JP2008042127A - 熱処理装置および熱処理用サセプタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュランプからの閃光照射によってフラッシュ加熱される半導体ウェハーWを保持するサセプタ72は透明な石英にて形成されている。サセプタ72の裏面72bのみがショットブラストによって粗面化されてすりガラス状とされている。閃光照射時には、フラッシュランプから照射された閃光のうちサセプタ72に保持された半導体ウェハーWの周縁部側方を通過してサセプタ72内に入射した光は、すりガラス状の裏面72bに到達して乱反射する。そして、乱反射された光の一部がサセプタ72に保持された半導体ウェハーWの周縁部に照射されることとなり、その結果半導体ウェハーWの周縁部に存在していた低温領域が加熱されることとなる。
【選択図】図4
Description
4 保持部昇降機構
5 光照射部
6 チャンバー
7 保持部
61 透光板
65 熱処理空間
69 フラッシュランプ
71 ホットプレート
72 サセプタ
72b 裏面
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を表面側にて保持するサセプタと、
前記サセプタに保持された基板に光を照射する光源と、
を備え、
前記サセプタは透明な部材にて形成され、前記サセプタの裏面のみがすりガラス状であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記光源は、閃光を照射するフラッシュランプを備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記サセプタを載置し、前記フラッシュランプから閃光を照射する前に前記サセプタを介して基板を予備加熱するホットプレートをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記サセプタの裏面のうち、少なくとも前記光源から照射された光が前記サセプタに保持された基板の側方を通過して前記サセプタ内に入射して到達する領域はすりガラス状とされていることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に光を照射して熱処理を行うときに処理対象となる基板を保持する熱処理用サセプタであって、
透明な部材にて形成され、裏面のみがすりガラス状であることを特徴とする熱処理用サセプタ。 - 請求項5記載の熱処理用サセプタにおいて、
前記裏面のうち、少なくとも照射された光が前記熱処理用サセプタに保持された基板の側方を通過して前記熱処理用サセプタ内に入射して到達する領域はすりガラス状とされていることを特徴とする熱処理用サセプタ。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141103A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 |
JP2010238788A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2010238735A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2011077147A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2018133424A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800081B2 (en) * | 2007-11-08 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Pulse train annealing method and apparatus |
US9498845B2 (en) | 2007-11-08 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Pulse train annealing method and apparatus |
US20090120924A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Stephen Moffatt | Pulse train annealing method and apparatus |
JP7191504B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2022-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP2019021828A (ja) * | 2017-07-20 | 2019-02-07 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178718A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Sony Corp | 半導体基体の処理装置 |
JPH07280462A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 均熱セラミックスヒーター |
JP2000315658A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2004140318A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005005667A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005142529A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6693789B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-02-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Susceptor and manufacturing method thereof |
JP2002110579A (ja) | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
JP2002110580A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
JP4841873B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
-
2006
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-
2007
- 2007-08-02 US US11/832,682 patent/US8355624B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178718A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Sony Corp | 半導体基体の処理装置 |
JPH07280462A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 均熱セラミックスヒーター |
JP2000315658A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2004140318A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005005667A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005142529A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141103A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 |
JP2010238788A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2010238735A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2011077147A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2018133424A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
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