JP2005340488A - 電子デバイスの製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 優れたウェハ面内温度均一性を確保しながら熱処理を行なうことができる電子デバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー10の壁部には、半導体基板1を支持するためのエッジリング11が設けられている。エッジリング11は、半導体基板1を支持する棚12を有する。棚12は、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面12aを持つ。
【選択図】 図6
【解決手段】 チャンバー10の壁部には、半導体基板1を支持するためのエッジリング11が設けられている。エッジリング11は、半導体基板1を支持する棚12を有する。棚12は、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面12aを持つ。
【選択図】 図6
Description
本発明は、電子デバイスの製造装置、特に急速熱処理を行なう半導体製造装置に関するものである。
半導体製造プロセスにおいては、基板処理中に高い温度制御性が望まれることが多い。特にデバイス特性を決定する急速熱処理工程(Rapid Thermal Processing:以下、RTPと称する)においては、温度の再現性を確保すると共にウェハ面内の温度均一性を高める必要がある。
従来の半導体装置においては、例えば特許文献1に記載されているように、RTPを行なう製造装置におけるウエハ面内の温度の均一性を向上させるための取り組みが重要になってきている。
図12は、従来のRTP装置の概略構成を示す図である。サセプタのないRTP装置の場合、通常、プロセスチャンバー内においてエッジリングを用いて基板をその周辺部で支持する。具体的には、図12に示すように、半導体基板150は、チャンバー100の壁部に設けられた基板支持構造体であるエッジリング101上に設置される。エッジリング101は、半導体基板150を支持する棚102を有する。半導体基板150は、チャンバー100の上部に設置された加熱部材103によって上方から加熱される。加熱部材103は複数の領域に分割されていると共に該各領域毎に加熱部材103の加熱強度を調整できるようになっている。半導体基板101の温度(正確には基板裏面側の温度)は、チャンバー100の底部に設置されたパイロメーター104により測定される。尚、図示は省略しているが、一般的に、エッジリング101は回転機構を有しており、基板処理中は半導体基板150と共に回転する。
図13(a)は、棚102を含むエッジリング101の平面構成を示しており、図13(b)は、図13(a)に示すエッジリング101の任意の箇所における棚102の断面構成を示している。尚、図13(b)に示す棚102は、水平面である基板支持面102aを持ち、基板支持面102aの長さ(ウェハ径方向の長さ)Wは通常5mm程度である。また、基板支持面102aとなるリング状領域の直径(棚102の内径)は、半導体基板150となるウェハの直径よりも1〜10mm程度大きい。
特表2002−503884号公報
しかしながら、エッジリング101を用いて半導体基板150を支持する場合、半導体基板150の周縁部におけるエッジリング101との接触箇所の熱収支が、半導体基板150におけるエッジリング101との非接触箇所の熱収支と異なってしまうという問題がある。具体的には、これまでの1000℃付近の熱処理であって、温度変化量が50℃/sec程度であり且つプロセス温度保持時間が10秒程度以上である熱処理の場合には、加熱部材103の各領域の強度を調整することにより、半導体基板150の全体に亘って温度均一性を確保することができた。しかしながら、近年要求されているSpikeRTA(プロセス温度(T[℃])保持時間が実質的に0秒であり且つ(T−50)[℃]以上の保持時間が2秒以下のRTA(Rapid Thermal Annealing))のように、プロセス温度が1000℃を大きく越え且つ温度変化量が100℃/secを越える(つまり急激な温度変化を伴う)熱処理プロセスの場合には、加熱部材103の各領域の強度を調整するだけではウェハ面内の温度均一性を確保することが困難になってきている。
前記に鑑み、本発明は、優れたウェハ面内温度均一性を確保しながら熱処理を行なうことができる電子デバイス製造装置を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本願発明者らは種々の検討を行なった。以下、その結果について述べる。
図14は、半導体基板150に導電型を持つ不純物を導入した後に従来のRTP装置を用いてRTP(具体的にはSpikeRTA)を行ない、その後、半導体基板150の表面のシート抵抗を測定した結果を示す。図14において、横軸は、半導体基板150となるウェハ上の位置(ウェハ中心(0)からのウェハ径方向の距離で表している)を示し、縦軸は規格化したシート抵抗値を示している。
図14に示すように、SpikeRTAを行なった場合、半導体基板150の周縁部においてシート抵抗値が著しく変動していることから、ウェハ面内の温度ばらつきが大きかったことがわかる。また、半導体基板150を回転させているにも関わらず、ある直径方向に見たウェハの両端においてシート抵抗の最大値及び最小値が存在しており、加熱部材103の各領域の強度の調整だけではウェハ面内の温度均一性を十分に確保することができない。これは、半導体基板150の周縁部の各所におけるエッジリング101との接触面積の違いによって、半導体基板150の周縁部の各所における熱収支が著しく異なることに起因する。すなわち、半導体基板150の中心とエッジリング101の中心とが重なっていない場合には、半導体基板150の周縁部の各所におけるエッジリング101との接触面積がばらついてしまう結果、ウェハ面内に温度の不均一性が発生してしまう。
また、半導体基板150の周縁部におけるエッジリング101との接触箇所の熱収支は、それ以外の非接触箇所の熱収支と著しく異なるため、該接触箇所の面積が大きくなるに従って、ウェハ面内温度不均一性の程度が大きくなる。
