JP2007017199A - チップスケールパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することのできるチップサイズパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品のパッケージング１００は、ＭＥＭＳ素子として加速度センサ１０１を有するセンサ基板１と、センサ基板１を封止する封止基板２とが、第１接着層２２を介して、互いに接着されている。さらに、第１接着層２２は、センサ基板１と封止基板２との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙Ｇが形成されている。また、加速度センサ１０１は、互いに対向する封止基板２とシリコン基板２０との間に挟持され、シリコン基板２０と加速度センサ１０１とは、第２接着層２１により接着されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子部品のチップスケールパッケージおよびその製造方法に関するものであり、特に、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ:Micro Electro Mechanical System）素子やその他の機能素子を搭載し、気密封止された電子デバイスに好適に利用できるチップスケールパッケージおよびその製造方法に関するものである。

近年、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）に基づく機能部品、機能要素、機能素子など（以下、総称して「ＭＥＭＳ素子」という）が注目されている。ＭＥＭＳ素子は、非常に小型でありながら、複雑で高度な働きを奏することができる。また、ＭＥＭＳ素子は、通常、基板と、その能動面に一体的に形成された機械的に動作する微小な機械構造体（「微小機械部品」）と、微小機械部品を動作させる電子部品などとを有している。微小機械部品は、一般的に、マイクロマシニング技術によって製造することができる。微小機械部品の具体例は、例えば、リレイ、センサなどであり、これらの微小機械部品を搭載した電子デバイスは、情報通信、自動車、家電製品、産業機械などの分野で有利に利用することができる。

例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳ素子の実装方法が開示されている。図８（ａ）〜図８（ｍ）は、従来のＭＥＭＳ素子の実装方法を示す工程図である。

まず、図８（ａ）に示すように、シリコンウエハ４２２を用意し、洗浄、乾燥によってシリコンウエハ４２２の表面から塵埃などを除去する。

次いで、図８（ｂ）に示すように、シリコンウエハ４２２の片面に第１フォトレジスト４２１を所定の膜厚となるように塗布し、形成すべきキャビティ４１２及びスルーホール４２４に合わせてパターニングする。得られた第１フォトレジスト４２１によるレジストパターンをレジストマスクとしてシリコンウエハ４２２をエッチングし、キャビティ４１２及びスルーホール４２４を形成する。この時、スルーホール４２４は、未貫通である。

引き続いて、図８（ｃ）に示すように、キャビティ４１２を覆うように第２フォトレジスト４２３を塗布し直す。そして、得られた第２フォトレジスト４２３によるレジストパターンをレジストマスクとして、再びシリコンウエハ４２２をエッチングして、未貫通のスルーホール４２４を貫通させる。

次いで、図８（ｄ）に示すように、フォトマスクとして使用した第２フォトレジスト４２３の皮膜を除去した後、酸化性雰囲気中で加熱処理を行い、シリコンウエハ４２２の表面に、図示しないシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）を絶縁膜として形成する。
さらに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）の形成後、図示しないが、銅（Ｃｕ）の無電解めっきによって、後続の工程において電解めっきを行うための給電層を形成する。なお、この給電層は、例えば、クロム（Ｃｒ）とＣｕとのスパッタなどでも構わない。

次いで、図８（ｅ）に示すように、第３フォトレジスト４２５をシリコンウエハの両面に所定の膜厚となるように塗布し、配線となる部分が露出するようにパターニングする。

その後、図８（ｆ）に示すように、給電層から給電し、Ｃｕの電解めっきを行う。ここで、先の工程で得られた第３フォトレジスト４２５によるレジストパターンがレジストマスクとして機能するため、露出部分には、Ｃｕからなる配線パターン４２６が、金属層として形成される。Ｃｕはスルーホール４２４の内部にも充填されるため、配線パターン４２６は、Ｃｕが充填されたビアである。配線パターン４２６の形成には、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法等、各種の方法を使用できる。

次に、図８（ｇ）に示すように、使用済みの第３フォトレジスト４２５によるレジストパターンを剥離して除去した後、さらに給電層をエッチングによって除去する。これにより、キャビティ４１２と配線パターン４２６とを備えたシリコンウエハ４２２が得られる。

引き続いて、図８（ｈ）に示すように、配線パターン４２６のパッドに、ＭＥＭＳ基板４１１との接合用バンプ４２７を形成する。接続用バンプ４２７は、例えば、ワイヤボンディングによって形成される、金（Ａｕ）からなるスタッドバンプである。さらに続けて、シリコンウエハ４２２を切断線Ｃの部分で切断して、個々の配線基板（パッケージ）４２０に分離する。切断処理は、例えばダイサーなどを使用して行うことができる。図８（ｉ）は、切断処理により得られた、１つの配線基板４２０を示している。

次いで、図８（ｊ）に示すように、ＭＥＭＳ基板４１１を、配線基板４２０に対して正確に位置合わせする。ＭＥＭＳ基板４１１は、マイクロカンチレバー（ＭＥＭＳ素子）４４４およびＡｌ電極４３１が表面に形成されたシリコン基板である。

位置合わせの完了後、図８（ｋ）に示すように、ＭＥＭＳ基板４１１のＡｌ電極４３１と、配線基板４２０の配線パターン４２６とを、Ａｕからなる接合用バンプ４２７を介して超音波接合する。これにより、ＭＥＭＳ基板４１１と配線基板４２０とが、接合される。

超音波接合後、図８（ｌ）に示すように、形成された超音波接合部４３３の外側に、ディスペンサ（図示せず）によって封止樹脂（エポキシ樹脂）４３２を注入し、封止する。

最後に、図８（ｍ）に示すように、配線基板４２０の配線パターン４２６のパッドに外部接続端子として、ハンダボール４３７を搭載する。

このように、特許文献１では、ＭＥＭＳ基板４１１と配線基板４２０とを、超音波接合している。
特開２００４−２０９５８５号公報（平成１６年７月２９日公開）

しかしながら、特許文献１の実装方法は、超音波接合を行うため、超音波の振動により、マイクロカンチレバー４４４が損傷する虞がある。

具体的には、特許文献１では、配線基板４２０の接合用バンプ４２７と、ＭＥＭＳ基板４１１のＡｌ電極４３１とを超音波接合している。超音波接合では、特に、ＭＥＭＳ基板４１１上のマイクロカンチレバー４４４などの部品に、超音波による過剰な振動が与えられる。このため、マイクロカンチレバー４４４などの機械的動作部分が損傷する虞がある。

