KR101870663B1 - 포토 마스크 이온 제거 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 마스크의 이온을 제거하는 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 포토 마스크 이온 제거 장치는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들; 포토 마스크의 베이크 처리를 위한 베이크 플레이트; 베이크 플레이트와 마주보도록 베이크 플레이트 상부에 위치되고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위한 자외선 램프들; 베이크 플레이트와 자외선 램프들 사이에서 포토 마스크의 위치를 상이하게 제공하기 위해 리프트 핀들과 베이크 플레이트의 높낮이를 조절하는 높낮이 조절부를 포함한다.

Description

포토 마스크 이온 제거 장치{REMOVAL APPARATUS OF IONS ON A PHOTOMASK}
본 발명은 포토 마스크 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 마스크의 이온을 제거하는 장치에 관한 것이다.
포토 마스크는 노광 장치와 함께 웨이퍼에 소정의 감광막 패턴을 전사하는 포토리소그라피 공정에 사용된다. 포토 마스크는 마스크 기판 전면에 소정의 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴 등을 형성하고, 이러한 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴을 보호하기 위해, 마스크 기판 위에 광차단막 패턴 또는 위상 반전막을 덮는 펠리클을 부착하여 제조된다.
한편, 이러한 포토 마스크는 마스크 기판 상에 잔류하는 각종 이물을 제거하기 위해 세정 처리된다. 포토 마스크 세정에는 황산(H2SO4) 등을 포함한 습식 세정액이 많이 이용된다. 이러한 세정공정은 포토마스크의 리페어(repair) 공정을 행한 후에도 필수적으로 거치게 된다.
그런데, 이와 같이 황산(H2SO4)등을 포함한 습식 세정액에서 세정을 행할 경우, SO4-2 이온이 잔류하는 것을 방지하기 위해 세정 후에, 포토 마스크를 베이킹(baking) 장비에서 열처리하여 SO4 -2 이온을 방출시키는 공정을 더 거치는 것이 일반적이다.
지금까지 포토 마스크의 이온 제거 공정에는 히터 라인이나 히터 블럭을 포함하는 가열로(furnace)가 이용되었는데, 이러한 장비에서는 50∼200℃의 온도로 30분∼2시간 가량 포토 마스크의 이온 제거 공정을 진행하는 것이 일반적이다. 그런데, 반도체 소자 등의 제조공정에서 턴어라운드 타임(turn-around)을 조금이라도 줄여야 하는 상황에서 포토 마스크를 장시간에 걸쳐서 처리한다는 것은 공정지연을 가져올 수 있기 때문에, 신속하게 포토 마스크를 베이킹할 수 있는 장치가 요구된다.
한편, 미국특허 제6,908,511호에는 포토 마스크 등의 기판을 베이킹하는 장치에 대해서 개시하고 있는데, 이 장치는 기판의 온도를 전면에 걸쳐서 균일하게 만들어서 베이킹을 하기 위해 유체 배스(liquid bath)를 이용하는 것이어서, 공정의 균일도(uniformity) 향상에는 도움이 될 수는 있으나, 공정의 빠른 처리에는 도움을 주지 못한다.
[문헌1] 미국특허 제6,908,511호
본 발명은 포토 마스크의 다양한 열처리가 가능한 포토 마스크 이온 제거 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 베이크 처리와 UV 처리를 동시 또는 개별적으로 진행할 수 있는 포토 마스크 이온 제거 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 포토 마스크 이온 제거 장치는 포토 마스크가 로딩되는 베이크 플레이트; 상기 베이크 플레이트가 위치되고, 상면이 개방되며, 일측면에 포토 마스크의 반입 반출을 위한 출입구를 갖는 본체; 상기 본체의 개방된 상면을 개폐하는 커버; 및 상기 커버에 설치되고, 포토 마스크에 자외선을 조사하는 자외선 램프들을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 출입구를 통해 반입/반출되는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들; 및 상기 리프트 핀들에 의해 지지되는 포토 마스크를 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프 사이에서 승하강시키는 제1승하강 구동부를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1승하강 구동부는 상기 출입구를 통해 포토 마스크가 반입/반출되는 로딩/언로딩 위치; 상기 로딩/언로딩 위치보다 낮고, 포토 마스크의 베이크 처리를 위해 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착되는 베이크 위치; 및 상기 로딩/언로딩 위치보다 높고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위해 포토 마스크가 상기 자외선 램프에 근접하게 위치되는 자외선 조사 위치에서 승하강 동작된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2승하강 구동부는 포토 마스크의 자외선 처리를 위해 상기 베이크 플레이트를 상기 자외선 램프에 근접한 자외선 조사 위치로 승강시킨다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 자외선 조사 위치는 상기 자외선 램프와 1~3mm 간격을 갖는다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 본체는 상기 자외선 조사 위치에 위치한 포토 마스크와 상기 자외선 램프 사이로 프로세스 가스를 공급하는 가스 주입부와, 상기 가스 주입부와 마주하는 일측면에 프로세스 가스를 배기하는 가스 배기부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 