以上のように、半導体基板150の面内における温度均一性は、半導体基板150とエッジリング101との位置関係、及び半導体基板150とエッジリング101との接触面積の両方に大きく依存していることが判明した。
本発明は、以上の知見に基づきなされたものであって、具体的には、本発明に係る第1の電子デバイスの製造装置は、基板を支持する棚を有する支持器と、基板の位置を測定するセンサーと、基板の位置を補正する位置補正機構とを備えている。
また、本発明に係る第1の電子デバイスの製造方法は、第1の電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、支持器の棚に基板を保持する工程と、棚に保持された基板の位置をセンサーによって測定する工程と、センサーにより測定された基板の位置に基づいて基板の位置を位置補正機構によって補正する工程とを備えている。
第1の電子デバイスの製造装置及び製造方法によると、支持器の棚に保持された基板の位置をセンサーによって測定した後、該測定結果に基づいて基板の位置を位置補正機構によって補正することができる。このため、基板の中心と棚の中心とが重なるように基板の位置を補正できるので、基板の周縁部の各所における棚との接触面積が一様になる。すなわち、基板と棚との接触状態を一様にできるため、基板周縁部における棚との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。
本発明に係る第2の電子デバイスの製造装置は、基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、該棚は、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面を持つ。
第2の電子デバイスの製造装置によると、基板を支持する棚が、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面を持つため、棚に基板を載置した時点で基板の中心と棚の中心とがずれていたとしても、基板の自重により基板が棚の基板支持面上をスライドして、最終的に基板の中心と棚の中心とが重なることになる。このため、基板の周縁部の各所における棚との接触面積、つまり基板と棚との接触状態が一様になるため、基板周縁部における棚との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、基板の中心と棚の中心とが重なった状態において、基板支持面は、高々0.5mm程度の長さ(ウェハ径方向の長さ)しか持たない基板のベベル面と接触することになるため、基板周縁部における棚との接触箇所の面積を低減できる。このため、基板周縁部における棚との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
本発明に係る第3の電子デバイスの製造装置は、基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、該棚は、水平面に対して23°以上で且つ90°未満の角度をなす基板支持面を持つ。
第3の電子デバイスの製造装置によると、基板を支持する棚が、水平面に対して23°以上で且つ90°未満の角度をなす基板支持面を持つため、棚に基板を載置した時点で基板の中心と棚の中心とがずれていたとしても、基板の自重により基板が棚の基板支持面上をスライドして、最終的に基板の中心と棚の中心とが重なることになる。このため、基板の周縁部の各所における棚との接触面積、つまり基板と棚との接触状態が一様になるため、基板周縁部における棚との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、基板の中心と棚の中心とが重なった状態において、基板支持面は、基板のベベル面と端面とが接続するラインと接触することになるため、基板周縁部における棚との接触箇所の面積を大きく低減できる。このため、基板周縁部における棚との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
本発明に係る第4の電子デバイスの製造装置は、基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、該棚は、水平面に対して90°の角度をなす基板支持面を持つ。
第4の電子デバイスの製造装置によると、基板を支持する棚が、水平面に対して90°の角度をなす基板支持面を持つ。すなわち、基板の端面と棚の基板支持面とが接触した状態で基板が保持されるため、基板の中心と棚の中心とが重なることになる。このため、基板の周縁部の各所における棚との接触面積、つまり基板と棚との接触状態が一様になるため、基板周縁部における棚との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、基板の中心と棚の中心とが重なった状態において、基板支持面は、高々0.5mm程度以下の長さしか持たない基板の端面と接触することになるため、基板周縁部における棚との接触箇所の面積を低減できる。このため、基板周縁部における棚との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
本発明によると、支持器の棚に保持された基板の位置をセンサーによって測定した後に該測定結果に基づいて基板の位置を位置補正機構によって補正することにより、又は(/及び)基板を支持する棚に、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度、23°以上で且つ90°未満の角度若しくは90°の角度をなす基板支持面を設けることにより、基板と棚との接触状態を一様にすること、又は(/及び)基板周縁部における棚との接触箇所の面積を低減することが可能となる。このため、基板周縁部における棚との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスを向上させること、又は(/及び)基板周縁部における棚との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減することが可能となるので、RTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る電子デバイスの製造装置及び製造方法について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第1の実施形態に係る電子デバイスの製造装置及び製造方法について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。