また、エアダンピング効果によりマイクロカンチレバー４４４の耐衝撃性を向上することが困難である。

具体的には、特許文献１では、配線基板４２０の接合用バンプ４２７と、ＭＥＭＳ基板４１１のＡｌ電極４３１とを超音波接合している。図８において、「エアダンピング効果」とは、マイクロカンチレバー４４４に衝撃が加わった際に、ＭＥＭＳ基板４１１と配線基板４２０との間隔（つまりキャビティ４８８の間隔）が、衝撃を緩和して、マイクロカンチレバー４４４の耐衝撃性を高める効果のことである。エアダンピング効果によりマイクロカンチレバー４４４の耐衝撃性を向上するためには、超音波接合部４３３の厚さ（すなわちキャビティ４８８の間隔）を制御して、ＭＥＭＳ基板４１１と配線基板４２０との間隔を厚くする必要がある。この間隔を厚くするため、超音波接合部４３３の厚さを制御するには、メッキやバンプの条件に加えて、超音波条件を設定する必要がある。例えば、メッキの媒体の種類および使用量、並びに、電流等の電気的条件を設定する必要がある。

しかしながら、このような条件設定は、超音波接合部４３３を変えるごとに、設定しなければならない。このため、超音波接合部４３３の厚さを制御することは、極めて煩雑で困難である。このように、特許文献１の方法では、キャビティ４８８の高さが制御困難であり、エアダンピング効果によるＭＥＭＳ素子に対する耐衝撃性の向上が期待できない。

なお、特許文献１では、蓋体である配線基板４２０と、センサ本体であるマイクロカンチレバー４４４が形成されたＭＥＭＳ基板４１１とを、ダスト環境の異なる別工程により製造している。このため、ダスト環境の異なる場所に移動するため工程が必要となり、製造工程が複雑となるとともに、製造時間が長時間化する。このように、超音波接合を利用する方法では、歩留り低下や工程の増加、さらには、コストの増大を招く虞もある。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することのできるチップサイズパッケージおよびその製造方法を提供することにある。

本発明のチップスケールパッケージは、上記の課題を解決するために、センサ素子としてマイクロエレクトロメカニカルシステム素子（ＭＥＭＳ素子）を有するセンサ基板と、センサ基板と電気的に接続された第１封止基板とを備え、上記センサ基板と第１封止基板との間に、これらを互いに接着する第１接着層が形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、センサ基板と第１封止基板とが、第１接着層を介して、互いに接着されている。この接着は、超音波接合ではなく、第１接着層（接着剤）による接着である。したがって、超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぐことができる。

しかも、上記の構成では、センサ基板と封止基板との間隔を、超音波接合の場合のように複雑な超音波条件を設定することなく、第１接着層の厚さにより制御できる。第１接着層の厚さは、第１接着層を形成する接着剤の量により、容易に制御できる。したがって、超音波接合の場合に比べて、極めて簡便にチップスケールパッケージを製造できる。さらに、第１接着層が厚ければ、ＭＥＭＳ素子に対する衝撃を緩和できる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記第１接着層は、上記センサ基板と封止基板との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙を有するように形成されていることが好ましい。

上記の構成によれば、センサ基板と封止基板との間に、第１接着層による空隙が形成されている。そして、この空隙は、エアダンピング効果が得られる程度のものである。ここで、「エアダンピング効果」とは、ＭＥＭＳ素子に衝撃が加わった際に、センサ基板と封止基板との間の空隙が、衝撃を緩和して、ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を高める効果のことである。したがって、この空隙により、ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を向上させることができる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記空隙の高さは、５〜１００μｍであってもよい。

上記の構成によれば、エアダンピング効果を得るための空隙の高さが、５〜１００μｍである。これにより、確実にエアダンピング効果による、ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を得ることができる。

上記チップスケールパッケージにおいて、第１接着層は、上記空隙を形成するためのビーズを含む構成であってもよい。

上記の構成によれば、第１接着層が、空隙を形成するためのビーズを含んでいる。これにより、エアダンピング効果を得るための空隙を、ビーズの大きさにより、容易に調整できる。なお、上記チップスケールパッケージでは、超音波接合を用いないため、製造中にこのビーズが破壊されたり、離脱したりすることはない。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記封止基板は、上記センサ基板と電気的に接続するための再配線層と、その再配線層上に形成された外部端子とを備える構成であってもよい。

上記の構成によれば、封止基板が、再配線層と外部端子とを備えている。これにより、センサ基板と封止基板とが、再配線層によって互いに電気的に接続される。また、再配線層上に形成された外部端子により、外部との接続も可能である。この再配線層は、任意の形状に設計することが可能であるため、再配線層上の任意の位置に、電極等の外部端子を形成することができる。これにより、センサ基板の封止基板との接続部分のピッチに関係なく、再配線層上の任意の位置に、外部端子を形成することができる。したがって、外部端子の設計の自由度が、極めて高くなる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記センサ基板は、上記第１封止基板との間に、上記ＭＥＭＳ素子を挟持する第２封止基板を備え、上記第２封止基板とＭＥＭＳ素子との間に、これらを互いに接着する第２接着層が形成されている構成であってもよい。

上記の構成によれば、センサ基板が有する第２封止基板と、第１封止基板とにより、ＭＥＭＳ素子が挟持される。さらに、第２封止基板とＭＥＭＳ素子とは、第２接着層を介して接着されている。これにより、第１接着層と同様に、第２接着層により、ＭＥＭＳ素子に対する衝撃を緩和することができる。したがって、ＭＥＭＳ素子の両面からの衝撃を緩和することができ、ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性をより強固なものとすることができる。

なお、第２封止基板は、集積回路を搭載した基板であってもよい。これにより、より複雑で高度な機能を有するチップスケールパッケージングを、簡便な工程で製造することができる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記第２接着層は、可撓性を有する構成であってもよい。

上記の構成によれば、第２接着層として、可撓性を有する接着剤が用いられるため、ＭＥＭＳ素子に対する衝撃の緩和効果を高めることができる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記マイクロエレクトロニカルシステム素子、第１封止基板、および第２封止基板が、同一の熱膨張係数を有する材料からなる構成であってもよい。

