JP2007071821A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007071821A JP2007071821A JP2005261884A JP2005261884A JP2007071821A JP 2007071821 A JP2007071821 A JP 2007071821A JP 2005261884 A JP2005261884 A JP 2005261884A JP 2005261884 A JP2005261884 A JP 2005261884A JP 2007071821 A JP2007071821 A JP 2007071821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor chip
- semiconductor device
- circuit substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Abstract
【解決手段】 シリコンから形成され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラム9aを備えた半導体チップ9が、シリコンからなる集積回路基板7の表面7aに実装されていることを特徴とする半導体装置1を提供する。また、前記半導体チップ9と前記集積回路基板7とが相互に電気接続されていることを特徴とする半導体装置1を提供する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、ダイヤフラムの振動特性の変化を抑制できる半導体装置を提供することを目的としている。
請求項1に係る発明は、シリコンから形成され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを備えた半導体チップが、シリコンからなる集積回路基板の表面に実装されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、集積回路基板が、これに実装する半導体チップと同じシリコンから形成されるため、半導体チップ及び集積回路基板が同じ熱膨張係数を有することになる。したがって、この半導体装置が加熱若しくは冷却されても、熱膨張係数の差に基づいて半導体チップのダイヤフラムに応力が発生することを抑え、ダイヤフラムの振動特性が変化することを抑制できる。
この発明に係る半導体装置を搭載基板に搭載する際には、集積回路基板と搭載基板とを電気的に接続するだけで、半導体チップと搭載基板とを電気的に接続することが可能となるため、半導体装置を搭載基板に容易に搭載することができる。
本発明に係る半導体装置によれば、半田により集積回路基板の表面に半導体チップを固定すると同時に、半導体チップ及び集積回路基板の電気接続を行うことができるため、半導体装置の製造効率の向上を図ることができる。
なお、集積回路は、例えば半導体チップからの電気信号を増幅するための増幅回路や、前記電気信号をデジタル信号として処理するためのDSP(デジタルシグナルプロセッサ)、A/D変換器等のことを示す。
本発明に係る半導体装置によれば、集積回路を別途電子部品により構成して、この電子部品を集積回路基板の表面に配する必要がないため、搭載基板に対する集積回路基板の搭載面積を小さくして、半導体装置の省スペース化を容易に図ることができる。
本発明に係る半導体装置によれば、貫通電極部が集積回路基板の裏面に露出するため、搭載基板の表面に集積回路基板の裏面を対向させた状態で貫通電極部を搭載基板に固定することにより、この固定と同時に集積回路基板と搭載基板との電気接続を行うことができる。したがって、半導体装置の搭載基板への搭載作業を短時間で行うことができる。
また、搭載基板の表面のうち、集積回路基板の裏面に対向する搭載領域内において、搭載基板と集積回路基板との電気接続を行うことが可能となるため、搭載基板に対する半導体装置の実質的な搭載面積を小さくすることが可能となる。
本発明に係る半導体装置によれば、凹部を形成することにより、ダイヤフラムと集積回路基板との間の空洞部を十分に確保できる。したがって、ダイヤフラムの振動に基づく空洞部内の圧力変化を抑えて、音響等の圧力変動を半導体チップにより精度よく検出することができる。ここで、集積回路基板はシリコンにより形成されているため、集積回路基板の製造プロセスと同様のエッチングにより凹部を形成することができる。すなわち、凹部の形成を容易に行うことができる。
また、請求項8に係る発明は、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記集積回路基板の表面と同じ方向に面する前記半導体チップの表面に、導電性を有するシールド層が設けられていることを特徴とする半導体装置を提案している。
また、集積回路基板及び半導体チップはシリコンにより形成されているため、集積回路基板や半導体チップの製造プロセスと同時にシールド部やシールド層を形成することができ、半導体装置の製造効率向上を図ることができる。
また、請求項10に係る発明は、請求項9に記載の半導体装置において、前記被覆部が、前記半導体チップ及び前記集積回路基板を一体的に固定する樹脂部を備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
また、シールド部やシールド層は、集積回路基板や半導体チップの製造プロセスと同時に形成することができるため、半導体装置の製造効率向上を図ることができる。
さらに、請求項10に係る発明によれば、樹脂部により半導体チップと集積回路基板とが一体的に固定されるため、半導体チップと集積回路基板との接続状態を確実に保持することができる。
集積回路基板7は、その裏面7bと搭載基板3の表面3aとの間に銀ペースト等の接着剤(不図示)を介して搭載基板3に固定されている。この集積回路基板7には、その厚さ方向に貫通する貫通孔(凹部)11が形成されている。前述した半導体チップ9は、貫通孔11をダイヤフラム9aによって覆うように配されている。すなわち、この貫通孔11により、ダイヤフラム9aと集積回路基板7との間の空洞部S1を拡大することができる。
シールド部13は、導電性を有しており、集積回路基板7の表面7aに沿って形成されている。このシールド部13は、集積回路基板7の製造プロセスにおいてメタルスパッタを施して集積回路基板7の内部に形成される。なお、シールド部13は、集積回路基板7の表面7a側に近い位置に形成しておくことが好ましい。
