JPH06163444A

JPH06163444A - ウエハ熱処理方法およびこれに用いるガードリング構造

Info

Publication number: JPH06163444A
Application number: JP31833092A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Fukuda; 永福田; Toshiyuki Iwabuchi; 俊之岩渕; Junichi Takeoka; 順一竹岡; Keiji Suzuki; 敬二鈴木
Original assignee: KOYO RINDOBAAGU KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: KOYO RINDOBAAGU KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1992-11-27
Filing date: 1992-11-27
Publication date: 1994-06-10
Anticipated expiration: 2016-03-05
Also published as: JP3140227B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ランプアニールでウエハに「すべり線」損傷
を発生させないようにしたウエハ化熱処理方法およびこ
の方法に用いて好適なガードリング構造を提供する。【構成】ウエハ２０のオリエンテーションフラット部
２２をガードリングの開口部２６と対向させて配置し
て、両者を赤外放射ランプで加熱する。ガードリング構
造は、ガードリングの開口部を迂回するようにして、ガ
ードリングの両端部間に橋絡させた補助リング部３８と
をもって構成する。ガードリングからの熱放射によりウ
エハ全面の温度分布が均一化して「すべり線」の発生を
抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ウエハの熱処理方法
およびこれに用いるガードリング構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウエハを赤外線照射加熱装置（ランプア
ニール装置とも言う。）を用いて短時間熱処理（アニー
ル）する方法については、文献Ｉ：「“ラピッドサー
マルプロセシングシステム（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍ
ａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）”：アレ
ヴィユーウイズエンファシーズオンテンペラチ
ャーコントロール（ＡＲｅｖｉｅｗｗｉｔｈｅ
ｍｐｈａｓｉｓｏｎｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏ
ｎｔｒｏｌ），ジャーナルオブヴァキュームサイ
エンステクノロジー（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ），ｖｌ．Ｂ８，Ｎｏ．６，（１９９０）ｐ．１
２４９−１２５９」に開示されている。この文献には、
短時間アニールを実現するための技術として、タングス
テン−ハロゲンランプおよびキセノンアークランプを光
源として用いるランプアニール装置の加熱原理および特
徴について開示されている。

【０００３】ランプアニール装置に使用する上述した光
源は、主波長が約１μｍであるため、シリコン（Ｓｉ）
やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の通常使用されている半
導体材料の基礎吸収端と重なる。このため、これら材料
は熱線すなわち赤外線の吸収効率が０．７−０．９と高
く、それゆえ、これら材料のウエハを高温かつ短時間で
行なえるという利点がある。また、このランプアニール
装置は、特に、加熱温度および雰囲気の高精度制御が可
能であるため、ウエハ内での拡散不純物の分布を精確に
制御でき、従って、従来の他の加熱装置例えば熱拡散装
置等と比べて有利であり、注目を集めている。

【０００４】一方、高集積化、微細化の要求にともな
い、ウエハに層厚の薄い拡散層を形成する技術、薄いゲ
ート絶縁膜形成技術およびポリシリコン膜形成技術が必
要となってきている。このような素子形成プロセスの観
点からみても、上述した熱線を利用するランプアニール
技術は熱線を用いない他のアニール技術よりも有利であ
る。

【０００５】このようなランプアニール技術では、石英
ガラス製の反応炉内の処理空間に設けたホルダーにウエ
ハを搭載し、反応炉外からウエハに対してハロゲンラン
プ等の適当な光源から赤外放射を照射する。ウエハはそ
の波長の光を吸収するので、ウエハを所定の温度、例え
ば、８００−１０００℃程度に加熱することが可能とな
る。

【０００６】ところで、ウエハをランプアニールした場
合、通常の加熱状態では、ウエハはその中心部は高温と
なり周縁部では温度が低くなっている。例えば、６イン
チウエハを例にとって説明すると、ウエハ端から１０ｍ
ｍ以内の領域で約５〜１０℃程度の急激な温度低下を生
じることがわかっている。このような温度勾配は、ウエ
ハ全面にわたる放射温度を不均一にするため、ウエハの
結晶に場所的な応力差を生じさせてしまう。このため、
ウエハにすべり線（Ｓｌｉｐｌｉｎｅ）として知られ
る破断（ｆｒａｃｔｕｒｉｎｇ）その他の結晶欠陥が生
じ、極端な場合には焼き歪み（ｗｒｐａｇｅ）が生じて
しまう。

