JP7008609B2 - 基板処理装置、及び搬送位置補正方法 - Google Patents

基板処理装置、及び搬送位置補正方法 Download PDF

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Description

本開示の種々の側面及び実施形態は、基板処理装置、及び搬送位置補正方法に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、一例として、内部に搬送機構を収容した真空搬送チャンバの周囲に複数の真空処理チャンバを設け、真空搬送チャンバを介して各真空処理チャンバに基板を搬送し、真空処理を行えるようにした所謂マルチチャンバ型の真空処理装置が用いられる。搬送機構は、先端の基板保持部（ピック）が基板を保持するように構成される。搬送機構は、各処理チャンバ内に設けられた載置台に基板を搬送し載置台上に載置する。載置台に対して基板を高精度に搬送するためには、搬送機構のピックと載置台との間の位置合わせを行うことが重要である。このため、搬送機構のピックの位置を調整するティーチング処理が行われる。
ここで、ティーチング処理を行う際に、載置台の所定位置に配置された基板を搬送アームのピックによって真空搬送チャンバ内の位置検出機構へ搬送し、位置検出機構によって基板の位置を検出し、その検出結果を用いてピックの位置を調整する技術がある。
特開２００７－２５１０９０号公報 特開２０１３－４５８１７号公報
しかしながら、上述した技術では、載置台に対して基板を高精度に搬送することが困難であるという問題がある。
すなわち、上述した技術では、載置台の所定位置に配置された基板を搬送アームのピックによって位置検出機構へ搬送する場合、載置台に対して進退自在に設けられた昇降ピン等の昇降機構を用いて基板を昇降させることで、載置台からピックへ基板を受け渡す。このため、上述した技術では、昇降機構による基板の昇降動作に伴って基板の位置が載置台の所定位置に対してずれる。この基板の位置のずれが位置検出機構における検出結果に含まれるため、ティーチング処理が行われた場合でも、搬送アームのピックの位置が正確に調整されない恐れがある。結果として、上述した技術では、ティーチング処理が行われた後に、載置台に対して基板を高精度に搬送することが困難であった。
開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、基板を保持する第１のピックを有し、前記基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構によって搬送される前記基板の位置を検出する検出機構と、前記搬送機構及び前記検出機構を収容する搬送チャンバに接続された処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、前記基板が載置される載置台と、前記載置台に対して進退自在に設けられ、前記基板を昇降させる昇降機構と、前記搬送機構及び前記昇降機構を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記搬送機構の前記第１のピックの位置を調整するティーチング処理を行う調整部と、前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、及び前記載置台から前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記載置台から前記第１のピックに受け渡された前記基板の第１の位置を前記検出機構によって検出する検出部と、前記基板の第１の位置と予め検出された基準位置とのずれ量に基づいて、前記第１のピックの位置を補正する補正部とを備える。
開示する基板処理装置の１つの態様によれば、載置台に対して基板を高精度に搬送することができるという効果を奏する。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した真空処理モジュールの構成例を示す概略断面図である。 図３は、制御装置の構成例を示すブロック図である。 図４は、ティーチング処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図５Ａは、ウエハＷの搬入動作の一例を示す説明図である。 図５Ｂは、ウエハＷの搬入動作の一例を示す説明図である。 図５Ｃは、ウエハＷの搬入動作の一例を示す説明図である。 図５Ｄは、ウエハＷの搬入動作の一例を示す説明図である。 図６Ａは、ウエハＷの搬出動作の一例を示す説明図である。 図６Ｂは、ウエハＷの搬出動作の一例を示す説明図である。 図６Ｃは、ウエハＷの搬出動作の一例を示す説明図である。 図６Ｄは、ウエハＷの搬出動作の一例を示す説明図である。 図７は、一実施形態における第１のピックの位置及び第２のピックの位置の補正の流れの一例を示すフローチャートである。 図８は、第１のピックから載置台へのウエハの受け渡しの一例を示す説明図である。 図９は、載置台から第１のピックへのウエハの受け渡しの一例を示す説明図である。 図１０は、第１のピックから載置台へのウエハの受け渡しの一例を示す説明図である。 図１１は、載置台から第２のピックへのウエハの受け渡しの一例を示す説明図である。 図１２は、第２のピックから第１のピックへのウエハの受け渡しの一例を示す説明図である。
以下、図面を参照して本願の開示する基板処理装置及び搬送位置補正方法の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。また、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１は、マルチチャンバシステムとも称される。基板処理装置１の中央部分には、真空搬送チャンバ１０が設けられており、この真空搬送チャンバ１０に沿って、その周囲には、ウエハＷにプロセス処理を施すための複数（本実施形態では６個）の真空処理モジュール１１～１６が配設されている。真空処理モジュール１１～１６の構成については、後述する。
