JP3570218B2 - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤフラムに受ける圧力を、圧力基準室との圧力差により生ずる応力に基づいて電気的に検出するようにした絶対圧検出形式の半導体圧力センサの製造方法、特には、貼り合わせ技術を用いて半導体圧力センサを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の半導体圧力センサの製造方法としては、例えば特開平8−236788号公報に記載されたものがある。この製造方法では、まず、ダイヤフラム用の凹部が形成された第1半導体基板と、表面に絶縁膜が形成された第2半導体基板とを用意して、それらを凹部形成面側及び絶縁膜面側で貼り合わせることによって、上記凹部を気密に閉鎖して成る圧力基準室を形成する貼り合わせ工程を実行する。そして、この後に、第1半導体基板を上記凹部形成面と反対側の面から所定位置(実際には、上記凹部より深い位置まで予め形成されている研磨ストッパ用の第2凹部の底面相当位置)まで研磨する工程を実行することによって、ダイヤフラムの厚さ寸法を制御する構成としている。尚、上記圧力基準室は、センサ出力の温度特性を向上させるために、真空状態(減圧状態を含む概念である)とするのが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
半導体基板同士を貼り合わせる技術としては、両基板の表面に親水化処理を施した状態で貼り合わせるという直接接合法が一般的となっている。ところが、このような直接接合法では、基板の貼り合わせ面に親水化処理が施されて過剰な水分子が存在することになり、従って、貼り合わせ工程の実行に伴い圧力基準室内に水分子が封じ込められた状態となる。このため、半導体圧力センサが温度上昇を伴う雰囲気下で使用される場合には、上記のように封じ込まれた水分子の影響によって圧力基準室内の圧力が変動して、圧力の検出感度が不安定になるという問題点が出てくる。
【0004】
一方、前述のように凹部を備えた半導体基板をその凹部形成面と反対側の面から研磨するという研磨工程を行うことによりダイヤフラムの厚さ寸法を制御する製造方法では、圧力基準室が真空状態にある関係上、研磨中に圧力基準室形成用の凹部が存在する部分で研磨圧に起因した撓みが発生しやすくなる。このため、ダイヤフラム厚が薄くなる場合ほど、ダイヤフラム部分の厚さ寸法が不均一になる現象が出てくるものであり、その厚さ寸法を高精度に管理することが非常に困難になるという問題点がある。
以上のような各問題点が存在する結果、従来の方法で製造される半導体圧力センサでは、圧力検出精度を高めることが困難になるという事情があった。
【0005】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧力基準室内の圧力が変動する事態を未然に防止できると共に、ダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能になり、以て圧力検出精度の向上を図り得るようになる半導体圧力センサの製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1に記載した製造方法を採用できる。この製造方法によれば、第1半導体基板の凹部側の面並びに第2半導体基板の半導体層側の面を互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程が真空状態の雰囲気中で実行されるのに伴い、上記凹部が密閉された状態となり、これに応じて減圧された状態の圧力基準室が形成される。このとき、上記貼り合わせ工程は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行されるから、圧力基準室の内壁などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになり、当該半導体圧力センサが温度上昇を伴う雰囲気下で使用される場合においても、水分子の影響により圧力基準室内の圧力が上昇する恐れがなくなる。
【0007】
このような貼り合わせ工程の実行後には、第2半導体基板における半導体層以外の部分を選択的に除去する選択除去工程を実行して、上記半導体層を露出させることにより、前記圧力基準室と対応した位置にダイヤフラムを形成できるようになる。これにより、ダイヤフラムに受ける圧力を、圧力基準室との圧力差により生ずる応力に基づいて電気的に検出可能な構造が得られる。
【0008】
この場合、半導体圧力センサが温度上昇を伴う雰囲気下で使用される場合であっても、上述のように水分子の影響により圧力基準室内の圧力が変動する事態を未然に防止できるようになり、また、ダイヤフラムの厚さ寸法は、第2半導体基板側に予め設けられた半導体層の厚さ寸法に依存したものとなって、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理できる手段を採用可能になるから、総じてダイヤフラムによる圧力検出精度の向上を実現できるようになる。
【0009】
請求項2記載の製造方法によれば、所定膜厚の酸化膜が圧力基準室内に臨んだ状態で配置されることになるから、その酸化膜により過剰な水分子を吸収できるようになる。従って、圧力基準室内に水分子が残置された状態となった場合でも、水分子の影響により圧力基準室内の圧力が変動する事態を抑制できるようになり、以て圧力検出精度の向上に寄与できることになる。
【0010】
請求項3記載の製造方法によれば、第1半導体基板の凹部側の面並びに第2半導体基板の半導体層側の面を互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程が真空状態の雰囲気中で実行されるのに伴い、上記凹部が密閉された状態となり、これに応じて減圧された状態の圧力基準室が形成される。このとき、上記貼り合わせ工程は、上記各半導体基板の貼り合わせ面に負活性ガスイオンを照射する活性化処理を施した後に行われる構成となっているから、貼り合わせ面に親水化処理を施した後に貼り合わせを行う場合のように、圧力基準室内に水分子が残置される恐れがなくなり、半導体圧力センサが実際に使用される場合において、水分子の影響により圧力基準室内の圧力が上昇する恐れがなくなる。
【0011】
このような貼り合わせ工程の実行後には、第2半導体基板における半導体層以外の部分を選択的に除去する選択除去工程を実行して、上記半導体層を露出させることにより、前記圧力基準室と対応した位置にダイヤフラムを形成できるようになる。これにより、ダイヤフラムに受ける圧力を、圧力基準室との圧力差により生ずる応力に基づいて電気的に検出可能な構造が得られる。
【0012】