프로세스 가스는 에어, 질소, 산소 또는 아르곤일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 본체는 메인 배기구; 및 뷰 포트 및 포토 마스크 감지를 위한 센싱 포트들을 더 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 포토 마스크 이온 제거 장치는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들; 포토 마스크의 베이크 처리를 위한 베이크 플레이트; 상기 베이크 플레이트와 마주보도록 상기 베이크 플레이트 상부에 위치되고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위한 자외선 램프들; 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프들 사이에서 포토 마스크의 위치를 상이하게 제공하기 위해 상기 리프트 핀들과 상기 베이크 플레이트의 높낮이를 조절하는 높낮이 조절부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 높낮이 조절부는 상기 리프트 핀들을 승하강시키는 제1승하강 구동부; 및 상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1승하강 구동부는 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트 안착되어 베이크 처리되도록 상기 리프트 핀들을 하강시키고, 포토 마스크가 상기 자외선 램프에 근접하게 위치되어 자외선 처리되도록 상기 리프트 핀들을 승강시키며, 싱기 제2승하강 구동부는 포토 마스크가 베이크 플레이트에 의한 베이크 처리 및 상기 자외선 램프에 의한 자외선 조사가 동시에 이루어지도록 상기 베이크 플레이트를 승강시킨다.
상기한 과제를 달성하기 위한 포토 마스크 이온 제거 방법은 포토 마스크가 리프트 핀들에 로딩되는 단계; 포토 마스크에 잔류하는 이온제거를 위한 베이크 처리와 자외선 처리를 단독으로 또는 복합적으로 실시하는 이온 제거 단계를 포함하되; 상기 이온 제거 단계는 상기 리프트 핀들의 높낮이 및 포토 마스크 아래에 위치한 베이크 플레이트의 높낮이에 따라 포토 마스크에 대한 자외선 처리, 포토 마스크에 대한 베이크 처리 그리고 포토 마스크에 대한 자외선/베이크 처리가 이루어진다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 자외선 처리는 상기 리프트 핀들의 승강 동작에 의해 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치된 상태에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 베이크 처리는 상기 리프트 핀들의 하강 동작에 의해 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착된 상태에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 자외선/베이크 처리는 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착된 상태에서 상기 베이크 플레이트의 승강 동작에 의해 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치된 상태에서 이루어질 수 있다.
본 발명에 의하면, 포토 마스크의 다양한 열처리가 가능하다. 또한, 본 발명에 의하면 베이크 처리와 UV 처리를 동시 또는 개별적으로 진행할 수 있다
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 2층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 이온 제거 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5는 이온 제거 장치의 후면도이다.
도 6은 본체의 평면도이다.
도 7은 높낮이 조절부의 평단면도이다.
도 8은 포토 마스크가 로딩/언로딩 높이에 위치한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 9는 리프트 핀들에 지지된 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치되어 자외선 처리를 단독으로 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.
도 10은 포토 마스크가 베이크 플레이트에 안착되어 베이크 처리를 단독으로 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.
도 11은 베이크 플레이트에 안착된 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치되어 자외선 처리와 베이크 처리를 동시에 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이온 제거 장치가 구비된 포토 마스크 세정 설비를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 구성도이다. 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층과 2층의 레이아웃을 보여주는 도면들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 포토 마스크 세정 설비(1)는 인덱스부(1000), 제1처리부(2000), 제2처리부(3000) 및 반전 버퍼부(4000)를 포함한다.
인덱스부(1000)는 포토 마스크가 담겨진 용기가 놓여지는 4개의 포트(1100)들과, 포토 마스크 이송을 위한 인덱스 로봇(1200)을 포함한다. 포토 마스크는 패턴면이 아래로 향하도록 뒤집힌 상태로 용기에 담겨져 포트(1100)에 놓여진다. 따라서, 포토 마스크의 패턴면이 오염되는 것을 최소화할 수 있다. 포토 마스크는 제1처리부(2000) 또는 제2처리부(3000)로 반입되기 전, 반전 버퍼부(4000)에서 패턴면이 상부를 향하도록 반전된 후 제공된다.
