JP6825956B2 - 基板処理装置、基板処理方法および紫外線照射手段の選択方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板処理装置、基板処理方法および紫外線照射手段の選択方法に関し、特に基板上の有機物を紫外線により分解して除去する技術に関する。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング処理（いわゆるウェットエッチング）が行われる。このエッチング処理の後には、基板に純水を供給して表面の薬液を洗い流すリンス処理、および、表面の純水を除去する乾燥処理がさらに行われる。

多数の微細なパターン要素（微細構造物とも呼ぶ）が基板の表面に形成されている場合に、純水によるリンス処理および乾燥処理を順に行うと、乾燥途上において、純水の表面張力が微細構造物に作用して、微細構造物が倒壊する可能性がある。この倒壊は微細構造物の幅が狭くアスペクト比が高いほど生じやすく、また微細構造物の間の隙間が狭いほど生じやすい。

この倒壊を抑制すべく、微細構造物の表面を撥水化（疎水化）して撥水膜（有機物）を形成する撥水化処理が提案されている。この撥水化処理では、撥水剤としてシリル化剤が多く用いられており、シリル化剤による撥水効果を向上させるために、シリル化剤に活性剤を混合させることも行われている。

その一方で、乾燥処理の後にはこの撥水膜は不要となる。よって従来では、この撥水膜を除去する手法も提案されている。例えば特許文献１には、基板の有機物を分解および除去する基板処理装置が開示されている。この基板処理装置には、紫外線照射手段が設けられている。特許文献１では、紫外線照射手段が基板に紫外線を照射することにより、基板の有機不純物を分解および除去している。

特開２０１１−２０４９４４号公報

特許文献１において、有機物の分解という観点では、光子のエネルギーが高い紫外線、つまり波長の短い紫外線を採用することが好ましい。光子のエネルギーが高いほど、より多くの種類の分子結合を切断することができ、有機物を速やかに分解できるからである。

その一方で、近年、基板上のパターンは微細化されている。つまり、微細構造物の幅は狭くなるとともに、微細構造物の相互間の隙間も狭くなっている。このように微細構造物の隙間が狭くなると、波長の短い紫外線ほど、この隙間に入り込みにくくなる。波長の短い紫外線は回折しにくいからである。このように紫外線が当該隙間に入り込みにくい場合には、当該隙間に存在する有機物へと紫外線が作用しにくい。これにより、有機物の除去が不十分になる。

また微細構造物の隙間においては、その深さ方向（微細構造物の高さ方向）において、紫外線の強度に強弱が生じ得る。紫外線が微細構造物の隙間で回折および反射して干渉するからである。当該隙間のうち紫外線の強度が小さくなる領域においては有機物が分解されにくく、有機物の除去が不十分になる。

そこで本発明は、基板の表面に形成される微細構造物の隙間において、より広範囲で紫外線を作用させて有機物を分解できる基板処理装置、基板処理方法および紫外線照射手段の選択方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、基板処理装置の第１の態様は、基板保持手段と複数の紫外線照射手段と制御手段とを備える。基板保持手段は基板を保持する。紫外線照射手段は基板保持手段によって保持された複数の微細構造物が形成された前記基板の前記微細構造物の間の隙間に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射する。制御手段は複数の紫外線照射手段を制御する。制御手段は、互いに異なるスペクトルを有することにより、当該隙間において強度が足りない領域の強度不足を互いに補う複数の紫外線が当該隙間に入り込むことができるように複数の紫外線照射手段を制御する。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、複数の紫外線照射手段は第１紫外線照射手段および第２紫外線照射手段を含む。第１紫外線照射手段から出力される第１紫外線の強度は、微細構造物の隙間において深さ方向に第１周期で増減する。第２紫外線照射手段から出力される第２紫外線の強度は、微細構造物の隙間において深さ方向に第２周期で増減する。第１紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ方向の位置を中心とし、深さ方向の幅が第１周期の半周期に相当する第１領域内において、第２紫外線の強度がピーク値をとる。

基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の紫外線照射手段は第３紫外線照射手段を含み、前記第３紫外線照射手段から出力される第３紫外線の強度は、前記微細構造物の前記隙間において前記深さ方向に第３周期で増減し、前記第３紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第３周期の半周期に相当する第２領域と、前記第１領域とが互いに重複する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとる。

基板処理装置の第４の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、複数の紫外線照射手段は３つ以上ある。制御手段は取得手段および選択手段を備える。取得手段は、微細構造物の隙間の幅および深さの少なくともいずれか一方に応じて変化する情報を取得する。選択手段は、複数の紫外線照射手段のうち２以上の紫外線照射手段に紫外線を照射させるかを選択する選択動作を、当当該情報に基づいて行う。

基板処理装置の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、前記選択手段は、前記微細構造物の隙間が広い、または、浅いほど、波長が短い紫外線照射手段を前記情報に基づいて選択する。

基板処理装置の第６の態様は、第５の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の紫外線照射手段は、第１ピーク波長を含むスペクトルで第１紫外線を照射する第１紫外線照射手段と、前記第１ピーク波長よりも長い第２ピーク波長を含むスペクトルで第２紫外線を照射する第２紫外線照射手段とを含み、前記選択手段は前記情報に基づいて第１紫外線照射手段および第２紫外線照射手段を選択し、前記第１紫外線の強度は前記微細構造物の前記隙間で深さ方向において第１周期で増減し、前記第１紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第１周期の半周期に相当する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとる。

基板処理装置の第７の態様は、第６の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の紫外線照射手段は、前記第２ピーク波長よりも長い第３ピーク波長を含むスペクトルで第３紫外線を照射する第３紫外線照射手段を含み、前記選択手段は、第１情報に基づいて、前記第１紫外線照射手段および前記第２紫外線照射手段を選択し、前記第３紫外線照射手段を選択せず、前記第１情報よりも前記微細構造物の前記隙間が狭いまたは深い第２情報に基づいて、前記第２紫外線照射手段および前記第３紫外線照射手段を選択する。

基板処理装置の第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、複数の紫外線照射手段の各々と基板保持手段との間の距離は、複数の紫外線照射手段によって照射される紫外線のピーク波長が長いほど、短い。

基板処理装置の第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、制御手段は、複数の紫外線照射手段の各々の照射期間の少なくとも一部が重なるように、前記複数の紫外線照射手段を制御する。

基板処理装置の第１０の態様は、第１から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、複数の紫外線照射手段は、基板保持手段によって保持された基板と空間を隔てて対向している。基板処理装置は、当該空間へと不活性ガスを供給する気体供給手段を更に備える。

基板処理装置の第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、複数の紫外線照射手段の各々は基板保持手段によって保持された基板の表面の全面に紫外線を照射する。

基板処理装置の第１２の態様は、第１から第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持手段を水平方向に沿って前記複数の紫外線照射手段に対して相対的に移動させる移動手段を更に備える。

基板処理装置の第１３の態様は、第１から第１２のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、基板の表面に直交する回転軸を中心として基板保持手段を回転させる回転手段を更に備える。

基板処理装置の第１４の態様は、第１から第１３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記微細構造物のアスペクト比は３．５以上、前記微細構造物のピッチは５０ｎｍ以下、または、前記微細構造物の間隔は４０ｎｍ以下である。

基板処理方法の第１５の態様は、基板保持手段が基板を保持し、複数の紫外線照射手段が、基板保持手段に保持された複数の微細構造物が形成された前記基板の前記微細構造物の間の隙間に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射し、互いに異なるスペクトルを有することにより、当該隙間において強度が足りない領域の強度不足を互いに補う複数の紫外線が当該隙間に入り込むことができるように複数の紫外線照射手段を制御する。

紫外線照射手段の選択方法の第１６の態様は、複数の微細構造物が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記微細構造物の隙間に紫外線を照射する複数の紫外線照射手段を有する基板処理装置において、紫外線照射手段を選択する方法であって、微細構造物の間の隙間に進入可能な第１紫外線を照射する第１紫外線照射手段を選択する第１工程と、前記第１紫外線のピーク波長よりも長いピーク波長を有し、前記微細構造物の隙間において前記第１紫外線の強度が不足する領域の強度不足を補う第２紫外線を照射する第２紫外線照射手段を選択する第２工程とを備える。

紫外線照射手段の選択方法の第１７の態様は、第１６の態様にかかる紫外線照射手段の選択方法であって、前記第１工程において、前記第１紫外線の強度が前記微細構造物の隙間の深さ方向において周期的に増減する場合、前記第１紫外線の強度の少なくとも一つのピーク値のうち最小となるピーク値が基準値よりも大きいと判断したときに、前記第１紫外線照射手段を選択する。

紫外線照射手段の選択方法の第１８の態様は、第１７の態様にかかる紫外線照射手段の選択方法であって、前記第２工程において、前記第１紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第１紫外線の強度の半周期に相当する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとると判断したときに、前記第２紫外線照射手段を選択する。

紫外線照射手段の選択方法の第１９の態様は、第１８の態様にかかる紫外線照射手段の選択方法であって、第３紫外線照射手段から照射され前記第２紫外線のピーク波長よりも長いピーク波長を有する第３紫外線の強度、および、前記第２紫外線の強度の両方が前記領域においてピーク値をとる場合に、前記第２紫外線照射手段を選択し、前記第３紫外線照射手段を選択しない。

紫外線照射手段の選択方法の第２０の態様は、第１６の態様にかかる紫外線照射手段の選択方法であって、前記第１工程において、前記第１紫外線の強度が前記微細構造物の隙間の深さ方向において単調減少するときには、所定の深さ位置における前記第１紫外線の強度が基準値よりも大きいと判断したときに、前記第１紫外線照射手段を選択する第３工程を更に備える。

基板処理装置の第１の態様、第１４の態様および基板処理方法の第１５の態様によれば、複数の紫外線照射手段が互いに異なるスペクトルで紫外線を基板の表面に照射する。つまり複数の紫外線照射手段が出力する紫外線のピーク波長は互いに相違する。

各紫外線の強度は微細構造物の隙間の深さ方向において周期的に増減する。各紫外線は微細構造物の隙間において回折、反射および干渉するからである。その周期はピーク波長に依存するので、各紫外線の周期は互いに相違する。よって、ある第１ピーク波長の第１紫外線の強度が低い領域において、強度が高い他の第２ピーク波長の第２紫外線が存在する。つまり、当該領域における第１紫外線の強度不足を第２紫外線の強度が補うことができる。したがって第１紫外線のみでは有機物を分解しにくかった領域でも、第２紫外線によって有機物をより効果的に分解することができる。

以上のように、本基板処理装置によれば、より広範囲に紫外線を作用させて有機物を分解することができる。

基板処理装置の第２の態様によれば、第１紫外線がボトム値をとるときの位置の近傍で、第２紫外線がピーク値をとる。よって、第１紫外線による強度不足をより適切に第２紫外線が補うことができる。

基板処理装置の第３の態様によれば、第１紫外線および第３紫外線の強度が不足する領域において、その強度不足を第２紫外線が補うことができる。

基板処理装置の第４の態様によれば、微細構造物の隙間の幅または深さに応じた紫外線照射手段を選択できる。

基板処理装置の第５の態様において、微細構造物の隙間が広い、または狭い場合に、より短いピーク波長の紫外線が採用される。この短いピーク波長の紫外線は隙間が広い、または狭いほど当該隙間に進入しやすい。しかも短いピーク波長の紫外線はより多くの種類の分子結合を切断できるので、有機物を速やかに分解でき、ひいてはより効果的に有機物を分解できる。

