に対し
て歪みゲージや集積回路等の素子を形成するために熱処
理を行ったり、あるいは半導体基板に対して何らかの熱
処理を加える工程を行ったりする場合に、これら熱処理
の温度Ｔ1を、（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とすれ
ば、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発生を防止するこ
とができる。
て歪みゲージや集積回路等の素子を形成するために熱処
理を行ったり、あるいは半導体基板に対して何らかの熱
処理を加える工程を行ったりする場合に、これら熱処理
の温度Ｔ1を、（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とすれ
ば、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発生を防止するこ
とができる。
【００１４】なお、この場合、基準圧力室は、所定の温
度および所定の圧力環境下にて形成されるが、この基準
圧力室形成時の温度および圧力をボイル−シャルルの法
則を用いて設定することにより、基準圧力室の室温にお
ける内圧を所望の圧力にすることが可能である。
度および所定の圧力環境下にて形成されるが、この基準
圧力室形成時の温度および圧力をボイル−シャルルの法
則を用いて設定することにより、基準圧力室の室温にお
ける内圧を所望の圧力にすることが可能である。
【００１５】ところで、上記した従来の製造方法では、
半導体基板と別基板とを接合させて基準圧力室を形成す
る工程の際、半導体基板にはキャビティが形成されてい
るが、この半導体基板におけるキャビティの底面側は、
ダイヤフラムとして構成される部分である。
半導体基板と別基板とを接合させて基準圧力室を形成す
る工程の際、半導体基板にはキャビティが形成されてい
るが、この半導体基板におけるキャビティの底面側は、
ダイヤフラムとして構成される部分である。
【００１６】ここで、この半導体基板におけるキャビテ
ィの底面側の部位が薄い場合、半導体基板と別基板とを
接合させて基準圧力室を形成する際の熱処理により、当
該部位が変形して結晶欠陥が発生する可能性がある。従
って、このような場合には、基準圧力室を形成した後に
半導体基板に対して行われる熱処理の温度だけでなく、
基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度も、結
晶欠陥の発生に大きく影響すると考えられる。
ィの底面側の部位が薄い場合、半導体基板と別基板とを
接合させて基準圧力室を形成する際の熱処理により、当
該部位が変形して結晶欠陥が発生する可能性がある。従
って、このような場合には、基準圧力室を形成した後に
半導体基板に対して行われる熱処理の温度だけでなく、
基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度も、結
晶欠陥の発生に大きく影響すると考えられる。
【００１７】また、２０００年３月２８日から３１日に
渡って青山学院大学にて行われた、第４７回応用物理学
関係連合講演会では、（株）東芝 セミコンダクター社
の佐藤等により、「シリコンの表面マイグレーションを
利用した新しい基板エンジニアリング」が報告されてい
る（２０００年春季 第４７回応用物理学関係連合講演
会 講演予稿集Ｎｏ．２、ｐ．８８８−８８９）。
渡って青山学院大学にて行われた、第４７回応用物理学
関係連合講演会では、（株）東芝 セミコンダクター社
の佐藤等により、「シリコンの表面マイグレーションを
利用した新しい基板エンジニアリング」が報告されてい
る（２０００年春季 第４７回応用物理学関係連合講演
会 講演予稿集Ｎｏ．２、ｐ．８８８−８８９）。
【００１８】その内容は、シリコン基板上に予めアスペ
クト比の大きなトレンチ構造を形成しておき、このシリ
コン基板を水素等の還元雰囲気中にて熱処理すること
で、シリコンの表面マイグレーションを利用して基板内
部に空洞を形成することができる、というものである。
クト比の大きなトレンチ構造を形成しておき、このシリ
コン基板を水素等の還元雰囲気中にて熱処理すること
で、シリコンの表面マイグレーションを利用して基板内
部に空洞を形成することができる、というものである。
【００１９】そして、この現象を利用すれば、半導体基
板にキャビティとしてのトレンチを形成した後、熱処理
を行うことにより、該トレンチの開口部が閉じてなる基
準圧力室を形成でき、同時に、基準圧力室に対応する部
位に圧力検出用のダイヤフラムを形成することができ
る、と考えられる。そして、このようにして、基準圧力
室およびダイヤフラムを形成した後、半導体基板に素子
を形成することで、半導体圧力センサを製造することが
できる。
板にキャビティとしてのトレンチを形成した後、熱処理
を行うことにより、該トレンチの開口部が閉じてなる基
準圧力室を形成でき、同時に、基準圧力室に対応する部
位に圧力検出用のダイヤフラムを形成することができ
る、と考えられる。そして、このようにして、基準圧力
室およびダイヤフラムを形成した後、半導体基板に素子
を形成することで、半導体圧力センサを製造することが
できる。
【００２０】従って、この場合にも、基準圧力室を形成
すると同時に薄いダイヤフラムが形成されるため、基準
圧力室を形成した後に半導体基板に対して行われる熱処
理の温度だけでなく、基準圧力室を形成する時に行われ
る熱処理の温度も、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発
生に大きく影響すると考えられる。請求項２に記載の発
明は、このような場合も、想定した半導体圧力センサの
製造方法に係るものである。
すると同時に薄いダイヤフラムが形成されるため、基準
圧力室を形成した後に半導体基板に対して行われる熱処
理の温度だけでなく、基準圧力室を形成する時に行われ
る熱処理の温度も、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発
生に大きく影響すると考えられる。請求項２に記載の発
明は、このような場合も、想定した半導体圧力センサの
製造方法に係るものである。
【００２１】すなわち、請求項２に記載の発明では、基
準圧力室（５）を形成する時に行われる熱処理の温度を
Ｔ2（℃）としたとき、この熱処理の温度Ｔ2と上記の内
圧Ｐ 0（ａｔｍ）とが、次の数式４の関係を満足するよ
うにしたことを特徴としている。
準圧力室（５）を形成する時に行われる熱処理の温度を
Ｔ2（℃）としたとき、この熱処理の温度Ｔ2と上記の内
圧Ｐ 0（ａｔｍ）とが、次の数式４の関係を満足するよ
うにしたことを特徴としている。
【００２２】
【数４】Ｔ2＜−４３０Ｐ0＋１４３０ つまり、本発明によれば、基準圧力室を形成した後に半
導体基板に対して行われる熱処理の温度Ｔ1とともに、
基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度Ｔ
2も、（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とするように制
御する。それにより、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の
発生の防止を、より高レベルにて実現することができ
る。
導体基板に対して行われる熱処理の温度Ｔ1とともに、