제1처리부(2000)에서는 포토 마스크의 습식 세정이 이루어진다. 제1처리부(2000)는 반전 버퍼부(4000)와 연결되고, 포토 마스크 반송을 위한 제1반송 장치(2200)를 갖는 제1이송(2100)로 및 제1이송로(2100)를 따라 배치되는 글루 제거용 처리모듈(HSU,GSU)(2300,2400) 3개와, 포토 마스크 냉각 장치(CPU;2500) 2개를 포함한다.
글루 제거용 처리모듈(HSU,GSU)들은 SPM 용액을 포토 마스크 전면에 도포하여 글루를 제거하는 전면 처리모듈(HSU)(2300) 및 SPM 용액을 포토 마스크 가장자리 부분적으로 도포하여 글루를 제거하는 부분 처리모듈(HSU)(2400)을 포함할 수 있다. 포토 마스크 냉각 장치(2500)는 자외선/가열 처리모듈(3300)에서 열처리된 포토 마스크의 온도를 상온으로 낮추기 위한 냉각처리 장치이다.
제2처리부(3000)는 제1처리부(2000)와는 층으로 구획되도록 배치된다. 제2처리부(3000)에서는 포토 마스크의 건식 및 기능수 세정이 이루어진다. 제2처리부(3000)는 포토 마스크 반송을 위한 제2반송 장치(3200)를 갖는 제2이송로(3100) 및 제2이송로(3100)를 따라 배치되는 이온 제거 장치(HPU)(3300) 2개와, 기능수 처리모듈(SCU)(3400) 2개를 포함한다. 이온 제거 장치(HPU)(3300)는 건식 세정 및 잔류 이온 제거를 위한 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 단독 및 복합 운영할 수 있는 장치이다.
반전 버퍼부(4000)는 제1처리부(2000)와 인덱스부(1000) 사이에 배치된다. 도시하지 않았지만, 반전 버퍼부(4000)는 제2처리부(3000)와 인덱스부(1000) 사이에 배치될 수 있다. 반전 버퍼부(4000)는 포토 마스크를 반전시킨다.
본 발명의 포토 마스크 세정 설비(1)를 보면, 1층은 습식 세정을 위한 모듈들로 구성되고, 2층은 건식 세정을 위한 모듈들로 구성된다. 즉, 약액을 이용한 습식 세정은 1층에 배치하여 다운 플로우에 의한 이온 오염이 건식처리한 포토마스크에 영향을 주지 않도록 배치하였다. 예컨대, 본 발명의 포토 마스크 세정 설비(1)는 습식 세정을 위한 모듈들과 건식 세정을 위한 모듈들이 단일층에 모두 배치되도록 구성할 수 있다.
포토 마스크 세정 설비는 최대 5매의 포토 마스크를 동시에 처리할 수 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
포토 마스크는 패턴면이 Cr성분으로 이루어져 있어 정전기에 매우 취약하다, 따라서, 본 발명의 포토 마스크 세정 설비는 정전기에 의한 데미지를 최소화하기 위해 이동 경로상(제1이송로, 제2이송로, 각각의 처리 모듈 내부)에 이오나이져(ionizer)가 설치될 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 이온 제거 장치의 개략적인 사시도이고, 도 5는 이온 제거 장치의 후면도이다. 도 6은 본체의 평면도이다. 도 7은 높낮이 조절부의 평단면도이다. 도 8 내지 도 11은 이온 제거 장치에서 포토 마스크의 다양한 높낮이 변경을 보여주는 도면들이다. 도 4는 도면 편의상 챔버 구조를 간략하게 도시하였다.
도 4 내지 도 11을 참조하면, 이온 제거 장치(3300)는 챔버(3310), 베이크 플레이트(3340), 자외선 램프(3350)들, 리프트 핀(3360)들 그리고 높낮이 조절부(3370)를 포함한다.
챔버(3310)는 본체(3320)와 커버(3330)를 포함한다. 본체(3320)는 상면이 개방되어 있으며 정면에는 포토 마스크 반입 및 반출을 위한 출입구(3321)를 갖는다. 본체(3320)의 측면들에는 작업자가 내부를 확인할 수 있는 뷰 포트(도 5에 표시됨)(3322)와, 포토 마스크 감지를 위한 센싱 포트(3323)들이 제공된다. 센싱 포트(3322)들은 대각선 방향으로 위치된다. 수광/발광 센서(3324)들은 센싱 포트(3322)들 외곽에 배치되어 포토 마스크의 유무 감지 및 위치 틀어짐을 감지한다. 본체(3320) 후면에는 챔버 내부공간의 오존 가스를 배출하기 위한 메인 배기구(3326)가 설치된다.
