JPH11323576A - ウエットエッチング方法 - Google Patents
ウエットエッチング方法Info
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Abstract
する。 【解決手段】 ウエットエッチング処理直前の基板に大
気中で紫外線を照射する。紫外線の照射により加熱され
た状態の基板にウエットエッチングを行う。紫外線は、
エキシマランプにより発生させた、中心波長が172n
mのエキシマ光とする。エキシマ光を用いると、大気中
での短時間の照射により、基板表面に残る有機物質が酸
化分解される。同時に、その基板がウエットエッチング
に適した30〜40℃に予熱される。
Description
用されるウエットエッチング方法に関する。
に、パターニングされた薄膜が繰り返し積層される。そ
れぞれの薄膜形成工程では、成膜−レジスト塗布−露光
−現像−エッチング−レジスト除去が実施される。即
ち、現像では露光部分のレジストが除去され、現像に続
くエッチングでは、残ったレジストをマスクとして薄膜
が選択的に除去されることにより、パターニングされた
薄膜が形成される。
エッチングとドライエッチングがある。ウエットエッチ
ングは酸液により薄膜を分解除去し、ドライエッチング
はフッ素系ガスや塩素系ガス等により薄膜を分解除去す
る。
比較した場合、エッチレートはウエットエッチングの方
が格段に大きく、装置価格もウエットエッチングの方が
安価である。このため、ウエットエッチングが多用され
ているが、そのパターンサイズは線間距離で7μm程度
が限界であり、これより微細なパターンの形成にはドラ
イエッチングが必要とされている。その理由は、現像に
よってレジストが部分的に除去された基板と言えども、
そのレジスト除去部分にはスカムと呼ばれる薄い有機物
質層が残存しており、これがエッチング液をはじくため
とされている。また、スカム以外にもエッチングに影響
する因子がある。即ち人間、装置、空気等が基板汚染源
として考えられ、クリーンルーム内に基板を放置してお
くと表面に有機物が付着し、エッチング不良が生じる。
を除去する方法の一つとして、光オゾンアッシングが考
えられている。光オゾンアッシングは、オゾンを含む雰
囲気中で基板に紫外線を照射し、オゾンと紫外線の反応
で生じたOラジカルにより、レジスト除去部分に存在す
るスカム等の有機物を酸化分解除去する方法である。し
かしながら、光オゾンアッシングには以下のような問題
があり、その結果、線間距離で5μm以下というような
微細パターンの形成にウエットエッチングを適用するの
は依然として困難な状況である。
基板に紫外線を照射すると、そのレジストが変質し、エ
ッチング後の基板からレジストを除去するのが困難にな
るという本質的な問題がある。この問題のため、一般に
は現像後(エッチング前)の基板に光オゾンアッシング
を行うのは不適とされている。
表面に照射せず、雰囲気中のオゾンにのみ照射して、光
オゾンアッシングを行う技術が、特開平7−25367
7号公報に記載されている。しかしながら、この技術で
は、紫外線を基板表面に照射しないために、その紫外線
を基板表面に照射する場合と比べて、有機物除去効果が
低下する。
た光オゾンアッシングでは、紫外線の発生源として低圧
水銀ランプが使用されている。また、この光オゾンアッ
シングに限らず、一般の紫外線洗浄では、紫外線の発生
源として低圧水銀ランプが使用されている。
の紫外線を放射する。この紫外線はオゾンを分解し、こ
れによりOラジカルを生成するが、オゾンの存在が前提
となるので、紫外線を照射する雰囲気にオゾンを供給す
る必要がある。そのため、設備が複雑となり、そのコス
トが上昇する。また、設備構造の複雑化は、後述するス
ループット性を低下させる原因にもなる。
グの場合、有機物を完全に除去するためには2分程度の
照射時間が必要になる。しかも、低圧水銀ランプで2分
間もの紫外線照射を行うと、基板はかなりの高温に加熱
される。一方、ウエットエッチングに使用されるエッチ
ング液の温度は40℃程度に管理されている。そして、
紫外線照射により高温に加熱された基板にエッチング液
を接触させると、ヒートショックによって基板が割れ
る。このため、紫外線照射後に長い時間のクールダウン
も必要になる。他方、スピンエッチャ等による高効率な
枚葉式湿式処理の場合、スループット時間は1分程度で
ある。このため、高効率処理では、スループットの点か
らも現像後(エッチング前)の光オゾンアッシングの適
用は困難である。
た光オゾンアッシングでは、基板表面に紫外線を照射し
ないことにより有機物除去効率が低下するので、スルー
プット性能は更に劣ることが予想される。
ゾンアッシングを行わず、常温で基板をエッチング液と
接触させた場合、基板がエッチング液の温度になるまで
は所定のエッチングレートが確保されないので、エッチ
ング時間が長くなり、そのレートのバラツキも生じる。
報に記載された光オゾンアッシングを含め、従来の現像
後(エッチング前)の光オゾンアッシングには多くの問
題がある。これらの問題のため、実際の操業でこの光オ
