JP6814572B2

JP6814572B2 - 熱処理装置

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Publication number: JP6814572B2
Application number: JP2016164564A
Authority: JP
Inventors: 雅志古川
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2016-08-25
Filing date: 2016-08-25
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2036-08-25
Also published as: TW201824363A; WO2018037630A1; JP2018032758A; TWI671804B

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。

そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置として、特許文献１には、石英製のサセプタの上面に複数のバンプ（支持ピン）を形成し、それら支持ピンによって点接触で支持した半導体ウェハーにフラッシュ加熱を行う技術が開示されている。特許文献１に開示の装置では、サセプタ上に載置した半導体ウェハーの下面からハロゲンランプが光照射を行って予備加熱した後、ウェハー表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射してフラッシュ加熱を行う。

特許文献１に開示されるように、複数の支持ピンによって点接触で半導体ウェハーを支持すると、その接触箇所にて半導体ウェハーと支持ピンとの間に熱伝導が生じる。ハロゲンランプからの光照射によって予備加熱を行うときには、石英がほとんど光を吸収しないため、半導体ウェハーが石英のサセプタよりも高温となり、半導体ウェハーから支持ピンへの熱の移動が発生する。その結果、半導体ウェハー面内の複数の支持ピンとの接触箇所近傍において他の領域よりも相対的に温度が低くなっていた。

そこで、特許文献２には、レーザー光源から出射されたレーザー光を反射部によって支持ピンへと導き、温度低下が生じやすい支持ピンと半導体ウェハーとの接触箇所近傍を補助的に加熱して当該箇所の相対的な温度低下を防止することが提案されている。

特開２００９−１６４４５１号公報特開２０１５−１８９０９号公報

しかしながら、特許文献２に開示される装置においては、複数（支持ピンと同数）のレーザー光源をチャンバー内に設置する必要があった。雰囲気ガスの消費量を抑制する観点からは、チャンバー内の容量をなるべく少なくすることが求められており、多数のレーザー光源をチャンバー内に設置することが困難なこともある。また、半導体ウェハーを収容するチャンバー内には、汚染源となるおそれのある機器の設置を最小限に留めることが好ましい。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成にて光照射時の基板面内の温度分布を均一にすることができる熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて、上面に立設された複数の支持ピンを介して基板を支持する石英の平板形状の保持プレートと、前記保持プレートに支持された基板に前記保持プレートを透過して光を照射する光照射部と、を備え、前記複数の支持ピンの表面に前記光照射部から照射された光を吸収する光吸収材料にて形成された光吸収膜を設け、前記光吸収材料を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形であることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記光吸収材料は不透明石英であることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記不透明石英は黒色合成石英であることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記光吸収材料は炭化ケイ素であることを特徴とする。

請求項１の発明によれば、光照射部による加熱時には、複数の支持ピンの表面に設けられた光吸収膜が光照射部からの光を吸収して昇温するため、支持ピンと基板との接触箇所近傍における温度低下を抑制して簡易な構成にて光照射時の基板面内の温度分布を均一にすることができる。また、光吸収材料を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形であるため、光吸収材料の遮光による影響を抑制しつつ、光吸収効果を得ることができる。

請求項３の発明によれば、黒色合成石英は光の吸収率が高いため、支持ピンと基板との接触箇所近傍における温度低下をより効果的に抑制することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。保持部の全体外観を示す斜視図である。サセプタの平面図である。サセプタの断面図である。移載機構の平面図である。移載機構の側面図である。複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。第１実施形態の基板支持ピンの近傍を拡大した図である。第２実施形態の基板支持ピンの近傍を拡大した図である。第３実施形態の基板支持ピンの近傍を拡大した図である。第４実施形態の基板支持ピンの近傍を拡大した図である。第５実施形態の基板支持ピンの近傍を拡大した図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガスを用いることができる（本実施形態では窒素）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２８０ｍｍ）である。第１実施形態においては、それぞれの基板支持ピン７７は不透明石英にて形成されている。不透明石英は、例えば、石英材料内に多数の微細な気泡を含有させることによって得られる。不透明石英としては、例えば、信越石英株式会社製のＯＭ−１００、東ソー・クォーツ株式会社製のＯＰ−３等を用いることができる。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。また、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７のそれぞれを水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形である。