半導体チップ9と集積回路基板7との電気接続は、集積回路基板7に対向する半導体チップ9の対向面9bから突出するように半田から形成された複数のバンプ電極19を、集積回路基板7のパッド15に接合することにより行われる。すなわち、これらバンプ電極19とパッド15との接合により、半導体チップ9及び集積回路基板7が相互に固定されることになる。
また、集積回路基板7と搭載基板3との電気接続は、搭載基板3の表面3aのうち、集積回路基板7の搭載領域に隣接する位置に形成されたパッド5と、前述した集積回路基板7のパッド17との間にワイヤー21を配して行われる。
次いで、深堀エッチングにより集積回路基板7に貫通孔11を形成する。なお、この深堀エッチングの方式としては、ドライエッチング及びウェットエッチングのいずれでも構わない。ただし、所望の大きさの貫通孔11を形成するためには、Deep RIE(Deep Reactive Ion Etching)等のドライエッチングにより行う方がより好ましい。
なお、以上のように製造された半導体装置1を搭載基板3の表面3aに搭載する際には、銀ペースト等の接着剤を搭載基板3及び集積回路基板7を相互に固定する共に、ワイヤーボンディングにより搭載基板3及び集積回路基板7のパッド5,17の間にワイヤー21を配すればよい。
また、この半導体装置1を搭載する搭載基板3が、セラミック等のようにシリコンとは熱膨張係数の異なる材料から形成されていても、半導体チップ9と搭載基板3との間に集積回路基板7を配しておくことで、セラミックとシリコンとの熱膨張係数の差に基づいて搭載基板3と集積回路基板7との間に応力が発生しても、集積回路基板7においてこの応力を緩和することができる。したがって、ダイヤフラム9aに応力が発生してその振動特性が変化することを抑制できる。
また、予め集積回路基板7と半導体チップ9とを相互に電気接続しておくことにより、搭載基板3と集積回路基板7とを相互に電気接続するだけで、半導体チップ9と搭載基板3とを電気的に接続することが可能となるため、半導体装置1の搭載基板3への搭載作業を短時間で行うことができる。
また、この貫通孔11により空洞部S1の容積拡大を図ることができるため、搭載基板3と集積回路基板7とを接着する際に発生するガスによって、空洞部S1内の圧力が上昇することも抑制できる。したがって、空洞部S1の圧力上昇に伴うダイヤフラム9aの変形を防止して、ダイヤフラム9aの振動特性が変化することも防止できる。
さらに、シールド部13は、集積回路基板7の製造プロセスと同時に形成することができるため、半導体装置1の製造効率向上を図ることができる。すなわち、この半導体装置1においては、従来のように、セラミックからなる回路基板を製造した後に、この回路基板の表面に導電性のシールド部を接着するための別途メタライズ処理を施す必要が無くなるため、その製造効率向上を図ることができる。
すなわち、シールド部13は、例えば、集積回路基板7の表面7aにパターニングにより形成されるとしても構わない。また、シールド部13は、例えば、金属板や金属製のメッシュシートからなるとしてもよい。この構成の場合には、集積回路基板7の表面7aや裏面7bに金属板やメッシュシートを貼り付ければよい。ただし、金属板を集積回路基板7の表面7aに配する場合には、ダイヤフラム9aが集積回路基板7の貫通孔11や穴に対向するように、金属板に穴を形成しておくことが好ましい。
この樹脂部33は、溶融した樹脂を集積回路基板7及び半導体チップ9の周囲に垂らすポッティングを行うことで形成される。なお、半導体チップ9のダイヤフラム9aを外方空間に連通させる必要があるため、ポッティングの際には、溶融樹脂がダイヤフラム9aに触れないように、マスキングによりダイヤフラム9aを覆い隠しておくことが好ましい。
具体的には、例えば、ポッティングに使用する樹脂として、表面張力により前述の隙間に入り込まない材料を選択すればよい。また、例えば、貫通孔11の周囲に位置する集積回路基板7の表面7aや半導体チップ9の対向面9bから、貫通孔11を囲繞する環状のバンプ(不図示)を突出して形成しておき、このバンプにより空洞部S1を外方に対して密閉すればよい。
なお、このシールド層43は、半導体チップ9の製造プロセスにおいてメタルスパッタを施して半導体チップ9の表面9cに形成される。
貫通電極部53は、導電性を有しており、集積回路基板7のパッド15や図示しない配線部を介して半導体チップ9のバンプ電極19と電気的に接続されている。また、貫通電極部53は、搭載基板3の表面3aに対向する集積回路基板7の裏面7bに露出しており、半田ボール55を介して搭載基板3の表面3aに形成されたパッド57と電気的に接続されている。なお、搭載基板3のパッド57は、搭載基板3の表面3aのうち、集積回路基板7の搭載領域内に形成されている。
すなわち、集積回路基板7の内部に形成された貫通電極部53は、搭載基板3と半導体チップ9とを相互に電気接続する役割を果たしている。
また、搭載基板3の表面3aのうち、集積回路基板7に対向する搭載領域内において、搭載基板3と集積回路基板7との電気接続を行うことができる。すなわち、第1〜3の実施形態において示したワイヤー21やパッド5(図1〜4参照)を用いる必要が無くなるため、搭載基板3に対する半導体装置51の実質的な搭載面積をさらに小さくすることが可能となる。
被覆蓋体73は、集積回路基板65、半導体チップ9及び電子部品63を覆うように配されている。この被覆蓋体73は、搭載基板3の表面3aから厚さ方向に離間した位置に配される略板状の上端壁部75と、上端壁部75の周縁から搭載基板3の表面3aに向けて突出する側壁部77と、上端壁部75から搭載基板3の表面3aから離間する方向に突出する略筒状の開口部79とを備えている。すなわち、この被覆蓋体73は、これら上端壁部75及び側壁部77により側壁部77の先端部側に開口する略凹状に形成されている。
略筒状の開口部79は、外側空洞部S2を半導体装置61の外方空間に露出させる役割を果たしており、半導体チップ9のダイヤフラム9aが、外側空洞部S2及び開口部79を介して外方空間に連通する位置に配されることになる。なお、図示例では、ダイヤフラム9a自体が開口部79から外方空間に露出しているが、例えば、ダイヤフラム9aが直接外方空間に露出しないように、開口部79をズラして形成してもよい。