真空搬送チャンバ１０の手前側（図中下側）には、２つのロードロックチャンバ１７が設けられ、これらのロードロックチャンバ１７のさらに手前側（図中下側）には、大気中でウエハＷを搬送するための大気搬送チャンバ１８が設けられている。なお、ウエハＷは、「基板」とも称される。また、大気搬送チャンバ１８のさらに手前側（図中下側）には、複数枚のウエハＷを収容可能とされた基板収容ケース（カセット又はフープ）が配置される載置部１９が複数（図１では３つ）設けられており、大気搬送チャンバ１８の側方（図中左側）には、オリエンテーションフラット或いはノッチによりウエハＷの位置を検出するオリエンタ２０が設けられている。また、ロードロックチャンバ１７の側方（図中右側）には、ダミーウエハを収容するためのダミーストレージ２１が設けられている。
ロードロックチャンバ１７と大気搬送チャンバ１８との間、ロードロックチャンバ１７と真空搬送チャンバ１０との間、真空搬送チャンバ１０と真空処理モジュール１１～１６との間には、夫々ゲートバルブ２２が設けられ、これらの間を気密に閉塞及び開放できるようになっている。また、真空搬送チャンバ１０内には搬送機構３０が設けられている。搬送機構３０は、周知の多関節型の搬送アームとして構成される。つまり、搬送機構３０は、第１のピック３１と第２のピック３２を具備し、これらによって２枚のウエハＷを支持可能に構成されており、各真空処理モジュール１１～１６、ロードロックチャンバ１７に、ウエハＷを搬入、搬出できるよう構成されている。
さらに、真空搬送チャンバ１０内には、上記した搬送機構３０の第１のピック３１及び第２のピック３２上に支持されたウエハＷの位置を検出するための位置検出機構３３が設けられている。この位置検出機構３３は、複数（例えば３個）の光学的センサでウエハＷの周縁部の位置を検出する。
また、大気搬送チャンバ１８内には、搬送機構４０が設けられている。搬送機構４０は、周知の多関節型の搬送アームとして構成される。つまり、搬送機構４０は、第１のピック４１と第２のピック４２とを具備しており、これらによって２枚のウエハＷを支持可能に構成されている。搬送機構４０は、載置部１９に載置された各カセット又はフープ、ロードロックチャンバ１７、オリエンタ２０、ダミーストレージ２１にウエハＷ又はダミーウエハを搬入、搬出できるよう構成されている。
図２は、図１に示した真空処理モジュール１１～１６の構成例を示す概略断面図である。図２では、真空処理モジュール１１～１６の一例であるプラズマ処理装置１００が示されている。図２に示すプラズマ処理装置１００は、アルミニウム等の導電性材料からなる処理チャンバ１０２を備える。処理チャンバ１０２は、例えば上部に開口部を有する円筒状の容器本体１０３と、容器本体１０３の開口部を開閉可能に閉塞する円板状の天井部（蓋部）１０５とを備える。処理チャンバ１０２は、グランドに接地されている。
処理チャンバ１０２内には、ウエハＷが載置される載置台２００が設けられている。また、載置台２００の上方には、載置台２００と対向するように、上部電極１１０が設けられている。
載置台２００は、円柱状の下部電極２１０を備える。下部電極２１０は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部２２０を介して処理チャンバ１０２の底部に設けられる。下部電極２１０は、ウエハＷの外径に合わせて形成される。
下部電極２１０には、第１高周波電源１５０が整合器１５２を介して接続され、上部電極１１０には、第１高周波電源１５０より周波数の高い第２高周波電源１６０が整合器１６２を介して接続されている。なお、図２に示すように整合器１５２と下部電極２１０との間には、第２高周波電源１６０から下部電極２１０に流入する高周波電流を濾過するハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１５４が介在されることが好ましい。また、整合器１６２と上部電極１１０との間には、第１高周波電源１５０から上部電極１１０に流入する高周波電流を濾過するローパスフィルタ（ＬＰＦ）１６４が介在されることが好ましい。
上部電極１１０は、その周縁部を被覆するシールドリング１１２を介して処理チャンバ１０２の天井部１０５に取り付けられている。上部電極１１０は、内部に拡散室１１６を有する。上部電極１１０の、載置台２００と対向する下面には、処理ガスを吐出する多数の吐出孔１１８が形成されている。
上部電極１１０には、拡散室１１６へ処理ガスを導入するためのガス導入口１２１が形成されている。ガス導入口１２１には、処理ガスを供給する処理ガス供給部１２２が接続されている。処理ガスは、上部電極１１０の拡散室１１６内で拡散して各吐出孔１１８から処理チャンバ１０２内に供給される。
載置台２００の表面には、直流電圧を印加して発生した静電吸着力により載置台２００の表面に載置されたウエハを吸着する静電チャック２１２が設けられている。
また、載置台２００には、複数、例えば３つのピン用貫通孔２３０が設けられており、これらのピン用貫通孔２３０の内部には、夫々昇降ピン２３２が配設されている。昇降ピン２３２は、駆動機構２３４に接続されている。駆動機構２３４は、昇降ピン２３２をピン用貫通孔２３０内において上下動させる。これにより、昇降ピン２３２は、ウエハＷを昇降させる。すなわち、昇降ピン２３２を上昇させた状態では、昇降ピン２３２の先端が載置台２００から突出し、ウエハを保持する。一方、昇降ピン２３２を下降させた状態では、昇降ピン２３２の先端がピン用貫通孔２３０内に収容され、載置台２００がウエハＷを保持する。昇降ピン２３２の制御は、（駆動機構２３４の制御）は、後述する制御装置６０によって行われる。昇降ピン２３２及び駆動機構２３４は、昇降機構の一例である。
処理チャンバ１０２の側壁には、基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また、処理チャンバ１０２の側壁の下方には排気口が設けられている。排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気部１０９が接続される。排気部１０９により処理チャンバ１０２の室内を排気することによって、プラズマ処理中に処理チャンバ１０２内を所定の圧力に維持する。
