JP2005086086A - Cvd装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
Cvd装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ボート2の少なくとも下層部に配設するダミー基板110として、表面に予め薄膜が形成されたものを使用することで、ダミー基板110を新品のものと交換した後の最初の成膜処理においても、下層部周辺に略均一な上昇気流を発生させることができ、製品となる基板1に対して十分な成膜ガスを供給して膜厚の均一化を実現する。
【選択図】図3
Description
代理人 弁理士 伊 藤 進
Claims (4)
- 炉本体内に、上層部と下層部とにダミー基板を配設すると共に中間層に製品となる複数の基板を配設するボートを挿入して、上記製品となる各基板の表面に薄膜を生成するCVD装置において、
少なくとも上記下層部に配設される上記ダミー基板の表面に薄膜が予め形成されていることを特徴とするCVD装置。 - 上記ダミー基板の表面に形成されている薄膜は、上記製品となる基板の表面に生成される薄膜と同一の材質を有していることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
- 上記ダミー基板が耐熱性を有する透明基板であることを特徴とする請求項1或いは2に記載のCVD装置。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のCVD装置を用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法 。
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---|---|---|---|
JP2003318447A JP2005086086A (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Cvd装置及び半導体装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117646A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及びベーキング方法 |
JP2013197116A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2015018102A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理方法、及び電気光学装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-09-10 JP JP2003318447A patent/JP2005086086A/ja not_active Withdrawn
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