基板処理装置の第６の態様によれば、第１紫外線がボトム値をとるときの深さ位置の近傍で、第２紫外線がピーク値をとる。よって、第１基板の微細構造物の隙間における第１紫外線の強度不足をより適切に第２紫外線が補うことができる。

基板処理装置の第７の態様によれば、微細構造物の隙間が広いまたは狭い場合には、より短いピーク波長の第１紫外線照射手段および第２紫外線照射手段が選択される。これにより、より効果的に有機物を分解できる。しかも、第３紫外線照射手段は選択されないので、第３紫外線照射手段の電力消費を回避できる。

基板処理装置の第８の態様によれば、波長の長短という観点では、波長が長い紫外線ほど有機物の除去速度は遅い。一方で、紫外線の強度は一般的には紫外線照射手段から遠ざかるほど低下する。第８の態様によれば、ピーク波長が長いほど、紫外線照射手段と基板との距離が近い。よって、ピーク波長の長い紫外線でもより効果的に有機物を除去することができる。

基板処理装置の第９の態様によれば、有機物の除去処理のスループットを向上できる。

基板処理装置の第１０の態様によれば、紫外線照射手段と基板との間の空間の酸素の濃度を不活性ガスにより低減することができる。酸素は紫外線を吸収するので、酸素の濃度の低下により、基板上の紫外線の強度を向上できる。

基板処理装置の第１１の態様によれば、広い範囲で基板に紫外線を照射できる。

基板処理装置の第１２の態様によれば、紫外線照射手段が紫外線を基板の全面に照射できなくても、基板を移動させることで、紫外線を基板の全面に照射できる。

基板処理装置の第１３の態様によれば、基板に均一に紫外線を照射できる。

紫外線照射手段の選択方法の第１６の態様によれば、第１紫外線のみでは有機物を分解しにくかった領域でも、第２紫外線によって有機物をより効果的に分解できる。

紫外線照射手段の選択方法の第１７の態様によれば、微細構造物の隙間に適切に進入可能な紫外線を第１紫外線として採用できる。

紫外線照射手段の選択方法の第１８の態様によれば、第１紫外線がボトム値をとるときの位置の近傍で、第２紫外線がピーク値をとる。よって、第１紫外線による強度不足をより適切に第２紫外線が補うことができる。

紫外線照射手段の選択方法の第１９の態様によれば、第１紫外線の強度が不足する領域内において、第２紫外線および第３紫外線の両方がピーク値をとる場合には、ピーク波長の短い第２紫外線照射手段を選択し、第３紫外線照射手段を選択しない。これによれば、より有機物の分解に適した第２紫外線照射手段を選択しつつも、第３紫外線照射手段による電力消費を回避できる。

紫外線照射手段の選択方法の第２０の態様によれば、微細構造物の隙間に適切に進入可能な紫外線を第１紫外線として採用できる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 紫外線照射器の選択方法の一例を概略的に示すフローチャートである。 紫外線照射器の選択方法の一例を具体的に示すフローチャートである。 紫外線の照射時間と純水の接触角との関係の一例を概略的に示すグラフである。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 紫外線照射器の選択方法の一例を示すフローチャートである。 紫外線照射器の選択方法の一例を示すフローチャートである。 基板の微細構造物の相互間の隙間の幅と、その基板に照射する紫外線の波長との関係の一例を示す図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 紫外線の強度の模式的な一例を等高線で示す図である。 紫外線の強度の模式的な一例を示すグラフである。 基板の微細構造物の相互間の隙間の深さと、その基板に照射する紫外線の波長との関係の一例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。図面には、各構成の位置関係の説明するために、Ｚ方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。また理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また以下では、適宜に「＋Ｚ軸側」および「−Ｚ軸側」という表現を導入する。「＋Ｚ軸側」はＺ方向において上側を意味し、「−Ｚ軸側」はＺ方向において下側を意味する。

第１の実施の形態．
＜基板処理装置＞
図１および図２は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置１０には、基板Ｗ１が搬入される。

基板Ｗ１は半導体基板であって、その表面（主面）には複数の微細構造物（不図示）が形成されている。微細構造物とは、金属パターン、半導体パターンおよびレジストパターンなどのパターンである。よって、基板Ｗ１の主面は微細構造物による凹凸形状を呈している。

この微細構造物は基板処理装置１０に基板Ｗ１が搬入される前の工程で形成される。例えばレジストパターンが形成された基板Ｗ１に対して薬液を供給してエッチング処理を行うことで、基板Ｗ１の主面に金属などのパターンが形成される。このエッチング処理の後には、リンス処理、撥水化処理および乾燥処理が行われる。リンス処理は基板Ｗ１に対して純水を供給して薬液を洗い流す処理である。乾燥処理は例えば基板Ｗ１を水平面で回転させることにより、基板を乾燥させる処理である。この乾燥途上では、純水の表面張力に起因して微細構造物が倒壊し得る。この倒壊は微細構造物のアスペクト比（幅に対する高さの比）が高いほど生じやすく、例えばアスペクト比が３．５以上であると微細構造物は倒壊しやすい。ここでは、基板Ｗ１に形成された微細構造物のアスペクト比は３．５以上であるとする。また微細構造物の間隔（隙間の幅）が狭いほど微細構造物は倒壊しやすい。ここでは、微細構造物の間隔が４０ｎｍ以下であるとする。あるいは、微細構造物のピッチ（中心同士の間の距離）が５０ｎｍ以下であるとする。

この倒壊を抑制すべく、乾燥処理の前に撥水化処理が行われる。撥水化処理は撥水剤を含む処理液を基板Ｗ１の主面に供給して微細構造物の表面に撥水膜（有機物）を形成する処理である。これにより、微細構造物に作用する純水の表面張力を低減することができ、乾燥処理における微細構造物の倒壊を抑制することができる。その一方で、このような撥水膜は半導体製品としては不要である。よって乾燥処理の後にその除去が望まれる。

基板処理装置１０は、基板Ｗ１に対して有機物の除去処理を行う装置である。この基板処理装置１０は基板保持部１、移動機構１２、回転機構１５、複数の紫外線照射器２、筒部材３、気体供給部４２および排気部６１を備えている。

＜基板保持部＞
基板保持部１は、基板Ｗ１を水平に保持する部材である。基板Ｗ１が半導体基板（すなわち半導体ウエハ）の場合、基板Ｗ１は略円形の平板状である。基板Ｗ１は微細構造物が形成された主面を＋Ｚ軸側に向けて保持される。

基板保持部１は円柱状の形状を有しており、上面１ａと側面１ｂと下面１ｃとを有している。側面１ｂは上面１ａの周縁および下面１ｃの周縁を連結する。基板保持部１の上面１ａの上には、基板Ｗ１が載置される。基板保持部１は例えばセラミック等で形成され得る。図１の例では、基板保持部１の上面１ａには、溝１１が形成されている。この溝１１には、不図示の基板搬送ロボットが基板Ｗ１を基板保持部１に載置する際に、その搬送ロボットのハンドが入り込む。

＜紫外線照射器＞
複数の紫外線照射器２は基板保持部１よりも＋Ｚ軸側に配置されており、基板保持部１によって保持された基板Ｗ１の主面へと紫外線を照射する。図１および図２の例においては、複数の紫外線照射器２として２種類の紫外線照射器２ａ，２ｂが設けられている。紫外線照射器２ａ，２ｂは互いに異なるスペクトル（分光分布）で紫外線を照射する。ここで、「異なるスペクトル」の定義について説明する。異なるスペクトルとは、光源から出力される光のスペクトルに含まれるピーク波長が互いに相違することを意味する。ピーク波長とは、そのスペクトルにおいて光の強度がピーク値をとるときの波長である。このピーク波長は一つの光源のスペクトルにおいて複数存在し得る。例えば低圧水銀ランプから照射される紫外線のピーク波長は複数あり、例えば１８５［ｎｍ］および２５４［ｎｍ］である。

複数の紫外線照射器２としては、低圧水銀ランプの他、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、メタルハライドランプおよびＵＶ(ultraviolet)−ＬＥＤ(Light Emitting Diode)などの光源が採用され得る。これら各種の光源から照射される光のスペクトルは互いに相違する。

また同じ種類の光源であってもスペクトルは相違し得る。例えばエキシマランプは放電ガス（例えば希ガスまたは希ガスハロゲン化合物）を充填した石英管と、一対の電極とを備えている。放電ガスは一対の電極間に存在している。一対の電極間に高周波・高電圧を印加することにより、放電ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。このエキシマランプから照射される紫外線のスペクトルは、放電ガスの種類等に応じて相違し得る。具体的には、エキシマランプから照射される紫外線のピーク波長は放電ガスの種類等に応じて、１２６［ｎｍ］、１４６［ｎｍ］、１７２［ｎｍ］、２２２［ｎｍ］または３０８［ｎｍ］などの値をとり得る。

つまり複数の紫外線照射器２としては、低圧水銀ランプおよびエキシマランプなどの複数種類の光源を採用してもよく、あるいは、スペクトルの異なる同一種の光源を採用してもよい。

なお以下では冗長な表現を避けるべく、紫外線照射器から照射される紫外線のスペクトルおよびピーク波長を、それぞれ紫外線照射器のスペクトルおよび紫外線照射器のピーク波長とも呼ぶ。また以下では簡単のために、紫外線照射器２ａ，２ｂのピーク波長（波長λａ，λｂと呼ぶ）は一つであるとし、それぞれ１２６［ｎｍ］および１７２［ｎｍ］とする。

紫外線照射器２の形状は任意であるものの、例えば紫外線照射器２は点光源であってもよい。図１および図２の例においては、複数の紫外線照射器２ａおよび複数の紫外線照射器２ｂが設けられている。複数の紫外線照射器２ａは基板Ｗ１に対して均等に分散配置される。これにより、紫外線照射器２ａは基板Ｗ１の主面の全面へと紫外線をより均一に照射することができる。紫外線照射器２ｂについても同様である。

あるいは紫外線照射器２は線光源であってもよい。この紫外線照射器２は長手方向に長い棒状の形状を有している。紫外線照射器２はその長手方向がＹ方向に沿う姿勢で、Ｘ方向に沿って並んで配置される。あるいは、紫外線照射器２はリング状の形状を有していてもよい。複数の紫外線照射器２は同心円状に配置される。これらの紫外線照射器２も基板Ｗ１の主面の全面へと紫外線を照射する。

複数の紫外線照射器２よりも−Ｚ軸側（具体的には紫外線照射器２と基板Ｗ１との間）には、紫外線に対する透光性、耐熱性かつ対食性を有する板状体として石英ガラス２１が設けられている。この石英ガラス２１は水平に設けられて、複数の紫外線照射器２の全てとＺ方向において対向している。石英ガラス２１は基板処理装置１０内の雰囲気に対して、紫外線照射器２を保護することができる。複数の紫外線照射器２からの紫外線はこの石英ガラス２１を透過して基板Ｗ１の主面へと照射される。