上記の構成によれば、センサ基板および封止基板を構成する、マイクロエレクトロニカルシステム素子、第１封止基板、および第２封止基板が、同一の熱膨張係数を有する材料（例えば、同一材料）から形成されている。これにより、チップスケールパッケージの製造時に、これらの部材に、熱膨張係数の差による応力が発生することを防ぐことができる。

上記チップスケールパッケージにおいて、上記第１接着層は、導電性を有する構成であってもよい。

上記の構成によれば、第１接着層が、導電性を有する材料から形成された、導電性接着層である。これにより、この導電性接着層は、センサ基板１と封止基板とを電気的に接続するとともに、センサ基板１と封止基板２ｂとを接着する機能を果たす。従って、製造工程を簡略化することができる。

本発明のチップスケールパッケージの製造方法は、上記の課題を解決するために、センサ素子としてＭＥＭＳ素子を有するセンサ基板と、センサ基板と電気的に接続される封止基板とを、第１接着層を介して、互いに接着する接着工程を含むことを特徴としている。

上記の構成によれば、上記のチップスケールパッケージを容易に製造することができる。また、上記の構成では、超音波接合を用いないため、煩雑な条件設定を行うこと必要がない。また、センサ基板と封止基板との接続を、ダスト環境の異なる場所に移動することなく同じ場所で行うことができる。したがって、簡便な工程で、歩留り低下やコスト増大のない、チップスケールパッケージ製造できる。

本発明のチップスケールパッケージは、以上のように、センサ基板と第１封止基板との間に、これらを互いに接着する第１接着層が形成されている構成である。それゆえ、超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぐことができるという効果を奏する。さらに、超音波接合の場合に比べて、極めて簡便にチップスケールパッケージを製造できる。

以下、図１〜図６に基づき、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は、これに限定されるものではない。

〔実施の形態１〕
図１（ａ）および図１（ｂ）は、本実施形態の電子部品パッケージ（単に「パッケージ」という）１００の断面図である。

パッケージ（チップスケールパッケージ）１００は、センサ基板１および封止基板２を備えており、センサ基板１上に、第１接着層２２を介して、封止基板２が積層された構造である。

センサ基板１は、センサ素子としてＭＥＭＳ素子を有する基板である。本実施形態では、センサ基板１は、ＭＥＭＳ素子として加速度センサ１０１を有するシリコン基板２０である。加速度センサ１０１は、第２接着層２１により、シリコン基板２０上に接着されている。

加速度センサ１０１は、カバーガラス１６の一方の面に形成されたシリコン層８およびピエゾ抵抗素子１４と、カバーガラス１６の他方（反対）の面に形成された電極パッド１５を備えている。

シリコン層８は、カバーガラス１６の中央部に設けられた錘部１１，カバーガラス１６の両端部の支持部１２，および、錘部１１と錘部１１との間の可撓部１３を備え、これら各部が一体的に形成された構造である。支持部１２のシリコン基板２０方向の厚さは、錘部１１および可撓部１３よりも厚くなっている。そして、支持部１２とシリコン基板２０との間に形成された第２接着層２１により、シリコン基板２０と加速度センサ２０とが互いに接着される。このため、シリコン層８の中央部には、支持部１２，可撓部１３および第２接着層２１およびシリコン基板２０により囲まれた空隙が形成されている。なお、シリコン層８には、図示しない、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜が形成されている。

ピエゾ抵抗素子１４は、加速度センサ１０１の加速度検出部となる。ピエゾ抵抗素子１４は、可撓部１３に形成されている。

電極パッド１５は、封止基板２と電気的に接続するためのものである。電極パッド１５は、カバーガラス１６における、支持部１２の領域の反対側に設けられる。

この加速度センサ１０１に、加速度に比例した外力が加えられると、支持部１２に対して錘部１１が動き、それに伴って可撓部１３が変形する。その結果、ピエゾ抵抗素子１４に加えられる応力が変化し、抵抗値が変化する。ピエゾ抵抗素子１４の抵抗変化は微小であるため、可撓部１３上に４個のピエゾ抵抗素子１４を配してホィートストンブリッジ回路を構成し、この抵抗変化を電圧変化として検出する。

封止基板２は、センサ基板１を封止する基板である。図１では、センサ基板１（より詳細にはカバーガラス１６）の電極パッド１５が形成された面が、封止基板２により覆われている。封止基板２は、第１接着層２２により、センサ基板１と接続されている。

封止基板２は、シリコン基板２３，第１配線層２５，第２配線層２６，および，ハンダボール２７を備えている。

シリコン基板２３は、封止基板２の土台となるものである。シリコン基板２３は、集積回答が搭載されていてもよい。シリコン基板２３は、センサ基板１の電極パッド１５に対応する位置に、開口部を有する。封止基板２のシリコン基板２３は、センサ基板１のシリコン基板２０と対向しており、シリコン基板２０および２３の間に、加速度センサ１０１が挟持し、封止される構造となっている。つまり、シリコン基板２０は加速度センサ１０１を封止するための下方封止用基板、シリコン基板２３は加速度センサ１０１を封止するための上方封止用基板である。

なお、シリコン基板２３に変えて、プラスチック基板、ガラス基板等を用いることもできる。また、シリコン基板２３の厚さは、特に限定されるものではない。シリコン基板２３の厚さは、例えば、１００〜５００μｍであることが望ましい。

第１配線層２５は、少なくともシリコン基板２３の開口部を埋めるように形成されている。第１配線層２５は、シリコン基板２３の裏側（センサ基板１側）から、突出した突出部を有する。この突出部が、センサ基板１の電極パッド１５に接続されている。このため、この突出部分には、第１接着層２２は形成されない。

第２配線層２６は、第１配線層２５のシリコン基板２３の表側（センサ基板１と反対側）の表面を覆うように形成されている。

なお、第１配線層２５は開口部に沿って形成されているため、その表面は平坦ではない。しかし、第１配線層２５上に第２配線層２６が積層されることにより、第２配線層２６の表面は平坦となっている。第１配線層２５および第２配線層２６の２層構造からなる再配線層を構成する。