この場合、上述のように半導体圧力センサが実際に使用される場合において水分子の影響により圧力基準室内の圧力が変動する事態を未然に防止できるようになり、また、ダイヤフラムの厚さ寸法は、第2半導体基板側に予め設けられた半導体層の厚さ寸法に依存したものとなって、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理できる手段を採用可能になるから、総じてダイヤフラムによる圧力検出精度の向上を実現できるようになる。
【0013】
請求項4記載の製造方法によれば、選択除去工程において、SOI基板により構成された第2半導体基板の支持基板が、絶縁分離膜をストッパとした研削、研磨或いはエッチング処理によって除去された後に、上記絶縁分離膜が選択エッチング処理によって除去されることにより、SOI層に相当した半導体層が露出されてダイヤフラムが形成されることになる。この場合には、ダイヤフラムの厚さ寸法は、上記半導体層の厚さ寸法に厳密に依存したものとなるから、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能となる。
【0014】
請求項5記載の製造方法によれば、選択除去工程において、表面側に埋込酸化膜により区分された状態の半導体層を備えた第2半導体基板に対し、裏面側から上記埋込酸化膜をストッパとした研削或いは研磨処理が施された後に、上記埋込酸化膜が選択エッチング処理によって除去されることにより、上記半導体層が露出されてダイヤフラムが形成されることになる。この場合にも、ダイヤフラムの厚さ寸法は、上記半導体層の厚さ寸法(埋込酸化膜の位置)に厳密に依存したものとなるから、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能となる。
【0015】
請求項6記載の製造方法によれば、選択除去工程において、表面側から半導体層の膜厚に対応した深さに達する不純物拡散層を備えた第2半導体基板に対し、裏面側から上記不純物拡散層をストッパとしたエッチング処理が施されて当該不純物拡散層が半導体層として露出されることにより、ダイヤフラムが形成されるようになる。この場合にも、ダイヤフラムの厚さ寸法は、上記半導体層(不純物拡散層)の厚さ寸法に厳密に依存したものとなるから、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能となる。
【0016】
請求項7記載の製造方法によれば、表面側から所定深さの位置に結晶欠陥形成用のイオン注入層を形成して、そのイオン注入層より浅い位置に存する領域を半導体層とした第2半導体基板を用意し、貼り合わせ工程後に行われる選択除去工程において、熱処理に応じて、第2半導体基板が前記イオン注入層による欠陥層部分で剥離されて半導体層が露出されることにより、ダイヤフラムが形成されるようになる。この場合にも、ダイヤフラムの厚さ寸法は、上記半導体層の厚さ寸法(イオン注入層の位置)に厳密に依存したものとなるから、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能となる。
【0017】
請求項8記載の製造方法によれば、第1半導体基板の表面並びに第2半導体基板の凹部側の面を互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程が真空状態の雰囲気中で実行されるのに伴い、上記凹部が密閉された状態となり、これに応じて減圧された状態の圧力基準室が形成される。この場合においても、上記貼り合わせ工程は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行されるから、圧力基準室の内壁などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになる。
【0018】
このような貼り合わせ工程の実行後には、第2半導体基板の支持基板を埋込酸化膜をストッパとした研削、研磨或いはエッチング処理によって除去すると共に、上記埋込酸化膜を選択エッチング処理によって除去する選択除去工程が実行されるのに伴い、上記半導体層が露出されて前記圧力基準室と対応した位置にダイヤフラムを形成できるようになる。この場合、ダイヤフラムの厚さ寸法は、第2半導体基板側に形成される埋込酸化膜の深さ位置に依存したものとなって、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能になる。
【0019】
請求項9記載の製造方法においても、第1半導体基板の表面並びに第2半導体基板の凹部側の面を互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程が真空状態の雰囲気中に応じて、半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行されるから、上記凹部により形成される圧力基準室の内壁などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになる。
【0020】
このような貼り合わせ工程の実行後には、第2半導体基板を、これに形成されたイオン注入層による欠陥層部分で剥離させる選択除去工程が実行されるのに伴い、上記イオン注入層及び埋込酸化膜間に位置した半導体層が露出されて前記圧力基準室と対応した位置にダイヤフラムを形成できるようになる。この場合、ダイヤフラムの厚さ寸法は、第2半導体基板側に形成される埋込酸化膜及びイオン注入層の深さ位置に依存したものとなって、そのダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能になる。
【0021】
請求項10記載の製造方法によれば、第1半導体基板の表面並びに第2半導体基板の凹部側の面を互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程が、上記各半導体基板の貼り合わせ面に負活性ガスイオンを照射する活性化処理を施した後に行われる構成となっているから、貼り合わせ面に親水化処理を施した後に貼り合わせを行う場合のように、圧力基準室内に水分子が残置される恐れがなくなり、半導体圧力センサが実際に使用される場合において、水分子の影響により圧力基準室内の圧力が上昇する恐れがなくなる。
【0022】
請求項11記載の製造方法によれば、ダイヤフラムの厚さ寸法が、半導体層のエピタキシャル成長量に依存して決まることになるから、当該ダイヤフラムの厚さ寸法を精度良く制御できるようになって、検出感度の安定化を実現できるようになる。
【0023】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1実施例について図1及び図2を参照しながら説明する。
図2には、本実施例による方法で製造される半導体圧力センサの基本構造が模式的な断面図により示されている。この図2において、半導体圧力センサ1は、シリコン基板2上にシリコン酸化膜3を介して例えばN型の単結晶シリコン層4を形成したSOI構造を有するもので、その単結晶シリコン層4に形成されたダイヤフラム5と、このダイヤフラム5の背面側(当該ダイヤフラム5及びシリコン酸化膜3間)に減圧された状態で形成された圧力基準室6と、ダイヤフラム5上に不純物拡散により形成されたゲージ抵抗7とを備えた構成となっている。尚、図2では、電極、配線などの構成要素が省略された状態となっている。