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計１２０（図１参照）がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計１２０が開口部７８を介してサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光し、別置のディテクタによってその半導体ウェハーＷの温度が測定される。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

また、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖されて熱処理空間６５が密閉空間とされた後、チャンバー６内の雰囲気調整が行われる。具体的にはバルブ８４が開放されてガス供給孔８１から熱処理空間６５に処理ガスが供給される。本実施形態では、処理ガスとして窒素がチャンバー６内の熱処理空間６５に供給される。また、バルブ８９が開放されてガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された処理ガスが下方へと流れて熱処理空間６５の下部から排気され、熱処理空間６５が窒素雰囲気に置換される。また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。

チャンバー６内が窒素雰囲気に置換され、半導体ウェハーＷが保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの裏面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計１２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの裏面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計１２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。

ところで、上述の如く、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱は、半導体ウェハーＷを１２本の基板支持ピン７７によって支持した状態で行われる。従来のように、基板支持ピン７７が石英にて形成されていた場合には、基板支持ピン７７はハロゲンランプＨＬから照射された光をほとんど吸収せずに透過する。このため、予備加熱時には、半導体ウェハーＷがハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温する一方で基板支持ピン７７を含むサセプタ７４はあまり昇温せず、相対的に半導体ウェハーＷよりも低温となる。よって、半導体ウェハーＷから直接に接触する基板支持ピン７７への熱伝導が生じ、１２本の基板支持ピン７７による接触箇所近傍のウェハー温度が他の領域よりも相対的に低下することとなる。その結果、半導体ウェハーＷの面内温度分布が不均一となる傾向が生じる。

このため、第１実施形態においては、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７を不透明石英にて形成している。不透明石英は、ハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収して昇温する光吸収材料である。すなわち、第１実施形態では、１２本の基板支持ピン７７がハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収して昇温する光吸収材料にて形成されている。

図８は、第１実施形態の基板支持ピン７７の近傍を拡大した図である。ハロゲンランプＨＬから出射された光は保持プレート７５の下面から照射される。保持プレート７５は、通常の透明な石英にて形成されているため、ハロゲンランプＨＬから出射された光を透過する。保持プレート７５を透過した光は半導体ウェハーＷの裏面に照射される。また、保持プレート７５を透過した光の一部は基板支持ピン７７にも照射される。基板支持ピン７７は不透明石英にて形成されているため、保持プレート７５を透過した光を吸収して昇温する。このため、上述した半導体ウェハーＷの基板支持ピン７７との接触箇所近傍における相対的な温度低下が抑制されることとなり、その結果、当該接触箇所近傍と周辺領域との温度差を最小にすることができ、予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

また、基板支持ピン７７を水平面に投影した形状は円形であり、その直径ｄは４ｍｍ以下である。基板支持ピン７７を水平面に投影した円形の直径ｄが４ｍｍより大きいと、基板支持ピン７７による光吸収効果よりも遮光効果が大きくなり、基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷの裏面に影が形成されることとなり、却って半導体ウェハーＷの基板支持ピン７７との接触箇所近傍における温度低下が大きくなる。このため、基板支持ピン７７を水平面に投影した円形の直径ｄは４ｍｍ以下に限定される。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬが半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。

フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

本実施形態では、ハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収して昇温する不透明石英にて１２本の基板支持ピン７７を形成し、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制して予備加熱段階での半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。その結果、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。

第１実施形態においては、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７がハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収して昇温する光吸収材料にて形成されている。これにより、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時には、１２本の基板支持ピン７７がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制して予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。その結果、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

また、第１実施形態においては、１２本の基板支持ピン７７を光吸収材料で形成するだけで半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。すなわち、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所を加熱するための特別な機構や設計変更は不要であり、簡易な構成にて光照射時の半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第２実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、光吸収材料を設ける形態である。

図９は、第２実施形態の基板支持ピン７７の近傍を拡大した図である。第２実施形態においては、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７の表面に、ハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収する光吸収材料にて形成された光吸収膜２１を設けている。第２実施形態では、基板支持ピン７７自体は石英にて形成されている。その石英の基板支持ピン７７の表面に光吸収材料にて形成された光吸収膜２１を成膜しているのである。

