JP2014197026A - 圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一方の素子面に歪ゲージ素子が設けられ、他方の研削研磨面が研磨されてダイヤフラムが形成されるセンサ基板と、この研削研磨面に接合されたベース基板と、前記ベース基板と前記センサ基板との接合部に設けられ、所定の隙間を有する凹部と、この凹部に測定圧を導入する導入孔とを具備した。
【選択図】図1
Description
更に詳述すれば、測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動形差圧センサに関するものである。
Aは流体112が大気の場合、Bはフレオンの場合、Cはシリコンオイルの場合を示す。
(a)図16に示す如く、半導体基板11の一面側にスピネルエピ層12を形成する。
(b)図17に示す如く、半導体基板11のスピネルエピ層12に接する面に酸化シリコン膜13を形成する。
(c)図18に示す如く、スピネルエピ層12の表面にポリシリコン層14を形成し、ポリシリコン層14をアニ―ル処理して単結晶化する。
(f)図21に示す如く、シリコンエピタキシャル成長層16に歪み検出センサ17を形成する。この場合は、ピエゾ抵抗素子が形成される。
(h)図23に示す如く、連通孔18を通して選択エッチングにより、酸化シリコン膜13を除去する。
而して、ダイアフラム3と空隙室4が構成される。
実開平01−171337では、ダイアフラムの作製を深堀のアルカリエッチングで行うため、数um〜数10umの厚み制御を数um単位で行うことが難しく、感度のばらつきを抑制することが困難である。
実開平01−171337,特開平02−032224に用いられている深堀のアルカリエッチングの問題点としては、薬液の温度の影響を受けやすく厚みの制御が難しいこと、エッチングによる深堀量の大きさに対して、ダイアフラム膜厚の精度が高く要求され、制御が難しいこと、エッチングの際に薬液から素子面側を保護する必要があることが挙げられる。
1)振動式差圧センサの構造に対しては、
感度のばらつきを抑えることができるダイアフラム厚みの制御性の良い構造。
ダイアフラム共振を防ぐ隙間(サブum〜数10um以上)をサブumの精度で実現できる構造。
ウエハのインチサイズによらない振動式差圧センサの製造方法。
ダイアフラムの厚さが異なっても同一のマスクで作製可能な振動式差圧センサの製造方
法。
ダイアフラムの厚みばらつきの少ない感度のそろったダイアフラムを有する振動式差圧
センサの製造方法。
法。
研削研磨工程と接合工程後の工程に振動子形歪ゲージ素子を完成させるための前工程を
含まない簡略な工程とする振動式差圧センサの製造方法。
(1)一方の素子面に歪ゲージ素子が設けられ、他方の研削研磨面が研磨されてダイヤフラムが形成されるセンサ基板と、この研削研磨面に接合されたベース基板と、前記ベース基板と前記センサ基板との接合部に設けられ、所定の隙間を有する凹部と、この凹部に測定圧を導入する導入孔とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
個々のウエハ厚さのばらつきを考慮して、ウエハごとに研磨量を調整できるため、例えば、数um〜サブum程度の精度でダイアフラム厚みを容易に制御できる。そのため、感度のバラツキを抑制可能な振動式差圧センサが得られる。
接合に異種材料を使用しないため、接合部分がシリコンの母材強度と同等の破壊強度を実現できる。よって、破壊耐圧特性に優れた振動式差圧センサが得られる。
温度及び圧力履歴により生じる異種材料間の内部残留歪も抑えられ、ヒステリシスの無い構造を実現できる振動式差圧センサが得られる。
ベース基板の凹部の隙間形成時のエッチング量が少ないため、高精度な隙間の制御性の良い振動式差圧センサが得られる。
特に、プラズマを用いたエッチングを用いれば、製造工程は単純になり、コストを抑え、感度が揃った振動式差圧センサが得られる。
個々のウエハ厚さのばらつきを考慮して、ウエハごとに研磨量を調整できるため、例えば、数um〜サブum程度の精度でダイアフラム厚みを容易に制御できる。そのため、感度のバラツキを抑制可能な振動式差圧センサが得られる。
接合に異種材料を使用しないため、接合部分がシリコンの母材強度と同等の破壊強度を実現できる。よって、破壊耐圧特性に優れた振動式差圧センサが得られる。
温度及び圧力履歴により生じる異種材料間の内部残留歪も抑えられ、ヒステリシスの無い構造を実現できる振動式差圧センサが得られる。
センサ基板の凹部の隙間形成時のエッチング量が少ないため、高精度な隙間の制御性が良い振動式差圧センサが得られる。
特に、プラズマを用いた等方性エッチングを用いれば、製造工程は単純になり、ダイアフラム周辺での応力集中部分に丸みを持たせることでき、破壊耐圧が増加する。そのため、コストを抑え、感度が高い振動式差圧センサが得られる。
研削研磨工程により、実質的にダイアフラム厚みが決まることから、アルカリエッチングによる深堀と異なりエッチングの深さによるダイアフラム形状の差異を考慮したマスクが必要なくなる。また、アルカリエチングとは異なり、インチサイズの小さなウエハ(4インチウエハ等)による試作結果を用いて、インチサイズの大きなウエハ(8インチ,12インチ等)で製品にする場合でも、同一のマスクパターンと同一プロセスを適用できるため、量産化の移行を効率的に行える。そのため、ウエハのインチサイズによらない振動式差圧センサの製造方法が得られる。