【0024】
図1には、上記構成の半導体圧力センサ1の製造工程が模式的な断面図により示されており、以下、これについて説明する。
まず、図1(a)に示すように、シリコンウェハ8(本発明でいう支持基板に相当)上に、最終的に前記単結晶シリコン層4となる単結晶シリコン層9(本発明でいう半導体層に相当)が絶縁分離膜10を介して形成されたSOI基板11(第2半導体基板に相当)と、シリコンウェハ12(第1半導体基板に相当)とを用意する。このシリコンウェハ12は、最終的に前記シリコン基板2になるものであり、その上面には、前記圧力基準室6のための凹部13が形成されていると共に、前記シリコン酸化膜3に相当するシリコン酸化膜14が熱酸化法によって形成されている。尚、このシリコン酸化膜14は、過剰な水分子を吸収できるように比較的厚い状態(例えば1μm以上)で形成される。また、上記SOI基板11側の単結晶シリコン層9の表面、並びにシリコンウェハ12側のシリコン酸化膜14の表面は鏡面化された状態となっている。
【0025】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図1(b)に示す状態まで加工する。この貼り合わせ工程は周知の直接接合法で行うものであり、まず、SOI基板11側の単結晶シリコン層9の表面、並びにシリコンウェハ12側のシリコン酸化膜14の表面に親水化処理(例えば、90〜120℃程度に保温された硫酸と過酸化水素水との混合溶液(H2 SO4 :H2 O2 =4:1)による洗浄及び純水洗浄を順次行った後に、表面に吸着する水分量を例えばスピン乾燥により制御する処理)を施す。そして、この後に、SOI基板11及びシリコンウェハ12を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせるものであり、この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、このような貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサ1の実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものである。
【0026】
このように、SOI基板11及びシリコンウェハ12の貼り合わせ工程が真空状態の雰囲気中で所定の温度を加えながら行われる結果、最終的に圧力基準室6となる凹部13の内壁に付着・吸収されているガス(水分を含む)が外部に追い出されると共に、減圧された状態の圧力基準室6が形成されるものである。
【0027】
上記のような貼り合わせ工程の実行後には選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、SOI基板11側のシリコンウェハ8を、絶縁分離膜10をストッパとした研削、研磨或いはケミカルエッチング処理などを行うことにより除去し、図1(c)に示すように、当該絶縁分離膜10を露出させる。さらに、この後に、上記絶縁分離膜10を、例えばフッ酸系水溶液を用いた化学エッチング或いは化学的機械研磨やドライエッチングなどの選択エッチング処理によって除去し、図1(d)に示すように、単結晶シリコン層9の表面を露出させてダイヤフラム5を形成する。
【0028】
そして、図1(e)に示すように、単結晶シリコン層9における所定位置に例えばP型の不純物を拡散するによってゲージ抵抗7を形成する拡散工程を実行し、さらに、電極、配線などを形成する周知の工程を実行した後に、単結晶シリコン層9及びシリコンウェハ12などの一体物をダイシングすることによって、図2に示すような半導体圧力センサ1の基本構造を完成させる。
【0029】
上記した本実施例による製造方法によれば、SOI基板11とシリコンウェハ12とを直接接合法により貼り合わせるという貼り合わせ工程を、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う構成としたから、圧力基準室6などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになる。このため、半導体圧力センサ1が温度上昇を伴う雰囲気下で使用される場合において、水分子の存在により圧力基準室6内の圧力が変動して検出感度が不安定になる事態を未然に防止できるようになる。
【0030】
この場合、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサ1の実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)より高い温度に設定されているから、その半導体圧力センサ1の実使用時において圧力基準室6内の圧力を安定なものとすることができて、その検出感度が不安定になる事態を確実に防止できるようになる。しかも、ダイヤフラム5の厚さ寸法は、SOI基板11側に予め設けられた単結晶シリコン層9の厚さ寸法に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理できる手段を採用可能になるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。
【0031】
また、本実施例の方法で製造された半導体圧力センサ1によれば、所定膜厚(例えば1μm以上)のシリコン酸化膜3が圧力基準室5内に臨んだ状態で配置されることになるから、そのシリコン酸化膜3により過剰な水分子を吸収できるようになる。従って、圧力基準室5内に水分子が残置された状態となった場合でも、水分子の影響により圧力基準室5内の圧力が変動する事態を抑制できるようになって、圧力検出精度の向上に寄与できる。
【0032】
尚、上記実施例において、選択除去工程を実行して単結晶シリコン層9の表面を露出させた後に、当該単結晶シリコン層9をエピタキシャル成長させてダイヤフラム5の厚さ寸法を制御するというエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良い。この構成によれば、ダイヤフラム5の厚さ寸法を、単結晶シリコン層9のエピタキシャル成長量により精度良く制御可能となるから、半導体圧力センサ1による検出感度の安定化を実現できるようになる。
【0033】
(第2の実施の形態)
図3には本発明の第2実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図3(a)に示すように、シリコンウェハ8上に絶縁分離膜10を介して単結晶シリコン層9を形成したSOI基板11と、凹部13が形成されたシリコンウェハ12とを用意して、真空状態の雰囲気中で貼り合わせ工程を行うことにより、図3(b)に示す状態まで加工する。この場合には、SOI基板11の単結晶シリコン層9側の面並びにシリコンウェハ12の凹部13側の面に、負活性ガスイオン例えばアルゴンイオンを照射して各表面を均一にエッチングすることにより、それらの表面全体を活性な状態とする活性化処理を施した後に、それらSOI基板1及びシリコンウェハ12を活性化処理面で互いに貼り合わせる。尚、斯様な貼り合わせ工程は真空状態の雰囲気中で行われるものであり、これにより、凹部13により形成される圧力基準室6内が減圧された状態とされるものである。