＜移動機構＞
移動機構１２は基板保持部１をＺ方向に沿って移動させることができる。例えば移動機構１２は回転機構１５を介して基板保持部１の下面１ｃに取り付けられている。この移動機構１２は、基板保持部１が紫外線照射器２に近い第１位置（図２参照）と、基板保持部１が紫外線照射器２から遠い第２位置（図１参照）との間で、基板保持部１を往復移動させることができる。後に説明するように、第１位置は、紫外線を用いた処理を基板Ｗ１に対して行うときの基板保持部１の位置であり、第２位置は、基板Ｗ１の授受を行うときの基板保持部１の位置である。第１位置における基板保持部１と紫外線照射器２との間の距離は、第２位置における基板保持部１と紫外線照射器２との間の距離よりも短い。移動機構１２には、例えばエアシリンダ、ボールねじ機構または一軸ステージなどを採用し得る。移動機構１２はベローズによって周囲が覆われていてもよい。

＜回転機構＞
回転機構１５は基板保持部１を水平面で回転させる。より具体的には回転機構１５は基板Ｗ１の中心を通り基板Ｗ１の主面に直交する回転軸を中心として、基板保持部１を回転させる。回転機構１５は例えばモータである。基板保持部１の回転により、基板Ｗ１が水平面で回転する。

回転機構１５は紫外線照射器２による紫外線の照射中に基板保持部１を回転させる。よって、基板Ｗ１が回転した状態で紫外線が基板Ｗ１へと照射される。これにより、紫外線をより均一に基板Ｗ１の主面に照射することができる。

＜筒部材および気体供給部＞
筒部材３は内周面（内面）３ａ、外周面３ｂ、上面３ｃおよび下面３ｄを有しており、筒状形状を有している。上面３ｃは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、＋Ｚ軸側の面である。下面３ｄは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、−Ｚ軸側の面である。筒部材３は円筒形状を有している。筒部材３の内周面３ａの径は基板保持部１の側面１ｂの径よりも大きい。図２を参照して、筒部材３の内周面３ａは、基板保持部１が第１位置で停止した状態において、基板保持部１の側面１ｂを囲んでいる。

基板保持部１が第１位置で停止した状態（図２）において、紫外線照射器２が紫外線を照射する。これにより、紫外線を用いた処理が基板Ｗ１に対して行われる。その一方で、基板保持部１が第１位置で停止した状態では、基板Ｗ１の周囲が石英ガラス２１、筒部材３および基板保持部１によって囲まれる。したがって、この状態では基板Ｗ１を基板保持部１から容易に取り出すことができない。

そこで、移動機構１２は基板保持部１を第２位置に移動させる（図１）。これにより、基板保持部１は筒部材３の内周面３ａの内部から、紫外線照射器２に対して遠ざかる方向に退く。この第２位置において、基板Ｗ１は筒部材３の下面３ｄに対して−Ｚ軸側に位置する。よって、基板Ｗ１は筒部材３によって阻害されることなく、不図示の基板搬送手段によって基板処理装置１０から搬出される。逆に、基板保持部１が第２位置で停止した状態で、基板搬送手段が基板Ｗ１を基板保持部１へ載置する。

筒部材３には、貫通孔３２１，３２２が形成されている。貫通孔３２１，３２２は筒部材３を貫通して、石英ガラス２１と基板Ｗ１との間の空間に連通している。以下では、当該空間を作用空間Ｈ１とも呼ぶ。紫外線照射器２はこの作用空間Ｈ１を隔てて基板保持部１と対向する。貫通孔３２１，３２２の一端は筒部材３の上面３ｃにおいて開口している。以下では、貫通孔３２１，３２２の一端を開口部（給気開口部）３２１ａ，３２２ａと呼ぶ。開口部３２１ａ，３２２ａが形成された位置において、筒部材３の上面３ｃは空隙を介して石英ガラス２１の周縁部と対向している。開口部３２１ａ，３２２ａは作用空間Ｈ１に連続している。つまり、貫通孔３２１，３２２は作用空間Ｈ１と連通する。開口部３２１ａ，３２２ａは、内周面３ａの中心軸を介して互いに向かい合う位置に形成されている。

貫通孔３２１，３２２の他端は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口している。貫通孔３２１，３２２の他端は気体供給部４２に連結されている。具体的には、貫通孔３２１の他端は気体供給部４２ａに接続され、貫通孔３２２の他端は気体供給部４２ｂに接続されている。気体供給部４２ａ，４２ｂは不活性ガス（例えば窒素またはアルゴンなど）などの気体を、それぞれ貫通孔３２１，３２２を経由して作用空間Ｈ１に供給する。つまり、貫通孔３２１，３２２は給気用の経路として機能する。

気体供給部４２ａ，４２ｂの各々は、配管４２１、開閉弁４２２および気体供給源４２３を備えている。以下では、気体供給部４２ａに属する配管４２１、開閉弁４２２および気体供給源４２３をそれぞれ配管４２１ａ、開閉弁４２２ａおよび気体供給源４２３ａと呼び、気体供給部４２ｂに属する配管４２１、開閉弁４２２および気体供給源４２３をそれぞれ配管４２１ｂ、開閉弁４２２ｂおよび気体供給源４２３ｂと呼ぶ。気体供給部４２ａ，４２ｂは配管４２１の接続先を除いて、互いに同一である。気体供給源４２３ａ，４２３ｂは、作用空間Ｈ１へと供給すべき気体を収容している。気体供給源４２３ａは配管４２１ａの一端に連結され、気体供給源４２３ｂは配管４２１ｂの一端に連結される。開閉弁４２２ａは配管４２１ａに設けられて、配管４２１ａの開閉を切り替え、開閉弁４２２ｂは配管４２１ｂに設けられて、配管４２１ｂの開閉を切り替える。配管４２１ａの他端は貫通孔３２１の他端に連結され、配管４２１ｂの他端は貫通孔３２２の他端に連結される。

＜密閉空間＞
基板処理装置１０は密閉空間を形成してもよい。図１および図２の例においては、天井部材５２、筒部材３、隔壁５および床部５１が互いに連結して密閉空間を形成している。天井部材５２の下面は、その周縁側の部分において、筒部材３側に突起する突起形状を有している。逆に言えば、天井部材５２の中央付近は−Ｚ軸側に開口する凹形状を有している。この凹形状には複数の紫外線照射器２および石英ガラス２１が配置されている。石英ガラス２１の側面は天井部材５２の突起形状の内面に当接している。筒部材３の上面３ｃのうち外周側の部分は、天井部材５２の突起形状にＺ方向で連結されている。貫通孔３２１，３２２の開口部３２１ａ，３２２ａは上面３ｃのうち内周側の部分に形成されており、石英ガラス２１の下面とＺ方向において空隙を介して対面する。隔壁５は筒部材３の下面３ｄと連結している。隔壁５はＺ方向に延在して床部５１に連結される。天井部材５２、筒部材３、隔壁５および床部５１によって形成される密閉空間には、複数の紫外線照射器２、石英ガラス２１、基板保持部１および移動機構１２が収容される。

＜排気＞
隔壁５には、排気用の貫通孔５３が形成されている。この貫通孔５３は排気部６１に連結されている。排気部６１は、例えば、貫通孔５３に連結される配管６１１などを備えている。基板処理装置１０の内部の気体は配管６１１を経由して外部へと排気される。

＜シャッタ＞
隔壁５には、基板Ｗ１用の出入り口として機能するシャッタ（不図示）が設けられている。シャッタが開くことにより、基板処理装置１０の内部と外部とが連通する。基板搬送手段は、この開いたシャッタを介して基板Ｗ１を基板処理装置１０の内部に搬入したり、また基板Ｗ１を搬出することができる。

＜制御部＞
紫外線照射器２、移動機構１２、回転機構１５、気体供給部４２の開閉弁４２２、シャッタおよび基板搬送手段は、制御部７によって制御される。

制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

＜基板処理装置の動作＞
図３は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。移動機構１２は初期的には、基板保持部１を第２位置で停止させている（図１）。またここでは一例として排気部６１による排気は常時行われている。ステップＳ１にて、制御部７はシャッタを開いた上で、基板搬送手段を制御して基板Ｗ１を基板保持部１の上に配置し、その後シャッタを閉じる。この基板Ｗ１の＋Ｚ軸側の主面には、微細構造物が形成されており、その微細構造物の表面には有機物（例えば撥水膜）が存在している。

次にステップＳ２にて、制御部７は例えば気体供給部４２を制御して、気体の供給を開始する。これにより、開口部３２１ａ，３２２ａの各々から気体が吐出される。気体としては、例えば窒素を採用することができる。なおステップＳ１，Ｓ２の実行順序は逆であってもよく、これらが並行して実行されてもよい。

次にステップＳ３にて、制御部７は移動機構１２を制御して基板保持部１を紫外線照射器２へと近づけ、第１位置で停止させる。このとき、紫外線照射器２と基板Ｗ１との間の距離は２〜３［ｍｍ］程度に設定される。なおステップＳ３は必ずしもステップＳ２の次に実行される必要は無く、ステップＳ１の後に実行されればよい。

次にステップＳ４にて、制御部７は回転機構１５を制御して、基板保持部１を回転させる。これにより基板Ｗ１が水平面で回転する。なおステップＳ４は必ずしもステップＳ３の次に実行される必要は無く、ステップＳ１の後に実行されればよい。

次にステップＳ５にて、制御部７は複数の紫外線照射器２（ここでは紫外線照射器２ａ，２ｂ）の全てに紫外線を照射させる。なお制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になったとき（例えば酸素濃度が基準値よりも低くなったとき）に、ステップＳ５を実行してもよい。例えば制御部７はステップＳ４からの経過時間が所定の基準値よりも長いときに、所望の雰囲気になったと判断してもよい。経過時間の計時はタイマ回路などの計時回路によって行われ得る。あるいは、作用空間Ｈ１の雰囲気（例えば酸素濃度）を計測し、制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になっているか否かを、その計測値に基づいて判断してもよい。

複数の紫外線照射器２による紫外線の照射によって、紫外線を用いた有機物の除去処理が基板Ｗ１に対して行われる。具体的には、紫外線が基板Ｗ１の主面に存在する有機物（例えば撥水膜）に作用して、有機物を分解して除去することができる。なぜなら、紫外線は光子のエネルギーが大きく、有機物の分子結合を切断できるからである。光子のエネルギーは波長が短いほど大きいので、波長の短い紫外線ほどより多くの種類の分子結合を切断することができ、高い除去速度で有機物を除去できる。よってこの観点では、より波長の短い紫外線を用いることが望ましい。

その一方で、後のシミュレーション結果でも示すように、微細構造物の相互間の隙間が狭い場合、波長の短い紫外線ほどその隙間に入りにくい。なぜなら、波長が短い紫外線ほど回折しにくいからである。また紫外線は微細構造物の隙間において回折、反射および干渉し合って、その隙間の深さ方向で強弱を呈する。

図４および図５は、基板Ｗ１の微細構造物Ｐ１の近傍の紫外線の強度の一例を波長ごとに示す図である。図４および図５はシミュレーション結果を示している。図４の紙面左側には波長λａ（＝１２６［ｎｍ］）の紫外線を用いたときの結果が示され、紙面右側には波長λｂ（＝１７２［ｎｍ］）の紫外線を用いたときの結果が示されている。図４の例では、紫外線の強度が等高線Ｃ１〜Ｃ４で示されている。等高線Ｃ１〜Ｃ４で示される紫外線の強度はその符号の数字が小さいほど高い。つまり等高線Ｃ１で示される強度が最も高く、等高線Ｃ４で示される強度が最も低く、等高線Ｃ２で示される強度は等高線Ｃ３で示される強度よりも高い。