ゾンアッシングを実施することは困難であり、とりわけ
スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理での実
施が困難である。従って、線間距離で5μm以下という
ような微細パターンの形成にウエットエッチングを適用
するのは依然として困難な状況である。
いうような微細パターンの形成も可能なウエットエッチ
ング方法を提供することにある。
に、本発明のウエットエッチング方法は、ウエットエッ
チング処理直前の基板に、172nmの波長を主体とす
る紫外線を照射し、紫外線の照射により加熱された状態
の基板に対してウエットエッチング処理を行うものであ
る。
例えばエキシマランプにより発生させることができる。
エキシマランプは、放電ガスが充填されたランプ内で発
生した放電プラズマにより、励起され瞬間的にエキシマ
状態となった放電ガスの原子が、このエキシマ状態から
元の基底状態に戻る過程で、そのエキシマ特有のスペク
トルを発光する現象を利用した紫外線ランプであり、放
電ガスとしてXeガスを使用することにより、中心波長
が172nmの単色光を発生する。
気中の酸素に吸収され、その酸素からオゾンを経由せず
に直接Oラジカルを生成する。また、その酸素をオゾン
化し、このオゾンからOラジカルを生成する機能も合わ
せもつ。従って、このエキシマ光をウエットエッチング
処理直前の基板に照射すると、スカム等の有機物がOラ
ジカルにより酸化分解されるだけでなく、外部からのオ
ゾンの供給が不要となる。即ち、大気雰囲気中での処理
が可能となる。
の照射に伴うレジストの変質が回避される。なぜなら、
エキシマ光は大気に照射されると大気中の酸素の吸収さ
れ減衰するため、基板上のレジストに直接的な影響を与
えることが少ないからである。しかも、後で述べるよう
に基板1枚当たりの照射時間が短くなり、この点からも
レジストの変質が回避される。
射に伴う基板の過度の加熱も回避される。なぜなら、こ
のエキシマ光によると、有機物除去効果が低圧水銀ラン
プを使用した場合の数倍に達し、照射時間が30秒程度
に短縮され、合わせて赤外線の発生が少ないからであ
る。そして、この短時間照射により、基板はエッチング
液と同程度の30〜40℃にほどよく加熱され、照射終
了直後にその基板をエッチング液と接触させても基板の
割れが回避される。また、その接触開始から所定のエッ
チングレートが得られる。これらのため、低圧水銀ラン
プを用いる場合に比べてスループット性が著しく向上す
る。
て、スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理で
の実施も可能となり、線間距離で5μm以下というよう
な微細パターンの形成にウエットエッチングを適用する
のが可能となる。
基づいて説明する。図1は本発明のウエットエッチング
方法を実施するのに適したエッチング装置の平面図であ
る。
板60にウエットエッチングを行うものであり、先に本
出願人が開発した放射型装置である(特願平9−190
495号)。
ドロボット型式の基板授受ユニット10を中心として、
その両側に第1の基板処理ユニット20と第2の基板処
理ユニット20′を配置すると共に、手前側に、紫外線
照射・両面洗浄ユニット30を配置し、更に、紫外線照
射・両面洗浄ユニット30の片側に基板移載ユニット4
0及びローダ・アンローダを兼ねるローダユニット50
を配置した放射型レイアウトを採用している。
処理ユニット20′は、基本的に同じ構造のスピン処理
ユニットであり、処理液の違いと僅かな仕様の違いによ
り、前者がエッチングユニット、後者が仕上げ洗浄・乾
燥ユニットとして使用されている。
面洗浄部の上に紫外線照射部を重ねたものである。紫外
線照射部は、架台に載置された基板60に上方から、中
心波長が172nmのエキシマ光を照射するエキシマラ
ンプユニットを備えており、基板60の仮置き台(バッ
ファ)を兼ねている。
積載したストッカ70と、処理済の基板60を載置する
ストッカ80を定位置に位置決めする。基板移載ユニッ
ト40は、シングルハンドロボットにより、ストッカ7
0から未処理の基板60を取り出して紫外線照射・両面
洗浄ユニット30の紫外線照射部に載せると共に、その
紫外線照射部に載せられている処理済の基板60をスト
ッカ80に載せる。
ブルハンドロボットを用い、適宜紫外線照射・両面洗浄
ユニット30の紫外線照射部をバッファとして使用しな
がら、第1の基板処理ユニット20、第2の基板処理ユ
ニット20′及び紫外線照射・両面洗浄ユニット30に
対して基板60の授受を行う。
の基板処理ユニット20′及び紫外線照射・両面洗浄ユ
ニット30は、受け取った基板60に対して所定の処理
を行う。これにより、ストッカ70内の未処理の基板7
0は順次ウエットエッチング処理されてストッカ80に
搬入される。
移載ユニット40によりストッカ70から取り出され、
紫外線照射・両面洗浄ユニット30の紫外線照射部に搬
入され、その基板60の上面に大気中で中心波長が17
2nmのエキシマ光が照射される。これにより、スカム
が除去されると共に、予熱が行われる。