【0034】
上記のような貼り合わせ工程の実行後には、前記第1実施例と同様の選択除去工程(図3(c)、(d)参照)、並びにゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図3(e)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0035】
上記した本実施例の製造方法によれば、SOI基板11とシリコンウェハ12とを貼り合わせるための貼り合わせ工程を、それらの貼り合わせ面にアルゴンイオンを照射する活性化処理を施した後に行う構成となっているから、貼り合わせ面に親水化処理を施した後に貼り合わせを行う製造方法のように、圧力基準室6内に水分子が残置される恐れがなくなり、半導体圧力センサが実際に使用される場合において、水分子の影響により圧力基準室6内の圧力が上昇する恐れがなくなる。
【0036】
従って、本実施例の製造方法によっても、上記のように水分子の影響により圧力基準室6内の圧力が変動する事態を未然に防止できると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法も前記第1実施例と同様に高精度に管理できるようになるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、選択除去工程を実行して単結晶シリコン層9の表面を露出させた後に、当該単結晶シリコン層9をエピタキシャル成長させてダイヤフラム5の厚さ寸法を制御するというエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良いものである。
【0037】
(第3の実施の形態)
図4には本発明の第3実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図4(a)に示すように、表面側から所定深さの位置に埋込酸化膜15が部分的に形成された単結晶シリコンウェハ16(第2半導体基板に相当)と、凹部13が形成されたシリコンウェハ12とを用意する。この場合、単結晶シリコンウェハ16の表面における上記埋込酸化膜15により区分された薄膜状の領域が、本発明でいう半導体層に相当した単結晶シリコン層16aとして機能するようになっている。尚、上記埋込酸化膜15は、当該ウェハ16に対し酸素イオンを注入した後に熱処理を施すというSIMOX技術により形成されるものである。
【0038】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図4(b)に示す状態まで加工する。この貼り合わせ工程は第1実施例と同様の直接接合法で行うものであり、まず、単結晶シリコンウェハ16側の単結晶シリコン層16aの表面並びにシリコンウェハ12の凹部13側の表面に、第1実施例と同様の親水化処理を施した後に、両シリコンウェハ12及び16を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせる。この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、この場合においても、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものである。
【0039】
上記のような貼り合わせ工程の実行に応じて圧力基準室6を形成した後には、選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、シリコンウェハ16に対し、裏面側から埋込酸化膜15をストッパとした研削或いは研磨処理を施し、図4(c)に示すように、当該埋込酸化膜15を露出させる。尚、この場合において、当初においてエッチング処理を施し、途中から研削或いは研磨処理に切り換えることもできる。さらに、この後に、上記埋込酸化膜15を、例えばフッ酸系水溶液を用いた化学エッチング或いは化学的機械研磨やドライエッチングなどの選択エッチング処理によって除去する(図4(d)参照)。これにより、シリコンウェハ16は、単結晶シリコン層16aを残して除去されることになり、その単結晶シリコン層16aによってダイヤフラム5が形成されるようになる。
【0040】
そして、選択除去工程の実行後には、前記第1実施例と同様のゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図4(e)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0041】
従って、本実施例の製造方法によっても、第1実施例と同様に、貼り合わせ工程の実行時において、圧力基準室6内などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法は、単結晶シリコン層16aの厚さ寸法(埋込酸化膜16の形成位置)に厳密に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理可能となるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としたり、シリコンウェハ12の上面に、前記第1実施例と同様にシリコン酸化膜を形成しておく構成としても良いものである。また、貼り合わせ工程は、前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行っても良い。
【0042】
(第4の実施の形態)
図5には本発明の第4実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図5(a)に示すように、表面側から前記第1実施例における単結晶シリコン層9の膜厚に対応した深さに達する例えばP型の不純物拡散層17を形成したN型の単結晶シリコンウェハ18(第2半導体基板に相当)と、凹部13が形成されたシリコンウェハ12とを用意する。この場合、第1実施例と同様に、シリコンウェハ12の上面にはシリコン酸化膜14が熱酸化法によって形成されている。
【0043】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図5(b)に示す状態まで加工する。
この貼り合わせ工程は第1実施例と同様の直接接合法で行うものであり、まず、単結晶シリコンウェハ18の不純物拡散層17側の表面並びにシリコンウェハ12の凹部13側の表面に、第1実施例と同様の親水化処理を施した後に、両シリコンウェハ12及び18を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせる。この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、この場合においても、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものである。
