TW201631637A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置，具有：熱板，支持並加熱所要蝕刻的基板；光源，出射能量線，以蝕刻該熱板所保持之該基板；窗式機構，設於該光源及該熱板之間，使來自該光源並朝向該基板出射之該能量線穿透；以及調節機構，依該窗式機構之部位而調節由該窗式機構射向該基板之該能量線的出射量，以降低該基板各部位之蝕刻量的差異。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
於半導體製程，有時係在晶圓上形成膜層後，進行蝕刻以進行膜厚之調整。於專利文獻1，揭露一種裝置，係用以進行調整膜厚用的蝕刻。此裝置具有：用以加熱晶圓上之有機膜的熱板、以及對晶圓上之有機膜照射紫外線的紫外線照射部。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2014-165252號公報
[發明所欲解決的問題] 在藉由蝕刻以調整膜厚的步驟中，提高蝕刻後之膜厚均勻性乃十分重要。因此，本發明係以提供一種可提高蝕刻後之膜厚均勻性的裝置及方法為目的。 [解決問題之技術手段]
本發明之基板處理裝置，包括：熱板，支持並加熱所要蝕刻的基板；光源，出射蝕刻用的能量線；窗部，設於光源及熱板之間，使來自光源並朝向基板之能量線穿透；以及調節部，依窗部之部位而調節由窗部射向基板之該能量線的出射量，以降低基板各部位之蝕刻量的差異。
在透過窗部而由光源對基板照射能量線之結構中，會有基於窗部之各部位狀態(例如溫度分布、能量線的穿透量之分布等)而使蝕刻量產生不均的傾向。因此，藉由調節部，配合窗部之各部位的狀態而調節由窗部射向基板之能量線的出射量，可以降低基板各部位之蝕刻量的差異。因此，可以提高蝕刻後之膜厚均勻性。
調節部亦可構成為以從窗部之外周部分射向基板之能量線的出射量為基準，而增加從窗部之中央部分射向基板出射之能量線的相對出射量。由於蓄積於窗部之熱量的大部分，會由窗部之周緣釋出，因此窗部之外周部分的溫度，會有低於中心部分的溫度之傾向。若產生窗部之外周部分的溫度變低的溫度分布，則在與窗部之外周部分相向的基板之外周部分，會有蝕刻量變多的傾向。在這樣的情況下，藉由增加從窗部之中央部分射向基板之能量線的相對出射量，而使得以基板之中央部分的蝕刻量為基準時，在基板之外周部分的相對蝕刻量降低，而可以降低基板各部位之蝕刻量的差異。
調節部亦可構成為以在窗部之外周部分的能量線之穿透量為基準，增加在窗部之中央部分的能量線之相對穿透量。在此情況下，可以易於進行增加從窗部之中央部分射向基板之能量線的相對出射量之調節。
調節部亦可構成為以窗部之外周部分的溫度為基準，降低窗部之中央部分的相對溫度。窗部之溫度，會影響由窗部射向基板之能量線的出射量。例如，隨著窗部之溫度變高，在窗部之能量線的穿透性就會降低。因此，藉由使窗部之中央部分的相對溫度降低之結構，也能增加從窗部之中央部分射向基板之能量線的相對出射量。
調節部亦可具有加熱窗部之外周部分的加熱器。調節部亦可具有冷却窗部之中央部分的冷卻器。
冷卻器亦可構成為由光源側對窗部之中央部分噴吹惰性氣體。若對光源及窗部之間供給惰性氣體，則可抑制由光源到窗部之能量線的衰減，而謀求蝕刻之高效率化。若藉由從光源側對窗部之中央部分噴吹惰性氣體之結構，則可有效活用惰性氣體之供氣部，而能易於構成冷卻器。
調節部亦可更具有濾光片，以降低在窗部之外周部分的能量線之穿透量。藉由濾光片，一樣可以增加在窗部之中央部分的能量線之相對穿透量。
亦可更具有控制部，其控制熱板，而以熱板之中央部分的溫度為基準，降低熱板之外周部分的相對溫度。蝕刻對象之溫度，會影響蝕刻量。具體而言，隨著蝕刻對象之溫度變高，蝕刻量就會增加。因此，藉由降低熱板之外周部分的相對溫度，而可以降低在基板之外周部分的蝕刻量。因此，除了增加從窗部之中央部分射向基板之能量線的相對出射量，再加上降低熱板之外周部分的相對溫度，藉此而可以更加確實地降低基板之各部位的蝕刻量差異。
本發明之基板處理方法，包括以下步驟：將基板配置於熱板上；由光源出射蝕刻用的能量線；使能量線從光源穿透設於光源及熱板之間的窗部，而照射基板；以及依窗部之部位而調節由窗部射向基板能量線的出射量，以降低該基板之各部位的蝕刻量差異。