図４では、略矩形状の微細構造物Ｐ１の断面も示されている。この微細構造物Ｐ１は、本体部である矩形状のシリコンＰ１１と、そのシリコンの表面に形成されたＳｉＯ_２膜Ｐ１２とによって形成されていると想定できる。ＳｉＯ_２膜Ｐ１２の膜厚は１［ｎｍ］程度以下である。また微細構造物Ｐ１の高さおよび幅はそれぞれ２００［ｎｍ］および１０［ｎｍ］に設定されている。図４では、一つの微細構造物Ｐ１の近傍の紫外線の強度を示しているものの、実際のシミュレーションは、複数の微細構造物Ｐ１が水平方向に同じ間隔（ピッチ）で並んで配置された構造について行われている。このシミュレーションにおいて、微細構造物Ｐ１のピッチは５０［ｎｍ］に設定されている。よって、微細構造物Ｐ１の隙間の幅は４０［ｎｍ］である。

図５では、微細構造物Ｐ１の側面における紫外線の強度が当該隙間の深さ方向（Ｚ方向）に対して示されている。以下では、当該隙間の深さ方向における位置を深さ位置と呼ぶ。また微細構造物Ｐ１の上端（＋Ｚ軸側の端）の深さ位置を０［ｎｍ］と定義する。微細構造物Ｐ１の高さは２００［ｎｍ］なので、微細構造物Ｐ１の下端（−Ｚ軸側の端）の深さ位置は２００［ｎｍ］となる。図５では、紫外線照射器２ａからの波長λａの紫外線の強度が実線で示され、紫外線照射器２ｂからの波長λｂの紫外線の強度が破線で示されている。

図４および図５に示されるように、波長λａの紫外線の強度は、その深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へと向かうにしたがって、増減を繰り返しながらもそのピーク値（極大値）が徐々に低減する傾向を示す。一方で、波長λｂの紫外線の強度はその深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へ向かうにしたがって増減を繰り返すものの、そのピーク値はさほど低減しない。

微細構造物Ｐ１の隙間の深さ方向での紫外線の増減周期は波長λａ，λｂごとに相違する。よって紫外線の強度が各ピーク値をとるときの深さ位置は波長λａ，λｂごとに相違し、紫外線の強度が各ボトム値（極小値）をとるときの深さ位置も波長λａ，λｂごとに相違する。例えば深さ位置１４０［ｎｍ］近傍において、波長λａの紫外線の強度はボトム値をとるのに対して、波長λｂの紫外線の強度はピーク値をとる。つまり、深さ位置１４０［ｎｍ］近傍の領域では、波長λａの紫外線の強度不足を、波長λｂの紫外線の強度によって補うことができる。

つまり、複数の紫外線照射器２ａ，２ｂの両方が基板Ｗ１の主面に紫外線を照射することにより、波長λａの紫外線の強度が低く有機物を分解しにくい領域であっても、波長λｂの紫外線によって有機物を分解することができるのである。

再び図３を参照して、次にステップＳ６にて、制御部７は、基板Ｗ１に対する処理を終了すべきか否かを判断する。例えば制御部７はステップＳ５からの経過時間が所定時間を超えているときに、処理を終了すべきと判断してもよい。処理を終了すべきと判断したときには、ステップＳ７にて、制御部７は複数の紫外線照射器２に紫外線の照射を停止させる。これにより、紫外線を用いた有機物の除去処理が終了する。

以上のように、本基板処理装置１０においては、紫外線照射器２ａ，２ｂが互いに異なるスペクトルで紫外線を基板Ｗ１の主面に照射する。これにより、微細構造物Ｐ１の隙間において波長λａの紫外線の強度が小さい領域でも、波長λｂの紫外線が有機物を分解して除去できる。よって、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲に除去することができる。

＜波長の選択＞
次にピーク波長の選択（選定）の考え方の一例について説明する。図６は、この選択方法の一例を概念的に示すフローチャートであり、図７は、選択方法の一例をより具体的に示すフローチャートである。まずステップＳ１００にて、微細構造物Ｐ１の隙間に進入可能な紫外線であって、短い波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を選択する。例えば波長の短い紫外線の強度が微細構造物Ｐ１の隙間において十分に大きい場合に、この紫外線を照射する紫外線照射器２を選択する。具体的には、このステップＳ１００は例えば図７のステップＳ１０１〜Ｓ１０３によって実行される。

ステップＳ１０１においては、ある波長の紫外線の強度のピーク値が所定の基準値よりも高いか否かを判断する。なお後述するように、ステップＳ１０１は波長を変えて繰り返し実行され得る。第１回目のステップＳ１０１における波長は、候補となる波長のうち最も短い波長である。

紫外線の強度のピーク値は図５に示すように複数存在する場合がある。この場合には、複数のピーク値のうち最小となるピーク値が基準値よりも大きいか否かを判断する。例えば図５を参照して、波長λａの紫外線の強度のピーク値は複数存在している。このピーク値はその深さ位置が大きいほど小さくなる傾向ある。よって最小のピーク値は、深さ位置が最も大きいときのピーク値Ａ１である。このピーク値Ａ１はシミュレーションまたは実験等により求めることができる。

ステップＳ１０１にて最小のピーク値が基準値よりも小さいと判断したときには、ステップＳ１０２にて、波長をより長い波長に変更し、変更後の波長の紫外線を用いて再びステップＳ１０１を実行する。つまり、ある波長の最小のピーク値が基準値よりも小さいときには、その紫外線は微細構造物Ｐ１の隙間に十分に進入しないと判断して、当該波長よりも長い波長の紫外線について同様の判断を行うのである。

一方で、ステップＳ１０１にて最小のピーク値が基準値よりも大きいと判断したときには、ステップＳ１０３にて、この波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を選択（選定）する。即ち、この波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を基板処理装置１０に設けることを決定する。これにより、微細構造物Ｐの隙間に適切に進入可能であって、より短い波長の紫外線を選択することができる。ここでは、波長λａの紫外線が選択されると仮定する。

再び図６を参照して、ステップＳ１００の次のステップＳ２００にて、ステップＳ１００にて選択された波長λａよりも長い波長の紫外線であって、波長λａの紫外線の強度が不足する領域で強度が増大する紫外線を照射する紫外線照射器２を選択する。このステップＳ２００は例えば図７のステップＳ２０１〜Ｓ２０３によって実行される。ステップＳ２０１においては、波長λａの紫外線の強度が小さい領域Ｒ１〜Ｒ４内の少なくともいずれか一つにおいて、波長λａよりも長い波長の紫外線の強度がピーク値をとるか否かを判断する。ステップＳ２０１において否定的な判断がなされると、ステップＳ２０２において、波長をより長い波長に変更し、変更された波長を用いて再びステップＳ２０１を実行する。つまり、ステップＳ２０１にて否定的な判断がなされた紫外線では、領域Ｒ１〜Ｒ４における波長λａの紫外線の強度不足を十分に補うことができない、と判断して、より長い波長の紫外線について同様の判断を行うのである。ステップＳ２０１において肯定的な判断がなされると、ステップＳ２０３にて、その波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を選択する。即ち、この波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を基板処理装置１０に設置することを決定する。ここでは波長λｂが選択されると仮定する。選択これにより、波長λａの紫外線の強度が不足する領域において、その強度不足を波長λｂの紫外線が補うことができる。

次に領域Ｒ１〜Ｒ４の定義の一例についてより詳細に説明する。ここでは領域Ｒｎ（ｎは１〜４）を領域Ｒｎの深さ方向の中心と、領域Ｒｎの深さ方向の幅とで定義する。具体的には、領域Ｒｎの中心は波長λａの紫外線の強度がボトム値Ｂｎ（ｎは１〜４）をとるときの深さ位置と等しく、領域Ｒｎの幅は波長λａの紫外線の強度の深さ方向の周期（増減周期）Ｗｔ１の半周期と等しい。

このような領域Ｒｎにおいては波長λａの紫外線の強度は低い。よって、領域Ｒｎ内のいずれかにおいて、波長λｂの紫外線の強度がピーク値をとれば、その領域での波長λａの紫外線の強度不足を波長λｂの紫外線が効果的に補うことができる。

また図５に示すように、ボトム値Ｂｎは深さ位置が深いほど小さくなる傾向を示している。したがって、最も浅い位置にある領域Ｒ１よりも深い位置にある領域Ｒ２〜Ｒ４において、波長λａの紫外線の強度不足がより顕著になる。よってステップＳ２１においては、紫外線の強度が、領域Ｒ１よりも浅い位置にある例えば領域Ｒ２〜Ｒ４内のいずれかにおいてピーク値をとるか否かを判断してもよい。図５の例では、波長λｂの紫外線の強度は領域Ｒ３内においてピーク値をとる。これにより、領域Ｒ３における波長λａの紫外線の顕著な強度不足を波長λｂの紫外線によって補うことができる。

また例えば、微細構造物Ｐ１の高さ方向における中点（図５では深さ位置１００［ｎｍ］）よりも微細構造物Ｐ１の下端側にある領域Ｒ３，Ｒ４内のいずれかにおいて、波長λｂの紫外線の強度がピーク値をとるように、波長λｂを選択してもよい。

＜紫外線照射器２の照射期間＞
図３のフローチャートにおいては、紫外線照射器２ａ，２ｂが同時に紫外線を照射している。つまり紫外線照射器２ａ，２ｂの照射期間は互いに完全に重なる。これによれば、紫外線照射器２ａ，２ｂの一方が照射を終了した後に他方が照射する場合に比べて、有機物の除去処理のスループットを向上することができる。

なお紫外線照射器２ａ，２ｂの照射期間は互いにずれていてもよく、各照射期間の少なくとも一部が互いに重複していればよい。これによっても、紫外線照射器２ａ，２ｂの一方が照射を終了した後に他方が照射する場合に比べれば、除去処理のスループットを向上できる。

＜不活性ガスの供給＞
作用空間Ｈ１において酸素が存在している場合には、この酸素は紫外線を吸収してオゾンに変化し得る。このオゾンは酸化力が強いので、基板Ｗ１の有機物を分解することが可能である。しかしながら、このオゾンによる有機物の除去能力は紫外線の直接照射による有機物の除去能力に比べて非常に小さい。例えばオゾンによる有機物の除去に要する処理時間は紫外線の直接照射による有機物の除去に要する処理時間の約３０倍以上である。したがって、作用空間Ｈ１における酸素の濃度は低い方が好ましい。

図１および図２の例では、気体供給部４２が不活性ガスを作用空間Ｈ１へと供給しているので、この作用空間Ｈ１における酸素の濃度を低下させることができる。よって、酸素に起因した基板Ｗ１の主面上の紫外線の強度低下を抑制することができる。