さらに、半導体チップ9は集積回路基板7,65の配線部を介して搭載基板3に電気接続されるとしたが、これに限らず、例えば、半導体チップ9と搭載基板3とをワイヤーボンディング等により直接電気接続するとしてもよい。
Claims (10)
- シリコンから形成され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを備えた半導体チップが、シリコンからなる集積回路基板の表面に実装されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体チップと前記集積回路基板とが相互に電気接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電気接続が、前記集積回路基板の表面と、これに対向する前記半導体チップの対向面との間で半田により行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記集積回路基板が、前記半導体チップを動作させるための集積回路を含んで構成されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
- 前記集積回路基板に、その表面から裏面まで厚さ方向に貫通する導電性の貫通電極部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記集積回路基板に、その表面から窪む凹部が形成され、
前記ダイヤフラムが、前記凹部を覆うように配されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記集積回路基板のうち、少なくとも前記半導体チップと厚さ方向に重なる領域に、前記集積回路基板の表面に沿って導電性を有するシールド部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記集積回路基板の表面と同じ方向に面する前記半導体チップの表面に、導電性を有するシールド層が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ダイヤフラムが外方空間に連通するように、少なくとも前記半導体チップ及び前記集積回路基板の周囲を覆う被覆部を備えることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記被覆部が、前記半導体チップ及び前記集積回路基板を一体的に固定する樹脂部を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261884A JP2007071821A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261884A JP2007071821A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007071821A true JP2007071821A (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=37933368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005261884A Pending JP2007071821A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007071821A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009264820A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | 慣性力センサ |
JP2009282015A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び電子部品 |
JP2010192511A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2011525618A (ja) * | 2008-06-17 | 2011-09-22 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | センサチップを有する半導体チップ装置及びその製造方法 |
WO2019176527A1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置及び電子機器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09116173A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Fujikura Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
JPH1078363A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Kayaba Ind Co Ltd | 薄膜型センサ |
JPH10227709A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Fujikura Ltd | 圧力センサ装置 |
JP2002195902A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2003014568A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ装置 |
JP2004177343A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
JP2004245622A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Pacific Ind Co Ltd | 圧力センサ、送信機、及びタイヤ状態監視装置 |
JP2005169541A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-09 JP JP2005261884A patent/JP2007071821A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09116173A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Fujikura Ltd | 半導体センサおよびその製造方法 |