エッチング量が少ないベースウエハの凹部の深さにて隙間を決定することができるため、例えば、数10um〜サブum以下までの隙間を容易に作成可能である。また、エッチング量も少ないことから、その精度もサブum程度の高精度で制御が可能である。その結果、制御性が良い状態で、ダイアフラムの共振を抑制するための狭い隙間が製作可能な振動式差圧センサの製造方法が得られる。
上述の常温直接接合あるいは金属拡散接合などによるダイアフラム作製工程は、例えば、400度以下で構成できるので、差圧センサの特性に悪影響を与えるようなシリコンのクリープや熱歪が残留しない。そのため、良好な特性の振動式差圧センサの製造方法が得られる。
研削研磨工程により、実質的にダイアフラム厚みが決まることから、アルカリエッチングによる深堀と異なりエッチングの深さによるダイアフラム形状の差異を考慮したマスクが必要なくなる。また、アルカリエッチングとは異なり、インチサイズの小さなウエハ(4インチウエハ等)による試作結果を用いて、インチサイズの大きなウエハ(8インチ,12インチ等)で製品にする場合でも、同一のマスクパターンと同一プロセスを適用できるため、量産化の移行を効率的に行える。そのため、ウエハのインチサイズによらない振動式差圧センサの製造方法が得られる。
エッチング量が少ないベースウエハの凹部の深さにて隙間を決定することができるため、例えば、数10um〜サブum以下までの隙間を容易に作成可能である。また、エッチング量も少ないことから、その精度もサブum程度の高精度で制御が可能である。その結果、制御性が良い状態で、ダイアフラムの共振を抑制するための狭い隙間が製作可能な振動式差圧センサの製造方法が得られる。
上述の常温直接接合あるいは金属拡散接合などによるダイアフラム作製工程は、例えば、400度以下で構成できるので、差圧センサの特性に悪影響を与えるようなシリコンのクリープや熱歪が残留しない。そのため、良好な特性の振動式差圧センサの製造方法が得られる。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2は図1の要部構成説明図、図3は図1の製作工程説明図、図4は図3のプロセスフローチャート説明図である。
貼り付け用材料522を用いて、センサウエハ510の素子面とサポートウエハ521を貼り付ける。ここでの貼り付け用材料522とは、熱可塑性接着剤、薬液溶解型接着剤、UV接着剤、両面テープ、WAX等である。貼り付け精度は、以降の研削研磨の厚みのばらつきに影響を及ぼすためTTV(total thickness variation, ウエハ面内厚みの最小値と再大値の差)や反りを制御する必要がある。サポートウエハ521には、サファイア、ガラス、シリコン等の素材を使用する。また、サポートウエハの形状は、特に制約するものではない。
サポートウエハ521に貼り付けられたセンサウエハ510の振動子形歪ゲージ素子411と反対側の面531を研削研磨により、所望の厚みまで薄くする。この際、研削時の破砕層や研削跡がなくなるまで研磨を実施する必要がある。
ベースウエハ540には、圧力導入孔541と凹部542を形成する。ベースウエハ540は、プラズマエッチング及びウェットエッチング等、圧力導入孔541が形成できる手法であればどのような手法を用いても良い。また、この孔の形状は導入孔であればどのような孔でも良い。また、凹部542も同様に、プラズマエッチング及びウェットエッチング等を用いて形成する。
圧力導入孔541と凹部542を製作したベースウエハ540とサポートウエハ521に貼り付けられている研削研磨済みセンサウエハ510とを接合する。
その際、貼り合わせ用材料が耐熱温度以下で、ベースウエハ540とセンサウエハ510を接合する必要がある。
ウエハの最終工程として、接合後にサポートウエハ521を剥離した接合済みウエハ560のダイシングを行う。これにより振動式差圧センサ400が完成する。
同様に、圧力のレンジに応じてダイアフラム412の形状や厚みを変える要求に対しても、上述の接合を用いたダイアフラム形成ではダイアフラム412の形状や厚みに依存せず同一のマスクと同一のプロセスで実現できる。
この工程を経たセンサウエハ710は、センサウエハ710の一方の面に振動子形歪ゲージ611が配されており、振動子形歪ゲージ素子611の形成、金属配線が既に完成したウエハである。つまり、振動子形歪ゲージ素子611を配した面の加工は既に完了しており、以降の工程で加工の必要は無い。
貼り付け用材料722を用いて、センサウエハ710の素子面とサポートウエハ721を貼り付ける。ここでの貼り付け用材料722とは、熱可塑性接着剤、薬液溶解型接着剤、UV接着剤、両面テープ、WAX等である。
サポートウエハ721に貼り付けられたセンサウエハ710の振動子形歪ゲージ素子611と反対側の面731を研削研磨により、所望の厚みまで薄くする。この際、研削時の破砕層や研削跡がなくなるまで研磨を実施する必要がある。