본체(3320)는 자외선 조사 위치(도 9에 도시된 포토 마스크 위치)에 위치한 포토 마스크와 자외선 램프 사이로 프로세스 가스를 공급하는 가스 주입부(3328)와, 가스 주입부(3328)와 마주하는 일측면에 프로세스 가스를 배기하는 가스 배기부(3329)를 포함한다. 프로세스 가스는 에어, 질소, 산소 또는 아르곤 중에 하나일 수 있다. 도 6에 표시된 화살표는 프로세스 가스의 흐름을 표현한 것이다.
커버(3330)는 본체(3320)의 개방된 상면을 개폐할 수 있도록 본체(3320)에 힌지 결합된다. 커버(3330)는 자외선 램프(3350)들이 설치되는 램프 설치공간(3331)을 가지며, 램프 설치공간(3331)은 챔버(3310) 내부와는 석영 윈도우(3332)로 차단된다. 도시하지 않았지만, 커버(3330)는 자외선 램프(3350)들의 열차단을 위한 냉각수 라인이 제공될 수 있다. 참고로, 자외선 램프(3350)는 172nm Ecximer 4본으로 구성된다.
베이크 플레이트(3340)는 본체(3320) 바닥에 인접하게 제공된다. 베이크 플레이트(3340)는 상면에 포토 마스크(P)들이 안착되는 8개의 받침돌기(3342)들을 포함한다. 예를 들면, 베이크 플레이트(3340)는 300도까지 온도가 상승되며, 온도 균일도를 위해 5개의 히팅 영역(heating zone)으로 구성 되어진다. 베이크 플레이트(3340)는 챔버 내에서 높낮이 이동이 가능하게 설치된다. 베이크 플레이트(3340)는 리프트 핀(3360)들이 위치되는 관통공들을 갖는다.
리프트 핀(3360)들은 포토 마스크(P)의 모서리 4지점을 지지하기 위한 4개의 핀으로 구성된다. 리프트 핀(3360)들은 챔버 바닥을 관통해서 높낮이 조절부(3370)와 연결된다.
높낮이 조절부(3370)는 챔버(3310) 아래에 설치된다. 높낮이 조절부(3370)는 포토 마스크(P)의 위치를 상이하게 제공하기 위해 리프트 핀(3360)들과 베이크 플레이트(3340)의 높낮이를 조절하는 구동 장치이다.
높낮이 조절부(3370)는 상부 플레이트(3371), 하부 플레이트(3372), 리프트 핀들을 승하강시키는 제1승하강 구동부(3380) 그리고 베이크 플레이트(3340)를 승하강시키는 제2승하강 구동부(3390)를 포함한다. 상부 플레이트(3371)는 챔버(3310)에 고정 설치된다. 하부 플레이트(3372)는 상부 플레이트(3371)로부터 충분하게 이격되어 위치된다.
제1승하강 구동부(3380)는 한 쌍의 제1LM가이드(3381), 제1이동링(3382), 제1구동모터(3383), 제1볼 스크류(3384) 그리고 벨트(3385)와 풀리(3386)를 포함한다.
한 쌍의 제1LM가이드(3381)는 상부 플레이트(3371)와 하부 플레이트(3372)에 수직하게 설치된다. 제1이동링(3382)은 한 쌍의 제1LM가이드(3381)를 따라 승하강 가능하게 설치된다. 제1이동링(3382)에는 리프트 핀(3360)들의 하단이 고정된다. 제1이동링(3382)에는 제1볼 스크류(3384)가 연결된다. 제1구동모터(3383)는 제1볼 스크류를 회전시키기 위한 것으로, 제1구동모터(3383)의 동력은 벨트(3385)와 풀리(3386)를 통해 제1볼 스크류(3384)로 전달된다. 제1이동링(3382)은 제1볼 스크류(3384)의 회전에 의해 제1LM가이드(3381)를 따라 승하강된다. 리프트 핀(3360)들은 수직 이동에 의한 공간 밀폐성을 위해 메탈 벨로우즈로 감싸진다.
제1승하강 구동부(3380)는 리프트 핀(3360)들을 3단으로 높이 조절한다.
제1단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착되는 베이크 처리 높이이다. 도 10에는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 베이크 처리 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제2단 높이는 출입구를 통해 포토 마스크(P)가 반입/반출되는 로딩/언로딩 높이이다. 도 8은 포토 마스크(P)가 리프트 핀(3360)들에 안착된 상태에서 로딩/언로딩 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제3단 높이는 포토 마스크(P)의 자외선 처리를 위해 포토 마스크(P)가 자외선 램프(3350)에 근접하게 위치되는 자외선 조사 높이이다. 도 9는 포토 마스크(P)가 리프트 핀(3360)들에 안착된 상태에서 자외선 조사 높이에 위치한 상태를 보여준다.