図1は、第1の実施形態に係る電子デバイスの製造装置の概略構成を示す断面図である。図1に示すように、チャンバー10の壁部には、半導体基板1を支持するためのエッジリング11が設けられている。エッジリング11は、半導体基板1を支持する棚12を有する。チャンバー10の上部には、半導体基板1を上方から加熱する加熱部材13が設けられている。加熱部材13は複数の領域に分割されていると共に該各領域毎に加熱部材13の加熱強度を調整できるようになっている。チャンバー10の底部には、半導体基板1の温度(正確には基板裏面側の温度)を測定するパイロメーター14が設けられている。すなわち、図1に示す装置においては、パイロメーター14によって測定された基板温度に基づいて前記の各領域毎に加熱部材13の強度を調整することによって半導体基板1に対して熱処理が行なわれる。尚、図示は省略しているが、エッジリング11は回転機構を有しており、基板処理中は半導体基板1と共に回転する。
図2は、図1に示すチャンバー10内における本実施形態の特徴部分を示す図である。図2に示すように、チャンバー10内には、エッジリング11に載置された半導体基板1の位置を測定する1つ又は複数のセンサー15が設けられている。各センサー15の取り付け位置が特に限定されないことは言うまでもない。また、チャンバー10内には、半導体基板1となるウェハをエッジリング11に載置する際に該ウェハを保持する例えば3個の支持ピン16が設けられている。エッジリング11に載置された半導体基板1の位置は、基板位置補正機構としての支持ピン16又はトランスファーアーム(ウェハ搬送用のロボットアーム)17によって補正される。尚、トランスファーアーム17は、例えば図3に示すように、図1に示すチャンバー10を複数個備えたトランスファーチャンバー18に設けられている。
以下、前述の基板位置補正機構による基板位置補正補正方法について説明する。すなわち、チャンバー10内に半導体基板1が搬送されてエッジリング11に載置されると、センサー15は、半導体基板1の位置、具体的には、半導体基板1の中心と棚12の中心(つまりエッジリング11の中心:以下同様)との間の距離を測定する。続いて、測定された距離が0.3mmよりも大きい場合には、支持ピン16又はトランスファーアーム17を用いて該距離が0.3mm以下となるように半導体基板1の位置を補正する。このとき、該距離が0.1mm以下となるように半導体基板1の位置を補正することがより好ましい。
図4(a)は、本実施形態における棚12を含むエッジリング11の平面構成を示しており、図4(b)は、図4(a)に示すエッジリング11の任意の箇所における棚12の断面構成を示している。図4(b)に示すように、棚12は、水平面に対して2°の角度(θ)をなす基板支持面12aを持つと共に基板支持面12aの長さW(ウェハ径方向における水平方向の長さ)は3mmである。
尚、本願において、図4(b)に示すように、基板支持面12aの水平面に対する角度については、基板支持面12aの先端が水平面に対して下向きになる状態を正の角度とし、基板支持面12aの先端が水平面に対して上向きになる状態を負の角度とする。
図5は、半導体基板1に導電型を持つ不純物を導入した後に本実施形態の製造装置を用いてRTP(具体的にはSpikeRTA)を行ない、その後、半導体基板1の表面のシート抵抗を測定した結果を示す。図5において、横軸は、半導体基板1となるウェハ上の位置(ウェハ中心(0)からのウェハ径方向の距離で表している)を示し、縦軸は規格化したシート抵抗値を示している。
図5に示すように、従来の製造装置によりSpikeRTAを行なった場合に見られたウェハ周縁部におけるシート抵抗値の不均一性(図14参照)は改善されており、ウェハ(半導体基板1)全面に亘ってウェハ中心に対して対称なシート抵抗値の分布が見られる。具体的には、シート抵抗値のばらつき量は温度換算で3℃以内に抑えられている。
すなわち、第1の実施形態によると、エッジリング11の棚12に保持された半導体基板1の位置をセンサー15によって測定した後、該測定結果に基づいて半導体基板1の位置を位置補正機構(例えば支持ピン16又はトランスファーアーム17)によって補正することができる。このため、半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なるように半導体基板1の位置を補正できるので、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積が一様になる。すなわち、半導体基板1と棚12との接触状態を一様にできるため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。
また、第1の実施形態によると、棚12の基板支持面12aの長さWが高々3mm程度であるため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の面積を低減できる。このため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できるので、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
尚、第1の実施形態において、基板支持面12aの長さWを3mmとしたが、長さWが3mm以下であっても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第1の実施形態において、棚12の基板支持面12aの水平面に対する角度θを2°としたが、角度θが−5°以上で且つ22°以下であっても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第1の実施形態において、基板位置補正機構はプロセスチャンバー内に設けられていてもよいし、又はプロセスチャンバー外における例えば搬送システムのロボットアーム等を基板位置補正機構として用いてもよい。いずれの場合でも同様の効果が得られる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