基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度Ｔ
2も、（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とするように制
御する。それにより、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の
発生の防止を、より高レベルにて実現することができ
る。
【００２３】また、請求項３に記載の発明では、半導体
基板（１）の一面（１ａ）側にキャビティ（２）を形成
した後、キャビティを覆うように半導体基板の一面に別
基板（３）を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、半
導体基板と別基板とを接合するとともに基準圧力室
（５）を形成した後、半導体基板の他面（１ｂ）側から
半導体基板を薄肉化することにより、ダイヤフラム
（６）を形成することを特徴としている。
基板（１）の一面（１ａ）側にキャビティ（２）を形成
した後、キャビティを覆うように半導体基板の一面に別
基板（３）を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、半
導体基板と別基板とを接合するとともに基準圧力室
（５）を形成した後、半導体基板の他面（１ｂ）側から
半導体基板を薄肉化することにより、ダイヤフラム
（６）を形成することを特徴としている。
【００２４】つまり、本発明では、請求項１に記載の発
明における基準圧力室およびダイヤフラムを形成する工
程を、キャビティを覆うように半導体基板の一面に別基
板を貼り合わせ熱処理を行うことにより半導体基板と別
基板とを接合して基準圧力室を形成する工程と、この工
程の後に半導体基板を薄肉化することでダイヤフラムを
形成する工程との２工程よりなるものとしている。
明における基準圧力室およびダイヤフラムを形成する工
程を、キャビティを覆うように半導体基板の一面に別基
板を貼り合わせ熱処理を行うことにより半導体基板と別
基板とを接合して基準圧力室を形成する工程と、この工
程の後に半導体基板を薄肉化することでダイヤフラムを
形成する工程との２工程よりなるものとしている。
【００２５】それによれば、基準圧力室を形成する時に
行われる熱処理の際には、半導体基板におけるキャビテ
ィの底面側の部位は、最終的に薄肉化されたダイヤフラ
ムの厚さよりも厚いものとすることができる。そのた
め、基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度に
よって半導体基板におけるキャビティの底面側の部位が
変形して結晶欠陥が発生するという可能性を、低くする
ことができる。
行われる熱処理の際には、半導体基板におけるキャビテ
ィの底面側の部位は、最終的に薄肉化されたダイヤフラ
ムの厚さよりも厚いものとすることができる。そのた
め、基準圧力室を形成する時に行われる熱処理の温度に
よって半導体基板におけるキャビティの底面側の部位が
変形して結晶欠陥が発生するという可能性を、低くする
ことができる。
【００２６】従って、請求項３に記載の製造方法によれ
ば、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発生の防止を、よ
り高レベルにて実現することができる。
ば、ダイヤフラムにおける結晶欠陥の発生の防止を、よ
り高レベルにて実現することができる。
【００２７】また、請求項４に記載の発明では、半導体
基板（１）の一面（１ａ）側にキャビティとしての複数
個のトレンチ（１２）を形成した後、熱処理を行って、
半導体基板の内部にて複数個のトレンチが一体に連通し
た空間を形成するとともに半導体基板の一面側にて複数
個のトレンチの開口部を閉塞させることにより、基準圧
力室（５）およびダイヤフラム（６）を形成し、しかる
後、素子（７、８、９）を半導体基板に形成することを
特徴としている。
基板（１）の一面（１ａ）側にキャビティとしての複数
個のトレンチ（１２）を形成した後、熱処理を行って、
半導体基板の内部にて複数個のトレンチが一体に連通し
た空間を形成するとともに半導体基板の一面側にて複数
個のトレンチの開口部を閉塞させることにより、基準圧
力室（５）およびダイヤフラム（６）を形成し、しかる
後、素子（７、８、９）を半導体基板に形成することを
特徴としている。
【００２８】本発明によれば、請求項１または請求項２
に記載の製造方法において、上記したシリコンの表面マ
イグレーションを利用した半導体圧力センサの製造方法
を実現することができる。
に記載の製造方法において、上記したシリコンの表面マ
イグレーションを利用した半導体圧力センサの製造方法
を実現することができる。
【００２９】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００３０】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
図に示す実施形態について説明する。図１は本発明の第
１実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図で
ある。図１において、１は半導体基板であり、本例では
ｎ型で面方位が（１００）のシリコン単結晶基板であ
る。
図に示す実施形態について説明する。図１は本発明の第
１実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図で
ある。図１において、１は半導体基板であり、本例では
ｎ型で面方位が（１００）のシリコン単結晶基板であ
る。
【００３１】この半導体基板１の一面（図１中の下側の
面）１ａには、当該一面１ａから凹んだ凹部としてのキ
ャビティ２が形成されている。そして、半導体基板１の
一面１ａには、このキャビティ２を覆うように、半導体
やガラス等よりなる別基板３が接合されている。本例で
は、別基板３は半導体基板１と同じくシリコン単結晶基
板であり、半導体基板１と別基板３とは、シリコン酸化
膜４を介して接合されている。
面）１ａには、当該一面１ａから凹んだ凹部としてのキ
ャビティ２が形成されている。そして、半導体基板１の
一面１ａには、このキャビティ２を覆うように、半導体
やガラス等よりなる別基板３が接合されている。本例で
は、別基板３は半導体基板１と同じくシリコン単結晶基
板であり、半導体基板１と別基板３とは、シリコン酸化
膜４を介して接合されている。
【００３２】別基板３の接合によりキャビティ２は閉塞
された空間となり、この空間は所定の内圧を有する基準
圧力室５として構成されている。そして、半導体基板１
のうち基準圧力室５に対応する部位即ちキャビティ２の
底面側の部位には、薄肉化された薄肉部としての圧力検
出用のダイヤフラム６が形成されている。
された空間となり、この空間は所定の内圧を有する基準
圧力室５として構成されている。そして、半導体基板１
のうち基準圧力室５に対応する部位即ちキャビティ２の
底面側の部位には、薄肉化された薄肉部としての圧力検
出用のダイヤフラム６が形成されている。
【００３３】このダイヤフラム６の厚さは限定しない
が、比較的厚いものから、材料力学で言う大撓み論（ダ
イヤフラムにかかる圧力とダイヤフラムの最大撓みとの
関係が非直線的であること）が適用されるような薄いも
の（例えば厚さ数μｍ程度）まで採用可能である。一例
を挙げると、このダイヤフラム６は、１５０μｍ□、厚
さ２．５μｍの平面形状が四角形のものであり、その場
合、基準圧力室５の室温における内圧は０．６ａｔｍ以
