JP4641154B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明にかかる熱処理装置を組み込んだ基板処理装置100を示す平面図であり、図2は正面図である。なお、図1および図2において適宜部分的に断面図としており、細部については適宜簡略化している。また、図1,2および以降の各図においては、それらの方向関係を明確にするため必要に応じてZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。
次に、加熱処理部160の構成について説明する。図3は、本発明に係る熱処理装置の一形態である加熱処理部160の構成を示す側断面図である。加熱処理部160は基板として半導体ウェハーWに閃光を照射してその半導体ウェハーWを加熱する熱処理装置である。
次に、基板処理装置100における半導体ウェハーWの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーWはイオン注入法により不純物が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が加熱処理部160による熱処理により行われる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては光照射部5に30本のフラッシュランプ69を備えるようにしていたが、これに限定されずフラッシュランプ69の本数は任意のものとすることができる。また、フラッシュランプはキセノンランプにかえてクリプトンランプでもよい。
4 保持部昇降機構
5 光照射部
6 チャンバー
7 保持部
65 熱処理空間
69 フラッシュランプ
71 ホットプレート
72 サセプタ
100 基板処理装置
110 インデクサ部
130 アライメント部
140 冷却部
150 搬送ロボット
160 加熱処理部
170 搬送室
710 センサ
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記所定温度が1℃であることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化パターンが正常に光照射加熱処理が行われたときの温度変化パターンと異なることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化曲線の傾きが所定値未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記保持手段は、基板を載置するサセプタと当該サセプタを介して基板を加熱する加熱プレートとを含み、
前記測温手段は前記加熱プレートの温度を測定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光源はキセノンフラッシュランプを備えることを特徴とする熱処理装置。
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