センサウエハ710を100um以下に研削研磨する場合、ウエハ単体でハンドリングすると簡単にウエハが割れてしまうが、サポートウエハ721がついた状態では、数10um以下のセンサウエハ710でもハンドリングが可能である。
研削研磨面にレジストを用いたフォトリソグラフィーにより開口部を設け、開口部分をドライエッチング等の手法によりエッチングする。エッチング後にはレジストを剥離することにより、センサウエハの凹部742が形成できる。
ベースウエハ740には、圧力導入孔741を形成する。圧力導入孔741は、プラズマエッチング及びウェットエッチング等、圧力導入孔形成できる手法であればどのような手法を用いても良い。また、この孔の形状は導入孔であればどのような孔でも良い。
圧力導入孔741を製作したベースウエハ740と凹部742を製作したセンサウエハ710とを接合する。その際、貼り合わせ用材料の耐熱温度以下で、ベースウエハとセンサウエハを接合する必要がある。
プラズマ活性化接合は、Ar,N2,O2等のガスを用いたプラズマで表面にOH基を配した状態で、表面同士を仮接合(単に貼り付ける行為)後、400度程度の温度でアニールすることにより接合強度を高める技術である。この技術では、接合時にOH基に起因して発生する水分がボイドの原因となるが、接合面積が小さいダイアフラムのような構造では、水分が接合界面から離脱でき、ボイドのない良好な接合を実現できる。
薄く研磨された後に直接接合されたセンサウエハとベースウエハをサポートウエハから切り離す。サポートウエハからの剥離方法は、使用する接着剤によりその方法が異なる。例えば、熱可塑性接着剤では温度をかけた状態でスライドさせることにより剥離する。
ウエハの最終工程として、接合後にサポートウエハを剥離した接合済みウエハ760のダイシングを行う。これにより振動式差圧センサ600が完成する。
そのため、コストを抑え、感度高い振動式差圧センサが得られる。
同様に圧力のレンジに応じてダイアフラムの形状や厚みを変える要求に対しても、上述の接合を用いたダイアフラム形成方法ではダイアフラムの形状や厚みに依存せずに同一のマスクと同一のプロセスで実現できる。
常温直接接合あるいは金属拡散接合などを含むダイアフラム作製工程が、例えば、400度以下で構成できるので、差圧センサの特性に影響を与えるようなシリコンのクリープや熱歪が残留しない。そのため、良好な特性の振動式差圧センサの製造方法が得られる。
である。
振動式差圧センサ800は、センサ基板810とベース基板830により構成される。ベース基板830には、プラズマエッチング及びアルカリエッチングにより、導入孔845が設けられている。この孔の形状は導入孔であればどのような穴でも良い。振動子形歪ゲージ素子811はダイアフラムの上面815に製作されている。
具体的な形状としては、図10に示すごとく、四角形860、円形865、多角形870等が考えられる。ベース基板830の凹部835部分は、サブum〜数10um以下の狭い隙間であるため、アルカリ薬液(KOH,TMAH等)を用いて深堀エッチングするダイアフラムの形成方法と異なり、エッチングの面方位によるマスクパターンの形状制約が無い。
この工程を経たセンサウエハ910は、センサウエハ910の一方の面911に振動子形歪ゲージ素子811が配されており、振動子形歪ゲージ素子811の形成、金属配線が既に完成したウエハである。つまり、振動子形歪ゲージ素子811を配した面911の加工は既に完了しており、以降の工程で加工の必要は無い。
貼り付け用材料922を用いて、センサウエハ910の素子面とサポートウエハ921を貼り付ける。ここでの貼り付け用材料922とは、熱可塑性接着剤、薬液溶解型接着剤、UV接着剤、両面テープ、WAX等である。
サポートウエハ921に貼り付けられたセンサウエハ910の振動子形歪ゲージ素子811と反対側の面931を研削研磨により、所望の厚みまで薄くする。この際、研削時の破砕層や研削跡がなくなるまで研磨を実施する必要がある。
研削研磨面にレジストを用いたフォトリソグラフィーにより開口部を設け、開口部分をドライエッチング等の手法によりエッチングする。エッチング後にはレジストを剥離することにより、センサウエハの丸み部932が形成される。
ベースウエハ940には、圧力導入孔941と凹部942を形成する。ベースウエハ940は、プラズマエッチング及びウエットエッチング等、圧力導入孔が形成できる手法であればどのような手法を用いても良い。また、この孔の形状は導入孔であればどのような孔でも良い。また、凹部942も同様に、プラズマエッチング及びウエットエッチング等を用いて形成する。
圧力導入孔941と凹部942を製作したベースウエハ940と丸み部932を製作したセンサウエハ910とを接合する。その際、貼り合わせ用材料の耐熱温度以下で、ベースウエハ940とセンサウエハ910を接合する必要がある。
常温直接接合と同様に高真空下で接合を実施する。この接合においては異種材料が非常に薄く原子層レベルで付いているだけなので、差圧センサの特性を悪化させることは無く接合できる。