下とすることができる。
が、比較的厚いものから、材料力学で言う大撓み論（ダ
イヤフラムにかかる圧力とダイヤフラムの最大撓みとの
関係が非直線的であること）が適用されるような薄いも
の（例えば厚さ数μｍ程度）まで採用可能である。一例
を挙げると、このダイヤフラム６は、１５０μｍ□、厚
さ２．５μｍの平面形状が四角形のものであり、その場
合、基準圧力室５の室温における内圧は０．６ａｔｍ以
下とすることができる。
【００３４】また、半導体基板１の一面１ａとは反対側
の他面１ｂには、ダイヤフラム６に対応する領域に、歪
みゲージ７が形成されている。この歪みゲージ７は、例
えばブリッジ回路を構成することにより、ダイヤフラム
６が歪んだときに発生する応力に応じた電気的な信号を
出力するためのものであり、本例ではＰ+層として構成
されている。
の他面１ｂには、ダイヤフラム６に対応する領域に、歪
みゲージ７が形成されている。この歪みゲージ７は、例
えばブリッジ回路を構成することにより、ダイヤフラム
６が歪んだときに発生する応力に応じた電気的な信号を
出力するためのものであり、本例ではＰ+層として構成
されている。
【００３５】また、半導体基板１の他面１ｂは、電気的
絶縁性を有する絶縁膜（本例では酸化膜）８により被覆
されており、この絶縁膜８の上には、電極９が絶縁膜８
に形成されたコンタクトホールを介して歪みゲージ７と
電気的に接続された状態で形成されている。この電極９
は、歪みゲージ７からの信号を外部へ出力するための配
線部やワイヤボンディング用のパッド部等として構成さ
れる。
絶縁性を有する絶縁膜（本例では酸化膜）８により被覆
されており、この絶縁膜８の上には、電極９が絶縁膜８
に形成されたコンタクトホールを介して歪みゲージ７と
電気的に接続された状態で形成されている。この電極９
は、歪みゲージ７からの信号を外部へ出力するための配
線部やワイヤボンディング用のパッド部等として構成さ
れる。
【００３６】上記した半導体圧力センサＳ１は、基準圧
力室５を有する絶対圧センサであり、半導体基板１の他
面１ｂ側からダイアフラム６が圧力を受けて変形する
と、このダイヤフラム６の変形によって生じる歪みに応
じて、歪みゲージ７から信号が出力される。歪みゲージ
７からの出力信号は、上記配線部やパッド部としての電
極９を介して、外部に設けられた信号処理回路等へ出力
される。このようにして、圧力が検出されるようになっ
ている。
力室５を有する絶対圧センサであり、半導体基板１の他
面１ｂ側からダイアフラム６が圧力を受けて変形する
と、このダイヤフラム６の変形によって生じる歪みに応
じて、歪みゲージ７から信号が出力される。歪みゲージ
７からの出力信号は、上記配線部やパッド部としての電
極９を介して、外部に設けられた信号処理回路等へ出力
される。このようにして、圧力が検出されるようになっ
ている。
【００３７】次に、上記構成を有する半導体圧力センサ
Ｓ１の製造方法について述べる。図２は、半導体圧力セ
ンサＳ１の製造方法を上記図１に対応した断面にて示す
工程図であって、図２中の（ａ）〜（ｆ）の順に、半導
体圧力センサＳ１の製造途中の状態を示すものである。
Ｓ１の製造方法について述べる。図２は、半導体圧力セ
ンサＳ１の製造方法を上記図１に対応した断面にて示す
工程図であって、図２中の（ａ）〜（ｆ）の順に、半導
体圧力センサＳ１の製造途中の状態を示すものである。
【００３８】まず、図２（ａ）に示す様に、半導体基板
（本例では、ｎ型（１００）のシリコン単結晶基板）１
を用意し、この半導体基板１の一面１ａに、熱酸化等に
よりなる酸化膜（本例ではシリコン酸化膜）１０を成膜
した後、キャビティ２を形成する領域に対応した酸化膜
１０をホトエッチングによりパターニングする（酸化膜
形成工程）。
（本例では、ｎ型（１００）のシリコン単結晶基板）１
を用意し、この半導体基板１の一面１ａに、熱酸化等に
よりなる酸化膜（本例ではシリコン酸化膜）１０を成膜
した後、キャビティ２を形成する領域に対応した酸化膜
１０をホトエッチングによりパターニングする（酸化膜
形成工程）。
【００３９】そして、図２（ｂ）に示す様に、酸化膜１
０をマスクとして、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）
やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキシ
ド）等の溶液を用いて異方性エッチングを行うことによ
り、半導体基板１の一面１ａ側にキャビティ（凹部）２
を形成する（キャビティ形成工程）。
０をマスクとして、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）
やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキシ
ド）等の溶液を用いて異方性エッチングを行うことによ
り、半導体基板１の一面１ａ側にキャビティ（凹部）２
を形成する（キャビティ形成工程）。
【００４０】次に、図２（ｃ）に示す様に、半導体基板
１の一面１ａの酸化膜１０を除去する。具体的には、Ｈ
Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の溶液を用いてウエットエッチン
グ等により行う（酸化膜除去工程）。
１の一面１ａの酸化膜１０を除去する。具体的には、Ｈ
Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の溶液を用いてウエットエッチン
グ等により行う（酸化膜除去工程）。
【００４１】次に、図２（ｄ）に示す様に、一面に熱酸
化により形成された酸化膜（本例ではシリコン酸化膜）
４を有する別基板（本例ではシリコン単結晶基板）３を
用意し、減圧雰囲気中において、キャビティ２を覆うよ
うに半導体基板１の一面１ａに酸化膜４を介して別基板
３を貼り合わせ、熱処理することで接合する。
化により形成された酸化膜（本例ではシリコン酸化膜）
４を有する別基板（本例ではシリコン単結晶基板）３を
用意し、減圧雰囲気中において、キャビティ２を覆うよ
うに半導体基板１の一面１ａに酸化膜４を介して別基板
３を貼り合わせ、熱処理することで接合する。
【００４２】具体的には、真空装置のチャンバ内に半導
体基板１と別基板３を投入し、真空引きを行い該チャン
バ内に所定の圧力雰囲気を形成した後、この圧力雰囲気
において、半導体基板１と別基板３とを貼り合わせ、そ
の後、接合強度を高めるために熱処理（例えば１１００
〜１１５０℃）を行う。これにより、両基板１、３間は
酸化膜４を介して共有結合によって接合される。
体基板１と別基板３を投入し、真空引きを行い該チャン
バ内に所定の圧力雰囲気を形成した後、この圧力雰囲気
において、半導体基板１と別基板３とを貼り合わせ、そ
の後、接合強度を高めるために熱処理（例えば１１００
〜１１５０℃）を行う。これにより、両基板１、３間は
酸化膜４を介して共有結合によって接合される。
【００４３】このように、キャビティ２を覆うように半
導体基板１の一面１ａに別基板３を貼り合わせ、熱処理
を行うことにより、半導体基板１と別基板３とを接合す
ることによって、基準圧力室５が形成される（基準圧力
室形成工程）。
導体基板１の一面１ａに別基板３を貼り合わせ、熱処理
を行うことにより、半導体基板１と別基板３とを接合す
ることによって、基準圧力室５が形成される（基準圧力
室形成工程）。
【００４４】なお、このとき、両基板１、３の貼り合わ
せにおける雰囲気の圧力は、最終的に出来上がった基準