以下、本発明の第2の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
図6(a)は、本実施形態における棚12を含むエッジリング11の平面構成を示しており、図6(b)は、図6(a)に示すエッジリング11の任意の箇所における棚12の断面構成を示している。図6(b)に示すように、棚12は、水平面に対して22°の角度(θ)をなす基板支持面12aを持つと共に基板支持面12aの長さW(ウェハ径方向における水平方向の長さ)は4mmである。
図7(a)は、本実施形態のエッジリング11の棚12に載置される半導体基板1の周縁部の断面構成を示しており、図7(b)は、本実施形態のエッジリング11の棚12に半導体基板1が載置された状態を示している。
図7(a)に示すように、半導体基板1の表面(上面)SA及び裏面(下面)SBのそれぞれと、半導体基板1の端面(外周面)SCとの間において、上面ベベルSD及び下面ベベルSEが面取りされている。尚、上面SAと上面ベベルSDとがなす角θ1、及び下面SBと下面ベベルSEとがなす角θ2はそれぞれ22〜23°程度である。また、図7(a)に示すように、半導体基板1の厚さL1(つまり上面SAと下面SBとの距離)は例えば770μm程度であり、端面SCの長さL2は385μm程度であり、上面ベベルSD及び下面ベベルSEの長さL3及びL4のそれぞれは500μm程度である。また、図7(b)に示すように、エッジリング11の棚12における基板支持面12aとなるリング状領域の直径(以下、棚12の内径と称する)は、半導体基板1となるウェハの直径よりも1mm大きい。すなわち、エッジリング11の中心と半導体基板1の中心とが重なっている状態においては、図7(b)に示す距離LDは500μm程度である。
以上に述べたような構造を持つエッジリング11を用いた場合、図7(b)に示すように、棚12の基板支持面12aは半導体基板1の下面ベベルSEと接触する。このとき、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の長さLCは、下面ベベルSEの長さL4(図7(a)参照)に等しく、500μm程度である。
第2の実施形態によると、半導体基板1を支持する棚12が、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面12aを持つため、棚12に半導体基板1を載置した時点で半導体基板1の中心と棚12の中心(つまりエッジリング11の中心)とがずれていたとしても、半導体基板1の自重により半導体基板1が棚12の基板支持面12a上をスライドして、最終的に半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なることになる。このとき、棚12の中心位置と半導体基板1の中心位置との間のずれを0.3mm以下に、場合によっては0.1mm以下にすることができる。このため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積、つまり半導体基板1と棚12との接触状態が一様になるため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なった状態において、基板支持面12aは、1mm程度以下の長さ(ウェハ径方向の長さ)しか持たない半導体基板1の下面ベベルSEと接触することになるため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触箇所の面積を低減できる。このため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
すなわち、本実施形態のエッジリング11によると、エッジリング11の棚12と半導体基板1との実質的な接触箇所の長さは1mm以下であり、また、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積を均一にできるので、前述のような顕著な効果を得ることができる。
尚、第2の実施形態において、棚12の基板支持面12aの水平面に対する角度θを22°としたが、角度θが22°以上で且つ23°未満であっても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第2の実施形態において、エッジリング11の棚12の内径を、半導体基板1の直径よりも1mm大きくしたが、棚12の内径が半導体基板1の直径よりも大きければ本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第2の実施形態において、基板支持面12aの長さWを4mmとしたが、長さWが2mm以上であっても本実施形態と同様の効果(特に半導体基板1の自重により半導体基板1が基板支持面12a上をスライドして半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なるという効果)を得ることができる。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
以下、本発明の第3の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
図8(a)は、本実施形態における棚12を含むエッジリング11の平面構成を示しており、図8(b)は、図8(a)に示すエッジリング11の任意の箇所における棚12の断面構成を示している。図8(b)に示すように、棚12は、水平面に対して45°の角度(θ)をなす基板支持面12aを持つと共に基板支持面12aの長さW(ウェハ径方向における水平方向の長さ)は4mmである。