ニット10により、基板60が紫外線照射部から取り出
され、エッチングユニットである第1の基板処理ユニッ
ト20内に搬入される。第1の基板処理ユニット20で
は、回転する基板60の上面にエッチング液がスプレー
される。スプレーが終わると、窒素ガスパージにより、
エッチング液が排除される。
により、基板60が第1の基板処理ユニット20から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット30の両面洗
浄部に搬入される。両面洗浄部の両面が純水スプレーに
より粗洗浄される。
により、基板60が両面洗浄部から取り出され、第2の
基板処理ユニット20′に搬入される。第2の基板処理
ユニット20′では、回転する基板60の上面に純水が
スプレーされ、仕上げ洗浄が行われる。スプレーが終わ
ると、窒素ガスパージにより、乾燥が行われる。
より、基板60が第2の基板処理ユニット20′から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット30の紫外線
照射部に搬入される。このとき、紫外線照射部はバッフ
ァとして使用される。
板移載ユニット40によりローダユニット50に搬送さ
れ、ローダユニット50内のストッカ80に収納され
る。
で中心波長が172nmのエキシマ光を照射することの
効果を明らかにする。
た後、その膜上にレジストを塗布し、プリベークした。
このレジスト塗布の後、線幅が10μmで、線間距離が
10μm、7μm、5μmとなるように露光現像を行っ
た。レジストの現像を終えた基板表面に、大気中で中心
波長が172nmのエキシマ光を30秒間照射した後、
エッチング処理、粗洗浄、仕上げ洗浄、乾燥を順に実施
した。その後にレジスト除去を行い、線間で下地である
ガラス基板が完全に露出している場合に、エッチングが
行えていると判断した。
会社製造の誘電体バリア放電エキシマランプUER46
5308−172を使用した。エッチング液のスプレー
時間は、エキシマ光を照射しない場合の、線間10μm
でのジャストエッチング時間に設定した。
に加熱された。レジスト除去後の基板は10μm,7μ
m,5μmの全ての線間でエッチングが行われていた。
かった。レジスト除去後の基板は10μmの線間でのみ
エッチングが行われていた。
ランプを用いて紫外線照射を行った。照射時間が30秒
の場合は、基板が約60℃まで加熱されたため、40℃
への冷却に60秒を要した。レジスト除去後の基板はエ
キシマ光の照射を行わない場合と同じであった。
100℃まで加熱され、40℃への冷却に120秒を要
した。大気中照射のため(オゾンを使用しないため)、
レジスト除去後の基板は10μm,7μmの線間でエッ
チングが行われ、5μmの線間ではエッチングが行われ
なかった。しかも、紫外線の長時間照射のために、レジ
スト除去では変質したレジストの一部が除去されずに線
上に残留しているのが認められた。
のウエットエッチング方法は、そのエッチング処理直前
に基板表面に、172nmの波長を主体とする紫外線を
照射することにより、基板表面に残存する不要な有機物
質を大気中で短時間に分解除去することができ、レジス
ト除去に悪影響を及ぼす危険もない。しかも、その紫外
線照射により、基板をエッチング処理に適した温度に予
熱することができる。これらの結果、エッチング性のみ
ならず、スループット性も合わせて改善され、スピンエ
ッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理への適用も可能
となることから、線間距離で5μm以下というような微
細パターンの形成に、高効率で経済的なウエットエッチ
ングの適用が可能となる。
に適したエッチング装置の平面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ウエットエッチング処理直前の基板に、
172nmの波長を主体とする紫外線を照射する工程
と、紫外線の照射により加熱された状態の基板に対して
ウエットエッチング処理を行う工程とを包含することを
特徴とするウエットエッチング方法。 - 【請求項2】 前記紫外線は、エキシマランプにより発
生させた中心波長が172nmのエキシマ光であること
を特徴とする請求項1に記載のウエットエッチング方
法。 - 【請求項3】 前記紫外線を照射する雰囲気は大気であ
る請求項1又は2に記載のウエットエッチング方法。 - 【請求項4】 前記基板の加熱温度は30〜40℃であ
る請求項1、2又は3に記載のウエットエッチング方
法。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196740A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP2004289032A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 紫外光照射装置、エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