亦可調節由窗部射向基板之能量線的出射量，以從窗部之外周部分射向基板之能量線的出射量為基準，增加從窗部之中央部分射向基板之能量線的相對出射量。
亦可藉由以在窗部之外周部分的能量線之穿透量為基準，增加在窗部之中央部分的能量線之相對穿透量，來調節由窗部射向基板之能量線的出射量。
亦可藉由以窗部之外周部分的溫度為基準，降低窗部之中央部分的相對溫度，來調節由窗部射向基板之能量線的出射量。
亦可更包括以下步驟：控制熱板，以熱板之中央部分的溫度為基準，降低熱板之外周部分的相對溫度。 [發明之效果]
若藉由本發明，可以提高蝕刻後之膜厚均勻性。
以下針對實施形態，參照圖面進行詳細說明。於說明中，對於同一構件或具有相同功能之構件，標註相同符號，並省略重複說明。
[基板處理系統] 首先，作為基板處理系統之一例，說明本實施形態之成膜處理系統1的概要。成膜處理系統1，係在半導體晶圓(基板)上形成膜者。成膜處理系統1形成例如用以使半導體晶圓上的凹凸圖案平坦化之有機膜。
如圖1~圖4所示，成膜處理系統1具備搬運區塊2與處理區塊3。
搬運區塊2具有搬運器站21與搬入・搬出部22。搬運器站21承載複數之搬運器10。搬運器10，係以密封狀態容納例如圓形之複數枚晶圓W(此係作為基板之一例)。於搬運器10之一個側面10a，設有用以使晶圓W出入的開閉門。
搬入・搬出部22係配置成介於搬運器站21及處理區塊3之間，具有複數開閉門22a，其分別對應於搬運器站21上之複數搬運器10。搬運器站21上的搬運器10，係配置成以側面10a面向開閉門22a。藉由同時開啟開閉門22a、及側面10a之開閉門，搬運器10內部會與搬入・搬出部22內部連通。搬入・搬出部22內建有移交臂A1。移交臂A1從搬運器10取出晶圓W而遞送至處理區塊3，再由處理區塊3接收晶圓W並送回搬運器10內。
處理區塊3內建有複數之處理模組31~34、棚架部35及搬送臂A2。棚架部35係配置於處理區塊3內之搬運區塊2側。棚架部35係暫時收置晶圓W之用，其用於在移交臂A1與處理區塊3之間移交晶圓W。
處理模組31、32分別具有在上下方向排成一排的複數液處理單元U1。液處理單元U1係將例如用以形成有機膜的液體，塗佈在晶圓W之表面。處理模組31、32之下部，設有液體容納室R1，其容納用以供給至液處理單元U1之液體。
處理模組33、34分別具有在上下方向排成一列的複數熱處理單元U2及複數蝕刻單元U3。熱處理單元U2係進行例如形成有機膜所需之熱處理。作為熱處理之具體例，可舉例如用以使形成有機膜用的塗佈膜硬化之加熱處理等。蝕刻單元U3係進行蝕刻，以調整形成在晶圓W表面上之有機膜的膜厚。
處理模組31~34於平面觀察下係配置成有如圍在搬送臂A2旁。搬送臂A2係在棚架部35與處理模組31~34之間、以及處理模組31~34彼此之間，搬送晶圓W。
成膜處理系統1以下文所示程序，進行有機膜之形成處理。首先，移交臂A1將搬運器10內的晶圓W搬送至棚架部35。接著，以搬送臂A2將棚架部35的晶圓W搬送至處理模組31、32中之任一個液處理單元U1。液處理單元U1將用以形成有機膜的液體塗佈在晶圓W的表面上。接著，搬送臂A2將塗佈了液體的晶圓W，搬送至處理模組33、34中之任一個熱處理單元U2。熱處理單元U2進行加熱處理，以使晶圓W表面上的塗佈膜硬化。藉此，在晶圓W表面上形成有機膜。
接著，搬送臂A2將表面上形成了有機膜之晶圓W，搬送至處理模組33、34中之任一個蝕刻單元U3。蝕刻單元U3為了調整有機膜之膜厚，而對有機膜進行蝕刻。接著，搬送臂A2將施行過蝕刻的晶圓W搬送至棚架部35，而移交臂A1再將此晶圓W送回至搬運器10內。至此則完成有機膜之形成處理。
[蝕刻單元] 接下來，作為基板處理裝置之一例，針對蝕刻單元U3進行詳細說明。如圖5所示，蝕刻單元U3具備熱板40、昇降機構50、複數之光源60、外殼70、以及控制部100。
熱板40係一板狀加熱構件，用以支持並加熱所要蝕刻的晶圓W，且架在支持台44上。熱板40分為三個區域41~43。區域41係構成熱板40之中央部的圓形區域。區域42係環繞區域41之圓環狀的區域。區域43係進一步環繞區域42之圓環狀的區域(請參照圖6)。熱板40在各區域41~43內建有例如電熱線等發熱構件。藉此，可以在區域41~43分別進行溫度調節。又，熱板40之結構僅係一例。例如熱板40，亦可區分成比區域41~43更多的區域，亦可不區分成複數之區域。