JPH1078363A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Kayaba Ind Co Ltd | 薄膜型センサ |
JPH10227709A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Fujikura Ltd | 圧力センサ装置 |
JP2002195902A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2003014568A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ装置 |
JP2004177343A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
JP2004245622A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Pacific Ind Co Ltd | 圧力センサ、送信機、及びタイヤ状態監視装置 |
JP2005169541A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009264820A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | 慣性力センサ |
JP2009282015A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び電子部品 |
US8516892B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-08-27 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor module and electronic component |
JP2011525618A (ja) * | 2008-06-17 | 2011-09-22 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | センサチップを有する半導体チップ装置及びその製造方法 |
US8580613B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-11-12 | Epcos Ag | Semiconductor chip arrangement with sensor chip and manufacturing method |
JP2010192511A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Denso Corp | センサ装置 |
WO2019176527A1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置及び電子機器 |
US11348880B2 (en) | 2018-03-15 | 2022-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5216717B2 (ja) | 小型シリコンコンデンサマイクロフォンおよびその製造方法 | |
JP5763682B2 (ja) | Mems及びasicを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法 | |
JP4387392B2 (ja) | シールドケースおよびこれを有するmemsマイクロホン | |
US7903831B2 (en) | Silicon based condenser microphone and packaging method for the same | |
JP2007180201A (ja) | 半導体装置 | |
TWI472235B (zh) | 矽麥克風封裝體 | |
US8818010B2 (en) | Microphone unit | |
US20080219482A1 (en) | Condenser microphone | |
US20070158826A1 (en) | Semiconductor device | |
JP4655017B2 (ja) | 音響センサ | |
JP2011188330A (ja) | 半導体装置及びマイクロフォン | |
JP4380748B2 (ja) | 半導体装置、及び、マイクロフォンパッケージ | |
JP2007082233A (ja) | シリコンコンデンサーマイクロフォン及びそのパッケージ方法 | |
JP2008187607A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009164475A (ja) | マイクロフォンパッケージ、リードフレーム、モールド基板及びマイクロフォンパッケージの実装構造 | |
KR101411666B1 (ko) | 실리콘 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2008271426A (ja) | 音響センサ | |
KR100722689B1 (ko) | 부가적인 백 챔버를 갖는 실리콘 콘덴서 마이크로폰 | |
JP2007258670A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007071821A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009038053A (ja) | 半導体センサ装置 | |
JP2008002953A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6580356B2 (ja) | 単一指向性memsマイクロホン | |
JP2010141870A (ja) | シリコンマイクロホンモジュール及びその製造方法 | |
JP7166602B2 (ja) | Memsマイクロホン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121023 |