また、第２実施形態では、光吸収材料として炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いている。炭化ケイ素をスパッタリング、蒸着、塗布等の手法によって石英の基板支持ピン７７の表面にコーティングすることにより光吸収膜２１を成膜する。また、光吸収膜２１を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形である。

第２実施形態においては、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に、１２本の基板支持ピン７７の表面に設けられた光吸収膜２１がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍（厳密には、光吸収膜２１と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍）における温度低下を抑制して予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。その結果、第１実施形態と同様に、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

また、第２実施形態においては、１２本の基板支持ピン７７の表面に光吸収膜２１を設けるだけで半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。すなわち、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所を加熱するための特別な機構や設計変更は不要であり、簡易な構成にて光照射時の半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第３実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、光吸収材料を設ける形態である。

図１０は、第３実施形態の基板支持ピン７７の近傍を拡大した図である。第３実施形態においては、１２本の基板支持ピン７７と保持プレート７５との間にハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収する光吸収材料にて形成された光吸収膜２１を挟み込んで設けている。第３実施形態においても、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７自体は石英にて形成されている。また、光吸収材料としては第２実施形態と同様に炭化ケイ素を用いている。

第３実施形態においては、保持プレート７５の上面のうち、１２本の基板支持ピン７７が立設されるべき領域にスパッタリング、蒸着、塗布等の手法によって炭化ケイ素をコーティングして光吸収膜２１を成膜している。そして、その光吸収膜２１の上に基板支持ピン７７を立設することにより、基板支持ピン７７と保持プレート７５との間に光吸収膜２１を挟み込んでいる。光吸収膜２１の膜厚は０．１ｍｍ〜０．５ｍｍである。また、光吸収膜２１を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形である（つまり、円板形状の光吸収膜２１の直径は４ｍｍ以下）。

第３実施形態においては、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に、１２本の基板支持ピン７７と保持プレート７５との間に挟み込んで設けられた光吸収膜２１がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温する。昇温した光吸収膜２１から基板支持ピン７７に熱が伝わって基板支持ピン７７自体も昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制して予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。その結果、第１実施形態と同様に、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

また、第３実施形態においては、１２本の基板支持ピン７７と保持プレート７５との間に光吸収膜２１を設けるだけで半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。すなわち、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所を加熱するための特別な機構や設計変更は不要であり、簡易な構成にて光照射時の半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第４実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第４実施形態が第１実施形態と相違するのは、光吸収材料を設ける形態である。

図１１は、第４実施形態の基板支持ピン７７の近傍を拡大した図である。第４実施形態においては、保持プレート７５の下面のうち１２本の基板支持ピン７７と対向する領域にハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収する光吸収材料にて形成された光吸収膜２１を設けている。第４実施形態においても、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７自体は石英にて形成されている。また、光吸収材料としては第２実施形態と同様に炭化ケイ素を用いている。

第４実施形態においては、保持プレート７５の下面のうち、上面に立設された１２本の基板支持ピン７７と対向する領域にスパッタリング、蒸着、塗布等の手法によって炭化ケイ素をコーティングして光吸収膜２１を成膜している。光吸収膜２１の膜厚は０．１ｍｍ〜０．５ｍｍである。また、光吸収膜２１を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形である（つまり、円板形状の光吸収膜２１の直径は４ｍｍ以下）。

第４実施形態においては、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に、保持プレート７５の下面のうち１２本の基板支持ピン７７と対向する領域に設けられた光吸収膜２１がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温する。昇温した光吸収膜２１から上方の保持プレート７５および基板支持ピン７７に熱が伝わって基板支持ピン７７自体も昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制して予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。その結果、第１実施形態と同様に、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

また、第４実施形態においては、保持プレート７５の下面に光吸収膜２１を設けるだけで半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。すなわち、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所を加熱するための特別な機構や設計変更は不要であり、簡易な構成にて光照射時の半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について説明する。第５実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第５実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第５実施形態が第１実施形態と相違するのは、光吸収材料を設ける形態である。

図１２は、第５実施形態の基板支持ピン７７の近傍を拡大した図である。第５実施形態においては、保持プレート７５のうち１２本の基板支持ピン７７が立設された部位をハロゲンランプＨＬから照射された光を吸収する光吸収材料にて形成している。第５実施形態においても、保持プレート７５の上面に立設された１２本の基板支持ピン７７自体は石英にて形成されている。また、光吸収材料としては第１実施形態と同様に不透明石英を用いている。