昇降機構50係設於支持台44內，具有複數(例如3支)之昇降頂針51與驅動部52。複數之昇降頂針51係以貫通熱板40之形式突出至上方。驅動部52使複數之昇降頂針51昇降，而使其前端部出沒於熱板40之上部。藉此而可以在熱板40上使晶圓W昇降。
複數之光源60係配置於熱板40上方，出射蝕刻用的能量線。能量線係例如波長150~400nm的紫外線。複數之光源60分別在水平方向上延伸而呈直管狀，並且在水平方向彼此平行排列(請參照圖7)。又，光源之結構並不限定於此處例示者。例如蝕刻單元U3亦可具有平面狀密集配置之複數的點狀光源，亦可僅具有單一光源。
外殼70容納著熱板40、昇降機構50及複數之光源60。於外殼70內，設有區劃壁80。區劃壁80將外殼70內部區劃成光源容納室R2及熱板容納室R3。光源容納室R2容納著複數之光源60。熱板容納室R3則容納著熱板40及昇降機構50。
於區劃壁80設有開口部80a。開口部80a係位於光源60及熱板40之間，係以可使來自光源60之能量線穿透的透明板83所閉蓋。透明板83係例如玻璃板。
開口部80a及透明板83，就構成窗部P1。亦即，蝕刻單元U3進一步地具備窗部P1。窗部P1係設於光源60及熱板40之間，使來自光源60並朝向晶圓W之能量線穿透。由光源60出射之能量線，通過窗部P1而照射於晶圓W。
於外殼70連接有供氣管81及排氣管82。供氣管81係對光源容納室R2內部供給惰性氣體(氮氣)。排氣管82係使光源容納室R2內的氣體排出。藉此，在光源容納室R2內就充滿著惰性氣體。在惰性氣體中，會抑制能量線之衰減。因此，可以使光源60與窗部P1之間有距離，同時使足供蝕刻之光量的能量線從窗部P1出射。若光源60與窗部P1之間有距離，則可以抑制由不同光源60出射之能量線彼此重疊所導致之晶圓W上的照度不均。因此，可以在抑制照度不均的同時，以光量足夠之能量線照射晶圓W。
於區劃壁80，埋設有環繞窗部P1之環狀的加熱器84(請參照圖8)。加熱器84係例如電熱線等發熱構件，將窗部P1的外周部分加熱。藉此，加熱器84會發揮一功能，即以窗部P1之外周部分的溫度為基準而降低窗部P1之中央部分的相對溫度。又，以窗部P1之外周部分的溫度為基準而降低窗部P1之中央部分的相對溫度，等同於：以窗部P1之中央部分的溫度為基準而升高窗部P1之外周部分的相對溫度。例如，在相較於窗部P1之中央部分的溫度，窗部P1之外周部分的溫度較低的情況下，則加熱外周部分而使其溫度接近中央部分的溫度，亦相當於將窗部P1之中央部分的相對溫度降低。在相較於窗部P1之中央部分的溫度，窗部P1之外周部分的溫度較低的情況下，則冷卻中央部分而使其溫度接近外周部分的溫度，亦相當於將窗部P1之中央部分的相對溫度降低。亦即，以窗部P1之外周部分的溫度為基準，而降低窗部P1之中央部分的相對溫度，也包括使窗部P1之溫度均勻化。
窗部P1之溫度，會影響從窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量。例如，隨著窗部P1之溫度升高，在窗部P1之能量線的穿透性就會降低。因此，加熱器84亦會發揮以下功用：以在窗部P1之外周部分的能量線穿透量為基準，增加窗部P1之中央部分的能量線相對穿透量。因此，加熱器84會發揮一功用，即：以從窗部P1之外周部分射向晶圓W之能量線的出射量為基準，增加由窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量。
在不藉由加熱器84進行加熱的情況下，由於蓄積於窗部P1之熱量的大多數，會由窗部P1的周緣釋出至區劃壁80，因此窗部P1的外周部分之溫度會有低於中心部分之溫度的傾向。若產生此種溫度分布，則在與窗部P1之外周部分相向的晶圓W之外周部分，會有蝕刻量變多的傾向。因此，藉由以從窗部P1之外周部分射向晶圓W之能量線的出射量為基準，而增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量，會降低晶圓W各部位之蝕刻量差異。如此這般，加熱器84發揮作為調節部P2之功能，依窗部P1之部位而調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量，以降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異。亦即，蝕刻單元U3更具有調節部P2，調節部P2具有加熱器84。