【０００７】ウエハにこのような「すべり線」損傷が発
生するのを回避するためには、アニール中、ウエハをそ
の表面全体にわたり均一な温度に維持することが少なく
とも必要となる。そこで、次の３通りの方法が考えられ
る。

【０００８】１）第１の方法は、加熱源であるランプ群
を複数のゾーンに分割して、その各々のゾーンを独立に
制御し、ウエハの周縁部に近いゾーンのランプ出力を中
心部側のゾーンのランプ出力よりも高める方法である。

【０００９】２）第２の方法は、処理空間内のウエハの
近接位置にウエハ周辺に沿った形状のリングランプを設
けてウエハの周縁部の加熱効率をタックする方法であ
る。

【００１０】３）第３の方法は、文献ＩＩ：「特開平２
−２９１１１８号公報」に開示されている方法であっ
て、ウエハホルダーの外周囲にこれとは離間させて断面
ほぼＴ次形状をしたサセプタリングを配設する方法であ
る。このサセプタリング１０は、その一部分を欠いて溝
または空隙１２を形成した不完全型のリング構造の部材
であり、この構造を図５の（Ａ）に平面図で概略的に示
し、また、サセプタリング１０とウエハ１４とを間隙１
６を介して互いに配置したときの、これらの高さ方向の
位置関係を図５の（Ｂ）に部分的概略図で示してある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
方法では、ランプからの照射光は平行光であるが、この
照射光自体が放射光であるため、ウエハ領域を局所加熱
することが難しく、そのため、ウエハ周縁部の温度補償
を適正に行なうことが困難である。

【００１２】また、第２の方法では、リングランプを反
応炉内の処理空間内に設ける必要があるため、リングラ
ンプをウエハステージ（ウエハホルダー）に何らかの方
法で固定しなければならず、従って、ウエハステージの
構造自体が複雑、大型かつ高価となる。しかも、リング
ランプを反応炉外のランプとは別個に制御する必要があ
るので、内外のランプ出力のバランスおよび制御のタイ
ミングを取るのが困難となり、ウエハの周縁部分の温度
低下を防止出来たとしても、ウエハ全体のランプからの
照射にバラツキが生じてしまう。そのため、熱応力に起
因するすべり線の発生を抑制出来ない。

【００１３】また、第３の方法にかかる文献ＩＩには、
提案されたサセプタリング１０を使用することにより、
ウエハの「すべり線」損傷を概ね減少させると説明され
ている。しかし、文献ＩＩにかかる発明者等は実際には
実験を行なっていないようであり、従って、サセプタリ
ング１０の溝または空隙１２に対するウエハ１４の向き
（ウエハのオリエントフラット部の位置）が、「すべり
線」損傷の発生にどのように関係するかについての具体
的な実験データが示されておらず、サセプタリング１０
とウエハの向きとの関係のいかんにかかわらず、「すべ
り線」損傷を概ね減少させるとは言い切れない。

【００１４】そこで、この発明の発明者等は、従来の断
面Ｔ形状のサセプタリングに対応するリングとして、厚
みが一定（断面形状は矩形）なガードリングを用いて、
このリングの空隙とウエハのオリエンテーションフラッ
ト部との位置関係が「すべり線」損傷の発生の有無にど
のように影響が出るかを実験して調べてみた。その結果
を図６の（Ａ）および（Ｂ）を参照して説明する。

【００１５】先ず、この実験で使用したウエハ２０は、
チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法で単結
晶引き上げした面方位＜１００＞で６インチ（１インチ
は約２．５４ｃｍ）径の円板状のシリコン（Ｓｉ）基板
で、そのオリエンテーションフラット部を２２で示す。
基板２０の不純物濃度は、Ｂ（ホウ素）イオンで５×１
０¹⁵ｃｍ³である。また、ガードリング２４およびウエ
ハ２０の材料として次式（１）で与えられる係数ｂ（但
し、この式においてガードリング２４の係数をｂ_R、ウ
エハ自体の係数をｂ_Sして表す。）と実質的に一致する
ようにした。