図9は、本実施形態のエッジリング11の棚12に半導体基板1が載置された状態を示している。図9に示すように、エッジリング11の棚12における基板支持面12aとなるリング状領域の直径(棚12の内径)は半導体基板1となるウェハの直径よりも大きい。具体的には、棚12の内径は半導体基板1の直径と比べて1mm大きい。
以上に述べたような構造を持つエッジリング11を用いた場合、図9に示すように、棚12の基板支持面12aは、半導体基板1の下面ベベルSEと端面SCとが接続するライン(図7(a)参照)と接触する。
第3の実施形態によると、半導体基板1を支持する棚12が、水平面に対して45°の角度をなす基板支持面12aを持つため、棚12に半導体基板1を載置した時点で半導体基板1の中心と棚12の中心(つまりエッジリング11の中心)とがずれていたとしても、半導体基板1の自重により半導体基板1が棚12の基板支持面12a上をスライドして、最終的に半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なることになる。このとき、棚12の中心位置と半導体基板1の中心位置との間のずれを0.3mm以下に、場合によっては0.1mm以下にすることができる。このため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積、つまり半導体基板1と棚12との接触状態が一様になるため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なった状態において、基板支持面12aは、半導体基板1の下面ベベルと端面とが接続するラインと接触することになるため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触箇所の面積を低減できる。このため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
すなわち、本実施形態のエッジリング11によると、エッジリング11の棚12と半導体基板1とは実質的にラインで接しており、また、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触状態を均一にできるので、前述のような顕著な効果を得ることができる。
尚、第3の実施形態において、棚12の基板支持面12aの水平面に対する角度θを45°としたが、角度θが23°以上で且つ90°未満であっても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第3の実施形態において、エッジリング11の棚12の内径を、半導体基板1の直径よりも1mm大きくしたが、棚12の内径が半導体基板1の直径よりも大きければ本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第3の実施形態において、基板支持面12aの長さWを4mmとしたが、長さWが2mm以上であっても本実施形態と同様の効果(特に半導体基板1の自重により半導体基板1が基板支持面12a上をスライドして半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なるという効果)を得ることができる。
(第4の実施形態)
以下、本発明の第4の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
以下、本発明の第4の実施形態に係る電子デバイスの製造装置について、RTP装置を例として、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、図1に示すような電子デバイスの製造装置(具体的にはRTP装置)におけるエッジリング11(特に棚12)にその特徴を有するものであり、その他の構成要素については第1の実施形態と同様であるものとする。
図10(a)は、本実施形態における棚12を含むエッジリング11の平面構成を示しており、図10(b)は、図10(a)に示すエッジリング11の任意の箇所における棚12の断面構成を示している。図10(b)に示すように、棚12は、水平面に対して90°の角度(θ)をなす基板支持面12aを持つ。
図11は、本実施形態のエッジリング11の棚12に半導体基板1が載置された状態を示している。図11に示すように、エッジリング11の棚12の内径は半導体基板1となるウェハの直径と同じである。
以上に述べたような構造を持つエッジリング11を用いた場合、図11に示すように、棚12の基板支持面12aは半導体基板1の端面SC(図7(a)参照)と接触する。このとき、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の長さは、端面SCの長さL3(図7(a)参照)に等しく、400μm程度である。
第4の実施形態によると、半導体基板1を支持する棚12が、水平面に対して90°の角度をなす基板支持面12aを持つ。すなわち、半導体基板1の端面SCと棚12の基板支持面12aとが接触した状態で半導体基板1が保持されるため、半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なることになる。このとき、棚12の中心位置と半導体基板1の中心位置との間のずれを0.3mm以下に、場合によっては0.1mm以下にすることができる。このため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積、つまり半導体基板1と棚12との接触状態が一様になるため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所と、それ以外の非接触箇所との間における熱収支バランスが向上する。従って、熱処理、具体的にはRTP処理時における基板面内温度均一性を向上させることができる。また、半導体基板1の中心と棚12の中心とが重なった状態において、基板支持面12aは、1mm程度以下の長さ(ウェハ主面に対して垂直な方向の長さ)しか持たない半導体基板1の端面SCと接触することになるため、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触箇所の面積を低減できる。このため、半導体基板1の周縁部における棚12との接触箇所の熱収支と、それ以外の非接触箇所の熱収支との間の違いを低減できる。従って、RTP処理時における基板面内温度均一性をより一層向上させることができる。