【0044】
上記のような貼り合わせ工程の実行に応じて圧力基準室6を形成した後には、選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、シリコンウェハ18に対し、裏面側から不純物拡散層17をストッパとしたエッチング処理を施し、図5(c)に示すように、当該不純物拡散層17を本発明でいう半導体層として露出させてダイヤフラム5を形成する。尚、この場合のエッチング処理は、例えばKOH系のアルカリエッチング液を使用して行うことができる。
【0045】
そして、上記選択除去工程の実行後には、前記第1実施例と同様のゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図5(d)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0046】
従って、本実施例の製造方法によっても、第1実施例と同様に、貼り合わせ工程の実行時において、圧力基準室6内などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法は、不純物拡散層17の厚さ寸法に厳密に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理可能となるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ12上にシリコン酸化膜14を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行っても良いものである。
【0047】
(第5の実施の形態)
図6には本発明の第5実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図6(a)に示すように、表面側から前記第1実施例における単結晶シリコン層9の膜厚に対応した深さに達する結晶欠陥形成用の水素イオン注入層19を形成したN型の単結晶シリコンウェハ20(第2半導体基板に相当)と、凹部13が形成されたシリコンウェハ12とを用意する。尚、単結晶シリコンウェハ20にあっては、水素イオン注入層19より浅い位置に存する薄膜状の領域が、本発明でいう半導体層に相当した単結晶シリコン層20aとして機能するようになっている。また、第1実施例と同様に、シリコンウェハ12の上面にはシリコン酸化膜14が熱酸化法によって形成されている。
【0048】
この場合、上記水素イオン注入層19を形成するイオンとしては、水素イオン以外に、ヘリウムのような希ガスイオンなども利用できるが、水素イオンを利用する場合、そのイオン注入工程でのドーズ量は、例えば1×1016atoms/cm2〜1×1017atoms/cm2の範囲、好ましくは5×1016atoms/cm2〜1×1017atoms/cm2の範囲に設定する。また、イオン注入エネルギは、水素イオン注入層19を形成する深さに応じて設定することになる。尚、実際には、上記イオン注入工程に先立って、イオン注入側の面にシリコン酸化膜などによって汚染保護膜を形成しておき、イオン注入工程後にこの汚染保護膜を除去することが行われる。これにより、単結晶シリコンウェハ20の表面の鏡面状態が保持されると共に、金属イオンなどによる汚染が防止される。
【0049】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図6(b)に示す状態まで加工する。この貼り合わせ工程は第1実施例と同様の直接接合法で行うものであり、まず、単結晶シリコンウェハ20のイオン注入側の表面並びにシリコンウェハ12の凹部13側の表面に、第1実施例と同様の親水化処理を施した後に、両シリコンウェハ12及び20を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせる。この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、この場合においても、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものであるが、水素イオン注入層19での剥離現象が始まる温度(400℃程度)より低い温度で行われる。
【0050】
上記のような貼り合わせ工程の実行に応じて圧力基準室6を形成した後には、選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、シリコンウェハ12及び20の一体物に対し、400℃〜600℃程度の熱処理を施すことによって、シリコンウェハ20を水素イオン注入層19により形成される欠陥層部分で剥離して、前記単結晶シリコン層20aを露出させ、これによりダイヤフラム5を形成する。尚、単結晶シリコン層20aの表面には、必要に応じて研磨などの平坦化処理が施される。また、上記のような剥離現象は、熱処理に伴い、水素イオン注入層19により形成される欠陥層部分で微小な気泡が凝集してマクロな気泡を生じ、これにより当該欠陥層部分を境界とした剥離が拡大することにより起こるものであり、従って、単結晶シリコン層20aの厚さ寸法は、水素イオン注入層19の深さ位置(つまり、イオン注入工程でのイオン注入深さ)に依存することになる。
【0051】
そして、上記選択除去工程の実行後には、前記第1実施例と同様のゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図6(d)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0052】
従って、本実施例の製造方法によっても、第1実施例と同様に、貼り合わせ工程の実行時において、圧力基準室6内などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法が、水素イオン注入層19の深さ位置(イオン注入工程でのイオン注入深さ)に厳密に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理可能となるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ12上にシリコン酸化膜14を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行っても良いものである。
【0053】
(第6の実施の形態)