제2승하강 구동부(3390)는 한 쌍의 제2LM가이드(3391), 제2이동링(3392), 제2구동모터(3393), 제2볼 스크류(3394), 벨트(3395), 풀리(3396) 그리고 베이크 지지핀(3398)들을 포함한다.
한 쌍의 제2LM가이드(3391)는 상부 플레이트(3371)와 하부 플레이트(3372)에 수직하게 설치된다. 제2이동링(3392)은 한 쌍의 제2LM가이드(3391)를 따라 승하강 가능하게 설치된다. 제2이동링(3392)에는 베이크 지지핀(3398)들의 하단이 고정된다. 베이크 지지핀(3398)은 챔버를 통해 베이크 플레이트(3340)를 지지한다. 제2이동링(3392)에는 제2볼 스크류(3394)가 연결된다. 제2구동모터(3393)는 제2볼 스크류를 회전시키기 위한 것으로, 제2구동모터(3393)의 동력은 벨트(3395)와 풀리(3396)를 통해 제2볼 스크류(3394)로 전달된다. 제2이동링(3392)은 제2볼 스크류(3394)의 회전에 의해 제2LM가이드(3391)를 따라 승하강된다. 베이크 지지핀(3398)들은 수직 이동에 의한 공간 밀폐성을 위해 메탈 벨로우즈로 감싸진다.
제2승하강 구동부(3390)는 베이크 플레이트(3340)를 2단으로 높이 조절한다. 제1단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착되는 베이크 처리 높이이다. 도 10에는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 베이크 처리 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제2단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 자외선 램프(3350)에 근접하게 위치되는 자외선 조사 높이이다. 도 11은 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 자외선 조사 높이에 위치한 상태를 보여준다.
이처럼, 제2승하강 구동부(3390)는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 의한 베이크 처리 및 자외선 램프에 의한 자외선 조사가 동시에 이루어지도록 베이크 플레이트(3340)를 2단 높이로 승강시킨다. 자외선 조사 높이는 포토 마스크의 상면과 자외선 램프(3350) 간의 간격이 1~3mm 이내인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 이온 제거 장치(3300)는 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 단독으로 각각 실시하거나 또는 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 동시에 복합 실시할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
3310: 챔버 3340 : 베이크 플레이트
3350 : 자외선 램프 3360 : 리프트 핀
3370 : 높낮이 조절부

Claims (17)

  1. 포토 마스크 이온 제거 장치에 있어서:
    포토 마스크가 로딩되는 베이크 플레이트;
    상기 베이크 플레이트가 위치되고, 상면이 개방되며, 일측면에 포토 마스크의 반입 반출을 위한 출입구를 갖는 본체;
    상기 본체의 개방된 상면을 개폐하는 커버;
    상기 커버에 설치되고, 포토 마스크에 자외선을 조사하는 자외선 램프들;
    상기 출입구를 통해 반입/반출되는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들;
    상기 리프트 핀들에 의해 지지되는 포토 마스크를 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프 사이에서 승하강시키는 제1승하강 구동부; 및
    상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 포함하되;
    상기 제2승하강 구동부는
    포토 마스크의 자외선 처리를 위해 상기 베이크 플레이트를 상기 자외선 램프에 근접한 자외선 조사 위치로 승강시키고,
    상기 본체는
    상기 자외선 조사 위치에 위치한 포토 마스크와 상기 자외선 램프 사이로 프로세스 가스를 공급하는 가스 주입부와, 상기 가스 주입부와 마주하는 일측면에 프로세스 가스를 배기하는 가스 배기부를 포함하는 포토 마스크 이온 제거 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1승하강 구동부는
    상기 출입구를 통해 포토 마스크가 반입/반출되는 로딩/언로딩 위치;
    상기 로딩/언로딩 위치보다 낮고, 포토 마스크의 베이크 처리를 위해 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착되는 베이크 위치; 및
    상기 로딩/언로딩 위치보다 높고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위해 포토 마스크가 상기 자외선 램프에 근접하게 위치되는 자외선 조사 위치에서 승하강 동작되는 포토 마스크 이온 제거 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 조사 위치는
    상기 자외선 램프와 1~3mm 간격을 갖는 포토 마스크 이온 제거 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 프로세스 가스는
    에어, 질소, 산소 또는 아르곤을 포함하는 포토 마스크 이온 제거 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 본체는 메인 배기구; 및 뷰 포트 및 포토 마스크 감지를 위한 센싱 포트들을 더 포함하는 포토 마스크 이온 제거 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
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