プラズマ活性化接合は、Ar,N2,O2等のガスを用いたプラズマで表面にOH基を配した状態で、表面同士を仮接合(単に貼り付ける行為)後、400度程度の温度でアニールすることにより接合強度を高める。この技術では、OH基に起因して発生する水分がボイドの原因となるが、接合面積の小さいダイアフラムのような構造では、水分が接合界面から離脱でき、ボイドのない良好な接合を実現できる。
薄く研磨された後に直接接合されたセンサウエハ910とベースウエハ940をサポートウエハ921から切り離す。サポートウエハ921からの剥離方法は、使用する接着剤によりその方法が異なる。例えば、熱可塑性接着剤では温度をかけた状態でスライドさせることにより剥離する。
ウエハの最終工程として、接合後にサポートウエハ921を剥離した接合済みウエハ960のダイシングを行う。これにより振動式差圧センサ800が完成する。
ダイアフラム812の厚さを接合前に研削研磨により調整できるため、例えば、数um〜サブum程度の精度でダイアフラム812の厚みを容易に制御できる。そのため、感度のバラツキを抑制可能な振動式差圧センサが得られる。
そのため、コストを抑え、感度高い振動式差圧センサが得られる。
同様に、圧力のレンジに応じてダイアフラム812の形状や厚みを変える要求に対しても、上述の常温直接接合あるいは金属拡散接合などによる接合を用いたダイアフラム形成ではダイアフラム812の形状や厚みに依存せず同一のマスクと同一のプロセスで実現できる。
102 ダイアフラム
400 振動式差圧センサ
410 センサ基板
411 振動子形歪ゲージ素子
412 ダイアフラム
415 上面
420 ダイアフラムの厚み
430 ベース基板
435 凹部
440 凹部の部分の寸法
445 導入孔
446 流体
460 四角形
465 円形
470 多角形
510 センサウエハ
521 サポートウエハ
522 貼り付け用材料
531 反対側の面
540 ベースウエハ
541 圧力導入孔
542 凹部
560 ポートウエハを剥離した接合済みウエハ
600 振動式差圧センサ
610 センサ基板
611 振動子形歪ゲージ素子
612 ダイアフラム
615 上面
620 ダイアフラムの厚み
630 ベース基板
635 凹部
640 凹部の部分の寸法
645 導入孔
646 流体
650 丸み
660 四角形
665 円形
670 多角形
710 センサウエハ
721 サポートウエハ
722 貼り付け用材料
731 反対側の面
740 ベースウエハ
741 圧力導入孔
742 凹部
760 ポートウエハを剥離した接合済みウエハ
800 振動式差圧センサ
810 センサ基板
811 振動子形歪ゲージ素子
812 ダイアフラム
815 上面
820 ダイアフラムの厚み
830 ベース基板
835 凹部
840 凹部の部分の寸法
845 導入孔
846 流体
850 丸み
860 四角形
865 円形
870 多角形
910 センサウエハ
921 サポートウエハ
922 貼り付け用材料
931 反対側の面
932 丸み
940 ベースウエハ
941 圧力導入孔
942 凹部
960 ポートウエハを剥離した接合済みウエハ
Claims (9)
- 一方の素子面に歪ゲージ素子が設けられ、他方の研削研磨面が研磨されてダイヤフラムが形成されるセンサ基板と、
この研削研磨面に接合されたベース基板と、
前記ベース基板と前記センサ基板との接合部に設けられ、所定の隙間を有する凹部と、
この凹部に測定圧を導入する導入孔とを具備した
ことを特徴とする圧力センサ。 - 前記凹部が前記ベース基板または前記センサ基板のいずれか一方のみに形成されることを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。
- 以下の工程を有することを特徴とする圧力センサの製造方法。
(a)センサウエハの一方の素子面に歪ゲージ素子を形成する工程。
(b)前記センサウエハの他方の研削研磨面にサポートウエハが貼り付けられる貼付工程。
(c)前記研削研磨面が研削研磨されてダイヤフラムが形成される研削研磨工程。
(d)ベースウエハの一方の面に所定の隙間を有する凹部を形成する凹部形成工程。
(e)前記研削研磨面と前記ベースウエハの一方の面とを接合する接合工程。
(f)前記素子面から前記サポートウエハを剥離するサポートウエハ剥離工程。 - 以下の工程を有することを特徴とする圧力センサの製造方法。
(a)センサウエハの素子面に歪ゲージ素子を形成する工程。
(b)前記センサウエハの他方の研削研磨面にサポートウエハが貼り付けられる貼付工程。
(c)前記研削研磨面が研削研磨されてダイヤフラムが形成される研削研磨工程。
(d)前記研削研磨面に所定の隙間を有する凹部を形成するパターニング工程。
(e)前記研削研磨面と前記ベースウエハとを接合する接合工程。
(f)前記素子面から前記サポートウエハを剥離するサポートウエハ剥離工程。 - 前記歪ゲージ素子を形成する工程(a)において、
前記素子面に金属配線が形成される
ことを特徴とする請求項3または4に記載の圧力センサの製造方法。 - 前記貼付工程(b)において、
貼り付け用材料が、熱可塑性接着剤、薬液溶解型接着剤、UV接着剤、両面テープ、WAXのいずれかであり、
貼り付け精度が、ウエハ面内厚みの最小値と最大値の差またはウエハ面内の反りで制御され、