すなわち、本実施形態のエッジリング11によると、エッジリング11の棚12と半導体基板1との実質的な接触箇所の長さは1mm以下であり、また、半導体基板1の周縁部の各所における棚12との接触面積を均一にできるので、前述のような顕著な効果を得ることができる。
以上に説明したように、本発明は、熱処理を行なう電子デバイス製造装置に関し、RTP処理に適用した場合に優れたウェハ面内温度均一性を達成できるという効果が得られ、非常に有用である。
1 半導体基板
10 チャンバー
11 エッジリング
12 棚
12a 基板支持面
13 加熱部材
14 パイロメーター
15 センサー
16 支持ピン
17 トランスファーアーム
18 トランスファーチャンバー
10 チャンバー
11 エッジリング
12 棚
12a 基板支持面
13 加熱部材
14 パイロメーター
15 センサー
16 支持ピン
17 トランスファーアーム
18 トランスファーチャンバー
Claims (22)
- 基板を支持する棚を有する支持器と、
前記基板の位置を測定するセンサーと、
前記基板の位置を補正する位置補正機構とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。 - 前記棚は、水平面に対して−5°以上で且つ22°以下の角度をなす基板支持面を持つことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚における基板支持面の水平方向の長さは3mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記位置補正機構は、前記棚の中心位置と前記基板の中心位置との間のずれを0.3mm以下に設定することを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記位置補正機構は、前記棚が設けられているチャンバー内に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記位置補正機構は、前記棚が設けられているチャンバーの外部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、
前記棚に前記基板を保持する工程と、
前記棚に保持された前記基板の位置を前記センサーによって測定する工程と、
前記センサーにより測定された前記基板の位置に基づいて前記基板の位置を前記位置補正機構によって補正する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、
前記棚は、水平面に対して22°以上で且つ23°未満の角度をなす基板支持面を持つことを特徴とする電子デバイスの製造装置。 - 前記基板支持面は前記基板のベベル面と接触することを特徴とする請求項8に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚が前記基板を支持した状態において、前記棚の中心位置と前記基板の中心位置との間のずれは0.3mm以下であることを特徴とする請求項8に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚の内径は前記基板となるウェハの直径よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記基板支持面の水平方向の長さは2mm以上であることを特徴とする請求項8に記載の電子デバイスの製造装置。
- 基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、
前記棚は、水平面に対して23°以上で且つ90°未満の角度をなす基板支持面を持つことを特徴とする電子デバイスの製造装置。 - 前記基板支持面は、前記基板のベベル面と前記基板の端面とが接続するラインと接触することを特徴とする請求項13に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚が前記基板を支持した状態において、前記棚の中心位置と前記基板の中心位置との間のずれは0.3mm以下であることを特徴とする請求項13に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚の内径は前記基板の直径よりも大きいことを特徴とする請求項13に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記基板支持面の水平方向の長さは2mm以上であることを特徴とする請求項13に記載の電子デバイスの製造装置。
- 基板を支持する棚を有する支持器を備えた電子デバイスの製造装置であって、
前記棚は、水平面に対して90°の角度をなす基板支持面を持つことを特徴とする電子デバイスの製造装置。 - 前記基板支持面は前記基板の端面と接触することを特徴とする請求項18に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚が前記基板を支持した状態において、前記棚の中心位置と前記基板の中心位置との間のずれは0.3mm以下であることを特徴とする請求項18に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記棚の内径は前記基板の直径と同じであることを特徴とする請求項18に記載の電子デバイスの製造装置。
- 前記基板を加熱し且つ複数の領域に分割されている加熱器と、
前記基板の温度を測定する温度測定器とをさらに備え、
前記測定器によって測定された前記温度に基づいて前記各領域毎に前記加熱器の強度を調整することによって前記基板に対して熱処理を行なうことを特徴とする請求項1、8、13及び18のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造装置。
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