図１の説明に戻る。基板処理装置１は、制御装置６０を備える。制御装置６０は、基板処理装置１の動作を制御する装置である。制御装置６０は、たとえばコンピュータであり、記憶部と制御部とを備える。記憶部には、各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は、記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。ここで、制御部は、例えばプロセッサにより実現される。プロセッサの一例としては、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等が挙げられる。また、記憶部は、例えばメモリにより実現される。メモリの一例としては、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）等のＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、又はフラッシュメモリ等が挙げられる。
なお、制御装置６０の記憶部に格納されたプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
ここで、制御装置６０の構成について図３を参照して説明する。図３は、制御装置６０の構成例を示すブロック図である。なお、図３では、制御装置６０の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
図３に示すように、制御装置６０は、制御部６１と、記憶部６２とを有する。制御部６１は、搬送制御部６１１と、調整部６１２と、検出部６１３と、補正部６１４とを有する。記憶部６２は、ピック位置情報６２１を有する。ピック位置情報６２１は、第１のピック３１の位置と、第２のピック３２の位置とをピック位置として含む。
搬送制御部６１１は、ピック位置情報６２１によって示されるピック位置に基づき、搬送機構３０を制御して、搬送機構３０と、真空処理モジュール１１～１６の各々の載置台（つまり、図２に示した載置台２００）との間でウエハＷの受け渡しを行う。例えば、搬送制御部６１１は、真空処理モジュール１１～１６の各々においてプロセス処理が行われる場合に、ピック位置情報６２１によって示されるピック位置に基づき、搬送機構３０を制御して、搬送機構３０と載置台２００との間でウエハＷの受け渡しを行う。
ここで、ウエハＷの搬入時及び搬出時における、第１のピック３１及び昇降ピン２３２の動作について説明する。
図５Ａ～図５Ｄは、ウエハＷの搬入動作の一例を示す説明図である。図５Ａ～図５Ｄでは、第１のピック３１の動作のみ示すが、第２のピック３２も同様の動作を行う。ウエハＷの搬入時に、搬送制御部６１１は、図５Ａに示すように、ウエハＷを保持する第１のピック３１を処理チャンバ１０２内に進入させ、載置台２００の上方へ第１のピック３１を搬送する。続いて、搬送制御部６１１は、図５Ｂに示すように、昇降ピン２３２によってウエハＷを第１のピック３１から上昇させる。続いて、搬送制御部６１１は、図５Ｃに示すように、処理チャンバ１０２から第１のピック３１を退避させる。続いて、搬送制御部６１１は、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを載置台２００へ受け渡す。
図６Ａ～図６Ｄは、ウエハＷの搬出動作の一例を示す説明図である。図６Ａ～図６Ｄでは、第１のピック３１の動作のみ示すが、第２のピック３２も同様の動作を行う。図６Ａでは、載置台２００上にウエハＷが載置された初期状態が示されている。ウエハＷの搬出時に、搬送制御部６１１は、図６Ｂに示すように、昇降ピン２３２によってウエハＷを載置台２００から上昇させる。続いて、搬送制御部６１１は、図６Ｃに示すように、第１のピック３１を処理チャンバ１０２内に進入させ、昇降ピン２３２に保持されているウエハＷの下部へ第１のピック３１を搬送する。続いて、搬送制御部６１１は、図６Ｄに示すように、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第１のピック３１へ受け渡す。
このように、ウエハＷの搬入動作及び搬出動作では、昇降ピン２３２を用いてウエハＷを昇降させることで、第１のピック３１（又は第２のピック３２）から載置台２００へ、及び載置台２００から第１のピック３１（又は第２のピック３２）へウエハＷを受け渡す。
図３の説明に戻る。調整部６１２は、第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置を調整するティーチング処理を行う。第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置は、水平方向の位置である。検出部６１３は、ティーチング処理により調整した第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置をより正確な位置に調整するための補正値を求める。補正部６１４は、検出部６１３により検出された補正値に基づき、第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置を補正する。
ここで、調整部６１２により行われるティーチング処理の一例を図４を用いて説明する。まず、所定の治具を用いて載置台２００の所定位置にウエハＷを載置する。続いて、調整部６１２は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して載置台２００から第１のピック３１へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１０１）。なお、搬送機構３０の制御は、調整部６１２からの指令を受けた搬送制御部６１１を経由して行われる。続いて、調整部６１２は、搬送機構３０を制御して、第１のピック３１へ受け渡されたウエハＷを位置検出機構３３へ搬送する。位置検出機構３３は、ウエハＷの位置を検出する（ステップＳ１０２）。続いて、調整部６１２は、検出されたウエハＷの位置と、ピック位置情報６２１によって示される第１のピック３１の位置とのずれ量を算出する。算出したずれ量に基づいて、ピック位置情報６２１によって示される第１のピック３１の位置（つまり、初期位置）を調整（更新）する（ステップＳ１０３）。続いて、調整部６１２は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して第１のピック３１から第２のピック３２へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１０４）。続いて、調整部６１２は、搬送機構３０を制御して、第２のピック３２へ受け渡されたウエハＷを位置検出機構３３へ搬送する。位置検出機構３３は、ウエハＷの位置を検出する（ステップＳ１０５）。続いて、調整部６１２は、検出されたウエハＷの位置と、ピック位置情報６２１によって示される第２のピック３２の位置とのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいて、ピック位置情報６２１によって示される第２のピック３２の位置（つまり、初期位置）を調整（更新）する（ステップＳ１０６）。