圧力室５の室温（２５℃）における内圧が所望の圧力と
なるように、ボイル−シャルルの法則から決めることが
できる。例えば、上記したように、ダイヤフラム６が１
５０μｍ□、厚さ２．５μｍの平面四角形であり、基準
圧力室５の室温における内圧が０．６ａｔｍ程度である
場合、上記貼り合わせにおける雰囲気の圧力は、１０-6
Ｔｏｒｒ（１３３×１０-6Ｐａ）程度とすることができ
る。
せにおける雰囲気の圧力は、最終的に出来上がった基準
圧力室５の室温（２５℃）における内圧が所望の圧力と
なるように、ボイル−シャルルの法則から決めることが
できる。例えば、上記したように、ダイヤフラム６が１
５０μｍ□、厚さ２．５μｍの平面四角形であり、基準
圧力室５の室温における内圧が０．６ａｔｍ程度である
場合、上記貼り合わせにおける雰囲気の圧力は、１０-6
Ｔｏｒｒ（１３３×１０-6Ｐａ）程度とすることができ
る。
【００４５】次に、図２（ｅ）に示す様に、半導体基板
１の他面１ｂ側から半導体基板１を薄肉化することによ
りダイヤフラム６を形成する（ダイヤフラム形成工
程）。この薄肉化は、具体的には、研削および研磨によ
り行うか、または、シリコンのウェットエッチングによ
り行うことができる。
１の他面１ｂ側から半導体基板１を薄肉化することによ
りダイヤフラム６を形成する（ダイヤフラム形成工
程）。この薄肉化は、具体的には、研削および研磨によ
り行うか、または、シリコンのウェットエッチングによ
り行うことができる。
【００４６】その後、図２（ｆ）に示す様に、歪みゲー
ジ７を半導体基板１の他面１ｂに形成する。この歪みゲ
ージ７は、例えばボロンの拡散によりＰ+層を形成する
等により作られる。
ジ７を半導体基板１の他面１ｂに形成する。この歪みゲ
ージ７は、例えばボロンの拡散によりＰ+層を形成する
等により作られる。
【００４７】次に、熱酸化等により絶縁膜８を成膜し、
アルミニウムの蒸着やスパッタ等により、電極９を形成
する。こうして、これら歪みゲージ７、絶縁膜８、電極
９、場合によっては集積回路等の素子を半導体基板１に
形成すると、上記図１に示す半導体圧力センサＳ１が完
成する。
アルミニウムの蒸着やスパッタ等により、電極９を形成
する。こうして、これら歪みゲージ７、絶縁膜８、電極
９、場合によっては集積回路等の素子を半導体基板１に
形成すると、上記図１に示す半導体圧力センサＳ１が完
成する。
【００４８】ところで、上記製造方法によれば、基準圧
力室５を形成する基準圧力室形成工程、及び基準圧力室
５を形成した後の素子形成工程において、半導体基板１
に対して熱処理が施される。例えば、基準圧力室５を形
成した後に半導体基板１に対して行われる熱処理（熱酸
化や不純物拡散等）の温度Ｔ1は１１５０℃、基準圧力
室５を形成する時に行われる熱処理の温度Ｔ2は１１０
０〜１１５０℃程度である。
力室５を形成する基準圧力室形成工程、及び基準圧力室
５を形成した後の素子形成工程において、半導体基板１
に対して熱処理が施される。例えば、基準圧力室５を形
成した後に半導体基板１に対して行われる熱処理（熱酸
化や不純物拡散等）の温度Ｔ1は１１５０℃、基準圧力
室５を形成する時に行われる熱処理の温度Ｔ2は１１０
０〜１１５０℃程度である。
【００４９】ここにおいて、本第１実施形態では、ダイ
ヤフラム６における結晶欠陥の発生を防止すべく、基準
圧力室５の室温における内圧をＰ0（ａｔｍ）としたと
き、これらの熱処理温度Ｔ1、Ｔ2を、（−４３０Ｐ0＋
１４３０）℃未満とするようにしている。この関係を採
用した根拠について述べる。
ヤフラム６における結晶欠陥の発生を防止すべく、基準
圧力室５の室温における内圧をＰ0（ａｔｍ）としたと
き、これらの熱処理温度Ｔ1、Ｔ2を、（−４３０Ｐ0＋
１４３０）℃未満とするようにしている。この関係を採
用した根拠について述べる。
【００５０】本発明者等は、ダイヤフラム６における結
晶欠陥の発生を防止するべく、次のような実験検討を行
った。まず、本例の半導体圧力センサＳ１において、上
記製造方法におけるダイヤフラム形成工程まで行い、基
準圧力室５の室温（２５℃）における内圧（ａｔｍ）を
色々変えたもの（これをサブワークという）を作製し
た。
晶欠陥の発生を防止するべく、次のような実験検討を行
った。まず、本例の半導体圧力センサＳ１において、上
記製造方法におけるダイヤフラム形成工程まで行い、基
準圧力室５の室温（２５℃）における内圧（ａｔｍ）を
色々変えたもの（これをサブワークという）を作製し
た。
【００５１】そして、各サブワークについて、種々の熱
処理温度（℃）に供した後、ＳＥＭやＴＥＭ等の電子顕
微鏡による観察を行うことにより、ダイヤフラム６に発
生する結晶欠陥の有無を調べるという実験を行った。
処理温度（℃）に供した後、ＳＥＭやＴＥＭ等の電子顕
微鏡による観察を行うことにより、ダイヤフラム６に発
生する結晶欠陥の有無を調べるという実験を行った。
【００５２】ここで、結晶欠陥は、半導体基板１におけ
る結晶格子構造（本例ではシリコン単結晶の格子構造）
に転位が導入されることであり、この転位は、熱処理温
度が高すぎる場合、基準圧力室５の内圧がダイヤフラム
６の降伏応力を越える程大きくなり、ダイヤフラム６が
塑性変形することで発生する。
る結晶格子構造（本例ではシリコン単結晶の格子構造）
に転位が導入されることであり、この転位は、熱処理温
度が高すぎる場合、基準圧力室５の内圧がダイヤフラム
６の降伏応力を越える程大きくなり、ダイヤフラム６が
塑性変形することで発生する。
【００５３】そして、上記実験の結果、基準圧力室の室
温における内圧（キャビティ内圧、ａｔｍ）を横軸、上
記熱処理温度（℃）を縦軸として、種々のキャビティ内
圧及び熱処理温度において、ダイヤフラム６に発生する
結晶欠陥の有無を示したものが、図３である。この図３
において、丸プロット（○）は結晶欠陥無し、クロスプ
ロット（×）は結晶欠陥有りを示す。
温における内圧（キャビティ内圧、ａｔｍ）を横軸、上
記熱処理温度（℃）を縦軸として、種々のキャビティ内
圧及び熱処理温度において、ダイヤフラム６に発生する
結晶欠陥の有無を示したものが、図３である。この図３
において、丸プロット（○）は結晶欠陥無し、クロスプ
ロット（×）は結晶欠陥有りを示す。
【００５４】図３中に直線Ｌ１として示す様に、上記キ
ャビティ内圧と熱処理温度との関係において、ダイヤフ
ラム６に結晶欠陥が発生するかしないかの境界線が直線
的なものとなっていることがわかる。つまり、当該直線
Ｌ１を境界線として上側の領域ではダイヤフラム６に結
晶欠陥が発生し、下側の領域ではダイヤフラム６に結晶
欠陥が発生しない。
ャビティ内圧と熱処理温度との関係において、ダイヤフ
ラム６に結晶欠陥が発生するかしないかの境界線が直線
的なものとなっていることがわかる。つまり、当該直線
Ｌ１を境界線として上側の領域ではダイヤフラム６に結
晶欠陥が発生し、下側の領域ではダイヤフラム６に結晶
欠陥が発生しない。
【００５５】ここで、図３における熱処理温度は、基準
圧力室５を形成した後に半導体基板１に対して行われる
熱処理の温度に相当することから、基準圧力室５を形成
した後に半導体基板１に対して行われる熱処理の温度を
Ｔ1（℃）、基準圧力室５の室温における内圧をＰ0（ａ
ｔｍ）としたとき、上記直線Ｌ１は、次の数式５にて表
される。
圧力室５を形成した後に半導体基板１に対して行われる
熱処理の温度に相当することから、基準圧力室５を形成
した後に半導体基板１に対して行われる熱処理の温度を
Ｔ1（℃）、基準圧力室５の室温における内圧をＰ0（ａ