図８は紫外線の照射時間と純水の接触角との関係の一例を概略的に示すグラフである。純水の接触角は、微細構造物Ｐ１の相互間に溜まった純水についての接触角である。微細構造物Ｐ１の有機物が除去されるにしたがって、この接触角は低減していく。図８の例では、気体供給部４２が不活性ガス（例えば窒素）の供給しているときの接触角が黒丸のグラフで示され、不活性ガスを供給していないときの接触角が白抜きの四角のグラフで示されている。図８のグラフから理解できるように、気体供給部４２が不活性ガスを供給することによって、有機物をより速やかに除去することができる。

＜基板処理装置１０Ａ＞
図９および図１０は、基板処理装置１０の他の一例たる基板処理装置１０Ａの構成を概略的に示す図である。図９は、基板処理装置１０Ａを示す側面図であり、図１０は、基板処理装置１０Ａを示す平面図である。

基板処理装置１０Ａは基板保持部１Ａと複数の紫外線照射器２Ａと移動機構８Ａと気体供給部４Ａとを備えている。

基板保持部１Ａは載置板１３と一対の柱部材１４とを備えている。載置板１３は板状部材であって水平に設けられる。載置板１３の上には基板Ｗ１が載置される。基板Ｗ１は微細構造物が形成された主面が＋Ｚ軸側に向くように載置される。一対の柱部材１４はＺ方向に延在する柱状の部材であって、載置板１３のＹ方向の両端をそれぞれ支持する。よってＸ方向から見ると、基板保持部１Ａは架橋構造を有している。

移動機構８Ａは基板保持部１ＡをＸ方向に沿って往復移動させる。この移動機構８Ａは送り軸８１、送り軸モータ８２、一対のガイドレール８３および連結部材８４を含む。送り軸８１はＸ方向に沿って延在するように設けられている。送り軸８１は、例えばボールねじであり、送り軸モータ８２の回転軸に接続される。

一対のガイドレール８３もＸ方向に沿って延在するように設けられる。送り軸８１および一対のガイドレール８３は互いに平行となるように配置される。一対のガイドレール８３上には、一対の柱部材１４がそれぞれＸ方向に移動可能に設けられる。一対の柱部材１４は共通の高さを有する。一対の柱部材１４の上端部をつなぐように載置板１３が設けられる。載置板１３は、略円形状を有する板状部材であり、一対の柱部材１４により支持される。また載置板１３の下面には、載置板１３と送り軸８１とを連結する連結部材８４が設けられる。

移動機構８Ａ（具体的には送り軸モータ８２）は制御部７により制御される。送り軸モータ８２が動作することにより送り軸８１が回転する。これにより連結部材８４およびこれに固定された基板保持部１ＡがＸ方向に沿って移動する。

複数の紫外線照射器２Ａは紫外線照射器２と同様に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射する。図９および図１０の例では、２つの紫外線照射器２Ａが示されている。紫外線照射器２Ａは線光源であって、その長手方向がＹ方向に沿う姿勢で、Ｘ方向に並んで配置される。紫外線照射器２ＡのＹ方向の長さは基板Ｗ１の直径よりも長く、Ｘ方向の幅は基板Ｗ１の半径よりも短い。紫外線照射器２Ａは、移動機構８Ａによって移動される基板Ｗ１の移動経路の途中位置において、基板Ｗ１よりも＋Ｚ軸側に配置されている。よって基板Ｗ１は複数の紫外線照射器２Ａを横切ることになる。

基板保持部１Ａ、移動機構８Ａおよび紫外線照射器２Ａは所定の収容部５Ａに収容されていてもよい。この収容部５Ａには、その内部と外部との間で基板Ｗ１を搬出入するための開口部（不図示）が形成されている。この開口部は開閉可能に形成されていてもよい。

気体供給部４Ａは収容部５Ａの内部へと不活性ガス（例えば窒素またはアルゴン）を供給する。収容部５Ａには給気用の貫通孔５１Ａが形成されており、この貫通孔５１Ａに気体供給部４Ａの配管４１Ａの一端が接続される。配管の他端は気体を収容する気体供給源４２Ａに接続される。当該配管４１Ａには開閉弁４３Ａが設けられる。

収容部５Ａには、排気用の貫通孔（不図示）が形成されていてもよい。収容部５Ａの内部の気体はこの排気用の貫通孔を介して外部へと排気される。

紫外線照射器２Ａ、移動機構８Ａおよび気体供給部４Ａは制御部７Ａによって制御される。制御部７Ａは制御部７と同様に構成される。制御部７Ａは気体供給部４Ａを制御して例えば窒素を収容部５Ａの内部へと供給する。これにより、収容部５Ａの内部空間の酸素濃度を低減することができる。そして制御部７Ａは紫外線照射器２Ａおよび移動機構８Ａを制御して、複数の紫外線照射器２Ａに紫外線を照射させた状態で、基板Ｗ１をＸ方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗ１は紫外線照射器２Ａの直下をＸ方向に沿って横切る。よって、基板Ｗ１の主面の全面には、複数の紫外線照射器２Ａから異なるスペクトルで紫外線が照射されることになる。よって、この基板処理装置１０Ａにおいても、基板処理装置１０と同様に、微細構造物Ｐ１の隙間において、より広範囲に有機物を除去することができる。

なお基板処理装置１０Ａにおいても、回転機構が設けられてもよい。この回転機構は基板Ｗ１の中心を通りＺ方向に沿う軸を中心として基板保持部１Ａを回転させる。

＜紫外線照射器２と基板Ｗ１との間の距離＞
複数の紫外線照射器２の各々と基板保持手段１との間の距離は、紫外線照射器２から照射される紫外線のピーク波長が長いほど、短く設定されてもよい。具体的には、波長λｂは波長λａよりも長いので、紫外線照射器２ｂと基板保持部１との間の距離は紫外線照射器２ａと基板保持部１との間の距離よりも短く設定される。つまり、紫外線照射器２ｂと基板Ｗ１との間の距離は紫外線照射器２ａと基板Ｗ１との間の距離よりも短い。

さて波長の長短という観点では、上述のように、波長が長い紫外線ほど有機物の除去速度は遅い。その一方で、有機物に作用する紫外線の強度が高いほど除去速度は早い。この紫外線の強度は一般的には紫外線照射器２から遠ざかるほど低下する。

ここではピーク波長の長短という観点では除去速度が遅い紫外線照射器２ｂと基板Ｗ１との距離を、紫外線照射器２ａと基板Ｗ１との間の距離よりも短く設定している。これにより、ピーク波長の長い紫外線でもより効果的に有機物を除去することができる。

＜複数の装置＞
上述の例では複数の紫外線照射器２が単一の基板処理装置１０内において一つの基板保持部１に対応して設けられていた。しかるに、複数の紫外線照射装置は複数の装置に個別に設けられても構わない。例えば基板処理装置１０は第１装置および第２装置を備える。この第１装置には、第１基板保持部および紫外線照射器２ａが設けられ、第２装置には、第２基板保持部および紫外線照射器２ｂが設けられる。第１装置および第２装置の間には、基板Ｗ１を搬送する基板搬送手段が設けられる。第１基板保持部に保持された基板Ｗ１には、紫外線照射器２ａによって波長λａの紫外線が照射されて、有機物が除去される。紫外線照射器２ａによる照射が終了すると、基板搬送手段は第１基板保持部から第２基板保持部へと基板Ｗ１を搬送する。第２基板保持部に保持された基板Ｗ１には、紫外線照射器２ｂによって波長λｂの紫外線が照射されて、有機物が除去される。よって波長λａ，λｂの紫外線の両方が有機物を分解して除去できる。

なお上述の例では、紫外線照射器２として、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射する２種の紫外線照射器２ａ，２ｂを採用した。しかるに、３種以上の紫外線照射器２が採用されてもよい。これにより、さらに広範囲に有機物を除去することができる。

第２の実施の形態．
図１１は、第２の実施の形態における基板処理装置１０Ｂの構成の一例を示す図である。基板処理装置１０Ｂは紫外線照射器２および制御部７の構成を除いて第１の実施の形態と同様である。第１の実施の形態では、互いにスペクトルの異なる２種以上の紫外線照射器２を採用してもよいのに対して、第２の実施の形態では、互いにスペクトルの異なる３種以上の紫外線照射器２（図１１の例では、紫外線照射器２ａ〜２ｅ）が設けられる。以下では簡単のために紫外線照射器２ａ〜２ｅのピーク波長は一つであるとし、それぞれを波長λａ〜λｅとも呼ぶ。波長λａ〜λｅはその符号のアルファベットの昇順に短い。つまり紫外線照射器２ａの波長λａが最も短く、紫外線照射器２ｅの波長λｅが最も長い。例えば紫外線照射器２ａ〜２ｅの波長λａ〜λｅはそれぞれ１２６［ｎｍ］、１７２［ｎｍ］、１８５［ｎｍ］、２２２［ｎｍ］および２５４［ｎｍ］である。

第１の実施の形態では、制御部７は有機物の除去処理において、全ての紫外線照射器２に紫外線を照射させた。これに対して第２の実施の形態では、制御部７は基板Ｗ１に対する除去処理で使用する２以上の紫外線照射器２を、その基板Ｗ１の微細構造物Ｐ１の隙間に応じて選択する。以下、より具体的な選択方法について説明する。

＜微細構造物Ｐ１の隙間の幅＞
図１２〜図１７は、紫外線の強度についてのシミュレーション結果の一例を概略的に示す図である。図１２、図１４および図１６は、微細構造物Ｐ１の隙間の幅を異ならせたときのシミュレーション結果を示している。図１２、図１４および図１６における当該隙間の幅はそれぞれ１０［ｎｍ］、２０［ｎｍ］および４０［ｎｍ］である。微細構造物Ｐ１の幅および高さは図４の場合と同じであり、それぞれ１０［ｎｍ］および２００［ｎｍ］である。各図においては、波長が短い紫外線の強度ほど紙面左側に示されている。つまり波長λａ（＝１２６［ｎｍ］）の紫外線の強度が最も左側に示され、波長λｅ（＝２５４［ｎｍ］）の紫外線の強度が最も右側に示されている。各図において紫外線の強度の高低は等高線Ｃ１〜Ｃ４で示されている。また各図では、この紫外線の強度の高低を各領域に付記した砂地のハッチングの粗密および白抜きでも示している。ハッチングが密であるほど紫外線の強度は高く、また白抜きの領域の紫外線の強度が最も低い。図１３、図１５および図１７はそれぞれ図１２、図１４および図１６の微細構造物Ｐ１の側面における紫外線の強度を波長λａ〜λｅごとに示すグラフである。

＜隙間の幅が１０ｎｍ［ｍ］＞
図１２および図１３に示す通り、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が１０［ｎｍ］と狭い場合には、最も短い波長λａの紫外線の強度は深さ位置に対して単調減少している。具体的には、当該強度は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へ向かうにしたがって急激に低減し、その後、緩やかに零に漸近する。つまり、この波長λａの紫外線はほとんど当該隙間へと入り込まない。

一方で、波長λｂ〜λｅの紫外線の強度は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へ向かうにしたがって周期的に増減しつつ、そのピーク値が徐々に低減する傾向を示している。そのピーク値の低減は波長が短い紫外線ほど顕著である。例えば波長λｂの紫外線の強度のピーク値は波長λｃの紫外線の強度のピーク値の半分程度である。また増減の周期は波長に依存すると考えられるので、紫外線の強度がピーク値をとるときの深さ位置は波長λａ〜λｅごとに相違し、紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置も波長λａ〜λｅごとに相違している。