ハンダボール２７は、封止基板２の外部端子（すなわちパッケージ１００の外部端子）となるものであり、第２配線層２６上の任意の位置に形成されている。ハンダボール２７により、パッケージ１００は、外部との電気的な接続が可能となる。また、ハンダボール２７は、第１配線層２５および第２配線争２６からなる再配線層を介して、センサ基板１の電極パッド１５に電気的に接続される。すなわち、封止基板２とセンサ基板１とが、電気的に接続される。

なお、封止基板２の表面（ハンダボール２７側の面）は、保護膜２６により保護されている。ただし、ハンダボール２７の表面は、保護膜２６から露出されている。

ここで、本実施形態のパッケージ１００の特徴部分について説明する。

特許文献１では、センサ基板（図８のＭＥＭＳ基板４１１）と封止基板（図８の配線基板４２０）とが、超音波接合により接合されている（超音波接合部４３３）。しかしながら、超音波接合では、超音波の振動により、ＭＥＭＳ素子が損傷を受ける。さらに、超音波接合では、超音波条件の設定が複雑であるため、超音波接合部４３３の厚さの制御が困難である。このため、エアダンピング効果によるＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を向上が期待できない。

そこで、本実施形態のパッケージ１００では、センサ基板１と封止基板２とが、これらの基板の間に形成された第１接着層２２により互いに接合されている。この接合は、超音波接合ではなく、第１接着層２２（接着剤）による接合である。したがって、超音波の振動による加速度センサ１０１の損傷を防ぐことができる。さらに、超音波接合を用いないため、煩雑な条件設定を行うことなく、簡便な工程で、パッケージ１００を製造できる。

しかも、パッケージ１００では、センサ基板１と封止基板２との間隔を、超音波接合の場合のように複雑な超音波条件を設定することなく、第１接着層２２の厚さにより制御できる。第１接着層２２の厚さは、第１接着層２２を形成する接着剤の量により、容易に制御できる。したがって、超音波接合の場合に比べて、極めて簡便にパッケージ１００を製造できる。さらに、第１接着層２２が厚ければ、加速度センサ１０１に対する衝撃を緩和できる。

また、特許文献１では、超音波接合を用いるため、エアダンピング効果によりＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を得るには、超音波条件を設定する必要がある。しかし、超音波条件の設定は、極めて煩雑であり、エアダンピング効果を得るための空隙（超音波接合部４３３の間隔）を制御することは困難である。このため、超音波接合の場合、エアダンピング効果によるＭＥＭＳ素子に対する耐衝撃性の向上が期待できない。

これに対し、パッケージ１００では、第１接着層２２は、シリコン基板２３および加速度センサ１０１のカバーガラス１６により囲まれる領域に、空隙Ｇが形成されるようになっている。そして、この空隙Ｇは、エアダンピング効果が得られる程度のものである。ここで、「エアダンピング効果」とは、加速度センサ１０１に衝撃が加わった際に、センサ基板１と封止基板２との間の空隙Ｇが、衝撃を緩和して、加速度センサ１０１の耐衝撃性を高める効果のことである。したがって、この空隙Ｇにより、加速度センサ１０１の耐衝撃性を向上させることができる。

この空隙Ｇの高さ（厚さ）は、エアダンピング効果が得られる程度のものであれば、特に限定されるものではない。この空隙Ｇの高さは、例えば、５μｍ〜１００μｍであることが好ましい。これにより、確実にエアダンピング効果による、加速度センサ１０１の耐衝撃性を得ることができる。さらに、この範囲では、パッケージ１００の薄型化も実現できる。なお、空隙Ｇの高さは、第１接着層２２の厚さに依存する。

また、エアダンピング効果が得られるか否かは、例えば、加速度センサ１０１を、所定の高さから自由落下させたときの耐衝撃性の測定により判定することができる。例えば、厚さ１００ｍｍの板に、１ｍの高さから加速度センサ１０１を自由落下させた場合の耐衝撃性を測定すると、この落下により、約１５００〜２０００Ｇの衝撃が、加速度センサ１０１に加えられる。エアダンピング効果は、このような耐衝撃性の測定前後において、加速度センサ１０１の特性を比較することによって、その特性に影響がない範囲のものを、エアダンピング効果有りと確認できる。なお、エアダンピング効果が得られるか否かの判定値は、目的とする加速度センサ１０１の機能（特性）に応じて設定すればよく、その機能（特性）を果たすものを、エアダンピング効果有りと判定すればよい。また、加速度センサ１０１の機能（特性）を果たすか否かは、任意に設定すればよい。

また、パッケージ１００では、空隙Ｇを確実に形成するため第１接着層２２に、ビーズが混入されている。すなわち、エアダンピング効果を得るための空隙Ｇの高さは、第１接着層２２に含まれるビーズの大きさにより、調整されている。このように、第１接着層２２にビーズが含まれていれば、空隙Ｇの高さを容易に調整できる。パッケージ１００では、超音波接合を用いないため、製造中にこのビーズが破壊されたり、離脱したりすることはない。

なお、空隙Ｇの高さの調整は、ビーズを用いる方法に限定されるものではなく、例えば、球形の固体の混入などの方法などであってもよい。

また、パッケージ１００では、封止基板２は、センサ基板１と電気的に接続するための再配線層３０と、その再配線層３０上に形成されたハンダボール２７とを備えている。

これにより、センサ基板１の電極パッド１５と封止基板２とが、再配線層３０によって互いに電気的に接続される。また、再配線層３０上に形成されたハンダボール２７により、外部との接続も可能となる。この再配線層３０は、任意の形状に設計することが可能であるため、ハンダボール２７は、再配線層３０上の任意の位置に、形成することができる。これにより、センサ基板１の電極パッド１５のピッチに関係なく、再配線層３０上の任意の位置に、ハンダボール２７を形成することができる。したがって、ハンダボール２７の設計の自由度が、極めて高くなる。すなわち、ハンダボール２７のピッチは、加速度センサ１０１の電極パッド１５のピッチにより一意的に決まるものではなく、再配線層３０の範囲で（つまりパッケージ１００のチップサイズの範囲で）、ハンダボール２７の設計に自由度がある。言い換えれば、ハンダボール２７のピッチを調整することにより、実質的に、電極パッド１５のピッチを調整することが可能となる。