ｔｍ）としたとき、上記直線Ｌ１は、次の数式５にて表
される。
【００５６】
【数５】Ｔ1＝−４３０Ｐ0＋１４３０ そして、図３からダイヤフラム６における結晶欠陥の発
生を防止するためには、上記熱処理温度Ｔ1、内圧Ｐ
0を、直線Ｌ１よりも下側の領域の範囲にて設定すれば
良いことがわかる。
生を防止するためには、上記熱処理温度Ｔ1、内圧Ｐ
0を、直線Ｌ１よりも下側の領域の範囲にて設定すれば
良いことがわかる。
【００５７】つまり、基準圧力室５を形成した後に、半
導体基板１に対して歪みゲージ７や集積回路等の素子を
形成するために熱処理を行ったり、あるいは半導体基板
１に対して何らかの熱処理を加える工程を行う場合に、
熱処理温度Ｔ1を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とす
れば良いのである。
導体基板１に対して歪みゲージ７や集積回路等の素子を
形成するために熱処理を行ったり、あるいは半導体基板
１に対して何らかの熱処理を加える工程を行う場合に、
熱処理温度Ｔ1を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満とす
れば良いのである。
【００５８】また、図３に示す結果は、図３における熱
処理温度が、基準圧力室５を形成する時（基準圧力室形
成工程）に半導体基板１に対して行われる熱処理温度Ｔ
2に相当する場合にも当てはまる。
処理温度が、基準圧力室５を形成する時（基準圧力室形
成工程）に半導体基板１に対して行われる熱処理温度Ｔ
2に相当する場合にも当てはまる。
【００５９】つまり、この熱処理温度Ｔ2を（−４３０
Ｐ0＋１４３０）℃未満とすれば、基準圧力室形成工程
において、ダイヤフラム６に相当するキャビティ２の底
面側の部位が変形して結晶欠陥が発生するのを防止する
ことができるため、結果的に、ダイヤフラム６における
結晶欠陥の発生の防止を、より高レベルにて実現するこ
とができる。
Ｐ0＋１４３０）℃未満とすれば、基準圧力室形成工程
において、ダイヤフラム６に相当するキャビティ２の底
面側の部位が変形して結晶欠陥が発生するのを防止する
ことができるため、結果的に、ダイヤフラム６における
結晶欠陥の発生の防止を、より高レベルにて実現するこ
とができる。
【００６０】なお、上記製造方法においては、基準圧力
室形成工程においては、半導体基板１におけるキャビテ
ィ２の底面側の部位は、薄肉化される前のダイヤフラム
に相当する部位である。そのため、当該部位は、最終的
なダイヤフラム６の厚さよりも厚いものとなっており、
基準圧力室形成工程時の熱処理温度Ｔ2によっても、比
較的塑性変形しにくく結晶欠陥も発生しにくい。
室形成工程においては、半導体基板１におけるキャビテ
ィ２の底面側の部位は、薄肉化される前のダイヤフラム
に相当する部位である。そのため、当該部位は、最終的
なダイヤフラム６の厚さよりも厚いものとなっており、
基準圧力室形成工程時の熱処理温度Ｔ2によっても、比
較的塑性変形しにくく結晶欠陥も発生しにくい。
【００６１】そのため、上記製造方法においては、上記
熱処理温度Ｔ1のみを（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満
として、上記熱処理温度Ｔ2は（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃以上としても、ダイヤフラム５における結晶欠陥
の発生を防止することができる。しかし、両方の熱処理
温度Ｔ1及びＴ2を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満と
すれば、結果的に、ダイヤフラム６における結晶欠陥の
発生の防止を、より高レベルにて実現することができ
る。
熱処理温度Ｔ1のみを（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満
として、上記熱処理温度Ｔ2は（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃以上としても、ダイヤフラム５における結晶欠陥
の発生を防止することができる。しかし、両方の熱処理
温度Ｔ1及びＴ2を（−４３０Ｐ0＋１４３０）℃未満と
すれば、結果的に、ダイヤフラム６における結晶欠陥の
発生の防止を、より高レベルにて実現することができ
る。
【００６２】また、上記製造方法においては、ダイヤフ
ラム形成工程を省いて、キャビティ形成工程においてダ
イヤフラム６を形成してもよい。例えば、キャビティ形
成のための異方性エッチングやドライエッチングを、最
終的なダイヤフラム６の厚さとなるまで実行することに
より、ダイヤフラム６を形成することができる。
ラム形成工程を省いて、キャビティ形成工程においてダ
イヤフラム６を形成してもよい。例えば、キャビティ形
成のための異方性エッチングやドライエッチングを、最
終的なダイヤフラム６の厚さとなるまで実行することに
より、ダイヤフラム６を形成することができる。
【００６３】この場合、基準圧力室形成工程には、薄肉
化されたダイヤフラム６が形成された半導体基板１が供
されることとなる。半導体基板１におけるキャビティ２
の底面側の部位が、薄いダイヤフラム６として構成され
ている場合、半導体基板１と別基板３とを接合させて基
準圧力室５を形成する際の熱処理温度Ｔ2により、ダイ
ヤフラム６が塑性変形して結晶欠陥が発生する可能性が
大きくなる。
化されたダイヤフラム６が形成された半導体基板１が供
されることとなる。半導体基板１におけるキャビティ２
の底面側の部位が、薄いダイヤフラム６として構成され
ている場合、半導体基板１と別基板３とを接合させて基
準圧力室５を形成する際の熱処理温度Ｔ2により、ダイ
ヤフラム６が塑性変形して結晶欠陥が発生する可能性が
大きくなる。
【００６４】従って、この場合には、基準圧力室５を形
成した後に半導体基板１に対して行われる熱処理温度Ｔ
1だけでなく、基準圧力室５を形成する時に行われる熱
処理温度Ｔ2も、結晶欠陥の発生に大きく影響するた
め、両方の熱処理温度Ｔ1及びＴ 2を（−４３０Ｐ0＋１
４３０）℃未満とすることが好ましい。
成した後に半導体基板１に対して行われる熱処理温度Ｔ
1だけでなく、基準圧力室５を形成する時に行われる熱
処理温度Ｔ2も、結晶欠陥の発生に大きく影響するた
め、両方の熱処理温度Ｔ1及びＴ 2を（−４３０Ｐ0＋１
４３０）℃未満とすることが好ましい。
【００６５】（第２実施形態）本発明の第２実施形態と
して、「解決手段」の欄にて述べたような、シリコンの
表面マイグレーションを利用した半導体圧力センサＳ２
の概略断面を図４に示す。このセンサＳ２は、半導体基
板１内に閉じた空間としての基準圧力室５が形成され、
この基準圧力室５に対応する半導体基板１の一面１ａ側
に薄肉部としてのダイヤフラム６が形成されている。
して、「解決手段」の欄にて述べたような、シリコンの
表面マイグレーションを利用した半導体圧力センサＳ２
の概略断面を図４に示す。このセンサＳ２は、半導体基
板１内に閉じた空間としての基準圧力室５が形成され、
この基準圧力室５に対応する半導体基板１の一面１ａ側
に薄肉部としてのダイヤフラム６が形成されている。
【００６６】また、センサＳ２には、上記図１に示すセ
ンサＳ１と同様に、例えばＰ+層よりなる歪みゲージ
７、絶縁膜（本例では酸化膜）８が形成され、アルミ等
よりなる電極９が絶縁膜８に形成されたコンタクトホー
ルを介して歪みゲージ７と電気的に接続された状態で形