ここで、どの紫外線照射器２を使用するかを決定するための考え方を簡単に説明する。第１に、紫外線が微細構造物Ｐ１の間の隙間に十分に入り込む（進入する）ことができる紫外線照射器２を採用する。第２に、進入可能な紫外線のうちピーク波長の短い紫外線を照射する紫外線照射器２を優先的に採用する。光子のエネルギーの高い紫外線はより多くの種類の分子結合を切断でき、有機物の除去速度を向上できるからである。第３に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射する２以上の紫外線照射器２を採用する。より具体的には、第１の実施の形態の＜波長の選択方法＞で述べた条件を満たす紫外線を照射可能な２以上の紫外線照射器２を採用する。これにより、微細構造物Ｐ１の隙間において各ピーク波長の紫外線が強度不足を互いに効果的に補い合うことができる。よって、有機物をより広範囲に除去できる。第４に、紫外線照射器２による電力消費を回避すべく、可能であれば、使用する紫外線照射器２の数を少なくする。

図１８は、この考え方に基づく紫外線照射手段の選択方法の一例を示すフローチャートである。ステップＳ２１１において、ある波長の紫外線の強度が微細構造物Ｐ１の深さ方向において単調減少で変化するか否かを判断する。この判断は例えばその紫外線の強度をシミュレーションまたは実験などにより求めることで判断できる。肯定的な判断がなされると、ステップＳ２１２にて、所定の深さ位置（例えば４０［ｎｍ］）における強度が基準値よりも大きいか否かを判断する。この強度が基準値よりも小さいと判断すると、ステップＳ２１３にて、波長をより長い波長に変更し、その変更後の波長を用いて再びステップＳ２１１を実行する。つまり、ステップＳ２１２にて否定的な判断がなされた波長の紫外線は微細構造物Ｐ１の隙間に十分に進入しないと判断して、より長い波長の紫外線についてステップＳ２１１を実行するのである。

ステップＳ２１２において強度が基準値よりも大きいと判断すると、ステップＳ２１４にて、その波長の紫外線を照射する紫外線照射器２を選択する。つまり、この波長の紫外線は微細構造物Ｐ１の間に十分に進入可能であるとして、その紫外線照射器２を選択するのである。

ステップＳ２１１において否定的な判断がなされたとき、または、ステップＳ２１４の次に、ステップＳ２１５にて、紫外線の強度のピーク値が基準値よりも大きいか否かを判断する。具体的には、最小のピーク値が基準値よりも大きいか否かを判断する。ピーク値が基準値よりも小さいと判断したときには、ステップＳ２１３を実行する。

ステップＳ２１５においてピーク値が基準値よりも大きいと判断したときには、ステップＳ２１６〜Ｓ２１９を実行する。ステップＳ２１６〜Ｓ２１９は図７のステップＳ１０３，Ｓ２０１〜Ｓ２０３と同一である。

ステップＳ２１９の次にステップＳ２２０において、既に選択された紫外線照射器２以外の紫外線照射器２を選択する必要か否かを判断する。例えば選択された紫外線照射器２の個数が所定個数よりも少ないときに、更なる紫外線照射器２が必要であると判断する。紫外線照射器２が必要であると判断したときには、ステップＳ２１８を実行し、不要であると判断したときには、選択を終了する。

上記シミュレーション結果および上記考え方に基づいて、波長λａ〜λｅの紫外線のうちどの紫外線を使用するかを次のように決定する。すなわち、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が１０［ｎｍ］程度である基板Ｗ１に対する有機物の除去処理においては、まず、波長λａ，λｂの紫外線を使用しない（波長λａについてはステップＳ２１２でＮＯ、波長λｂについてはステップＳ２１５でＮＯ）。これらの紫外線の強度は微細構造物Ｐ１の隙間において低いからである。つまり、第１の考え方に則って、波長λａ，λｂの紫外線の不使用を決定する。

一方で波長λｃの紫外線の強度のピーク値は波長λｂの紫外線の強度のピーク値の２倍程度であり（図１３）、波長λｃは当該隙間に十分に入り込むと考えることができる。しかも第２の考え方で示す通り、有機物の除去には波長が短い紫外線ほど有用である。したがってこの基板Ｗ１に対する有機物の除去処理において波長λｃの紫外線を使用する（ステップＳ２１５でＹＥＳ）。

また第３の考え方に則って、波長λｃの紫外線の強度がボトム値をとる深さ位置の近傍（この位置を中心とした波長λｃの紫外線の半周期の領域内）でピーク値をとる紫外線を使用する。図１３を参照して、深さ位置６０［ｎｍ］近傍においては、波長λｃの紫外線の強度がボトム値をとるのに対して波長λｄの紫外線の強度がピーク値をとる。また深さ位置１２０［ｎｍ］近傍において、波長λｃの紫外線の強度がボトム値をとるのに対して波長λｅの紫外線の強度がピーク値をとる。したがってこの基板Ｗ１に対する有機物の除去処理において、波長λｄ，λｅの紫外線も使用する（ステップＳ２１７にてＹＥＳ）。

以上のように、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が１０［ｎｍ］程度と狭い基板Ｗ１に対しては、紫外線照射器２ａ，２ｂには紫外線を照射させずに、紫外線照射器２ｃ〜２ｅに紫外線を照射させるように決定する。これにより、紫外線照射器２ａ，２ｂによる電力消費を回避しつつ、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲で除去することができる。

＜隙間の幅２０［ｎｍ］＞
次に微細構造物Ｐ１の隙間の幅が２０［ｎｍ］である場合について述べる。図１４および図１５に示す通り、最も短い波長λａの紫外線の強度は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へと向かうにしたがって若干の増減を伴って低減しており、この紫外線は当該隙間へとほとんど入り込まない。なおこの波長λａの紫外線の強度は当該隙間において深さ方向において周期的に増減しているとも言える。

波長λｂ〜λｅの紫外線の強度も当該隙間の深さ方向において周期的に増減する。また、波長λｂ〜λｅの紫外線のピーク値の低減率は図１３の場合に比して緩やかである。つまり、波長λｂ〜λｅの紫外線は隙間の幅が１０［ｎｍ］である場合に比べて、より隙間に入り込みやすくなっている。

上記シミュレーション結果および上記考え方に基づいて、次のように紫外線の使用／不使用を決定する。すなわち、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が２０［ｎｍ］程度である基板Ｗ１に対する除去処理においては、波長λａの紫外線を用いない（ステップＳ２１２またはステップＳ２１５でＮＯ）。この紫外線の強度は微細構造物Ｐ１の隙間において低いからである。

一方で波長λｂ〜λｅの紫外線は当該隙間に進入できる。波長が短い紫外線ほど有機物の除去に有用であるので、波長λｂの紫外線を使用する（ステップＳ２１５でＹＥＳ）。

また、この波長λｂの紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置の近傍（この位置を中心とした波長λｂの紫外線の半周期の領域内）でピーク値をとる波長の紫外線を使用する。例えば深さ位置１１０［ｎｍ］近傍では、波長λｂの紫外線の強度がボトム値をとるのに対して、波長λｄ，λｅの紫外線の強度がピーク値をとる。よって波長λｄ，λｅの紫外線を使用してもよい（ステップＳ２０７でＹＥＳ）。ただし、その深さ位置での波長λｄ，λｅの紫外線の強度はほぼ同一であるので、より波長の短い波長λｄの紫外線で足りると考えることができる。よって第４の考え方にも則って、ここでは波長λｅの紫外線は使用しない。これによれば、紫外線照射器２ｅによる電力消費を回避することができる。

図１９はこの選択方法の一例を示すフローチャートである。ステップＳ２３１にて、第１紫外線（ここでは波長λｂ）の強度が低くなる領域の一つにおいて、第２紫外線（ここでは波長λｄ）および第３紫外線（ここでは波長λｅ）の強度の両方がピーク値をとるか否かを判断する。第１紫外線は、ステップＳ２１６で選択された紫外線照射器２が照射する紫外線である。当該領域は、第１紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置を中心とし、第１紫外線の半周期に相当する領域である。第２紫外線および第３紫外線はステップＳ２１９で選択された紫外線照射器２が照射する紫外線である。ステップＳ２３１にて肯定的な判断がなされると、ステップＳ２３２にて、第２紫外線および第３紫外線のうち波長の短い方（ここでは波長λｂ）を照射する紫外線照射器２を選択し、波長の長い方（ここでは波長λｃ）を照射する紫外線照射器２は選択しない。これによれば、より波長の短い第２紫外線によって第１紫外線の強度不足を補うができ、当該領域の有機物をより効果的に除去することができる。しかも、第３紫外線を照射する紫外線照射器２を選択しないので、電力消費を回避できる。

波長λｃの紫外線を採用すれば、波長λｂ，λｄの紫外線の強度が不足する領域（例えば深さ位置６０［ｎｍ］近傍）でその強度不足を補うことができる。よって波長λｃの紫外線を採用してもよい。その一方で、波長λｃの紫外線がピーク値をとるときの深さ位置は波長λｂの紫外線がボトム値をとるときの深さ位置と比較的離れているので、電力消費の低減を優先するのであれば、波長λｃの紫外線を採用しなくてもよい。ここでは、波長λｃの紫外線も使用する。

この観点では、２つの紫外線の強度がそれぞれ低くなる第１領域および第２領域が互に重複する領域において、他の紫外線の強度がピーク値をとる場合に、当該他の紫外線の強度を選択しても構わない。

以上のように、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が２０［ｎｍ］程度である場合には、有機物の除去処理において、紫外線照射器２ａ，２ｅに紫外線を照射させずに、紫外線照射器２ｂ〜２ｄに紫外線を照射させる。これにより、紫外線照射器２ａ，２ｅによる電力消費を回避しつつ、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲で除去することができる。

＜隙間の幅が４０［ｎｍ］＞
次に微細構造物Ｐ１の隙間の幅が４０［ｎｍ］である場合について述べる。図１６および図１７に示す通り、最も短い波長λａの紫外線は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端へと向かうにしたがって増減を繰り返しつつ、そのピーク値が徐々に低減する傾向を示している。この波長λａの紫外線のピーク値は、図１３に示す波長λｃの紫外線のピーク値と同程度である。よって波長λａの紫外線は当該隙間に入り込む、と考えることができる。

波長λｂ〜λｅの紫外線の強度も深さ方向において周期的に増減する。各紫外線の強度のピーク値は波長λａの紫外線のピーク値の２倍程度である。よって波長λｂ〜λｅの紫外線も十分に当該隙間に入り込む。

上記シミュレーション結果および上記考え方に基づいて、次のように紫外線の使用／不使用を選択する。すなわち、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が４０［ｎｍ］程度である基板Ｗ１に対する有機物の除去処理においては、最も短い波長λａの紫外線を使用する（図１８のステップＳ２１５でＹＥＳ）。また波長λａの紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置１４０［ｎｍ］近傍において波長λｂの紫外線はピーク値をとるので、有機物の除去処理において波長λｂの紫外線も使用する（ステップＳ２１７でＹＥＳ）。これにより、この近傍での波長λａの紫外線の強度不足を補うことができる。