控制部100具有搬送控制部111、光源控制部112、以及熱板控制部113。搬送控制部111控制搬送臂A2及昇降機構50，以對蝕刻單元U3進行晶圓W之搬入・搬出。光源控制部112控制複數之光源60，以出射能量線。熱板控制部113控制熱板40，以使熱板40之溫度會在設定範圍內。
熱板控制部113，亦可控制熱板40，而以熱板40之中央部分的溫度為基準，降低熱板40之外周部分的相對溫度。例如熱板控制部113亦可控制熱板40，而以區域41、42之溫度為基準，降低區域43的相對溫度。
控制部100係由例如一個或複數個控制用電腦所構成。在此情況下，控制部100之各功能，係由控制用電腦之處理器、記憶體等之協同動作所構成。用以使控制用電腦作為控制部100而發揮功能的程式，亦可儲存在電腦可讀取之記憶媒體。在此情況下，記憶媒體就儲存有用以使裝置執行後述基板熱處理方法的程式。作為電腦可讀取之記憶媒體，可列舉例如硬碟、光碟、快閃記憶體、軟碟、記憶卡等。
[蝕刻之執行程序] 接下來，作為基板處理方法之一例，針對蝕刻單元U3所進行之蝕刻程序，加以說明。
如圖9所示，蝕刻單元U3的控制部100，首先執行步驟S01、S02。於步驟S01，搬送控制部111控制搬送臂A2，使其將晶圓W搬入蝕刻單元U3；並控制昇降機構50，以使晶圓W下降而載置於熱板40上。
於步驟S02，熱板控制部113控制熱板40，以使熱板40之溫度能在設定範圍內。此時，熱板控制部113亦可控制熱板40，而以熱板40之中央部分為基準，降低熱板40之外周部分的相對溫度。亦即，蝕刻程序亦可包含一步驟，即控制熱板40，而以熱板40之中央部分為基準，降低熱板40之外周部分的相對溫度。又，作為步驟S02，僅列出在晶圓W載置於熱板40上後，緊接著就由熱板控制部113進行控制；但熱板控制部113亦可構成為常規性地進行使熱板40之溫度控制在設定範圍內的控制。
接著，控制部100就執行步驟S03~S05。於步驟S03，光源控制部112控制光源60，以開始能量線之出射。於步驟S04，光源控制部112會確認自能量線開始出射起，是否已然經過設定時間。在設定時間完全過完之前，控制部100會反覆進行步驟S04。
於步驟S04之執行中，亦會以加熱器84加熱窗部P1的外周部分。藉此，如上所述，以窗部P1之外周部分的溫度為基準，窗部P1之中央部分的相對溫度會降低。以窗部P1之外周部分的能量線穿透量為基準，在窗部P1之中央部分的能量線之相對穿透量會增加。以從窗部P1之外周部分射向晶圓W之能量線的出射量為基準，由窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的出射量會增加。為降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異，會依窗部P1之部位，調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量。
亦即，為了降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異，蝕刻程序包含依窗部P1之部位而調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量。作為其一例，蝕刻程序包含以下步驟：以從窗部P1之外周部分射向晶圓W之能量線的出射量為基準，增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量。作為其更進一步之一例，蝕刻程序包含以下步驟：以在窗部P1之外周部分的能量線之穿透量為基準，增加在窗部P1之中央部分的能量線之相對穿透量。作為其再更進一步之一例，蝕刻程序包含以下步驟：以窗部P1之外周部分的溫度為基準，降低窗部P1之中央部分的相對溫度。