成されている。また、場合によっては、集積回路等の素
子が形成され、センサＳ２の最表面はシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）等よりなる保護膜１１にて被覆されている。
ンサＳ１と同様に、例えばＰ+層よりなる歪みゲージ
７、絶縁膜（本例では酸化膜）８が形成され、アルミ等
よりなる電極９が絶縁膜８に形成されたコンタクトホー
ルを介して歪みゲージ７と電気的に接続された状態で形
成されている。また、場合によっては、集積回路等の素
子が形成され、センサＳ２の最表面はシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）等よりなる保護膜１１にて被覆されている。
【００６７】こうして、図４に示すセンサＳ２も、基準
圧力室５を有する絶対圧センサとして構成され、上記図
１に示すセンサＳ１と同様に圧力検出ができるようにな
っている。
圧力室５を有する絶対圧センサとして構成され、上記図
１に示すセンサＳ１と同様に圧力検出ができるようにな
っている。
【００６８】このセンサＳ２は、上記した第４７回応用
物理学関係連合講演会の講演予稿集に記載の方法に準じ
て製造することができる。その製造方法を図５に示す。
例えば、シリコンよりなる半導体基板１を用意し（図５
（ａ））、その半導体基板１の一面１ａを、後述するト
レンチ１２を形成する部位に開口部１３を有するシリコ
ン酸化膜等よりなるマスク１４にて被覆する（図５
（ｂ））。
物理学関係連合講演会の講演予稿集に記載の方法に準じ
て製造することができる。その製造方法を図５に示す。
例えば、シリコンよりなる半導体基板１を用意し（図５
（ａ））、その半導体基板１の一面１ａを、後述するト
レンチ１２を形成する部位に開口部１３を有するシリコ
ン酸化膜等よりなるマスク１４にて被覆する（図５
（ｂ））。
【００６９】次に、通常のトレンチエッチング方法を用
いて、半導体基板１の一面１ａにキャビティとしてのア
スペクト比の大きな複数個のトレンチ１２を形成した
（キャビティ形成工程）後、マスク１４をフッ酸（Ｈ
Ｆ）エッチングやドライエッチング等により、除去する
（図５（ｃ））。
いて、半導体基板１の一面１ａにキャビティとしてのア
スペクト比の大きな複数個のトレンチ１２を形成した
（キャビティ形成工程）後、マスク１４をフッ酸（Ｈ
Ｆ）エッチングやドライエッチング等により、除去する
（図５（ｃ））。
【００７０】次に、トレンチ１２が形成された半導体基
板１を、水素等の還元雰囲気中にて例えば１１００℃〜
１１５０℃程度の熱処理を行う。すると、シリコンの表
面マイグレーションによって、半導体基板１の内部にて
複数個のトレンチ１２が一体に連通した空間を形成する
とともに半導体基板１の一面１ａ側にて複数個のトレン
チ１２の開口部が閉塞する。
板１を、水素等の還元雰囲気中にて例えば１１００℃〜
１１５０℃程度の熱処理を行う。すると、シリコンの表
面マイグレーションによって、半導体基板１の内部にて
複数個のトレンチ１２が一体に連通した空間を形成する
とともに半導体基板１の一面１ａ側にて複数個のトレン
チ１２の開口部が閉塞する。
【００７１】これにより、半導体基板１内の閉塞した空
間が基準圧力室５となり、半導体基板１の一面１ａ側に
おける閉塞部がダイヤフラム６として構成される（基準
圧力室形成工程）。この状態が図５（ｄ）に示される。
次に、半導体基板１に歪みゲージ、絶縁膜、電極等の素
子を形成する（素子形成工程）ことで、図４に示す半導
体圧力センサＳ２が完成する。
間が基準圧力室５となり、半導体基板１の一面１ａ側に
おける閉塞部がダイヤフラム６として構成される（基準
圧力室形成工程）。この状態が図５（ｄ）に示される。
次に、半導体基板１に歪みゲージ、絶縁膜、電極等の素
子を形成する（素子形成工程）ことで、図４に示す半導
体圧力センサＳ２が完成する。
【００７２】そして、本第２実施形態の製造方法におい
ても、基準圧力室５を形成した後に半導体基板１に対し
て行われる熱処理温度Ｔ1を、（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃未満とすることにより、ダイヤフラム６における
結晶欠陥の発生を防止することができる。
ても、基準圧力室５を形成した後に半導体基板１に対し
て行われる熱処理温度Ｔ1を、（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃未満とすることにより、ダイヤフラム６における
結晶欠陥の発生を防止することができる。
【００７３】例えば、歪みゲージ７がボロンの拡散によ
り形成されたＰ+層である場合、ボロンの打ち込み後、
１０５０度程度で熱処理し拡散を行う。また、絶縁膜８
がシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である場合、絶縁膜８は
１０５０℃程度の熱処理により形成される。また、電極
９がアルミの場合、数百℃で蒸着形成し、更に、保護膜
１１がプラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮの場合、
ＳｉＮ形成時に２００℃程度の熱がかかる。
り形成されたＰ+層である場合、ボロンの打ち込み後、
１０５０度程度で熱処理し拡散を行う。また、絶縁膜８
がシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である場合、絶縁膜８は
１０５０℃程度の熱処理により形成される。また、電極
９がアルミの場合、数百℃で蒸着形成し、更に、保護膜
１１がプラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮの場合、
ＳｉＮ形成時に２００℃程度の熱がかかる。
【００７４】また、本実施形態では、基準圧力室形成工
程にて同時に薄いダイヤフラム６が形成される。そのた
め、熱処理温度Ｔ1だけでなく、基準圧力室５を形成す
る時に行われる熱処理温度Ｔ2も（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃未満とする（例えば１１００℃〜１１５０℃程
度）ことにより、ダイヤフラム６における結晶欠陥の発
生の防止を、より高レベルにて実現することができる。
程にて同時に薄いダイヤフラム６が形成される。そのた
め、熱処理温度Ｔ1だけでなく、基準圧力室５を形成す
る時に行われる熱処理温度Ｔ2も（−４３０Ｐ0＋１４３
０）℃未満とする（例えば１１００℃〜１１５０℃程
度）ことにより、ダイヤフラム６における結晶欠陥の発
生の防止を、より高レベルにて実現することができる。
【００７５】なお、本実施形態における基準圧力室形成
工程では、半導体基板１を密閉容器（図示せず）に入
れ、水素等の還元性雰囲気にて熱処理を行うが、このと
き、上記密閉容器内に流す還元性ガスの流量を調整する
等により、最終的に、室温になったとき、基準圧力室５
内の内圧Ｐ0（ａｔｍ）が所望の値となるように、密閉
容器内の圧力を調整することができる。
工程では、半導体基板１を密閉容器（図示せず）に入
れ、水素等の還元性雰囲気にて熱処理を行うが、このと
き、上記密閉容器内に流す還元性ガスの流量を調整する
等により、最終的に、室温になったとき、基準圧力室５
内の内圧Ｐ0（ａｔｍ）が所望の値となるように、密閉
容器内の圧力を調整することができる。
【００７６】（他の実施形態）なお、上記図１に示す半
導体圧力センサＳ１においては、別基板３はシリコン単