また、パッケージ１００では、センサ基板１がシリコン基板２３を備えており、加速度センサ１０１が、シリコン基板２０および２３間に挟持されている。そして、シリコン基板２０と加速度センサ１０１とは、第２接着層２１により、互いに接着されている。これにより、第１接着層２２と同様に、第２接着層２１により、加速度センサ１０１に対する衝撃を緩和することができる。したがって、加速度センサ１０１の両面からの衝撃を緩和することができ、加速度センサ１０１の耐衝撃性をより強固なものとすることができる。

第２接着層２１により、加速度センサ１０１の耐衝撃性を得るには、第２接着層２１が、可撓性を有することが好ましい。すなわち、第２接着層２１が、可撓性を有する接着剤からなることが好ましい。このような、可撓性を有する接着剤は、例えば、可撓性の接着剤は、例えば、シリコンゴム系，エポキシ系等である。このような、可撓性を有する接着剤を用いれば、加速度センサ１０１に対する衝撃の緩和効果を高めることができる。さらに、可撓性を有する接着剤を用いれば、製造工程中およびパッケージ１００の使用中の熱ストレスを、緩和することも可能である。

なお、第１接着層２２は、例えば、フォトリソグラフィ技法によって形成される場合、絶縁性と感光性とを有するブロック共重合ポリイミド系樹脂から形成できる。一方、スクリーン印刷技法によって形成される場合、第１接着層２２は、絶縁性を有するブロック共重合ポリイミド系樹脂から形成できる。

一方、第２接着層２１は、ダイボンドテープを用いた接着を行う場合、例えば、熱可塑性樹脂（ポリイミド系樹脂、およびアクリル系樹脂等）と、熱硬化性樹脂（エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂等）とを成分にする、ポリマーアロイ型接着剤を用いたテープを用いることができる。ここで、ポリマーアロイ型接着剤は、通常は粘着性がなく、例えば、１００℃〜１６０℃で加熱することによって粘着性を示すようになる。一方、ダイボンドペーストによる接着を行う場合、第２接着層２１は、ゴム、ゲル状のシリコン樹脂、又はエポキシ樹脂等を用いることができる。このような樹脂は、製造工程中に生じる熱によって粘着性が生じ、冷却により強固な接合性が生じる構造に変化する。このため、製造工程中の熱ストレスを緩和する効果がある。

また、パッケージ１００では、センサ基板１の加速度センサ１０１（シリコン層８）およびシリコン基板２３、および、封止基板２のシリコン基板２０が、いずれも同一材料のシリコン（Ｓｉ）から構成されている。すなわち、加速度センサ１０１と、シリコン基板２０および２３との、熱膨張係数は同じになる。このように、センサ基板１および封止基板２を、同一熱膨張係数の材料から構成すれば、パッケージ１００の製造時に、これらの部材に、熱膨張係数の差による応力が発生することを防ぐことができる。これにより、その応力による製品の劣化（損傷）を防ぐことができる。なお、これらの部材は、略同一の熱膨張係数を有する材料から構成すれば、同一材料でなくても同様の効果が得られる。

次に、パッケージ１００の製造方法の一例を説明する。図２（ａ）〜図２（ｃ）、および、図３（ａ）〜図３（ｅ）は、パッケージ１００の製造工程断面図である。

パッケージ１００は、センサ基板１および封止基板２とをそれぞれ製造し、これらの基板を第１接着層により接着する（接着工程）ことにより、製造できる。図１（ｂ）のパッケージ１００は、図１（ａ）に示すように、複数のパッケージ１００を、図１（ａ）の破線矢印箇所でダイシングすることにより製造される。

まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、加速度センサ１０１を製造する（センサ形成工程）。

具体的には、まず、加速度センサ１０１を構成するためのＳＯＩウエハには、厚さ４００〜６００μｍのシリコン基板１０を準備する（図２（ａ））。シリコン基板１０上には、厚さ３〜２０μｍのシリコン層８が形成されており、シリコン層８上に、厚さ１〜２μｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層が、形成されている。なお、シリコン基板１０とシリコン層８との間にも、図示しない酸化シリコン層が形成されている。

次に、シリコン基板１０の一方の面（シリコン層８側の面）に、ピエゾ抵抗素子１４，電極パッド１５，およびカバーガラス１６を形成する（図２（ｂ））。すなわち、シリコン基板１０にフォトレジストでパターニングを行った後に、シリコン層８にボロン注入を行なう。ここでは、ボロン注入を、０．５×１０^１８原子／ｃｍ^３〜３×１０^１８原子／ｃｍ^３の注入量で行なった。次に、Ｎ_２アニールを行なう。Ｎ_２アニールの条件は、例えば、９５０〜１１００℃、８〜１２時間で行なう。そして、シリコン層８にピエゾ抵抗素子１４を作製後、ピエゾ抵抗素子１４に接続する電極パッド１５を、金属スパッタとドライエッチング装置とを用いて形成し、カバーグラス１６を形成する。これら複数個のピエゾ抵抗素子１４は、加速度センサ１０１の加速度検出部となる。なお、注入条件およびアニールの条件は、特に限定されるものではない。

次に、フォトリソ技術とドライエッチング装置とを用いて、図２（ｂ）のシリコン基板１０をシリコン層８とは反対の面に、可撓部１３と錘部１１、支持部１２とを形成する（図２（ｃ））。ここでは、シリコン層８の表面に存在する酸化シリコン層がエッチングストッパーとなる。このため、エッチングされるのはシリコン基板１０及びシリコン層８である。ピエゾ抵抗素子１４を作製した面を下にして、ＳＯＩウエハ（シリコン基板１０）をプラズマ中での成膜条件の不均一化を調整するためのダミー基板（図示せず）に接着し、ＳＦ_６（六フッ化硫黄）ガスと酸素とを導入したプラズマ内でシリコン板１０の約６００μｍをプラズマエッチングする。こうして、加速度センサ１０１が製造される（図２（ｃ））。

次に、図３（ａ）〜図３（ｅ）に基づき、このように製造した加速度センサ１０１を用いたパッケージング１００の製造工程を説明する。

図２（ｃ）の加速度センサ１０１の支持部１２の裏面（ピエゾ抵抗素子１４形成面とは反対の面）に、第２接着層２１を貼付し、下方封止用基板となるシリコン基板２０を接着する（図３（ａ））（下方封止用基板貼付工程）。ここでは、熱膨張係数の差による応力の発生を防ぐためにで、加速度センサ１０１と同一材料のシリコン基板２０を用いる。この場合、シリコン基板２０の厚さは、後述するシリコン基板２３と加速度センサ１０１の厚さとによって制限される。シリコン基板２０の厚さは、例えば、通常取り扱う基板の厚さから考慮して１００〜５００μｍが望ましい。