第５実施形態においては、保持プレート７５のうち１２本の基板支持ピン７７が立設されるべき部位に上下に貫通して孔を穿設し、その孔に溶接等によって不透明石英の円柱部２２を埋め込んでいる。そして、その円柱部２２の上に基板支持ピン７７を立設している。不透明石英の円柱部２２の高さは保持プレート７５の厚さと同じである。また、不透明石英の円柱部２２を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形である（つまり、円柱部２２の直径は４ｍｍ以下）。

第５実施形態においては、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に、１２本の基板支持ピン７７の下に設けられた不透明石英の円柱部２２がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温する。昇温した円柱部２２から基板支持ピン７７に熱が伝わって基板支持ピン７７自体も昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制して予備加熱時における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。その結果、第１実施形態と同様に、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーＷ表面の面内温度分布も均一にすることができる。

また、第５実施形態においては、保持プレート７５の一部を光吸収材料にて形成するだけで半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にしている。すなわち、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所を加熱するための特別な機構や設計変更は不要であり、簡易な構成にて光照射時の半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１，５実施形態の光吸収材料として炭化ケイ素を用い、第２〜４実施形態の光吸収材料として不透明石英を採用するようにしても良い。また、各実施形態にて光吸収材料として用いる不透明石英を黒色合成石英としても良い。黒色合成石英は白色の不透明石英に比較して高い光吸収率を有しているため、ハロゲンランプＨＬからの光を吸収してより高温に昇温し、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下をより効果的に抑制することができる。

また、第１〜５実施形態の光吸収材料を設ける形態の２つ以上を適宜に組み合わせるようにしても良い。例えば、第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせ、不透明石英の基板支持ピン７７と保持プレート７５との間に光吸収膜２１を挟み込んで設けるようにしても良い。或いは、第１実施形態と第５実施形態とを組み合わせ、不透明石英の円柱部２２の上に不透明石英の基板支持ピン７７を設けるようにしても良い。

また、石英の基板支持ピン７７の表面をサンドブラスト等の粗面化処理によって不透明とするようにしても良い。このようにすれば、基板支持ピン７７を不透明石英にて形成したのと同様に、基板支持ピン７７の表面がハロゲンランプＨＬからの光を吸収して昇温するため、基板支持ピン７７と半導体ウェハーＷとの接触箇所近傍における温度低下を抑制することができる。

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。

また、本発明に係る熱処理技術は、フラッシュランプアニール装置に限定されるものではなく、ハロゲンランプを使用した枚葉式のランプアニール装置やＣＶＤ装置などのフラッシュランプ以外の熱源の装置にも適用することができる。特に、チャンバーの下方にハロゲンランプを配置し、石英のサセプタ上に複数の基板支持ピンで支持した半導体ウェハーの裏面から光照射を行って熱処理を行うバックサイドアニール装置に本発明に係る技術は好適に適用することができる。

１熱処理装置
３制御部
４ハロゲン加熱部
５フラッシュ加熱部
６チャンバー
７保持部
２１光吸収膜
２２円柱部
６５熱処理空間
７４サセプタ
７５保持プレート
７７基板支持ピン
１２０放射温度計
ＦＬフラッシュランプ
ＨＬハロゲンランプ
Ｗ半導体ウェハー

Claims

基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて、上面に立設された複数の支持ピンを介して基板を支持する石英の平板形状の保持プレートと、
前記保持プレートに支持された基板に前記保持プレートを透過して光を照射する光照射部と、
を備え、
前記複数の支持ピンの表面に前記光照射部から照射された光を吸収する光吸収材料にて形成された光吸収膜を設け、
前記光吸収材料を水平面に投影した形状は直径４ｍｍ以下の円形であることを特徴とする熱処理装置。
請求項１記載の熱処理装置において、
前記光吸収材料は不透明石英であることを特徴とする熱処理装置。
請求項２記載の熱処理装置において、
前記不透明石英は黒色合成石英であることを特徴とする熱処理装置。
請求項１記載の熱処理装置において、
前記光吸収材料は炭化ケイ素であることを特徴とする熱処理装置。