JP7245675B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置100を示す平面図であり、図2はその正面図である。熱処理装置100は基板として円板形状の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図1~図3の各図においては、それらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置100の構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と同様である。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、半導体ウェハーWの割れの判定手法である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、ガス排気管88に気中パーティクルカウンタ99を接続していたが、これに代えて、処理チャンバー6に直接気中パーティクルカウンタ99を設けるようにしても良い。すなわち、気中パーティクルカウンタ99は、処理チャンバー6内の気中パーティクル濃度を測定することができる位置に設けられていれば良い。もっとも、処理チャンバー6に直接気中パーティクルカウンタ99を設けた場合、気中パーティクルカウンタ99の取り付け位置によっては、半導体ウェハーWが割れたときに発生したパーティクルを検出しにくいこともある。処理チャンバー6内の熱処理空間65の雰囲気は全てガス排気管88に流れ込むため、上記実施形態のようにガス排気管88に気中パーティクルカウンタ99を設けるようにした方が確実に処理チャンバー6内のパーティクルを検出することができる。
4 ハロゲンランプハウス
5 フラッシュランプハウス
6 処理チャンバー
7 保持部
10 移載機構
31 検出部
32 発報部
35 磁気ディスク
36 正常濃度パターン
65 熱処理空間
74 サセプタ
99 気中パーティクルカウンタ
100 熱処理装置
101 インデクサ部
120 受渡ロボット
130,140 冷却部
131 第1クールチャンバー
141 第2クールチャンバー
150 搬送ロボット
151a,151b 搬送ハンド
160 熱処理部
170 搬送チャンバー
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
チャンバー内に収容した基板に対して熱処理を行う処理工程と、
前記熱処理を行っているときの前記チャンバーからのガス排気管を流れる気体の気中パーティクル濃度を測定することによって前記チャンバー内の気中パーティクル濃度を測定する測定工程と、
前記測定工程にて測定された気中パーティクル濃度に基づいて前記基板の割れを検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記検出工程では、前記測定工程にて測定されている気中パーティクル濃度の上昇が所定の閾値を超えたときに前記基板が割れたと判定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記検出工程では、前記測定工程にて測定された気中パーティクル濃度の変化の実測パターンが正常に熱処理が行われたときに取得済みの正常濃度パターンと相違するときに前記基板が割れたと判定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記検出工程にて前記基板の割れが検出されたときに、警告を発報するとともに、前記熱処理を停止することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記熱処理は、フラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射する加熱処理であることを特徴とする熱処理方法。 - 基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記基板に対して熱処理を行う熱処理部と、
前記チャンバーからのガス排気管に接続され、前記ガス排気管を流れる気体の気中パーティクル濃度を測定することによって前記チャンバー内の気中パーティクル濃度を測定する測定部と、
前記熱処理を行っているときに前記測定部によって測定された前記チャンバー内の気中パーティクル濃度に基づいて前記基板の割れを検出する検出部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6記載の熱処理装置において、
前記検出部は、前記熱処理を行っているときに前記測定部によって測定されている気中パーティクル濃度の上昇が所定の閾値を超えたときに前記基板が割れたと判定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6記載の熱処理装置において、
基板が割れることなく正常に熱処理が行われたときに前記測定部によって測定された気中パーティクル濃度の変化を示す正常濃度パターンを格納する記憶部をさらに備え、
前記検出部は、前記熱処理を行っているときに前記測定部によって測定された気中パーティクル濃度の変化の実測パターンが前記正常濃度パターンと相違するときに前記基板が割れたと判定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記検出部によって前記基板の割れが検出されたときに、警告を発報するとともに、前記熱処理を停止する制御部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6から請求項9のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記熱処理部は、前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板を加熱するフラッシュランプを含むことを特徴とする熱処理装置。
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