於步驟S04，一旦判斷經過了設定時間，則控制部100就執行步驟S05、S06。於步驟S05，光源控制部112控制光源60，使其結束能量線之出射。於步驟S06，搬送控制部111控制昇降機構50，以使晶圓W上昇；並控制搬送臂A2，以將晶圓W由蝕刻單元U3搬出。至此則完成了蝕刻程序。
[本實施形態之效果] 如上述說明，蝕刻單元U3具備：熱板40，支持並加熱所要蝕刻的晶圓W；光源60，出射蝕刻用的能量線；窗部P1，設於光源60及熱板40之間，使來自光源60並射向晶圓W之能量線穿透；以及調節部P2，依窗部P1之部位而調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量，以降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異。
在透過窗部P1而由光源60對晶圓W照射能量線之結構中，會有基於窗部P1之各部位的狀態(例如溫度分布、能量線之穿透量的分布等)而使蝕刻量產生不均的傾向。因此，藉由調節部P2，配合窗部P1之各部位的狀態而調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量，可以降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異。因此，可以提高蝕刻後之膜厚均勻性。
調節部P2，亦可構成為以從窗部P1之外周部分射向晶圓W之能量線的出射量為基準，而增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量。由於蓄積於窗部P1之熱量的大部分，會由窗部P1之周緣釋出，因此窗部P1之外周部分的溫度，會有低於中心部分的溫度之傾向。若產生窗部P1之外周部分的溫度變低的溫度分布，則在與窗部P1之外周部分相向的晶圓W之外周部分，會有蝕刻量變多的傾向。在這樣的情況下，藉由增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量，而使得以在晶圓W之中央部分的蝕刻量為基準時，在晶圓W之外周部分的相對蝕刻量降低，而可以降低晶圓W各部位之蝕刻量的差異。
調節部P2，亦可構成為以在窗部P1之外周部分的能量線之穿透量為基準，增加在窗部P1之中央部分的能量線之相對穿透量。在此情況下，可以易於進行增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量之調節。又，由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量，未必要藉由在窗部P1之能量線的穿透量來調節。例如，在蝕刻單元U3係具有平面狀密集配置之複數點狀光源的結構之情況下，亦可以藉由依各點狀光源而調節能量線之出射量，而調節由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量。
調節部P2亦可構成為以窗部P1之外周部分的溫度為基準，降低窗部P1之中央部分的相對溫度。窗部P1的溫度，會影響由窗部P1射向晶圓W之能量線的出射量。例如，隨著窗部P1之溫度變高，在窗部P1之能量線的穿透性就會降低。因此，藉由使窗部P1之中央部分的相對溫度降低之結構，也能增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量。
調節部P2可具有加熱窗部P1之外周部分的加熱器84，以作為降低窗部P1之中央部分的相對溫度之構件，但並不限定於此。調節部P2亦可具有包圍窗部P1的隔熱材，以取代加熱器84。若藉由此種隔熱材，由於會抑制熱能由窗部P1之周緣釋出，因此會抑制窗部P1之外周部分的溫度降低。因此，藉由包圍窗部P1的隔熱材，亦可降低窗部P1之中央部分的相對溫度。
調節部P2亦可具有冷却窗部P1之中央部分的冷卻器，以取代加熱窗部P1之外周部分的加熱器84。