第２接着層２１にダイボンドテープを用いる場合、第２接着層２１は、例えば、熱可塑性樹脂（ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等）と熱硬化性樹脂（エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等）とを成分にするポリマーアロイ型接着剤を用いたテープである。ここで、ポリマーアロイ型接着剤は、通常は粘着性がなく、例えば、１００℃〜１６０℃で加熱することによって粘着性を示すようになる。一方、第２接着層２１にダイボンドペーストを用いる場合は、第２接着層２１は、ゴム、ゲル状のシリコン樹脂、又はエポキシ樹脂等を用いる。これは、工程中に生じる熱によって粘着性が生じ、冷却により強固な接合性が生じる構造によって工程中の熱ストレスを緩和する効果があるためである。

次に、加速度センサ１０１のカバーガラス１６上に、第１接着層２２を形成する。第１接着層２２は、支持部１２の領域に、電極パッド１５を覆うように形成する。すなわち、第１接着層２２は、空隙Ｇを形成するため、錘部１１および可撓部１３の領域には形成しない（図３（ｂ））（上方封止用基板貼付工程）。その後、第１接着層２２により、シリコン基板２３を接着する。

例えば、第１接着層２２をフォトリソグラフィ技法によって形成する場合、第１接着層２２は絶縁性と感光性とを有するブロック共重合ポリイミド系樹脂を用い、スクリーン印刷技法によって形成される場合、第１接着層２２は絶縁性を有するブロック共重合ポリイミド系樹脂を用いる。具体的には、フォトリソグラフィ技法では、加速度センサ１０１表面全域に絶縁性と感光性とを有するブロック共重合ポリイミド系樹脂を塗布し、レチクル等のガラスマスクを使用して露光した後に現像することでパターニングを行う。また、スクリーン印刷技法では、絶縁性を有するブロック共重合ポリイミド系樹脂そのものを、孔の開いたマスクを使用して印刷することでパターニングする。これらのブロック共重合ポリイミド系樹脂は、既にイミド化されており、２５０℃以下の温度で硬化させることが可能である。このため、いずれの技法を用いる場合でも、第１接着層２２は、パターニング直後には硬化しておらず、実装時の熱で第１接着層２２が溶融する。これにより、溶融した第１接着層２２が、開口部を有するシリコン基板２３の対向主面との接着を行い、冷却されると、第１接着層２２が硬化してシリコン基板２３の対向主面と強固な接合を形成する（図３（ｃ））。

なお、第１接着層２２の中には直径５〜８０μｍのビーズを混入し、シリコン基板２３と加速度センサ１０１の間隔（第１接着層２２と加速度センサ１０１とシリコン基板２３とで囲まれた空隙Ｇ）が、エアダンピング効果が大きく得られる５〜１００μｍになるようにする。

次に、シリコン基板２３の開口部を埋めるように、第１配線層２４および第２配線層２５からなる再配線層３０を形成する（図３（ｄ）。再配線層３０は、公知技術により形成できる。具体的には、まず、加速度センサ１０１上面（シリコン基板２３側の面）に第１再配線層２４となる銅／チタン（Ｃｕ／Ｔｉ）スパッタを行い、任意の形状に加工する。それから、レジストを塗布し、ビア及び再配線形成領域が露出するように、レジスト膜をパターニングし、レジストマスクを得る。次いで、このレジストマスクの存在下、第２再配線層２５となる銅（Ｃｕ）めっきを行う。これにより、第１再配線層２４と第２再配線層２５からなる再配線層３０により形成された、Ｃｕを充填したビア及び再配線が得られる。このめっき工程では、必要に応じて、その他の配線や電極などを形成してもよい。

次に、再配線層３０（つまり第２配線層２５）上にハンダボール２７を形成する（金属電極形成工程）。そして、ハンダボール２７以外の領域に保護膜２６を形成する（図３（ｅ））（保護膜形成工程）。これにより、パッケージ１００が製造される。ハンダボール２７および保護膜２６の形成は、公知の方法により行うことができる。

このようにして製造されたパッケージ１００は、図１（ａ）のように、複数のパッケージ１００が、ウエハーレベルで製造される。最後に、これら複数のパッケージ１００をダイシングにより個別のパッケージング１００に分割する（ダイシング工程）。

以上のようにして、本実施形態のパッケージ１００を製造することができる。

以下、〔実施の形態２〕〜〔実施の形態４〕により、別のチップスケールパッケージについて説明する。なお、以下の実施形態では、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、各実施形態では、主に、特徴的構成について説明する。

〔実施の形態２〕
図５（ｇ）は、本実施形態のパッケージ１００ａの断面図である。

パッケージ１００ａは、封止基板２ａが実施の形態１の封止基板２とは異なる。

すなわち、封止基板２ａは、半導体基板４１，Ａｌパッド４２，酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層４３，絶縁層４６，貫通電極４７，およびハンダボール２７を備えている。特に、実施の形態１の封止基板２では再配線層３０が形成されているのに対し、本実施形態の封止基板２ａでは再配線層３０の代わりに、貫通電極４７が形成されている。なお、半導体基板４１はシリコン基板２３に対応し、酸化シリコン層４３および絶縁層４６は保護膜２６に対応している。

パッケージ１００ａでは、再配線層３０を形成せず、貫通電極４７が形成されている。

その他の構成については、本実施形態においても実施の形態１と同様の構成であるため、同様の効果を奏する。

次に、パッケージ１００ａの製造方法を説明する。図４（ａ）〜図４（ｈ）および図５（ａ）〜図５（ｇ）は、本実施形態のパッケージ１００ａの製造工程断面図である。

まず、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、図２（ａ）〜図２（ｃ）の工程と同様にして、加速度センサ１０１を製造し、加速度センサ１０１の一方の面に第１接着層２２を形成し、他方の面に第２接着層２１によりシリコン基板２０を接着する。