【００１６】ｂ＝（σ・ε）／（Ｃ・ρ・ｈ）・・・（１）ここで、σステファン・ボルツマン係数、εは材料固有
の放射率、Ｃは材料の比熱、ρは密度およびｈは材料の
厚さである。さらに、この実験ではガードリング材料と
してＳｉＣを被覆（コーティング）したカーボンを用い
た。これにより、両者の係数ｂを、ｂ_R／ｂ_S≒１．０
の関係となるようにし、これにより加熱時に材料からの
熱反射の効率を高めるようにした。また、ガードリング
２４は、ウエハ２０よりやや大きい内径を有する等幅の
開放型リングとなっていて、両終端面２４ａおよび２４
ｂ間に約４０ｍｍの開口部２６（従来のサセプタリング
の溝または間隙に相当する。）が存在する。この開口部
２６は、ウエハ２０をホルダー（図示せず。）に移載す
るときの治具（ロボットアーム）がウエハ２０に装着出
来るようにしてある。

【００１７】この実験では、反応炉中の加熱領域に、こ
のようなウエハ２０の周囲に近接し、また、それぞれの
膜厚の中心を互いに一致させて、配置する。このとき、
ガードリング２４をウエハ２０の周縁から約１ｍｍの間
隔となり、しかも、オリエンテーションフラット部２２
が開口部２６とは正反対側に位置するように、両者を配
置した（図６の（Ａ））。

【００１８】このような配置関係で、ウエハ２０を酸素
雰囲気中で、反応炉外のハロゲンランプから両者２０お
よび２４に対して赤外線照射を行なって、１２００℃の
ウエハ温度で１０秒間酸化した。

【００１９】この熱処理を受けたウエハ２０を、シュリ
ーレン光学系を利用した反射鏡により、「すべり線」損
傷が発生しているかを調べ、その結果を図６の（Ｂ）に
概略的に示した。この図からも理解出来るように、ウエ
ハは依然として「すべり線」損傷２８が生じていること
がわかった。この「すべり線」損傷２８を図６の（Ｂ）
では点線内に短い線分で模式的に示してある。

【００２０】この実験から、このリング２４の空隙２６
とウエハ２０のオリエンテーションフラット部２２との
位置関係が「すべり線」損傷の発生の有無に重大な関係
があることを発見した。

【００２１】そこで、この発明は、上述した実験結果を
踏まえ、従来の問題点を出来るだけ解消しようとしてな
されたものである。

【００２２】従って、この発明の第１の目的は、ウエハ
全体にわたって温度分布を均一に出来る、ウエハの加熱
処理方法を提供することにある。

【００２３】この発明の他の目的は、この加熱処理に用
いて好適なガードリング構造を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の方法によれば、反応炉内の加熱処理空間
において、オリエンテーションフラット部を有するほぼ
円板状のウエハの外周囲に、少なくとも一か所に開口部
を有する、ほぼリング状のガードリングを前記ウエハに
対して近接させて、かつ、それぞれの厚みの中心を一致
させて配設し、これらウエハとガードリングの少なくと
も一方の面側を、前記反応炉外の赤外放射源から赤外線
照射を行なって前記ウエハを熱処理するに当たり、この
ウエハのオリエンテーションフラット部を、前述のガー
ドリングの開口部側にこれと対向させて前述のウエハを
配設して前述の熱処理を行なうことを特徴とする。

【００２５】この発明のウエハ熱処理方法に使用して好
適なガードリング構造によれば、このガードリングに、
該ガードリングの開口部を画成する両端部間をこの開口
部を迂回して橋絡する補助リング部をもうけたことを特
徴とする。

【００２６】この発明のガードリング構造の好適実施例
においては、この補助リング部の一つの断面をほぼ
「コ」の字形状とするのが良い。

【００２７】また、この発明のガードリング構造の好適
実施例においては、このガードリングを、カーボンまた
はカーボン含有材料で形成した本体部と、この本体部の
表面を被覆している、シリコン層またはシリコンカーバ
イド層とをもって形成するのが良い。

【００２８】

【作用】上述したこの発明の方法によれば、ウエハのオ
リエンテーションフラット部とガードリングの開口部と
を対向させて両者を配設してある。この配置関係にある
ことにより、後述する実験結果からも明らかなように、
「すべり線」損傷の発生を抑制することが出来る。その
理由は定かではないが、ランプ加熱をすると、ウエハの
オリエンテーション部での熱放射分布の変化をガードリ
ングの開口部付近の熱放射分布が補うと考えられ、これ
により、ウエハ全面での温度分布が実質的に均一とな
り、均一な加熱となるからであると推測出来る。