如圖10所示之蝕刻單元U3，係將供氣管81及排氣管82改換成供氣管81A及排氣管82A，而藉此構成冷卻器85。供氣管81A係由熱板40之上部中央朝向下方而插入至光源容納室R2內，並朝向窗部P1之中央部開口。排氣管82A，係於供氣管81A的附近，朝向光源容納室R2之上部開口。供氣管81A，係一邊對窗部P1之中央部分噴吹惰性氣體，一邊對光源容納室R2內供給惰性氣體。排氣管82A係將光源容納室R2內的氣體排出。藉由對窗部P1之中央部分噴吹惰性氣體，以冷卻窗部P1的中央部分。亦即，冷卻器85係構成為由光源60側對窗部P1之中央部分噴吹惰性氣體。若藉由從光源60側對窗部P1之中央部分噴吹惰性氣體之結構，則可有效活用惰性氣體之供氣部，而能易於構成冷卻器85。
調節部P2亦可具有加熱器84、冷卻器85及隔熱材中之二者以上。
亦可更具有控制部100，其控制熱板40，而以熱板40之中央部分的溫度為基準，降低熱板40之外周部分的相對溫度。蝕刻對象之溫度，會影響蝕刻量。具體而言，隨著蝕刻對象之溫度變高，蝕刻量會增加。因此，藉由降低熱板40之外周部分的相對溫度，而可以降低在晶圓W之外周部分的蝕刻量。因此，除了增加從窗部P1之中央部分射向晶圓W之能量線的相對出射量，再加上降低熱板40之外周部分的相對溫度，藉此而可以更確實地降低晶圓W之各部位的蝕刻量差異。
蝕刻單元U3亦可構成為可控制窗部P1的溫度。例如，如圖11所示之蝕刻單元U3，更具備設於窗部P1之外周附近的溫度感測器86。溫度感測器86偵測窗部P1之外周附近的溫度。圖11之蝕刻單元U3的控制部100，係構成為控制調節部P2，以使溫度感測器86之溫度控制在設定範圍。作為一例，控制部100除了搬送控制部111、光源控制部112及熱板控制部113，更具備窗加熱器控制部114。窗加熱器控制部114控制加熱器84，以使溫度感測器86的溫度控制在設定範圍。藉此以防止窗部P1之過度加熱。
調節部P2，亦可更具有濾光片87(請參照圖11)，以降低在窗部P1之外周部分的能量線之穿透量。濾光片87之構成手法並無特別限制。濾光片87，可藉由在透明板83上重疊板片狀之組件而構成，亦可藉由對透明板83之表面施作粗面加工而構成。藉由濾光片87，一樣可以增加在窗部P1之中央部分的能量線之相對穿透量。具有濾光片87之調節部P2，未必要具備加熱器84、冷卻器85或隔熱材，沒有亦可。
以上針對實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，在不變更其要旨的範圍內，可進行種種變更，該等變更亦包含於本發明。處理之對象並不限於半導體晶圓，例如玻璃基板、光罩基板、FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)亦可。
1‧‧‧成膜處理系統
2‧‧‧搬運區塊
3‧‧‧處理區塊
10‧‧‧搬運器
10a‧‧‧側面
21‧‧‧搬運器站
22‧‧‧搬入・搬出部
22a‧‧‧開閉門
31~34‧‧‧處理模組
35‧‧‧棚架部
40‧‧‧熱板
41~43‧‧‧區域
44‧‧‧支持台
50‧‧‧昇降機構
51‧‧‧昇降頂針
52‧‧‧驅動部
60‧‧‧光源
70‧‧‧外殼
80‧‧‧區劃壁
80a‧‧‧開口部
81、81A‧‧‧供氣管
82、82A‧‧‧排氣管
83‧‧‧透明板
84‧‧‧加熱器
85‧‧‧冷卻器
86‧‧‧溫度感測器
87‧‧‧濾光片
100‧‧‧控制部
111‧‧‧搬送控制部
112‧‧‧光源控制部
113‧‧‧熱板控制部
114‧‧‧窗加熱器控制部
A1‧‧‧移交臂
A2‧‧‧搬送臂
P1‧‧‧窗部
P2‧‧‧調節部
R1‧‧‧液體容納室
R2‧‧‧光源容納室
R3‧‧‧熱板容納室
U1‧‧‧液處理單元
U2‧‧‧熱處理單元
U3‧‧‧蝕刻單元(基板處理裝置)
W‧‧‧晶圓(基板)
S01~S06‧‧‧步驟
【圖1】基板處理系統的立體圖。 【圖2】沿圖1中之II-II線的剖面圖。 【圖3】沿圖2中之III-III線的剖面圖。 【圖4】沿圖2中之IV-IV線的剖面圖。 【圖5】顯示蝕刻單元之概略結構的示意圖。 【圖6】熱板的立體圖。 【圖7】光源的立體圖。 【圖8】將透明板及加熱器剖開顯示的立體圖。 【圖9】顯示蝕刻程序的流程圖。 【圖10】顯示蝕刻單元之變形例的示意圖。 【圖11】顯示蝕刻單元之另一變形例的示意圖。
40‧‧‧熱板
41~43‧‧‧區域