すなわち、上記のティーチング処理においては、第１のピック３１の位置を調整する際に、後述の図９に示すＳ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作が行われることになる。Ｓ１１３ａは、昇降ピン２３２によってウエハＷを載置台２００から上昇させた後、昇降ピン２３２に保持されているウエハＷの下部へ第１のピック３１を搬送する動作である。Ｓ１１３ｂは、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第１のピック３１へ受け渡す動作である。これら昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作により、ウエハＷの位置に微細なずれが生じる。したがって、ステップＳ１０２にて検出したウエハＷの位置は、Ｓ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作により生じたずれを含むことになる。このため、ティーチング処理により調整した第１のピック位置は、Ｓ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作により生じたずれを含むことになる。
さらに、図５Ａ～図５Ｄに示すように、実際のウエハＷの搬送では、第１のピックにおいては後述の図８に示すＳ１１２ａおよびＳ１１２ｂの動作が行われることになる。Ｓ１１２ａは、載置台２００の上方へ第１のピック３１を搬送し、昇降ピン２３２によってウエハＷを第１のピック３１から上昇させる動作である。Ｓ１１２ｂは、第１のピック３１を退避させ、昇降ピン２３２ウエハＷを下降させ、ウエハＷを載置台２００へ受け渡す動作である。これら昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作により、ウエハＷの位置に微細なずれが生じる。したがって、上記のティーチング処理により調整した第１のピックによりウエハＷを搬入すると、Ｓ１１２ａ、Ｓ１１２ｂ、Ｓ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作により生じるずれを含んだ状態で載置台２００にウエハＷが載置されることになる。
また、上記のティーチング処理においては、第２のピック３２の位置を調整する際に、後述の図１０に示すＳ１１５ａおよび図１１に示すＳ１１６ｂの動作が行われることになる。Ｓ１１６ｂは、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第２のピック３２へ受け渡す動作である。また、図１０に示すＳ１１５ａの動作は、第１のピック３１の調整の際に行ったＳ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作が行われた後に行われている。したがって、第２のピック３２の位置の調整においては、Ｓ１１５ａおよびＳ１１６ｂの動作により生じるずれのみならず、第１のピック３１の位置の調整の際に生じたＳ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作によるずれも含まれることになる。
さらに、図５Ａ～図５Ｄに示すように、実際のウエハＷの搬送では、第２のピックにおいては後述の図１２に示すＳ１１７ａおよび図１０に示すＳ１１５ｂの動作が行われることになる。Ｓ１１７ａは、昇降ピン２３２によって第２のピック３２からウエハＷを上昇させる動作である。Ｓ１１５ｂは、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを載置台２００へ受け渡す動作である。これら昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作により、ウエハＷの位置に微細なずれが生じる。したがって、上記のティーチング処理により調整した第２のピックによりウエハＷを搬入すると、Ｓ１１３ａ、Ｓ１１３ｂ、Ｓ１１５ａ、Ｓ１１５ｂ、Ｓ１１６ｂおよびＳ１１７ａの動作により生じるずれを含んだ状態で載置台２００にウエハＷが載置されることになる。
したがって、載置台２００にウエハＷをより正確な位置に載置するには、第１のピック３１においてはＳ１１２ａ、Ｓ１１２ｂ、Ｓ１１３ａおよびＳ１１３ｂの動作により生じるずれを補正し、第２のピックにおいてはＳ１１３ａ、Ｓ１１３ｂ、Ｓ１１５ａ、Ｓ１１５ｂ、Ｓ１１６ｂおよびＳ１１７ａの動作により生じるずれを補正する必要がある。
そこで、一実施形態の基板処理装置１では、ティーチング処理が行われた後に、検出部６１３により昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作に伴うウエハＷのずれ量を求め、補正部６１４により第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置を補正する。
次に、第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置の補正の流れを説明する。図７は、一実施形態における第１のピック３１の位置及び第２のピック３２の位置の補正の流れの一例を示すフローチャートである。
図７に示すように、検出部６１３は、第１のピック３１に予め保持されたウエハＷの位置を位置検出機構３３によって「基準位置」として検出する（ステップＳ１１１）。
続いて、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して第１のピック３１から載置台２００へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１１２）。
図８は、ステップＳ１１２における第１のピック３１から載置台２００へのウエハＷの受け渡しを示す説明図である。検出部６１３は、載置台２００の上方へ第１のピック３１を搬送し、昇降ピン２３２によってウエハＷを第１のピック３１から上昇させる（ステップＳ１１２ａ）。そして、検出部６１３は、第１のピック３１を退避させ、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを載置台２００へ受け渡す（ステップＳ１１２ｂ）。