図7には本発明の第6実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図7(a)に示すように、シリコンウェハ21(本発明でいう支持基板に相当)上に単結晶シリコン層22(本発明でいう半導体層に相当)が絶縁分離膜23を介して形成されたSOI基板24(第2半導体基板に相当)を用意し、図7(b)に示すように、上記単結晶シリコン層22の所定深さ位置にSIMOX技術を利用して埋込酸化膜25を形成するという酸化膜形成工程を実行する。この場合、単結晶シリコン層22において、上記埋込酸化膜25により区分された薄膜状の表面側領域が、最終的にダイヤフラム5となる部分である。さらに、図7(c)に示すように、単結晶シリコン層22の表面側領域に対し、埋込酸化膜25に達する凹部26を形成するという凹部形成工程を実行すると共に、表面に所定膜厚のシリコン酸化膜27が熱酸化により形成されたシリコンウェハ28(第1半導体基板に相当)を用意する。
【0054】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図7(d)に示す状態まで加工する。
この貼り合わせ工程は第1実施例と同様の直接接合法で行うものであり、まず、SOI基板24の凹部26側の表面並びにシリコンウェハ28のシリコン酸化膜27側の表面に、第1実施例と同様の親水化処理を施した後に、それらSOI基板24及びシリコンウェハ28を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせる。この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、この場合においても、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものである。
【0055】
上記のような貼り合わせ工程の実行に応じて圧力基準室6を形成した後には、選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、SOI基板24側のシリコンウェハ21を、絶縁分離膜23をストッパとした研削、研磨、ケミカルエッチング処理を行うことにより除去して、当該絶縁分離膜23を露出させた後に、その絶縁分離膜23を、例えばフッ酸系水溶液を用いた化学エッチング或いは化学的機械研磨やドライエッチングなどの選択エッチング処理によって除去し、図7(e)に示すように、単結晶シリコン層22の表面を露出させてダイヤフラム5を形成する。尚、この実施例の場合、ダイヤフラム5と圧力基準室6との間に埋込酸化膜25が残置された状態となる。
【0056】
そして、上記選択除去工程の実行後には、前記第1実施例と同様のゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図7(f)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0057】
従って、本実施例の製造方法によっても、第1実施例と同様に、貼り合わせ工程の実行時において、圧力基準室6内などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法は、単結晶シリコン層22における埋込酸化膜25により区分された薄膜状の領域の厚さ寸法(埋込酸化膜25の深さ位置)に厳密に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理可能となるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ28上にシリコン酸化膜27を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行う構成としても良いものである。
【0058】
(第7の実施の形態)
図8には上述した第6実施例に一部変更を加えた本発明の第7実施例が示されており、以下、これについて異なる部分のみ説明する。
即ち、この実施例は、第6実施例における埋込酸化膜25を形成するための酸化膜形成工程に代えて、SOI基板24における単結晶シリコン層22の所定深さ位置にSIMOX技術を利用して部分的に埋込酸化膜29を形成するという酸化膜形成工程を実行することに特徴を有する(図8(b)参照)。この場合にも、単結晶シリコン層22における上記埋込酸化膜29により区分された薄膜状の表面側領域が、最終的にダイヤフラム5となる。さらに、図8(c)に示すように、単結晶シリコン層22に対し、埋込酸化膜29に達する凹部26を形成する凹部形成工程を実行すると共に、表面にシリコン酸化膜27が熱酸化により形成されたシリコンウェハ28を用意し、以降、第6実施例と同様の貼り合わせ工程、選択除去工程及び拡散工程(図8(d)、(e)、(f)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0059】
尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ28上にシリコン酸化膜27を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行う構成としても良いものである。
【0060】
(第8の実施の形態)
図9には本発明の第8実施例が示されており、以下、これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
まず、図9(a)に示すように、単結晶シリコンウェハ30(第2半導体基板に相当)を用意し、この単結晶シリコンウェハ30の表面側から所定深さの位置にSIMOX技術を利用して埋込酸化膜31を形成する。次に、図9(b)に示すように、上記単結晶シリコンウェハ30の表面側から所定深さに達する結晶欠陥形成用の水素イオン注入層32を形成するというイオン注入工程を実行する。この場合、単結晶シリコンウェハ30における水素イオン注入層32及び埋込酸化膜31間に存する薄膜状の領域が、本発明でいう半導体層に相当した単結晶シリコン層30aとして機能するようになっている。尚、このときのイオン注入深さは、上記単結晶シリコン層30aの厚さ寸法がダイヤフラム厚に相当した値となるように設定する。また、イオン注入工程での水素イオンのドーズ量は、前記第5実施例の場合と同様に設定すれば良い。
【0061】
次いで、図9(c)に示すように、単結晶シリコンウェハ30に対し、埋込酸化膜31に達する凹部33を形成する凹部形成工程を実行すると共に、表面に所定膜厚のシリコン酸化膜27が熱酸化により形成されたシリコンウェハ28を用意する。
【0062】
次に、貼り合わせ工程を行うことにより図9(d)に示す状態まで加工する。この貼り合わせ工程は第1実施例と同様の直接接合法で行うものであり、まず、単結晶シリコンウェハ30の凹部33側の表面並びにシリコンウェハ28のシリコン酸化膜27側の表面に、第1実施例と同様の親水化処理を施した後に、それらシリコンウェハ30及び28を上記親水化処理面で密着させて貼り合わせる。この貼り合わせは、真空状態の雰囲気中において、ワークに対し比較的低い温度を加えながら行う。但し、この場合においても、上記貼り合わせ工程での熱処理温度は、半導体圧力センサの実際の最高使用温度(例えば自動車用の場合は200℃)よりは高い温度に設定されるものであるが。水素イオン注入層32での剥離現象が始まる温度(400℃程度)より低い温度で行われる。。
