JP6059537B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
<1−1.全体構成>
まず、本発明に係る熱処理装置100の全体概略構成について簡単に説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置100を示す平面図であり、図2はその正面図である。熱処理装置100は基板として円板形状の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。熱処理装置100に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置100による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、フラッシュ加熱部160の構成について詳細に説明する。図3は、フラッシュ加熱部160の構成を示す縦断面図である。フラッシュ加熱部160は、半導体ウェハーWを収容する熱処理チャンバー6と、複数のフラッシュランプFLを内蔵するフラッシュランプハウス5と、複数のハロゲンランプHLを内蔵するハロゲンランプハウス4と、を備える。熱処理チャンバー6の上側にフラッシュランプハウス5が設けられるとともに、下側にハロゲンランプハウス4が設けられている。また、フラッシュ加熱部160は、熱処理チャンバー6の内部に、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持する保持部7と、保持部7と装置外部との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う移載機構10と、を備える。
次に、搬送ロボット150の下側の搬送ハンド151bに保持された半導体ウェハーWの位置ずれを検出する機構について説明する。図11は、搬送ロボット150の搬送ハンド151bを示す平面図である。搬送ハンド151bは、左右一対のフィンガー155a,155bを備える。フィンガー155aの内側からフィンガー155bの内側にかけて鍔部156が形成されている。鍔部156の外周は、円から一部が欠落した円弧形状となっている。鍔部156の外周の径は半導体ウェハーWの径よりも大きく、サセプター74上のガイドリング76の内径と同じである。本実施形態においては、φ300mmの半導体ウェハーWに対してガイドリング76の内径をφ320mmとしているため、鍔部156の外周の径も320mmとしている。また、鍔部156の内周は、フィンガー155a,155bを除く部位では円弧形状であり、フィンガー155a,155bでは他の部位よりもせり出している。鍔部156の内周の円弧形状の径は半導体ウェハーWの径よりも小さい。半導体ウェハーWは、鍔部156に載置されて搬送ハンド151bに保持されることとなる。
次に、本発明に係る熱処理装置100による半導体ウェハーWの処理動作について説明する。この熱処理装置100において処理対象となる半導体ウェハーWは、パターン形成後にイオン注入法により不純物(イオン)が添加されたシリコンの半導体基板である。その不純物の活性化がフラッシュ加熱部160によるフラッシュ光照射加熱処理(アニール)により実行される。以下に説明する熱処理装置100の処理手順は、制御部3が熱処理装置100の各動作機構を制御することにより進行する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部160のサセプター74に複数の支持ピン77を設け、それら複数の支持ピン77によって半導体ウェハーWを支持するようにしていたが、これに限定されるものではなく、支持ピン77を設けていないサセプターを用いるようにしても良い。例えば、特許文献1,2に開示されるような凹部を有するサセプターの載置面に半導体ウェハーWを直接載置してフラッシュ光を照射するようにしても良い。また、図18に示すような、凹面状の凹部275を形成したサセプター274に半導体ウェハーWを保持してフラッシュ光照射を行うようにしても良い。これら支持ピンを設けていないサセプターに半導体ウェハーWを保持した場合であっても、フラッシュ光照射時のウェハー表面の急激な熱膨張によって半導体ウェハーWの位置ずれが生じることがある。フラッシュ光照射時に半導体ウェハーWの位置ずれが生じたとしても、上記実施形態と同様にして半導体ウェハーWの位置ずれを検出し、その検出結果に基づいて搬送ハンド151bの受渡位置を補正することにより、冷却部140の正規の受渡位置に半導体ウェハーWを正確に搬入することができる。
4 ハロゲンランプハウス
5 フラッシュランプハウス
6 熱処理チャンバー
7 保持部
74 サセプター
76 ガイドリング
77 支持ピン
100 熱処理装置
101 インデクサ部
130 アライメント部
131 アライメントチャンバー
140 冷却部
141 クールチャンバー
150 搬送ロボット
151a,151b 搬送ハンド
155a,155b フィンガー
156 鍔部
157 切り欠き部
158 ウェハーセンサー
159 ハンドセンサー
160 フラッシュ加熱部
170 搬送チャンバー
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (3)
- 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
チャンバー内にてサセプターに保持された基板にフラッシュランプから出射されたフラッシュ光を照射して前記基板を加熱するフラッシュ加熱部と、
前記フラッシュ加熱部にて加熱された前記基板を冷却する冷却部と、
前記フラッシュ加熱部にて加熱された前記基板を搬送ハンドに載置して前記チャンバーから搬出し、前記搬送ハンドを旋回させて前記基板を前記冷却部に搬入する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットが前記搬送ハンドを旋回させるときに、前記搬送ハンドに載置された前記基板の位置ずれを検出する検出部と、
前記検出部による検出結果に基づいて、前記冷却部に前記基板を搬入するときに前記搬送ハンドの受渡位置を補正する補正部と、
を備え、
前記検出部は、
前記搬送ロボットが前記搬送ハンドを前記チャンバーから前記冷却部に移動させるときに、前記搬送ハンドが測定点を通過するタイミングを検出するハンドセンサーと、
前記搬送ロボットが前記搬送ハンドを前記チャンバーから前記冷却部に移動させるときに、前記基板が測定点を通過するタイミングを検出する基板センサーと、
を備え、
前記ハンドセンサーおよび前記基板センサーは、前記搬送ハンドの旋回中心から見た同一半径上にて並ぶ位置に配置され、
前記ハンドセンサーおよび前記基板センサーの検出結果に基づいて前記検出部が前記搬送ハンドに載置された前記基板の位置ずれを検出することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記搬送ハンドには、前記搬送ハンドの両端外縁から前記搬送ハンドに載置された前記基板の周縁部に対向する位置にかけて一対の切り欠きが形成され、
前記搬送ロボットが前記搬送ハンドを前記チャンバーから前記冷却部に移動させるときに、前記基板センサーの測定点が前記一対の切り欠きを通過するとともに、前記ハンドセンサーの測定点が前記一対の切り欠きが形成されていない前記搬送ハンドの部位を通過するように、前記ハンドセンサーおよび前記基板センサーが設置されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、
前記検出部は、
前記搬送ハンドが前記ハンドセンサーの測定点に到達した時点から前記基板が前記基板センサーの測定点に到達した時点までの第1の時間と、
前記基板が前記基板センサーの測定点を通過するのに要する第2の時間と、
前記基板が前記基板センサーの測定点を通過し終えた時点から前記搬送ハンドが前記ハンドセンサーの測定点を通過し終えた時点までの第3の時間と、
に基づいて前記搬送ハンドに載置された前記基板の位置ずれを検出することを特徴とする熱処理装置。
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