図７の説明に戻る。続いて、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して載置台２００から第１のピック３１へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１１３）。
図９は、ステップＳ１１３における載置台２００から第１のピック３１へのウエハＷの受け渡しを示す説明図である。検出部６１３は、昇降ピン２３２によってウエハＷを載置台２００から上昇させ、昇降ピン２３２に保持されているウエハＷの下部へ第１のピック３１を搬送する（ステップＳ１１３ａ）。そして、検出部６１３は、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第１のピック３１へ受け渡す（ステップＳ１１３ｂ）。
図７の説明に戻る。続いて、検出部６１３は、載置台２００から第１のピック３１へ受け渡されたウエハＷを位置検出機構３３へ搬送し、位置検出機構３３によってウエハＷの第１の位置を検出する（ステップＳ１１４）。位置検出機構３３によって検出されるウエハＷの第１の位置は、図８のステップＳ１１２ａ及びＳ１１２ｂの昇降動作と、図９のステップＳ１１３ａ及びＳ１１３ｂの昇降動作とに起因して生じたずれを含む。すなわち、ウエハＷの基準位置と第１の位置とを比較することにより、図８のステップＳ１１２ａ及びＳ１１２ｂの昇降動作と、図９のステップＳ１１３ａ及びＳ１１３ｂの昇降動作とに起因して生じるウエハＷのずれを求めることができる。
続いて、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して第１のピック３１から載置台２００へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１１５）。
図１０は、ステップＳ１１３における第１のピック３１から載置台２００へのウエハＷの受け渡しを示す説明図である。図１０において、検出部６１３は、載置台２００の上方へ第１のピック３１を搬送し、昇降ピン２３２によってウエハＷを第１のピック３１から上昇させる（ステップＳ１１５ａ）。そして、検出部６１３は、第１のピック３１を退避させ、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを載置台２００へ受け渡す（ステップＳ１１５ｂ）。
図７の説明に戻る。続いて、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して載置台２００から第２のピック３２へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１１６）。
図１１は、ステップＳ１１６における載置台２００から第２のピック３２へのウエハＷの受け渡しを示す説明図である。検出部６１３は、昇降ピン２３２によって載置台２００からウエハＷを上昇させ、昇降ピン２３２に保持されたウエハＷの下部へ第２のピック３２を搬送する（ステップＳ１１６ａ）。そして、検出部６１３は、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第２のピック３２へ受け渡す（ステップＳ１１６ｂ）。
図７の説明に戻る。続いて、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、昇降ピン２３２を介して第２のピック３２から第１のピック３１へウエハＷを受け渡す（ステップＳ１１７）。
図１２は、ステップＳ１１７における第２のピック３２から第１のピック３１へのウエハＷの受け渡しを示す説明図である。検出部６１３は、昇降ピン２３２によって第２のピック３２からウエハＷを上昇さる（ステップＳ１１７ａ）。そして、検出部６１３は、昇降ピン２３２に保持されているウエハＷの下部へ第１のピック３１を搬送し、昇降ピン２３２によってウエハＷを下降させ、ウエハＷを第１のピック３１へ受け渡す（ステップＳ１１７ｂ）。
図７の説明に戻る。続いて、検出部６１３は、第２のピック３２から第１のピック３１へ受け渡されたウエハＷを位置検出機構３３へ搬送し、位置検出機構３３によってウエハＷの第２の位置を検出する（ステップＳ１１８）。位置検出機構３３によって検出されるウエハＷの第２の位置は、図１０のステップＳ１１５ａ及びＳ１１５ｂの昇降動作と、図１１のステップＳ１１６ａ及びＳ１１６ｂの昇降動作と、図１２のステップＳ１１７ａ及びＳ１１７ｂの昇降動作とに起因して生じたずれを含むことになる。すなわち、ウエハＷの第１の位置と第２の位置とを比較することにより、図１０のステップＳ１１５ａ及びＳ１１５ｂの昇降動作と、図１１のステップＳ１１６ａ及びＳ１１６ｂの昇降動作と、図１２のステップＳ１１７ａ及びＳ１１７ｂの昇降動作とに起因して生じるウエハＷのずれ量を求めることができる。ここで、ステップＳ１１６ａの昇降動作とステップＳ１１３ａの昇降動作とは同じ昇降動作なので、これらに起因して生じるウエハＷのずれ量は同じとみなすことができる。また、ステップＳ１１７ｂの昇降動作とステップＳ１１３ｂとは同じ昇降動作なので、これらに起因して生じるウエハＷのずれ量は同じとみなすことができる。したがって、ウエハＷの第１の位置と第２の位置とを比較することにより得られるずれ量は、Ｓ１１３ａ、Ｓ１１３ｂ、Ｓ１１５ａ、Ｓ１１５ｂ、Ｓ１１６ｂおよびＳ１１７ａの動作により生じるずれ量と同じになる。
補正部６１４は、図４に示したティーチング処理が行われた後に、ウエハＷの第１の位置とステップＳ１１１にて予め検出された「基準位置」とのずれ量に基づいて、第１のピック３１の位置を補正する（ステップＳ１１９）。
続いて、補正部６１４は、ウエハＷの第２の位置とステップＳ１１４にて検出された第１の位置とのずれ量に基づいて、第２のピック３２の位置を補正する（ステップＳ１２０）。