結晶基板等の半導体基板以外にも、ガラス基板（ガラス
台座）であってもよい。この場合、半導体基板１と別基
板３とは、陽極接合により接合され、この陽極接合にお
ける熱処理温度が上記熱処理温度Ｔ1に相当する。
導体圧力センサＳ１においては、別基板３はシリコン単
結晶基板等の半導体基板以外にも、ガラス基板（ガラス
台座）であってもよい。この場合、半導体基板１と別基
板３とは、陽極接合により接合され、この陽極接合にお
ける熱処理温度が上記熱処理温度Ｔ1に相当する。
【００７７】また、上記半導体圧力センサＳ１、Ｓ２
は、基準圧力室５を有する絶対圧センサであったが、本
発明はこれに限定されるものではなく、上記特開平８−
２３６７８８号公報に記載されているような相対圧セン
サでもよい。
は、基準圧力室５を有する絶対圧センサであったが、本
発明はこれに限定されるものではなく、上記特開平８−
２３６７８８号公報に記載されているような相対圧セン
サでもよい。
【００７８】この場合、例えば、上記図１に示すセンサ
Ｓ１において、別基板３に外部から基準圧力室５に連通
する孔（圧力導入孔）を形成し、この孔から導入される
圧力と半導体基板１の一面１ａ側からの圧力とをダイヤ
フラム６に受圧させ、両圧力の相対圧力を検出するよう
にすればよい。
Ｓ１において、別基板３に外部から基準圧力室５に連通
する孔（圧力導入孔）を形成し、この孔から導入される
圧力と半導体基板１の一面１ａ側からの圧力とをダイヤ
フラム６に受圧させ、両圧力の相対圧力を検出するよう
にすればよい。
【００７９】以上述べてきたように、本発明は、半導体
基板にキャビティを形成した後、熱処理を行うことによ
り該キャビティが閉じてなる基準圧力室を形成し、該半
導体基板のうち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用
のダイヤフラムを形成し、しかる後、該半導体基板に素
子を形成するようにした半導体圧力センサの製造方法に
適用可能なものであり、細部は適宜設計変更可能であ
る。
基板にキャビティを形成した後、熱処理を行うことによ
り該キャビティが閉じてなる基準圧力室を形成し、該半
導体基板のうち基準圧力室に対応する部位に圧力検出用
のダイヤフラムを形成し、しかる後、該半導体基板に素
子を形成するようにした半導体圧力センサの製造方法に
適用可能なものであり、細部は適宜設計変更可能であ
る。
【００８０】そして、本発明は、このような半導体圧力
センサの製造方法において、上記した各熱処理温度Ｔ
１、Ｔ２を基準圧力室の室温における内圧Ｐ0との関係
で規定したものであり、ダイヤフラムにおける結晶欠陥
の発生を防止するという本発明の効果は、比較的厚いも
のダイヤフラムから、材料力学で言う上記大撓み論が適
用されるような薄いダイヤフラムにまで、有効に発揮さ
れる。
センサの製造方法において、上記した各熱処理温度Ｔ
１、Ｔ２を基準圧力室の室温における内圧Ｐ0との関係
で規定したものであり、ダイヤフラムにおける結晶欠陥
の発生を防止するという本発明の効果は、比較的厚いも
のダイヤフラムから、材料力学で言う上記大撓み論が適
用されるような薄いダイヤフラムにまで、有効に発揮さ
れる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】図１に示す半導体圧力センサの製造方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図３】種々のキャビティ内圧及び熱処理温度において
ダイヤフラムに発生する結晶欠陥の有無を示す図であ
る。
ダイヤフラムに発生する結晶欠陥の有無を示す図であ
る。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図５】図４に示す半導体圧力センサの製造方法を示す
工程図である。
工程図である。
１…半導体基板、１ａ…半導体基板の一面、１ｂ…半導
体基板の他面、２…キャビティ、３…別基板、５…基準
圧力室、６…ダイヤフラム、７…歪みゲージ、８…絶縁
膜、９…電極。
体基板の他面、２…キャビティ、３…別基板、５…基準
圧力室、６…ダイヤフラム、７…歪みゲージ、８…絶縁
膜、９…電極。
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE13 FF49 GG01 GG12 4M112 AA01 BA01 CA05 DA04 DA05 DA12 DA18 EA03 EA06 FA11
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板（１）にキャビティ（２）を
形成した後、 熱処理を行うことにより前記キャビティが閉じてなる基
準圧力室（５）を形成し、前記半導体基板のうち基準圧
力室に対応する部位に圧力検出用のダイヤフラム（６）
を形成し、 しかる後、前記半導体基板に素子（７、８、９）を形成
するようにした半導体圧力センサの製造方法であって、 前記基準圧力室を形成した後に前記半導体基板に対して
行われる熱処理の温度をＴ1（℃）、前記基準圧力室の
室温における内圧をＰ0（ａｔｍ）としたとき、これら
熱処理の温度Ｔ1と内圧Ｐ0とが、次の数式１ 【数１】Ｔ1＜−４３０Ｐ0＋１４３０ の関係を満足するようにしたことを特徴とする半導体圧
力センサの製造方法。 - 【請求項２】 前記基準圧力室（５）を形成する時に行
われる熱処理の温度をＴ2（℃）としたとき、この熱処
理の温度Ｔ2と前記内圧Ｐ0とが、次の数式２ 【数２】Ｔ2＜−４３０Ｐ0＋１４３０ の関係を満足していることを特徴とする請求項１に記載
の半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体基板（１）の一面（１ａ）側
に前記キャビティ（２）を形成した後、 前記キャビティを覆うように前記半導体基板の一面に別
基板（３）を貼り合わせ、前記熱処理を行うことによ
り、前記半導体基板と前記別基板とを接合するとともに
前記基準圧力室（５）を形成した後、 前記半導体基板の他面（１ｂ）側から前記半導体基板を
薄肉化することにより、前記ダイヤフラム（６）を形成
することを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力セン
サの製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体基板（１）の一面（１ａ）側
に前記キャビティとしての複数個のトレンチ（１２）を
形成した後、 前記熱処理を行って、前記半導体基板の内部にて前記複
数個のトレンチが一体に連通した空間を形成するととも
に前記半導体基板の一面側にて前記複数個のトレンチの
開口部を閉塞させることにより、前記基準圧力室（５）
および前記ダイヤフラム（６）を形成し、 しかる後、前記素子（７、８、９）を前記半導体基板に
形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半
導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004028A JP4250868B2 (ja) | 2000-09-05 | 2001-01-11 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| US09/924,559 US6495389B2 (en) | 2000-09-05 | 2001-08-09 | Method for manufacturing semiconductor pressure sensor having reference pressure chamber |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-269079 | 2000-09-05 | ||