KR100701682B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2007-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 플로우팅 게이트 제조방법 |
JP2010232407A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2015537372A (ja) * | 2012-10-05 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を清浄化するためのプロセスガスの生成 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6254516B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6825956B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法および紫外線照射手段の選択方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR930005440B1 (ko) * | 1989-10-02 | 1993-06-21 | 다이닛뽕 스쿠린 세이소오 가부시키가이샤 | 절연막의 선택적 제거방법 |
JPH03123019A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Nec Corp | フォトレジスト膜形成方法 |
JP3094488B2 (ja) * | 1991-03-07 | 2000-10-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR980011877A (ko) * | 1996-07-19 | 1998-04-30 | 김광호 | 반도체장치의 층간 접속방법 |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP10142334A patent/JPH11323576A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-03 TW TW088107129A patent/TW469479B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-07 KR KR1019990016311A patent/KR19990088109A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196740A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP4497613B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2010-07-07 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
KR100701682B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2007-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 플로우팅 게이트 제조방법 |
JP2004289032A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 紫外光照射装置、エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
US7935266B2 (en) | 2003-03-25 | 2011-05-03 | Renesas Electronics Corporation | Wet etching method using ultraviolet-light and method of manufacturing semiconductor device |
JP2010232407A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015537372A (ja) * | 2012-10-05 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を清浄化するためのプロセスガスの生成 |
US9966280B2 (en) | 2012-10-05 | 2018-05-08 | Tokyo Electron Limited | Process gas generation for cleaning of substrates |
JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
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