【００２９】また、この発明のガードリング構造である
と、これを用いて赤外放射ランプによるウエハの加熱を
行なうと、補助リング部がない従来の形状のガードリン
グを用いた場合と同様に、この熱処理によってウエハに
「すべり線」損傷が発生することがない。このガードリ
ング構造であると、ウエハ全面での温度分布が一層均
一、すなわち均一な加熱となると推測され、しかも、ガ
ードリング構造自体の機械的強度も高まるので、従来の
形状のガードリングと比較して使用上さらに好都合であ
る。

【００３０】尚、ここで、均一な加熱とは、熱処理した
ウエハを用いてデバイスを形成した場合、このデバイス
の動作特性に実質的な影響が現れない程度にまで「すべ
り線」の発生を抑えることが出来るという程度の加熱を
意味するものとする。たとえば、６インチのシリコンウ
エハの場合には、中心部と周縁部との温度差が±５℃以
内となるような加熱は均一加熱と考えてよい。勿論、こ
の均一加熱でのウエハの中心部と周縁部との温度差の範
囲は、ウエハの大きさや材料その他の条件によって個別
的に異なる。また、ウエハとは、デバイス領域が作り込
まれていないいわゆる基板自体のものであっても、デバ
イス領域が作り込まれている中間状態のものであって
も、また、いわゆる基板上に別の層を成膜した状態のも
のであっても、或いは、ウエハにある程度デバイスとし
て完成していてアニールだけを行なえば良い状態のもの
であって、デバイス作成に用いる板状または層状のもの
であってアニールが必要な状態にあるものであって良
い。

【００３１】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。尚、図はこの発明が理解出来る程度に各
構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示し
ているにすぎない。

【００３２】図１の（Ａ）は、ウエハとガードリングと
の配置関係を示す平面図であり、（Ｂ）は、熱処理済み
のウエハの「すべり線」損傷の発生状態を調べた結果を
模式的に示した図である。尚、図中、ハッチングは断面
を示しているのではなく、ウエハ２０とガードリング２
４とを強調して示したにすぎない。

【００３３】また、この実施例で使用したウエハ２０お
よびガードリング２４は、図６の（Ａ）で説明した、こ
の出願の発明者等の実験で用いたものと材料、寸法その
他において同じものを用いた。

【００３４】しかし、この実施例では、ウエハ２０とガ
ードリング２４とを上述した実験例の場合とは異なる配
置とし、この実施例の場合には、ウエハ２０のオリエン
テーション部２２の中心に開口部２６の中心がほぼ一致
するように、両者を配置させた（図１の（Ａ））。

【００３５】図２は、ウエハ２０とガードリング２４と
をホルダー３０のピンで支持した状態を示す図で、断面
の切り口を示してある。このホルダー３０自体を９０℃
毎に４か所に設けたピン３２および３４でウエハおよび
ガードリングをそれぞれ支持する。このホルダー３０の
構造はこの発明の要旨でないのでその詳細な説明は省略
するが、この構造自体は別の構造であっても良い。

【００３６】このように配置した状態で、前述の実験の
場合と同様に、赤外放射ランプから赤外放射を行なっ
て、ウエハ２０とガードリング２４に対して短時間熱処
理を行なった。熱処理済みのウエハ２０を、シュリーレ
ン光学系を利用し反射鏡を用いて「すべり線」損傷を観
察した結果を図１の（Ｂ）に示す。この観察の結果、
「すべり線」損傷が全く観察されなかったので、加熱時
のウエハ全面の放射熱分布は均一であったことが理解出
来る。

【００３７】また、ウエハ２０のオリエンテーションフ
ラット部２２とウエハ２０の円形周縁部との交差点を、
ガードリング２４の開口部２６の中心とほぼ一致させた
配置関係で、前述と同様なウエハ熱処理を行なったとこ
ろ、前述の図１の（Ｂ）に示したと同様に、処理済みの
ウエハには「すべり線」損傷が全く観察されなかった。

【００３８】さらに、ウエハ２０を図１の（Ａ）の状態
からある程度回転させて、オリエンテーションフラット
部２２が開口部２６とは対向しないように、ウエハ２０
をガードリング２４に対して配置して上述した実施例の
場合と同様なウエハ加熱処理を行なったところ、オリエ
ンテーション部２２が開口部２６から離れるに従って
「すべり線」損傷が発生し、ある程度離れると、図６の
（Ａ）および（Ｂ）で説明したと同様な状態となること
がわかった。