【0063】
上記のような貼り合わせ工程の実行に応じて圧力基準室6を形成した後には、選択除去工程を行う。具体的には、この選択除去工程では、シリコンウェハ30及び28の一体物に対し、400℃〜600℃程度の熱処理を施すことによって、単結晶シリコンウェハ30を水素イオン注入層32により形成される欠陥層部分で剥離して、前記単結晶シリコン層30aを露出させ、これによりダイヤフラム5を形成する。尚、単結晶シリコン層30aの表面には、必要に応じて研磨などの平坦化処理が施される。
【0064】
そして、上記選択除去工程の実行後には、前記第1実施例と同様のゲージ抵抗7を形成するための拡散工程(図9(f)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0065】
従って、本実施例の製造方法によっても、第1実施例と同様に、貼り合わせ工程の実行時において、圧力基準室6内などに付着或いは吸収されている水分子が追い出されるようになると共に、ダイヤフラム5の厚さ寸法は、水素イオン注入層32の深さ位置に厳密に依存したものとなって、そのダイヤフラム5の厚さ寸法を高精度に管理可能となるから、総じてダイヤフラム5による圧力検出精度の向上を実現できるようになる。尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ28上にシリコン酸化膜27を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行っても良いものである。
【0066】
(第9の実施の形態)
図10には上述した第8実施例に一部変更を加えた本発明の第9実施例が示されており、以下、これについて異なる部分のみ説明する。
即ち、この実施例は、第8実施例における埋込酸化膜31に代えて、単結晶シリコンウェハ30における所定深さ位置にSIMOX技術を利用して部分的に埋込酸化膜34を形成したことに特徴を有する(図8(a)参照)。そして、図10(b)に示すように、上記単結晶シリコンウェハ30の表面側から所定深さに達する結晶欠陥形成用の水素イオン注入層32を形成するというイオン注入工程を同様に実行する。この場合にも、単結晶シリコンウェハ30における水素イオン注入層32及び埋込酸化膜34間に存する薄膜状の領域が、最終的にダイヤフラム5となる単結晶シリコン層30aとして機能するようになっている。さらに、図10(c)に示すように、単結晶シリコンウェハ30に対し、埋込酸化膜34に達する凹部33を形成する凹部形成工程を実行すると共に、表面にシリコン酸化膜27が熱酸化により形成されたシリコンウェハ28を用意し、以降、第8実施例と同様の貼り合わせ工程、選択除去工程及び拡散工程(図10(d)、(e)、(f)参照)などを順次実行した後に、ダイシング加工を行うことにより半導体圧力センサの基本構造を完成させる。
【0067】
尚、本実施例においても、前述したようなエピタキシャル成長工程を実行する構成としても良く、また、貼り合わせ工程は、シリコンウェハ28上にシリコン酸化膜27を設けないことを前提に前記第2実施例のような不活性ガスイオンを照射する手法により行う構成としても良いものである。
【0068】
(その他の実施の形態)
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
各実施例において、貼り合わせ工程の実行後には、必要に応じて貼り合わせ強度を増大させるための熱処理工程(例えば窒素などの不活性ガス雰囲気中において高温(1100℃〜1200℃程度以上)を加える熱処理)を行っても良い。
研磨或いエッチング時のストッパとして機能させるためのシリコン酸化膜は、多結晶シリコン膜により置き換えることが可能である。各実施例における埋込酸化膜を得る技術としては、SIMOX技術に限らず、貼り合わせ技術、横方向エピタキシャル成長技術、レーザ再結晶化技術など、他の種々の技術を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図2】半導体圧力センサの基本構造を示す模式的な断面図
【図3】本発明の第2実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図4】本発明の第3実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図5】本発明の第4実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図6】本発明の第5実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図7】本発明の第6実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図8】本発明の第7実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図9】本発明の第8実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【図10】本発明の第9実施例による製造方法を模式的に示す断面図
【符号の説明】
1は半導体圧力センサ、2はシリコン基板、3はシリコン酸化膜、4は単結晶シリコン層、5はダイヤフラム、6は圧力基準室、7はゲージ抵抗、8はシリコンウェハ(支持基板)、9は単結晶シリコン層(半導体層)、10は絶縁分離膜、11はSOI基板(第2半導体基板)、12はシリコンウェハ(第1半導体基板)、13は凹部、14はシリコン酸化膜、15は埋込酸化膜、16は単結晶シリコンウェハ(第2半導体基板)、16aは単結晶シリコン層(半導体層)、17は不純物拡散層、18は単結晶シリコンウェハ18(第2半導体基板)、19は水素イオン注入層、20は単結晶シリコンウェハ(第2半導体基板)、20aは単結晶シリコン層(半導体層)、21はシリコンウェハ(支持基板)、22は単結晶シリコン層(半導体層)、23は絶縁分離膜、24はSOI基板(第2半導体基板)、25は埋込酸化膜、26は凹部、27はシリコン酸化膜、28はシリコンウェハ(第1半導体基板)、29は埋込酸化膜、30は単結晶シリコンウェハ(第2半導体基板)、30aは単結晶シリコン層(半導体層)、31は埋込酸化膜、32は水素イオン注入層、33は凹部、34は埋込酸化膜を示す。
Claims (11)
- ダイヤフラムの背面側に減圧された状態の圧力基準室を備えて成る半導体圧力センサの製造方法において、
前記圧力基準室を形成するための凹部が設けられた第1半導体基板と、表面側に前記ダイヤフラムを形成するための半導体層が設けられた第2半導体基板とを用意した上で、