次に、加速度センサ１０１とは別に、図４（ｄ）〜図４（ｈ）および図５（ａ）〜図５（ｄ）に示すように、封止基板２ａを形成する。

具体的には、まず、集積回路を搭載する半導体基板４１上の任意の位置にＡｌパッド４２を形成し、それ以外の領域にＡｌパッド４２を覆うように、酸化シリコン層４３を形成する（図４（ｄ））。

次に、酸化シリコン層４３をレジストマスクとして、酸化シリコン層４３側から反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）により、半導体基板４１に１００μmの深さの貫通孔４４を形成する（図４（ｅ））。

次に、図４（ｅ）の構造の表面に、絶縁膜４５を形成する。この工程は、貫通孔４４の側壁に、絶縁膜４５を形成するための工程である（図４（ｆ））。これにより、貫通孔４４には絶縁膜４５からなる孔内絶縁膜が形成される。絶縁膜４５は、電着によるポリイミド、若しくは化学的成膜法（ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法）によるＳｉＯ_２膜等、他の材質および方法で形成することができる。

このように貫通孔４４内に絶縁膜４５を形成した後、Ａｌパッド４２が露出するまで、絶縁膜４５および酸化シリコン層４３を、ＲＩＥ法によりエッチングする（図４（ｇ））。

次に、貫通孔４４以外の領域に、貫通孔４４とＡＬパッド４２の一部とが露出するように、絶縁膜４６を形成する。続いて、絶縁膜４６を含む全域に、貫通電極４７を形成する（図４（ｈ））。絶縁膜４６は、図４（ｅ）の絶縁膜４５と同様にして行うことができる。貫通電極４７の材料としては、例えばＣｕを用いることができるが、他の材質であっても良い。

次に、絶縁膜４６が露出するまで、貫通電極４７をエッチバックする。エッチバックは、絶縁膜４６と貫通電極４７との表面が、平坦になるようにする（図５（ａ））。

次に、図５（ａ）の工程で平坦にした面（半導体基板４１の素子側の面）に、接着層４８により、基台４９を仮接着する。これにより、後続の研削工程が行いやすくなる（図５（ａ）。

なお、基台４９は、後続の研削工程後に除去するので、接着層４８としては光や熱などによって容易に剥がれるものを用いる。基台４９としては、シリコン等の半導体ウエハを用いることができ、接着層４８としては、エポキシ系接着剤を用いることができる。接着層４８は、光や熱などによって容易に剥がれる条件を満たすものなら他の材質のものを用いても良い。

次に、半導体基板４１の裏側（素子側と反対の面；図５（ｂ）の下側）から、裏面研削によって半導体基板４１の裏面から貫通電極４７を露出させる。ここでは、半導体基板４１の厚さが、１００μｍ程度まで薄くし、貫通電極４７を突出させた（図５（ｃ））。

続いて、研削痕を除去するために、化学的機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）又はＲＩＥを行う（図５（ｄ））。

次いで、図４（ｃ）の加速度センサ１０１の電極パッド１５形成面と、図５（ｄ）で形成した半導体ウエハの裏面（研削面）とを、第１接着層２２により接着する（図４（ｊ））。本実施形態でも、第１接着層２２の中には直径５〜８０μｍのビーズを混入し、半導体基板４１と加速度センサ１０１のカバーガラス１６と第１接着層２２とにより形成される空隙Ｇを、エアダンピング効果が大きく得られる５〜１００μｍになるようにする。

その後、集積回路が搭載された半導体基板４１の素子側に仮接着された基台４９を、光や熱などによって剥離し、洗浄して接着層４を除去する（図５（ｆ））。

次に、実施の形態１の図３（ｅ）と同様に、貫通電極４７上に、ハンダボール２７を形成する（図５（ｇ））。このようにして製造されたパッケージ１００ａは、複数のパッケージ１００ａが、ウエハーレベルで製造される。最後に、これら複数のパッケージ１００ａをダイシングにより個別のパッケージング１００ａに分割する。

以上のようにして、本実施形態のパッケージ１００を製造することができる。

〔実施の形態３〕
図６（ｆ）は、本実施形態のパッケージ１００ａの断面図である。

パッケージ１００ｂは、実施の形態１の構成と略同様であるが、実施の形態１の第１接着層２２が、導電性接着層２９である点が異なる。さらに、封止基板２ｂが実施の形態１の封止基板２とは異なる。

すなわち、導電性接着層２９は、シリコン基板２３の開口部に形成されている。導電性接着層２９は、例えば、後述のようにエポキシ系樹脂に銀（Ａｇ）粒子を混入した導電性接着剤から形成することができる。

また、実施の形態１の封止基板２ではシリコン基板２３の開口部に第１配線層２５が形成されていたのに対し、本実施形態の封止基板２ｂでは、シリコン基板２３の開口部に貫通電極４７が形成されている。そして、封止基板２ｂでは、シリコン基板２３上の貫通電極４７を含む領域に、再配線層３０が形成されている。

このように、パッケージ１００ｂでは、導電性接着層２９により、センサ基板１と封し基板２ｂとが接着されている。導電性接着層２９は、電極パッド１５と貫通電極４７とを電気的に接続するとともに、センサ基板１と封止基板２ｂとを接着する機能を果たす。このため、実施の形態１のように、シリコン基板２３の開口部から電極パッド１５の位置には第１配線層２４を突出させた突出部を形成する一方、その突出部以外の領域に第１接着層２２を形成するような、複雑な工程が必要ではない。このため、製造工程を簡略化することができる。

次に、パッケージ１００ｂの製造方法を説明する。図６（ａ）〜図６（ｆ）は、本実施形態のパッケージ１００ｂの製造工程断面図である。

まず、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、図２（ａ）および図２（ｂ）と同様にして、センサ基板１を製造する。

次に、開口部に貫通電極４７が形成されたシリコン基板２８（前述のシリコン基板２３に対応）の一方の面に、貫通電極４７を含むように導電性接着層２９を形成する（図６（ｃ））。ここでは、導電性接着層２９として、エポキシ系樹脂に銀（Ａｇ）粒子を混入した導電性接着剤を貼付した。なお、貫通電極４７の位置および導電性接着層２９の位置は、加速度センサ１０１の電極パッド１５の位置にあわせ、貫通電極４７の部分に導電性接着剤２９を貼付する。また、シリコン基板２８は、貫通電極付き上方封止用基板ともいえる。シリコン基板２８は、シリコン基板２３と同様に、プラスチック基板、ガラス基板等を用いることもできる。また、シリコン基板２８は、集積回路が搭載されていてもよい。