この深さ位置１４０［ｎｍ］近傍において波長λｃの紫外線もピーク値をとる。よって波長λｃの紫外線を使用してもよい（ステップＳ２１７でＹＥＳ）。ここでは波長λｃの紫外線も使用する。なお、この領域では、より波長の短い波長λｂの紫外線によって波長λａの紫外線の強度不足を補うことができるので、電力消費の低減を優先するのであれば、波長λｃの紫外線を使用しなくてもよい（図１９のステップＳ２３２）。

波長λｄの紫外線を使用しても構わない。しかしながら、図１７によれば、波長λｄの紫外線は波長λａの紫外線の強度不足を効果的に補わないので、ここでは、電力消費の低減を優先して波長λｄの紫外線を使用しない。また波長λｅの紫外線も使用しても構わないものの、波長λａ〜λｃの紫外線によって強度不足を十分に互いに補い合うことができると考えることができるので、ここでは電力消費を優先して波長λｅの紫外線も使用しない（図１８のステップＳ２２０でＮＯ）。

以上のように、微細構造物Ｐ１の隙間の幅が４０［ｎｍ］程度である場合には、有機物の除去処理において、紫外線照射器２ｄ，２ｅに紫外線を照射させずに、紫外線照射器２ａ〜２ｃに紫外線を照射させる。これにより、紫外線照射器２ｄ，２ｅによる電力消費を回避しつつ、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲で除去することができる。

図２０は、基板Ｗ１の表面に形成された微細構造物Ｐ１の隙間の幅と、その基板Ｗ１に照射する紫外線の波長との関係の一例を示す図である。図２０において、「○」はその紫外線を有機物の除去処理において使用することを示し、「×」はその紫外線を使用しないことを示し、「△」はその紫外線を使用しても使用しなくてもよいことを示す。

＜制御部＞
次に上述した選択動作を行う制御部７の構成について説明する。図１１を参照して、制御部７は情報取得部７１および選択部７２を備えている。情報取得部７１は、処理対象となる基板Ｗ１の情報である基板情報を取得する。この基板情報は例えば予め作業員によって入力されて制御部７の記憶部（例えばＲＯＭ）に記憶されていてもよいし、あるいは、より上流側の装置から通信によって受信してもよい。基板情報は、例えば基板Ｗ１を識別するための識別情報を含んでいてもよい。あるいは基板情報は、この基板Ｗ１に形成される微細構造物Ｐ１の隙間の情報（具体的には、隙間の幅）を含んでいてもよい。

選択部７２はどの紫外線照射器２を使用するのかを基板情報に基づいて選択する。例えば図２０の表はテーブル情報として制御部７の記憶媒体（例えばＲＯＭなど）に記憶されていてもよい。選択部７２は基板情報およびテーブル情報を参照して、どの紫外線照射器２を使用するのかを選択してもよい。あるいは、隙間の幅と波長の関係を示す関係式を定義し、この関係式に基づいて算出された波長に最も近い波長の紫外線を選択してもよい。

なお、基板処理装置１０の前工程および後工程において、基板Ｗ１に対して種々の処理が行われる。例えば基板処理装置１０の前工程において、エッチング処理、洗浄処理および乾燥処理が行われる。これらの処理においては、微細構造物Ｐ１のサイズに応じた処理条件（処理レシピ）が採用される。よって、これらの処理条件から、微細構造物Ｐ１の隙間の幅を推定することができる。したがって、情報取得部７１は、基板Ｗ１に対して行われる処理条件を示す情報を取得してもよい。この場合、使用すべき紫外線照射器２を処理条件に対応づけたテーブル情報が記憶されていてもよい。

要するに、情報取得部７１は微細構造物Ｐ１の幅に応じて変化する情報を取得し、選択部７２がこの情報に基づいて紫外線照射器２を選択すればよい。

＜基板処理装置１０の動作＞
図２１は基板処理装置１０Ｂの動作の一例を示す図である。ステップＳ１１〜Ｓ１４はそれぞれステップＳ１〜Ｓ４と同一である。ステップＳ１４の次のステップＳ１５にて、情報取得部７１は基板保持部１に保持された基板Ｗ１の基板情報を取得する。この基板情報には、例えば微細構造物Ｐ１の隙間の幅を示す情報が含まれていてもよい。

次にステップＳ１６にて、選択部７２はどの紫外線照射器２を使用するのかを、基板情報に基づいて選択する。具体的な一例として、選択部７２は微細構造物Ｐ１の隙間の幅が第１幅基準値（例えば１５［ｎｍ］）よりも小さい場合に、紫外線照射器２ｃ〜２ｅを選択する。即ち、紫外線照射器２ａ，２ｂの不使用および紫外線照射器２ｃ〜２ｅｄの使用を決定する。当該隙間の幅が第１幅基準値よりも大きく第２幅基準値（例えば３０［ｎｍ］）よりも小さい場合には、選択部７２は紫外線照射器２ｂ〜２ｄを選択する。即ち、紫外線照射器２ａ，２ｅの不使用および紫外線照射器２ｂ〜２ｄの使用を決定する。当該隙間の幅が第２幅基準値よりも大きい場合には、選択部７２は紫外線照射器２ａ〜２ｃを選択する。即ち、紫外線照射器２ｄ，２ｅの不使用および紫外線照射器２ａ〜２ｃの使用を決定する。

なおステップＳ１５，Ｓ１６は必ずしもステップＳ１４の後に実行する必要は無く、ステップＳ１７よりも前に実行されればよい。

ステップＳ１７にて、制御部７は、選択された紫外線照射器２に紫外線の照射を開始させる。これにより、微細構造物Ｐ１の隙間の幅に応じた適切な紫外線が基板Ｗ１の主面に照射され、低い電力消費で当該隙間に存在する有機物をより広範囲に分解して除去することができる。

ステップＳ１８，Ｓ１９はそれぞれステップＳ６，Ｓ７と同一である。

＜選択動作の概念的な説明＞
ここで、上述の選択動作をより一般的に説明しておく。この説明において、第１から第３の紫外線照射器を導入する。図２０の表と対応して説明するために、一例として、第１から第３の紫外線照射器をそれぞれ紫外線照射器２ｂ，２ｄ，２ｅと対応させる。よって以下では、第１から第３の紫外線照射器に符号２ｂ，２ｄ，２ｅを適宜に括弧で付記する。またその波長についても同様に符号を括弧で付記する。なおこの符号は理解を容易にするためのものであり、第１から第３の紫外線照射器がそれぞれ紫外線照射器２ｂ，２ｄ，２ｅに限定されるものではない。

第１紫外線照射器（２ｂ）は、第１ピーク波長（λｂ）を含むスペクトルで紫外線を照射し、第２紫外線照射器（２ｄ）は、第１ピーク波長（λｂ）よりも長い第２ピーク波長（λｄ）を含むスペクトルで紫外線を照射し、第３紫外線照射器（２ｅ）は、第１ピーク波長(λｂ)よりも長く第２ピーク波長（λｄ）と異なる第３ピーク波長（λｅ）を含むスペクトルで紫外線を照射する。

＜微細構造物の隙間が狭い場合＞
選択部７２はこの選択動作において、微細構造物Ｐ１の隙間が狭い基板Ｗ１（例えば１０［ｎｍ］）に対しては、第１紫外線照射器（２ｂ）を選択せずに、第２紫外線照射器（２ｄ）および第３紫外線照射器（２ｅ）を選択する（図１８のステップＳ２１５，Ｓ２１７でＹＥＳ）。短い第１ピーク波長（λｂ）の紫外線は他の紫外線に比べて狭い隙間に入り込みにくいので、第１紫外線照射器（２ｂ）の電力消費を回避すべく、第１紫外線照射器（２ｂ）の不使用を決定するのである（ステップＳ２１２またはステップＳ２１５でＮＯ）。

しかも、この選択によれば、第２紫外線照射器（２ｄ）の第１ピーク波長（λｃ）の紫外線および第３紫外線照射器（２ｅ）の第２ピーク波長（λｅ）の紫外線が、微細構造物Ｐ１の隙間において強度不足を互いに補い合うことができる。したがって、微細構造物Ｐ１の隙間において、より広範囲に有機物を除去できる。

図１１を参照して、第２紫外線照射器（２ｄ）の第２ピーク波長（λｄ）の紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置（例えば約３０［ｎｍ］）を中心とし、その紫外線の増減周期の半周期を幅とした領域（Ｒｄ）内で、第３紫外線照射器（２ｅ）の第３ピーク波長（λｅ）の紫外線の強度がピーク値をとるとよい。これにより、これらの紫外線がより効果的に強度不足を補い合うことができる。

＜微細構造物の隙間が広い場合＞
一方で、選択部７２は微細構造物Ｐ１の隙間（例えば２０［ｎｍ］）が広い基板Ｗ１に対しては、第１紫外線照射器（２ｂ）を選択する（ステップＳ２１２またはステップＳ２１５でＹＥＳ）とともに、第２紫外線照射器（２ｄ）を選択する（ステップＳ２１７でＹＥＳ）。

これによれば、微細構造物Ｐ１の隙間が広い基板Ｗ１に対しては、紫外線がより隙間に進入しやすくなった第１紫外線照射器（２ｂ）を使用することで、短い第１ピーク波長（λｂ）の紫外線によってより効果的に有機物を除去する。さらに第１紫外線照射器（２ｂ）および第２紫外線照射器（２ｄ）からの紫外線が微細構造物Ｐ１の隙間における紫外線の強度不足を互いに補い合う。これにより、微細構造物Ｐ１の隙間においてより広範囲に有機物を除去することができる。

また図１３を参照して、第１ピーク波長（λｂ）の紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置（例えば約４５［ｎｍ］）を中心とし、その紫外線の増減周期の半周期を幅とした領域（例えばＲｂ１）内において、第２ピーク波長（λｄ）の紫外線の強度がピーク値をとることが望ましい。これにより、これらの紫外線がより効果的に強度不足を補い合うからである。

また第３紫外線照射器（２ｅ）は紫外線を照射しなくてもよい（ステップＳ２２０でＮＯ）。これにより、電力消費を低減できる。

＜微細構造物Ｐ１の隙間の深さ＞
図２２〜図２５は、紫外線の強度についてのシミュレーション結果の一例を概略的に示す図である。図２２および図２４は、微細構造物Ｐ１の相互間の隙間の深さを異ならせたときのシミュレーション結果を示す。図２２および図２４における当該隙間の深さはそれぞれ１００［ｎｍ］および５０［ｎｍ］である。図２３および図２５はそれぞれ図２２および図２４の微細構造物Ｐ１の側面における紫外線の強度を波長λａ〜λｅごとに示すグラフである。図２３においては隙間の深さが１００［ｎｍ］であるので、横軸の範囲は０［ｎｍ］〜１００［ｎｍ］であり、同様に図２５においては横軸の範囲は０［ｎｍ］〜５０［ｎｍ］である。微細構造物Ｐ１の幅および微細構造物Ｐ１の隙間の幅は図１２の場合と同じである。つまり微細構造物Ｐ１の幅は１０［ｎｍ］であり、隙間の幅も１０［ｎｍ］である。よって、図１２、図１３、図２２〜図２５は、微細構造物Ｐ１の高さ（＝隙間の深さ）を相違させたときのシミュレーション結果を示すことになる。

