JP2005169541A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 可動部を有するMEMSチップと、MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップ3とは、MEMSチップの主面とICチップ3の裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置され、保護ケース4内に収容されている。ICチップ3の裏面は、チップ厚を薄くするために研磨処理されており、その研磨処理された裏面には絶縁層11が形成され、MEMSチップとICチップ3の電気的接触が防止されるようになっている。
【選択図】 図2
Description
図1は、本実施の形態の加速度センサ装置の展開斜視図、図2は、この加速度センサ装置の断面図である。
図10は、MEMSチップを備えた半導体装置の他の実施の形態である圧力センサ装置の断面図である。
2 加速度センサチップ
2A 可撓部
2B 錘部
2C 支持枠
3 ICチップ
4 保護ケース
4A 蓋
5、6、7 端子
8、9 Auワイヤ
10 接着剤
11 絶縁層
12 接着剤
13 ICチップの電源端子
14 センサチップの電源端子
15 センサチップのグランド端子
16 保護ケースの電極端子
17、18、19 Auワイヤ
20 腕
21 加速度センサ取付け部
22 固定部
23 固定ブロック部
31 圧力センサ装置
32 圧力センサチップ
32A 可撓部
33 ICチップ
34 保護ケース
34A 蓋
35 台座
36 封止剤
37 開口部
40、41、42 端子
43 Auワイヤ
44 接着剤
45 絶縁層
Ga、Gb 間隔
Claims (4)
- 可動部を有するMEMSチップと、前記MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップとが保護ケース内に収容された半導体装置であって、
前記MEMSチップと前記ICチップとは、前記MEMSチップの主面と前記ICチップの裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置され、
前記ICチップの裏面に絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記ICチップの裏面が研磨処理されており、前記絶縁層は、前記研磨処理された裏面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 可撓部、錘部および支持枠を備えた加速度センサチップと、前記加速度センサチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有すると共に、前記錘部の動きを規制する規制板としての機能を兼ね備えたICチップとが保護ケース内に収容された半導体装置であって、
前記加速度センサチップと前記ICチップとは、前記加速度センサチップの主面と前記ICチップの裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置され、
前記ICチップの裏面に絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 可動部を有するMEMSチップと、前記MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップとが保護ケース内に収容された半導体装置の製造方法であって、
前記ICチップを製造する工程は、
(a)半導体ウエハの主面に前記MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を形成する工程、
(b)前記(a)工程の後、前記半導体ウエハの裏面を研磨することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程、
(c)前記(b)工程の後、前記半導体ウエハの裏面に絶縁層を形成する工程、
(d)前記(c)工程の後、前記半導体ウエハから前記ICチップを分離する工程、
を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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