JP6450333B2 - 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム - Google Patents
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Description
まず、基板処理システムの一例として、塗布・現像装置2の概要を説明する。図1に示すように、塗布・現像装置2は、露光装置3と連携し、レジストパターン形成システム1を構成する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
続いて、基板処理装置の一例として、エネルギー線照射ユニットU3について詳細に説明する。図4及び図5に示すように、エネルギー線照射ユニットU3は、第一処理室20Aと、第二処理室20Bと、搬送機構40と、照射部50と、ガス供給部60とを備える。
続いて、コントローラ100について詳細に説明する。コントローラ100は、少なくともウェハWの表面に形成されたレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットU1を制御すること、現像処理の後に、第二処理室20B内に不活性ガスを供給するようにガス供給部60を制御すること、第一処理室20A及び第二処理室20Bの一方から他方にウェハWを搬送するように搬送機構40を制御すること、搬送機構40がウェハWを搬送しているときに、不活性ガスを通してレジスト膜にエネルギー線を照射するように照射部50を制御すること、を実行するように構成されている。
続いて、基板処理方法の一例として、塗布・現像装置2の処理モジュール17において実行される処理手順について詳細に説明する。この処理手順は、少なくとも、ウェハWの表面上に形成されたレジスト膜に現像処理を施すこと、現像処理の後に、ウェハWが配置される空間に不活性ガスを供給すること、不活性ガスを通してレジスト膜にエネルギー線を照射すること、を含む。この処理手順は、現像処理の後に、ウェハWを加熱することを更に含んでもよいし、レジスト膜にエネルギー線を照射しているときに、エネルギー線の照射箇所を変えるようにウェハWを搬送することを更に含んでもよい。
以上に説明したように、塗布・現像装置2により実行される基板処理方法は、ウェハWの表面上に形成されたレジスト膜に現像処理を施すこと、現像処理の後に、ウェハWが配置される空間に不活性ガスを供給すること、不活性ガスを通してレジスト膜にエネルギー線を照射すること、を含む。
(1)サンプルの作製
(サンプル1)
ArFレーザ用のレジスト剤を用い、ウェハ上に厚さ80nmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に現像処理を施し、レジストパターンを得た。その後、空気中にて、波長172nmの紫外線をレジスト膜に照射してサンプルを作製した。照射量を80mJとした。
サンプル1と同様のレジストパターンを得た後、窒素ガス中にて、波長172nmの紫外線をレジスト膜に照射してサンプルを作製した。照射量を80mJとした。
サンプル1と同様のレジストパターンを得た後、エネルギー線照射を行わずにサンプルを作製した。
各サンプルについて、電子顕微鏡を用いてレジストパターンの拡大画像データを取得し、当該画像データに基づいて線幅平均値、LER(Line Edge Roughness)及びLWR(Line Width Roughness)を算出した。LERは、レジストパターンの基準線(例えば中心線)からレジストパターンの側縁部までのばらつきを示す値であり、LWRは、レジストパターンの線幅のばらつきを示す値である。本評価においては、LER及びLWRのいずれも標準偏差の3倍として算出した。算出した数値の比較評価を行い、以下の結果を得た。
結果1)サンプル1,2の線幅平均値と、サンプル3の線幅平均値との差は僅かであった(1%未満の差異)。
結果2)サンプル1のLER及びLWRは、サンプル3に比べて約9%小さかった。
結果3)サンプル2のLER及びLWRは、サンプル1に比べて更に約9%小さかった。
(1)サンプルの作製
(サンプル4)
表面が負に帯電したウェハを準備し、波長172nmの紫外線を照射量100mJにてウェハの表面に照射した。
サンプル4と同様のレジストパターンを得た後、波長172nmの紫外線を照射量200mJにてウェハの表面に照射した。
サンプル4と同様のレジストパターンを得た後、波長172nmの紫外線を照射量500mJにてウェハの表面に照射した。
サンプル4と同様のレジストパターンを得た後、波長172nmの紫外線を照射量1000mJにてウェハの表面に照射した。
サンプル4と同様のレジストパターンを得た後、波長172nmの紫外線を照射量2000mJにてウェハの表面に照射した。
各サンプルについて、紫外線照射前後におけるウェハの表面電位を測定した。測定結果を図16に示す。図16は、測定した表面電位をサンプルごとに棒グラフで示したものである。大きいピッチのハッチングが付された棒グラフは、紫外線照射前の表面電位であり、小さいピッチのハッチングが付された棒グラフは、紫外線照射後の表面電位である。図16に示されるように、いずれのサンプルにおいても、エネルギー線の照射により表面電位が低下していることが確認された。
Claims (5)
- 基板の表面上に形成されたレジスト膜に現像処理を施すこと、
前記現像処理の後に、前記基板が配置される空間に不活性ガスを供給すること、
前記不活性ガスを通して前記レジスト膜にエネルギー線を照射すること、
前記レジスト膜に前記エネルギー線を照射しているときに、前記エネルギー線の照射箇所を変えるように前記基板を搬送すること、
前記レジスト膜の種類、前記現像処理により前記レジスト膜に形成されるパターンのサイズ、及び前記レジスト膜の厚さの少なくとも一つに基づいて、前記エネルギー線の照射量の目標値を設定すること、
前記レジスト膜に対する前記エネルギー線の照射量が前記目標値に近付くように、前記エネルギー線の照射中における前記基板の搬送速度を設定すること、を含む基板処理方法。 - 前記現像処理の後に、前記基板を加熱することを更に含む、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記レジスト膜に前記エネルギー線を照射した後に前記基板を加熱する、請求項2記載の基板処理方法。
- 前記現像処理の後、前記レジスト膜に前記エネルギー線を照射する前に前記基板を加熱する、請求項2記載の基板処理方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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