次に、導電性接着剤２９を貼付したシリコン基板２８と、加速度センサ１０１とを圧着する（図６（ｄ））。

次に、貫通電極４７を含む領域に、第１配線層２４および第２配線層２５からなる再配線層３０を形成する（図６（ｅ））。この工程は、図３（ｄ）の工程に対応し、同様にして行うことができる。具体的には、まず、加速度センサ１０１の上面に第１再配線層２４となるＣｕ／Ｔｉスパッタを行い、任意の形状に加工した第１配線層２４を形成する。そして、シリコン基板２８にレジストを塗布し、レジスト膜をパターニングし、レジストマスクを得る。次いで、このレジストマスクの存在下、第２再配線層２５となるＣｕめっきを行い、第１再配線層２４と第２再配線層２５からなる再配線層３０を形成する。これにより、再配線層３０および貫通電極４７が、Ｃｕを充填したビア及び再配線となる。この工程では、必要に応じて、その他の配線や電極などを形成しても良い。

続いて、前記実施の形態１と同様に、第２配線層２５の任意の位置にハンダボール２７を形成し、それ以外の領域に、ハンダボール２７の表面が露出するように、保護膜２６を形成する（図６ｆ）。このようにして製造されたパッケージ１００ｂは、複数のパッケージ１００ｂが、ウエハーレベルで製造される。最後に、これら複数のパッケージ１００ｂをダイシングにより個別のパッケージング１００ｂに分割する。

以上のようにして、本実施形態のパッケージ１００ｂを製造することができる。

〔実施の形態４〕
図７（ｅ）は、本実施形態のパッケージ１００ｃの断面図である。

パッケージ１００ｃは、実施の形態３の構成と略同様であるが、パッケージ１００ｃは再配線層３０を有さず、貫通電極４７とハンダボール２７とが直接接続されている点が異なる。

このように、パッケージ１００ｃでは、再配線層３０を有さず、貫通電極４７とハンダボール２７とが直接接続されているため、製造工程を簡略化することができる。

次に、パッケージ１００ｃの製造方法を説明する。図７（ａ）〜図７（ｅ）は、本実施形態のパッケージ１００ｃの製造工程断面図である。

図７（ａ）〜図７（ｄ）は、実施の形態３の図６（ａ）〜図６（ｄ）に対応するため、説明を省略する。

図７（ｄ）のようにシリコン基板２８とセンサ基板１とを導電性接着層２９により接着した後、貫通電極４７を含む領域に、ハンダボール２７を形成する。この場合、ハンダボール２７が、貫通電極４７を覆っているため、シリコン基板２８表面に絶縁層を形成する必要はない。このようにして製造されたパッケージ１００ｃは、複数のパッケージ１００ｃが、ウエハーレベルで製造される。最後に、これら複数のパッケージ１００ｃをダイシングにより個別のパッケージング１００ｃに分割する。

なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することができるため、ＭＥＭＳ素子などの機能素子を搭載した情報通信、自動車、家電製品、産業機械などの分野で用いられる電子デバイスの製造に好適に利用することができる。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の実施の一形態にかかるチップスケールパッケージの断面図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、図１のチップスケールパッケージの製造工程断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｅ）は、図２（ａ）〜図２（ｃ）の続きを示す、チップスケールパッケージの製造工程断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｈ）は、本発明の別の実施の一形態にかかるチップスケールパッケージの製造工程断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｇ）は、図４（ａ）〜図４（ｈ）の続きを示す、チップスケールパッケージの製造工程断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｆ）は、本発明のさらに別の実施の一形態にかかるチップスケールパッケージの製造工程断面図である。 図７（ａ）〜図７（ｅ）は、本発明のさらに別の実施の一形態にかかるチップスケールパッケージの製造工程断面図である。 従来チップスケールパッケージの製造工程断面図である。

符号の説明

１ センサ基板
２，２ａ，２ｂ，２ｃ 封止基板（第１封止基板）
２０ シリコン基板（第２封止基板）
２１ 第２接着層
２２ 第１接着層
２４ 第１再配線層
２５ 第２再配線層
２７ ハンダボール（外部端子）
２９ 導電性接着層（第１接着層）
３０ 再配線層
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ パッケージ（チップスケールパッケージ）
１０１ 加速度センサ（センサ素子，ＭＥＭＳ素子）
Ｇ 空隙

Claims (10)

1. センサ素子としてマイクロエレクトロメカニカルシステム素子を有するセンサ基板と、
   センサ基板と電気的に接続された第１封止基板とを備え、
   上記センサ基板と第１封止基板との間に、これらを互いに接着する第１接着層が形成されていることを特徴とするチップスケールパッケージ。
2. 上記第１接着層は、上記センサ基板と封止基板との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙を有するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージ。
3. 上記空隙の高さは、５〜１００μｍであることを特徴とする請求項２に記載のチップスケールパッケージ。
4. 第１接着層は、上記空隙を形成するためのビーズを含むことを特徴とする請求項２に記載のチップスケールパッケージ。
5. 上記封止基板は、上記センサ基板と電気的に接続するための再配線層と、その再配線層上に形成された外部端子とを備えることを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージ。
6. 上記センサ基板は、上記第１封止基板との間に、上記マイクロエレクトロメカニカルシステム素子を挟持する第２封止基板を備え、
   上記第２封止基板とマイクロエレクトロメカニカルシステム素子との間に、これらを互いに接着する第２接着層が形成されていることを特徴とするチップスケールパッケージ。
7. 上記第２接着層は、可撓性を有することを特徴とする請求項６に記載のチップスケールパッケージ。
8. 上記マイクロエレクトロニカルシステム素子、第１封止基板、および第２封止基板が、同一の熱膨張係数を有する材料からなることを特徴とする請求項６に記載のチップスケールパッケージ。
9. 上記第１接着層は、導電性を有することを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージ。
10. センサ素子としてマイクロエレクトロメカニカルシステム素子を有するセンサ基板と、センサ基板と電気的に接続される封止基板とを、第１接着層を介して、互いに接着する接着工程を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。

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