上述したように、一実施形態によれば、検出部６１３により搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、第１のピック３１から載置台２００へ、及び載置台２００から第１のピック３１へウエハＷを受け渡す。そして、一実施形態によれば、検出部６１３により載置台２００から第１のピック３１に受け渡されたウエハＷの第１の位置を位置検出機構３３によって検出する。そして、一実施形態によれば、調整部６１２によりティーチング処理が行われた後に、検出部６１３により求めたウエハＷの第１の位置と予め検出された基準位置とのずれ量に基づいて、補正部６１４により第１のピック３１の位置を補正する。これにより、昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作に伴って発生するウエハＷの位置のずれ量を加味して、搬送機構３０の第１のピック３１の位置が調整される。結果として、載置台２００に対してウエハＷを高精度に搬送することができる。
また、一実施形態によれば、検出部６１３により搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、第１のピック３１から載置台２００へ、載置台２００から第２のピック３２へ、及び第２のピック３２から第１のピック３１へウエハＷを受け渡す。そして、一実施形態によれば、検出部６１３により搬送機構３０及び昇降ピン２３２を制御して、第２のピック３２から第１のピック３１に受け渡されたウエハＷの第２の位置を位置検出機構３３によって検出する。そして、一実施形態によれば、調整部６１２によりティーチング処理が行われた後に、検出部６１３により求めたウエハＷの第２の位置と第１の位置とのずれ量に基づいて、補正部６１４により第２のピック３２の位置を補正する。これにより、昇降ピン２３２によるウエハＷの昇降動作に伴って発生するウエハＷの位置のずれ量を加味して、搬送機構３０の第２のピック３２の位置が調整される。結果として、載置台２００に対してウエハＷを高精度に搬送することができる。なお、ティーチング処理および補正における搬送機構３０及び昇降ピン２３２の制御は、調整部６１２または検出部６１３からの指令を受けた搬送制御部６１１を経由して行われる。
（他の実施形態）
以上、一実施形態に係る基板処理装置及び搬送位置補正方法について説明したが、開示技術はこれに限定されるものではなく、種々の実施形態にて基板処理装置及び搬送位置補正方法を実現しても良い。
上記実施形態では、一つのウエハＷの第１の位置と予め検出された基準位置とのずれ量に基づいて、第１のピック３１の位置を補正する場合を例に示したが、開示技術はこれに限定されない。例えば、複数の第１の位置の平均値と基準位置とのずれ量に基づいて、第１のピック３１の位置を補正しても良い。この場合、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピンを制御して、第１のピック３１から載置台へ、及び載置台から第１のピック３１へウエハＷを受け渡し、載置台から第１のピック３１に受け渡されたウエハＷの第１の位置を位置検出機構３３によって検出する処理を繰り返すことで、複数の第１の位置の平均値を算出する。そして、補正部６１４は、検出部６１３によって算出された複数の第１の位置の平均値と基準位置とのずれ量に基づいて、第１のピック３１の位置を補正する。
また、上記実施形態では、一つのウエハＷの第２の位置と予め検出された第１の位置とのずれ量に基づいて、第２のピック３２の位置を補正する場合を例に示したが、開示技術はこれに限定されない。例えば、複数の第２の位置の平均値と第１の位置とのずれ量に基づいて、第２のピック３２の位置を補正しても良い。この場合、検出部６１３は、搬送機構３０及び昇降ピンを制御して、第１のピック３１から載置台へ、載置台から第２のピック３２へ、及び第２のピック３２から第１のピック３１へウエハＷを受け渡し、第２のピック３２から第１のピック３１に受け渡されたウエハＷの位置を位置検出機構３３によって検出する処理を繰り返すことで、複数の第２の位置の平均値を算出する。そして、補正部６１４は、検出部６１３によって算出された複数の第２の位置の平均値と第１の位置とのずれ量に基づいて、第２のピック３２の位置を補正する。
１ 基板処理装置
１０ 真空搬送チャンバ
１１～１６ 真空処理モジュール
１７ ロードロックチャンバ
３０ 搬送機構
３１ 第１のピック
３２ 第２のピック
３３ 位置検出機構
６０ 制御装置
６１ 制御部
６２ 記憶部
１００ プラズマ処理装置
１０２ 処理チャンバ
２００ 載置台
２３２ 昇降ピン
２３４ 駆動機構
６１１ 搬送制御部
６１２ 調整部
６１３ 検出部
６１４ 補正部
６２１ ピック位置情報
Ｗ ウエハ

Claims (6)

  1. 基板を保持する第１のピックを有し、前記基板を搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構によって搬送される前記基板の位置を検出する検出機構と、
    前記搬送機構及び前記検出機構を収容する搬送チャンバに接続された処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内に設けられ、前記基板が載置される載置台と、
    前記載置台に対して進退自在に設けられ、前記基板を昇降させる昇降機構と、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御する制御装置と
    を備え、
    前記制御装置は、
    前記搬送機構の前記第１のピックの位置を調整するティーチング処理を行う調整部と、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、及び前記載置台から前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記載置台から前記第１のピックに受け渡された前記基板の第１の位置を前記検出機構によって検出する検出部と、
    前記基板の第１の位置と予め検出された基準位置とのずれ量に基づいて、前記第１のピックの位置を補正する補正部と
    を備え、
    前記搬送機構は、
    基板を保持する第２のピックをさらに有し、
    前記調整部は、
    前記搬送機構の前記第１のピックの位置及び前記第２のピックの位置を調整するティーチング処理を行い、
    前記検出部は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、前記載置台から前記第２のピックへ、及び前記第２のピックから前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記第２のピックから前記第１のピックに受け渡された前記基板の第２の位置を前記検出機構によって検出し、