| JP2000269079 | 2000-09-05 | ||
| JP2001004028A JP4250868B2 (ja) | 2000-09-05 | 2001-01-11 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158362A true JP2002158362A (ja) | 2002-05-31 |
| JP4250868B2 JP4250868B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004028A Expired - Fee Related JP4250868B2 (ja) | 2000-09-05 | 2001-01-11 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6495389B2 (ja) |
| JP (1) | JP4250868B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7549344B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-06-23 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor package and electronic part |
| JP2012242211A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力検出素子の製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3713008B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-02 | 長野計器株式会社 | 歪み量検出装置の製造方法 |
| US7075160B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
| US7286884B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-10-23 | Medtronic, Inc. | Implantable lead including sensor |
| US20070170528A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
| EP2015046A1 (en) * | 2007-06-06 | 2009-01-14 | Infineon Technologies SensoNor AS | Vacuum Sensor |
| JP5649474B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-01-07 | ローム株式会社 | 静電容量型圧力センサおよび静電容量型圧力センサの製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1018844B (zh) * | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
| JPH0618345A (ja) | 1992-07-02 | 1994-01-25 | Seiko Instr Inc | 圧力センサの製造方法 |
| US5437189A (en) * | 1994-05-03 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Dual absolute pressure sensor and method thereof |
| US5564434A (en) * | 1995-02-27 | 1996-10-15 | Medtronic, Inc. | Implantable capacitive absolute pressure and temperature sensor |
| JPH08236788A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nippon Motorola Ltd | 半導体センサの製造方法 |
| JPH09210822A (ja) | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| US5740594A (en) * | 1996-07-22 | 1998-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method for making a fluid pressure transducer |
| JP2000058780A (ja) | 1997-12-02 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6311561B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-11-06 | Rosemount Aerospace Inc. | Media compatible pressure sensor |
| JP3570218B2 (ja) | 1998-04-08 | 2004-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサの製造方法 |
-
2001
- 2001-01-11 JP JP2001004028A patent/JP4250868B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-09 US US09/924,559 patent/US6495389B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7549344B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-06-23 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor package and electronic part |
| JP2009180746A (ja) * | 2006-01-19 | 2009-08-13 | Fujikura Ltd | 圧力センサパッケージ及び電子部品 |
| JP2012242211A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力検出素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4250868B2 (ja) | 2009-04-08 |
| US6495389B2 (en) | 2002-12-17 |
| US20020028529A1 (en) | 2002-03-07 |
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