JP7403566B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 300
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 285
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 63
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 63
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 32
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 8
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第2実施形態の熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同様である。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは温度プロファイルにおける特性値の算定期間である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第3実施形態の熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同様である。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、温度プロファイルに基づく半導体ウェハーWの割れの判定方法である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、温度プロファイルの特性値として平均値および標準偏差を用いていたが、これに限定されるものではなく、他の統計量を用いても良い。例えば、温度プロファイルの特性値として、平均値に代えて中央値を用い、標準偏差に代えて最大値と最小値との差であるレンジを用いるようにしても良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 下部放射温度計
25 上部放射温度計
31 割れ判定部
33 入力部
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
90 高速放射温度計ユニット
91 赤外線センサ
95 温度変換部
96 特性値算定部
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (4)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
前記フラッシュ光の照射を開始してから所定期間の前記基板の表面温度を測定して温度プロファイルを取得する温度測定工程と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する検出工程と、
を備え、
前記検出工程では、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、前記基板の表面から放射された波長5μm以上6.5μm以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする熱処理方法。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記基板の表面から放射された赤外光を受光して当該表面の温度を測定する放射温度計と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光の照射を開始してからの所定期間に前記放射温度計によって測定された前記基板の表面温度の温度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する解析部と、
を備え、
前記解析部は、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記放射温度計は、前記基板の表面から放射された波長5μm以上6.5μm以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする熱処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017040210 | 2017-03-03 | ||
JP2017040210 | 2017-03-03 | ||
JP2017235948A JP7265314B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-12-08 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017235948A Division JP7265314B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-12-08 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022081666A JP2022081666A (ja) | 2022-05-31 |
JP7403566B2 true JP7403566B2 (ja) | 2023-12-22 |
Family
ID=63590074
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017235948A Active JP7265314B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-12-08 | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2022045533A Active JP7403566B2 (ja) | 2017-03-03 | 2022-03-22 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017235948A Active JP7265314B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-12-08 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7265314B2 (ja) |
KR (3) | KR102354609B1 (ja) |
TW (2) | TWI712787B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210272827A1 (en) * | 2018-06-25 | 2021-09-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
JP7245675B2 (ja) * | 2019-03-07 | 2023-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7307563B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7312020B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7372066B2 (ja) | 2019-07-17 | 2023-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7372074B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7370763B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-10-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US12020958B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment method |
JP7460394B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-04-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7461214B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
CN113034480B (zh) * | 2021-04-01 | 2023-12-19 | 艾德领客(上海)数字技术有限公司 | 一种基于人工智能及图像处理的高炉损坏分析方法 |
CN113984779B (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-19 | 苏州康代智能科技股份有限公司 | 一种pcb通孔检测设备 |
JP2024041146A (ja) | 2022-09-14 | 2024-03-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
KR102602641B1 (ko) * | 2023-02-15 | 2023-11-16 | (주)아인테크놀러지 | 기판 크랙 검사장치 |
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---|---|---|---|---|
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JP2012238779A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
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- 2017-12-08 JP JP2017235948A patent/JP7265314B2/ja active Active
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- 2018-02-23 TW TW107106076A patent/TWI712787B/zh active
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- 2018-02-28 KR KR1020180024533A patent/KR102354609B1/ko active IP Right Grant
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- 2021-03-31 KR KR1020210041961A patent/KR102412541B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018148201A (ja) | 2018-09-20 |
KR102354609B1 (ko) | 2022-01-21 |
TWI830964B (zh) | 2024-02-01 |
TW201839382A (zh) | 2018-11-01 |
TWI712787B (zh) | 2020-12-11 |
KR20210038527A (ko) | 2021-04-07 |
JP2022081666A (ja) | 2022-05-31 |
KR20220012389A (ko) | 2022-02-03 |
KR20180101225A (ko) | 2018-09-12 |
KR102452243B1 (ko) | 2022-10-07 |
JP7265314B2 (ja) | 2023-04-26 |
KR102412541B1 (ko) | 2022-06-23 |
TW202120916A (zh) | 2021-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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