【００３９】上述した実施例でのガードリング構造は、
ガードリング２４自体であり、これはリング状の形状を
していて、そのリングの一部を切り欠いて、この切り欠
きの端面２４ａおよび２４ｂ間で開口部２６を画成した
構造となっている。

【００４０】これに対し、図３に示す実施例のガードリ
ング構造は、ガードリング２４とこれに設けた補助リン
グ部３８とをもって構成している。この補助リング部３
８はガードリング２４と同じ材料および幅で形成するの
が特に好ましい。この補助リング部３８で、ガードリン
グ２４の両端部を橋絡させるが、その場合、開口部２６
を迂回する構造とする。従って、好ましくは、この補助
リング部３８の縦断面は、「コ」の字状形状とするのが
良い。そして、好ましくは、この補助リング部３８のウ
エハと平行と成る面がウエハ２０の面から約３〜５ｍｍ
程度はなれるように構成するのが良い。このガードリン
グ２４と補助リング部３８との結合（接続）は、適当に
行なえば良い。

【００４１】図４は、このようにガードリング２４に補
助リング部３８を取りつけたガードリング構造を示した
斜視図である。補助リング部３８は、開口部２６を迂回
するようにガードリング２４に取りつけてあるので、ウ
エハ移載用治具（ロボットアーム）４０がガードリング
２４に形成してある開口部２６を通りウエハ２０を操作
することが出来る。図示例では、アーム４０が開口部２
６を通りウエハ２０の下側にアクセスしている状態を示
している。

【００４２】この補助リング部３８をガードリング２４
に設けてなるガードリング構造を用いて、図１の（Ａ）
と同様な配置関係にして前述と同様なウエハ加熱処理を
行なったところ、図１の（Ｂ）で示したと同様に、熱処
理済みウエハには「すべり線」損傷は全く見られなかっ
た。

【００４３】これは、補助リング部３８からの熱反射が
効率良くウエハに及び、その結果、ウエハ全面における
放射熱分布が一層均一となり、従って、温度分布も一層
均一となったためであると推測出来る。

【００４４】次に、上述した各実施例の配置関係におい
て、ウエハの厚みを一定とし、ガードリングの厚みを変
えて、熱処理を行なって「すべり線」損傷の発生状態を
調べたところ、少なくともガードリングの厚みがウエハ
の厚みと同程度かそれ以上でないと、ウエハに「すべり
線」損傷が発生してしまうことがわかった。しかし、熱
処理中、ウエハ全面の温度分布を実質的に均一にするこ
とが出来るガードリングの厚みは、最大でもウエハの厚
みの２倍程度が限度であると考えられる。

【００４５】上述した実施例では、ガードリング構造を
構成する材料としてＳｉＣを被覆（コーティング）した
カーボンを用いた例につき説明したが、これに何ら限定
されるものではなく、ガードリングの材料とウエハの材
料との間の上述した式（１）で与えられる係数の比の値
が１に等しいかまたは１に近く成る材料を用いることが
出来る。例えば、ガードリング構造を、グラファイトを
本体部としてこれにシリコンまたはシリコンカーバイト
の層を被覆して形成しても良いし、或いは、カーボンを
本体部としてこれにシリコン層を被覆して形成しても良
い。また、本体部にコーティングをつけるのは、式
（１）中のεをウエハのεと近づけるためである。この
コーティング膜の膜厚は１μｍ程度でよいが、この膜厚
は実質的な影響は与えないと考えられる。

【００４６】また、上述した実施例では、ウエハとして
シリコンウエハの例につき説明したが、これに何ら限定
されるものでなく、ＧａＡｓその他の化合物半導体のウ
エハであってもよい。

【００４７】また、赤外放射ランプとしては、タングス
テン−ハロゲンランプやキセノンアークランプはもとよ
り、それ以外の赤外放射可能なランプであれば良い。

【００４８】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のウエハ熱処理方法によれば、ウエハのオリエン
テーション部をガードリングの開口部に対向させて配置
して赤外放射による加熱を行なっているので、ウエハの
全面において加熱温度をほぼ均一にすることができ、従
って、この熱処理を受けたウエハには「すべり線」損傷
は発生しない。例えば、６インチウエハの場合では、中
心部と周縁部との温度差を±３℃以内に抑えることが可
能となる。