前記第1半導体基板の前記凹部側の面並びに前記第2半導体基板の半導体層側の面に親水化処理を施した後に、それらを親水化処理面で互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程を、真空状態の雰囲気中で前記半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行し、
この後に前記第2半導体基板における前記半導体層以外の部分を選択的に除去する選択除去工程を実行することにより、上記半導体層を露出させて前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 前記第1半導体基板における前記凹部側の面には、酸化膜が所定膜厚で形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサの製造方法。
- ダイヤフラムの背面側に減圧された状態の圧力基準室を備えて成る半導体圧力センサの製造方法において、
前記圧力基準室を形成するための凹部が設けられた第1半導体基板と、表面側に前記ダイヤフラムを形成するための半導体層が設けられた第2半導体基板とを用意した上で、
前記第1半導体基板の前記凹部側の面並びに前記第2半導体基板の半導体層側の面に負活性ガスイオンを照射する活性化処理を施した後に、それらを活性化処理面で互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程を、真空状態の雰囲気中で実行し、
この後に前記第2半導体基板における前記半導体層以外の部分を選択的に除去する選択除去工程を実行することにより、上記半導体層を露出させて前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 前記第2半導体基板は、支持基板上に絶縁分離膜を介して半導体層を形成したSOI基板により形成され、
前記選択除去工程では、前記支持基板を前記絶縁分離膜をストッパとした研削、研磨或いはエッチング処理によって除去した後に、上記絶縁分離膜を選択エッチング処理によって除去することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 前記第2半導体基板は、その表面側から所定深さの位置に埋込酸化膜を形成することにより、当該第2半導体基板の表面に上記埋込酸化膜により区分された状態の半導体層を備えた構造とされ、
前記選択除去工程では、前記第2半導体基板に対し、裏面側から前記埋込酸化膜をストッパとした研削或いは研磨処理を施した後に、上記埋込酸化膜を選択エッチング処理によって除去することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 前記第2半導体基板は、その表面側から前記半導体層の膜厚に対応した深さに達する不純物拡散層を形成した構造とされ、
前記選択除去工程では、前記第2半導体基板に対し、裏面側から前記不純物拡散層をストッパとしたエッチング処理を施すことにより当該不純物拡散層を前記半導体層として露出させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 前記第2半導体基板は、その表面側から所定深さの位置に結晶欠陥形成用のイオン注入層を形成して、そのイオン注入層より浅い位置に存する領域を前記半導体層とした構造とされ、
前記選択除去工程では、熱処理を施すことによって、前記第2半導体基板を前記イオン注入層により形成される欠陥層部分で剥離して前記半導体層を露出させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。 - ダイヤフラムの背面側に減圧された状態の圧力基準室を備えて成る半導体圧力センサの製造方法において、
第1半導体基板と、支持基板上に絶縁分離膜を介して半導体層を形成したSOI基板より成る第2半導体基板とを用意した上で、
前記第2半導体基板の半導体層に対して、その表面側から所定深さの位置に埋込酸化膜を形成する酸化膜形成工程、
前記第2半導体基板の半導体層に対して、前記埋込酸化膜に達する凹部を形成する凹部形成工程を順次実行し、
前記第1半導体基板の表面並びに前記第2半導体基板の凹部側の面に親水化処理を施した後に、それらを親水化処理面で互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程を、真空状態の雰囲気中で前記半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行し、
この後に前記第2半導体基板の支持基板を前記埋込酸化膜をストッパとした研削、研磨或いはエッチング処理によって除去した後に、上記埋込酸化膜を選択エッチング処理によって除去する選択除去工程を実行することにより、前記半導体層を露出させて前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - ダイヤフラムの背面側に減圧された状態の圧力基準室を備えて成る半導体圧力センサの製造方法において、
第1半導体基板と、所定深さ位置に埋込酸化膜が形成された第2半導体基板とを用意した上で、
前記第2半導体基板に対して、その表面側からイオン注入することにより、結晶欠陥形成用のイオン注入層を前記埋込酸化膜より深い位置に形成して、そのイオン注入層及び埋込酸化膜間の領域を半導体層とするイオン注入工程、
前記第2半導体基板に対し、その表面側から前記埋込酸化膜に達する凹部を形成する凹部形成工程を順次実行し、
前記第1半導体基板の表面並びに前記第2半導体基板の凹部側の面に親水化処理を施した後に、それらを親水化処理面で互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程を、真空状態の雰囲気中で前記半導体圧力センサの実際の最高使用温度以上の温度を加えながら実行し、
この後に熱処理を施すことによって、前記第2半導体基板を前記イオン注入層により形成される欠陥層部分で剥離させる選択除去工程を実行することにより、前記半導体層を露出させて前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 請求項8または9記載の半導体圧力センサの製造方法において、前記貼り合わせ工程に代えて、前記第1半導体基板の表面並びに前記第2半導体基板の凹部側の面に負活性ガスイオンを照射する活性化処理を施した後に、真空状態の雰囲気中において第1半導体基板及び第2半導体基板を上記活性化処理面で互いに貼り合わせるという貼り合わせ工程を実行することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
- 前記選択除去工程を実行して前記第2半導体基板の半導体層を露出させた後に、当該半導体層をエピタキシャル成長させて前記ダイヤフラムの厚さ寸法を制御するエピタキシャル成長工程を実行することを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。
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