前記サポートウエハが、サファイヤ、ガラス、シリコンのいずれかである
ことを特徴とする請求項3または4に記載の圧力センサの製造方法。 - 前記研削研磨工程(c)の後に洗浄工程を備え、
この洗浄工程では、物理洗浄または酸アルカリ洗浄のいずれかを用い、貼り付け用材料の耐熱温度以下で実施し、この貼り付け用材料が薬液耐性を有する薬液を使用し、
前記物理洗浄はCO 2 洗浄または2流体洗浄である
ことを特徴とする請求項3または4に記載の圧力センサの製造方法。 - 前記接合工程(e)において、
前記研削研磨面と前記ベースウエハとが、貼り合わせ用材料の耐熱温度以下で接合され、常温直接接合、金属拡散接合およびプラズマ活性化接合のいずれかで接合される
ことを特徴とする請求項3または4に記載の圧力センサの製造方法。 - 前記サポートウエハ剥離工程(f)において、前記センサウエハと前記サポートウエハとに熱がかけられ、
前記サポートウエハ剥離工程(f)後に、前記素子面がスピン洗浄または薬液浸漬にて洗浄される
ことを特徴とする請求項3または4に記載の圧力センサの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101568101B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 스트레인 게이지 모듈 및 그 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130591A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ウエハの製作方法 |
JPH07254717A (ja) * | 1994-11-28 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | シリコン結晶体の接合方法 |
JPH11298009A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Denso Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP2007017199A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | チップスケールパッケージおよびその製造方法 |
WO2009090851A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | Alps Electric Co., Ltd. | 圧力センサ及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-07-08 JP JP2014140184A patent/JP5884999B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130591A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ウエハの製作方法 |
JP2863980B2 (ja) * | 1993-10-29 | 1999-03-03 | 株式会社山武 | ウエハの製作方法 |
JPH07254717A (ja) * | 1994-11-28 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | シリコン結晶体の接合方法 |
JP2602003B2 (ja) * | 1994-11-28 | 1997-04-23 | 株式会社東芝 | シリコン結晶体の接合方法 |
JPH11298009A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Denso Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP3570218B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2004-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP2007017199A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | チップスケールパッケージおよびその製造方法 |
WO2009090851A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | Alps Electric Co., Ltd. | 圧力センサ及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101568101B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 스트레인 게이지 모듈 및 그 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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