【００４９】また、この発明のガードリング構造は、こ
れを用いて赤外放射ランプによるウエハの加熱を行なう
と、ガードリングおよび補助リング部からの放射熱がウ
エハの放射熱の不均一を補償してウエハ全面にわたる加
熱を均一にする効果を及ぼすので、補助リング部がない
従来の形状のガードリングを用いた場合と同様に、この
熱処理によってウエハに「すべり線」損傷が発生するこ
とがない。さらに、このガードリング構造であると、ガ
ードリング構造自体の機械的強度も高まるので、従来の
形状のガードリングと比較して使用上さらに好都合であ
る。

【００５０】このように、この発明のウエハ熱処理方法
およびガードリング構造によれば、ランプアニールによ
り短時間で、しかも、ウエハに「すべり線」損傷を生ず
ることなく、ウエハの熱処理を行なうことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例の説明に供するウ
エハとガードリングとの位置関係を示す平面図および
（Ｂ）は熱処理済みのウエハに「すべり線」損傷が生じ
ていないという実験結果を説明するための模式図であ
る。

【図２】図１の（Ａ）に示すウエハおよびガードリング
を支持するホルダーの説明図である。

【図３】この発明の他の実施例であってガードリングに
補助リング部を設けたガードリング構造の説明に供する
図１の（Ａ）と同様な平面図である。

【図４】図３にしめしたガードリング構造の説明に供す
る斜視図である。

【図５】（Ａ）はこの発明のガードリングに対応する従
来のサセプタリングの平面図および（Ｂ）は、サセプタ
リングとウエハのそれぞれの厚み方向での位置関係を説
明する図である。

【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、この発明のウエハ熱処
理方法の説明に供する、ウエハとガードリングとの配置
関係と「すべり線」損傷の発生の有無との関係を説明す
るための図で、（Ａ）はウエハとガードリングとの配置
関係を説明するための平面図であり、（Ｂ）は熱処理後
のウエハに「すべり線」損傷が生じている実験結果を説
明するための模式図である。

【符号の説明】

２０：ガードリング、２２：オリエンテーショ
ンフラット部２４ガードリング、２４ａ，２４ｂ：端面２６：開口部、３０：ホルダー３２，３４：ピン、３８：補助リング部４０：治具（またはアーム）。

フロントページの続き (72)発明者竹岡順一奈良県天理市嘉幡町229番地光洋リンドバーグ株式会社内 (72)発明者鈴木敬二奈良県天理市嘉幡町229番地光洋リンドバーグ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応炉内の加熱処理空間において、オリ
エンテーションフラット部を有するほぼ円板状のウエハ
の外周囲に、少なくとも一か所に開口部を有する、ほぼ
リング状のガードリングを前記ウエハに対して近接させ
て、かつ、それぞれの厚みの中心を一致させて配設し、これらウエハとガードリングの少なくとも一方の面側
を、前記反応炉外の赤外放射源から赤外線照射を行なっ
て前記ウエハを熱処理するに当たり、前記ウエハのオリエンテーションフラット部を、前記ガ
ードリングの開口部側にこれと対向させて前記ウエハを
配設して前記熱処理を行なうことを特徴とするウエハ熱
処理方法。
【請求項２】反応炉内の加熱処理空間において、オリ
エンテーションフラット部を有するほぼ円板状のウエハ
の外周囲に、少なくとも一か所に開口部を有する、ほぼ
リング状のガードリングを前記ウエハに対して近接させ
て、かつ、それぞれの厚みの中心を一致させて配設し、これらウエハとガードリングの少なくとも一方の面側
を、前記反応炉外の赤外放射源から赤外線照射を行なっ
て前記ウエハを熱処理する方法に使用する当該ガードリ
ング構造において、前記ガードリングに、該ガードリングの開口部を画成す
る両端部間を該開口部を迂回して橋絡する補助リング部
を具えることを特徴とするガードリング構造。
【請求項３】請求項２に記載の補助リング部の一つの
断面をほぼ「コ」の字形状としたことを特徴とするガー
ドリング構造。
【請求項４】請求項２に記載のガードリングを、カー
ボンまたはカーボン含有材料で形成した本体部と、この
本体部の表面を被覆している、シリコン層またはシリコ
ンカーバイド層とをもって形成してあることを特徴とす
るガードリング構造。