    前記補正部は、
    前記基板の第２の位置と前記基板の第１の位置とのずれ量に基づいて、前記第２のピックの位置を補正することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記検出部は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、及び前記載置台から前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記載置台から前記第１のピックに受け渡された前記基板の第１の位置を前記検出機構によって検出する処理を繰り返すことで、複数の前記第１の位置の平均値を算出し、
    前記補正部は、
    複数の前記第１の位置の平均値と前記基準位置とのずれ量に基づいて、前記第１のピックの位置を補正することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記検出部は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、前記載置台から前記第２のピックへ、及び前記第２のピックから前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記第２のピックから前記第１のピックに受け渡された前記基板の第２の位置を前記検出機構によって検出する処理を繰り返すことで、複数の前記第２の位置の平均値を算出し、
    前記補正部は、
    複数の前記第２の位置の平均値と前記基板の第１の位置とのずれ量に基づいて、前記第２のピックの位置を補正することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 基板を保持する第１のピックを有し、前記基板を搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構によって搬送される前記基板の位置を検出する検出機構と、
    前記搬送機構及び前記検出機構を収容する搬送チャンバに接続された処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内に設けられ、前記基板が載置される載置台と、
    前記載置台に対して進退自在に設けられ、前記基板を昇降させる昇降機構と、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御する制御装置と
    を備える基板処理装置における前記制御装置が実行する搬送位置補正方法であって、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、及び前記載置台から前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記載置台から前記第１のピックに受け渡された前記基板の第１の位置を前記検出機構によって検出し、
    前記基板の第１の位置と予め検出された基準位置とのずれ量に基づいて、前記第１のピックの位置を補正し、
    前記搬送機構は、
    基板を保持する第２のピックをさらに有し、
    前記検出する処理は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、前記載置台から前記第２のピックへ、及び前記第２のピックから前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記第２のピックから前記第１のピックに受け渡された前記基板の第２の位置を前記検出機構によって検出し、
    前記補正する処理は、
    前記基板の第２の位置と前記基板の第１の位置とのずれ量に基づいて、前記第２のピックの位置を補正することを特徴とする搬送位置補正方法。
  5. 前記検出する処理は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、及び前記載置台から前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記載置台から前記第１のピックに受け渡された前記基板の第１の位置を前記検出機構によって検出する処理を繰り返すことで、複数の前記第１の位置の平均値を算出し、
    前記補正する処理は、
    複数の前記第１の位置の平均値と前記基準位置とのずれ量に基づいて、前記第１のピックの位置を補正することを特徴とする請求項４に記載の搬送位置補正方法。
  6. 前記検出する処理は、
    前記搬送機構及び前記昇降機構を制御して、前記第１のピックから前記載置台へ、前記載置台から前記第２のピックへ、及び前記第２のピックから前記第１のピックへ前記基板を受け渡し、前記第２のピックから前記第１のピックに受け渡された前記基板の第２の位置を前記検出機構によって検出する処理を繰り返すことで、複数の前記第２の位置の平均値を算出し、
    前記補正する処理は、
    複数の前記第２の位置の平均値と前記基板の第１の位置とのずれ量に基づいて、前記第２のピックの位置を補正することを特徴とする請求項４又は５に記載の搬送位置補正方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7365924B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法
CN112216636A (zh) * 2020-08-27 2021-01-12 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆外延反应设备
KR102463121B1 (ko) * 2021-09-30 2022-11-04 한국야스카와전기(주) 반도체용 웨이퍼의 보정-반송장치 및 이의 보정-반송방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338969A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法
JP2006351884A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 基板搬送機構及び処理システム
JP2008147483A (ja) 2006-12-12 2008-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム
JP2013045817A (ja) 2011-08-23 2013-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3880769B2 (ja) * 1999-04-02 2007-02-14 東京エレクトロン株式会社 搬送装置の位置合わせ方法および基板処理装置
JP4207530B2 (ja) * 2002-10-28 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送機構
US7728256B2 (en) * 2003-12-24 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Silicon crystallization apparatus and silicon crystallization method thereof
KR20070048650A (ko) * 2004-08-31 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 위치 맞춤 방법, 처리 시스템, 기판의 투입 재현성 계측방법, 위치 계측 방법, 노광 방법, 기판 처리 장치, 계측방법 및 계측 장치
JP2007251090A (ja) 2006-03-20 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置の搬送位置合わせ方法、真空処理装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5132904B2 (ja) * 2006-09-05 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め方法，基板位置検出方法，基板回収方法及び基板位置ずれ補正装置
JP2008173744A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 搬送システムの搬送位置合わせ方法
JP5146641B2 (ja) * 2007-06-06 2013-02-20 株式会社安川電機 基板搬送ロボットおよび基板搬送ロボットの制御方法
US7724007B2 (en) * 2007-09-28 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Probe apparatus and probing method
JP2012121680A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Yaskawa Electric Corp 基板搬送用ハンド、基板搬送用ロボットシステム、基板位置ずれ検出方法、及び基板位置補正方法
US9793148B2 (en) * 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
JP2013018617A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Murata Machinery Ltd 搬送車
KR20130009700A (ko) * 2011-07-15 2013-01-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 기억 매체
JP5940342B2 (ja) * 2011-07-15 2016-06-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法、ならびに記憶媒体
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6059537B2 (ja) * 2013-01-09 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
CN105814677B (zh) * 2013-10-18 2019-06-18 布鲁克斯自动化公司 处理设备
US9786530B2 (en) * 2014-10-20 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer transfer method and system
JP6880364B2 (ja) * 2015-08-18 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6842934B2 (ja) * 2017-01-27 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、検出位置較正方法および基板処理装置
JP6862903B2 (ja) * 2017-02-23 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6869111B2 (ja) * 2017-06-06 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し方法及び基板処理装置
JP2019002065A (ja) * 2017-06-20 2019-01-10 株式会社荏原製作所 めっき装置、及びプログラムを記録した記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338969A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法
JP2006351884A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 基板搬送機構及び処理システム
JP2008147483A (ja) 2006-12-12 2008-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム
JP2013045817A (ja) 2011-08-23 2013-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法

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