44‧‧‧支持台
50‧‧‧昇降機構
51‧‧‧昇降頂針
52‧‧‧驅動部
60‧‧‧光源
70‧‧‧外殼
80‧‧‧區劃壁
80a‧‧‧開口部
81‧‧‧供氣管
82‧‧‧排氣管
83‧‧‧透明板
84‧‧‧加熱器
100‧‧‧控制部
111‧‧‧搬送控制部
112‧‧‧光源控制部
113‧‧‧熱板控制部
A2‧‧‧搬送臂
P1‧‧‧窗部
P2‧‧‧調節部
R2‧‧‧光源容納室
R3‧‧‧熱板容納室
U3‧‧‧基板處理裝置
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 熱板，支持並加熱所要蝕刻的基板； 光源，出射蝕刻用的能量線； 窗部，設在該光源與該熱板之間，使來自該光源並朝向該基板之該能量線穿透；以及 調節部，依該窗部之部位而調節由該窗部射向該基板之該能量線的出射量，以降低該基板各部位之蝕刻量的差異。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該調節部構成為以從該窗部之外周部分射向該基板之該能量線的出射量為基準，而增加從該窗部之中央部分射向該基板之該能量線的相對出射量。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該調節部構成為以在該窗部之外周部分的該能量線之穿透量為基準，增加在該窗部之中央部分的該能量線之相對穿透量。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，該調節部構成為以該窗部之外周部分的溫度為基準，降低該窗部之中央部分的相對溫度。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該調節部具有加熱該窗部之外周部分的加熱器。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該調節部具有冷却該窗部之中央部分的冷卻器。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，該冷卻器構成為由該光源側對該窗部之中央部分噴吹惰性氣體。
  8. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該調節部更具有濾光片，以降低在該窗部之外周部分的該能量線之穿透量。
  9. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，更具有控制部，其控制該熱板，而以該熱板之中央部分的溫度為基準，降低該熱板之外周部分的相對溫度。
  10. 一種基板處理方法，包括以下步驟： 將基板配置於熱板上； 由光源出射蝕刻用的能量線； 使該能量線從該光源穿透設於該光源及該熱板之間的窗部，而照射該基板；以及 依該窗部之部位而調節由該窗部射向該基板之該能量線的出射量，以降低該基板之各部位的蝕刻量差異。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，調節由該窗部射向該基板之該能量線的出射量，以從該窗部之外周部分射向該基板之能量線的出射量為基準，增加從該窗部之中央部分射向該基板之能量線的相對出射量。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，藉由以在該窗部之外周部分的該能量線之穿透量為基準，增加在該窗部之中央部分的該能量線之相對穿透量，來調節由該窗部射向該基板之能量線的出射量。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理方法，其中，藉由以該窗部之外周部分的溫度為基準，降低該窗部之中央部分的相對溫度，來調節由該窗部射向該基板之該能量線的出射量。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理方法，其中，更包括以下步驟：控制該熱板，以該熱板之中央部分的溫度為基準，降低該熱板之外周部分的相對溫度。
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