＜隙間の深さ２００［ｎｍ］＞
微細構造物Ｐ１の隙間の深さが２００［ｎｍ］である場合については、図１２および図１３を参照して説明した通りであるので、ここでは繰り返しの説明を避ける。

＜隙間の深さ１００［ｎｍ］＞
次に微細構造物Ｐ１の隙間の深さが１００［ｎｍ］である場合について述べる。図２２および図２３に示すように、最も短い波長λａの紫外線の強度は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端に向かうにしたがって低下する。これは、短い波長λａの紫外線は回折しにくく、狭い隙間（ここでは幅が１０［ｎｍ］）には入り込みにくいからである。

一方で、波長λｂ〜λｅの紫外線の強度は隙間の深さ方向において周期的に増減しており、そのピーク値は高い。つまり波長λａ〜λｅの紫外線は当該隙間に入り込むことができる。なお波長λｂ，λｃの紫外線のピーク値は波長λｄ，λｅの紫外線のピーク値の半分程度である。

有機物の除去処理においてどの紫外線を使用するかの考え方は上述の通りである。そこで隙間の深さが１００［ｎｍ］程度である基板Ｗ１に対しては、その有機物の除去処理における紫外線を次のように選択する。すなわち、波長λａの紫外線は隙間に入り込みにくいので、これを使用しない（図１８のステップＳ２１２でＮＯ）。隙間に進入可能な波長のうち最も短い波長λｂの紫外線は使用する（ステップＳ２１５でＹＥＳ）。また波長λｂの紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置３０［ｎｍ］近傍においてピーク値をとる波長λｄの紫外線も使用する（ステップＳ２１７でＹＥＳ）。波長λｃの紫外線は使用してもよいものの、波長λｂの紫外線の強度不足を効果的に補わないので、ここでは電力消費の低減を優先して使用しない（ステップＳ２１７でＮＯ）。波長λｅの紫外線は深さ位置３０［ｎｍ］近傍における波長λｂの紫外線の強度不足を補うので、使用してもよい（ステップＳ２１７でＹＥＳ）。その一方で、この領域では、より短い波長λｄがλｂの紫外線の強度不足を補うことができるので、波長λｅの紫外線は使用しなくてもよい（図１９のステップＳ２３２）。ここでは、波長λｅの紫外線も使用しない。

以上のように、微細構造物Ｐ１の隙間の深さが１００［ｎｍ］程度である場合には、有機物の除去処理において、紫外線照射器２ａ，２ｃ，２ｅに紫外線を照射させずに、紫外線照射器２ｂ，２ｄに紫外線を照射させるように決定する。これにより、紫外線照射器２ａ，２ｃ，２ｅによる電力消費を回避しつつ、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲で除去することができる。

＜隙間の深さ５０［ｎｍ］＞
次に微細構造物Ｐ１の隙間の深さが５０［ｎｍ］である場合について述べる。図２４および図２５に示すように、最も短い波長λａの紫外線の強度は深さ位置が微細構造物Ｐ１の上端から下端に向かうにしたがって低下する。これは、短い波長λａの紫外線は回折しにくく、狭い隙間（ここでは幅が１０［ｎｍ］）には入り込みにくいからである。

しかしながら、隙間の深さが５０［ｎｍ］と浅いので、隙間の深さに対する紫外線の進入距離は相対的に長くなる。例えば図１３、図２３および図２５を参照して、深さ位置２０［ｎｍ］における波長λａの紫外線の強度は微細構造物Ｐ１の隙間の深さに依らず、ほぼ同一である。この深さ位置を波長λａの紫外線の進入距離とみなすと、隙間の深さが２００［ｎｍ］と深い場合（図１３）には、隙間の深さに対する進入距離は短い。具体的には、波長λａの紫外線は隙間の全体に対して１０分の１（＝進入距離２０［ｎｍ］／隙間の深さ２００［ｎｍ］）しか入り込めない。一方で、隙間の深さが５０「ｎｍ」と浅い場合（図２５）には、隙間の深さに対する進入距離が長くなる。具体的には隙間の全体の５分の２（＝進入距離２０［ｎｍ］／隙間の深さ５０［ｎｍ］）まで、波長λａの紫外線が入り込む。よって、この場合には、波長λａの紫外線も当該隙間に十分に入り込むことができると考えることができる。

波長λｂ〜λｅの紫外線の強度は隙間の深さ方向において増減しており、十分に高い値をとる。つまり波長λａ〜λｅの紫外線も当該隙間に入り込むことができる。以上のように、隙間が浅い場合には、全ての波長λａ〜λｅの紫外線は隙間に入り込むと考えることができる。

上記シミュレーション結果および上記考え方に基づいて、次のように紫外線を選択する。すなわち、微細構造物Ｐ１の隙間の深さが５０［ｎｍ］程度である基板Ｗ１に対する有機物の除去処理においては、波長λａ，λｅの紫外線を使用し、波長λｂ〜λｃの紫外線を使用しない。つまり、最も短い波長λａの紫外線を使用し（図６のステップＳ１００）、この紫外線の強度が低くなる領域で高くなる波長λｅの紫外線も使用する（図６のステップＳ２００）。波長λｂ〜λｃの紫外線を使用してもよいものの、ここでは電力消費の回避を優先して波長λｂ〜λｃの紫外線は使用しない。

以上のように、微細構造物Ｐ１の隙間の深さが５０［ｎｍ］程度である場合には、有機物の除去処理において、紫外線照射器２ｂ〜２ｄに紫外線を照射させずに、紫外線照射器２ａ，２ｅに紫外線を照射させる。これにより、紫外線照射器２ｂ〜２ｃによる電力消費を回避しつつ、微細構造物Ｐ１の隙間に存在する有機物をより広範囲で除去することができる。

図２６は、基板Ｗ１の表面に形成された微細構造物Ｐ１の隙間の深さと、その基板Ｗ１に照射する紫外線の波長との関係の一例を示す図である。

＜基板処理装置１０Ｂの動作＞
基板処理装置１０Ｂの具体的な動作の一例は図２１と同様である。ただし基板Ｗ１の基板情報には、微細構造物Ｐ１の隙間の深さを示す情報が含まれている。ステップＳ１６では、選択部７２はどの紫外線照射器２を使用するかをその深さの情報に応じて上述のように選択する。具体的には選択部７２は、微細構造物Ｐ１の隙間の深さが第１深さ基準値（例えば１５０［ｎｍ］）よりも深いときに、紫外線照射器２ａ，２ｂの不使用および紫外線照射器２ｃ〜２ｅの使用を決定し、隙間の深さが第１深さ基準値よりも浅く第２深さ基準値（例えば７５［ｎｍ］）よりも深いときに、紫外線照射器２ａ，２ｃ，２ｅの不使用および紫外線照射器２ｂ，２ｄの使用を決定し、隙間の深さが第２深さ基準値よりも浅いときに、紫外線照射器２ｃ〜２ｄの不使用および紫外線照射器２ａ，２ｅの使用を決定する。

＜選択動作の概念的な説明＞
ここでも、上述の選択動作をより一般的に説明しておく。この説明においても、第１から第３の紫外線照射器を導入する。ここでは図２６の表と対応して説明するために、一例として、波長λｂ〜λｄの紫外線をそれぞれ照射する紫外線照射器２ｂ〜２ｄに着目する。ここでは、第１紫外線照射器の一例として紫外線照射器２ｂを想定し、第２紫外線照射器の一例として紫外線照射器２ｄを想定し、第３紫外線照射器の一例として紫外線照射器２ｃを想定する。

この第１紫外線照射器（２ｂ）は、第１ピーク波長（λｂ）を含むスペクトルで紫外線を照射し、第２紫外線照射器（２ｄ）は、第１ピーク波長（λｂ）よりも長い第２ピーク波長（λｄ）を含むスペクトルで紫外線を照射し、第３紫外線照射器（２ｃ）は、第１ピーク波長(λｂ)よりも長く第２ピーク波長（λｄ）と異なる第３ピーク波長（λｃ）を含むスペクトルで紫外線を照射する。

＜微細構造物の隙間が深い場合＞
選択部７２はこの選択動作において、微細構造物Ｐ１の隙間が深い基板Ｗ１（例えば２００［ｎｍ］）に対しては、第１紫外線照射器（２ｂ）に紫外線を照射させずに（図１８のステップＳ２１２でＮＯ）、第２紫外線照射器（２ｄ）および第３紫外線照射器（２ｃ）に紫外線を照射させる（ステップＳ２１５，２１７でＹＥＳ）ように決定する。

これによれば、微細構造物Ｐ１の隙間が深い基板Ｗ１に対しては、紫外線が当該隙間に入り込みにくい第１紫外線照射器（２ｂ）の電力消費を回避しつつ、第２紫外線照射器（２ｄ）および第３紫外線照射器（２ｃ）の紫外線が微細構造物Ｐ１の隙間における強度不足を互いに補い合う。これにより、微細構造物の隙間においてより広範囲に有機物を除去できる。

図１３を参照して、第２ピーク波長（λｄ）の紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置（例えば約３０［ｎｍ］）を中心とし、その紫外線の増減周期の半周期を幅とした領域（Ｒｄ）内で、第３ピーク波長（λｃ）の紫外線の強度がピーク値をとるとよい。これにより、これらの紫外線がより効果的に強度不足を補い合うことができる。

＜微細構造物の隙間が浅い場合＞
一方で、選択部７２は微細構造物Ｐ１の隙間が浅い基板Ｗ１（例えば１００［ｎｍ］）に対しては、第１紫外線照射器（２ｂ）および第２紫外線照射器（２ｄ）に紫外線を照射させるように決定する（図１８のステップＳ２１５，Ｓ２１７でＹＥＳ）。

これによれば、微細構造物Ｐ１の隙間が浅い基板Ｗ１に対しては、相対的に紫外線が隙間に進入しやすくなった第１紫外線照射器（２ｂ）を使用することで、短い第１ピーク波長（λｂ）の紫外線によってより効果的に有機物を除去できる。さらに第１紫外線照射器（２ｂ）および第２紫外線照射器（２ｄ）の紫外線は、微細構造物Ｐ１の隙間における強度不足を互いに補い合う。これにより、微細構造物Ｐ１の隙間においてより広範囲に有機物を除去することができる。

図２３を参照して、第１ピーク波長（λｂ）の紫外線の強度がボトム値をとるときの深さ位置（例えば約３０［ｎｍ］）を中心とし、その紫外線の増減周期の半周期を幅とした領域（Ｒｂ２）内で、第２ピーク波長（λｄ）の紫外線の強度がピーク値をとることが望ましい。これにより、これらの紫外線がより効果的に強度不足を補い合うからである。

この場合、第３紫外線照射器（２ｃ）は紫外線を照射しなくてもよい。これにより、電力消費を低減できる。

図１１を参照して、情報取得部７１は、微細構造物Ｐ１の隙間の深さに応じて変化する情報（例えば基板Ｗ１の識別情報、当該隙間の深さを示す情報、または、基板処理装置１０の前工程あるいは後工程における基板Ｗ１の処理条件を示す情報）を取得する。

選択部７２はどの紫外線照射器２を使用するのかを情報に基づいて選択する。例えば図２６の表はテーブル情報として制御部７の記憶媒体（例えばＲＯＭなど）に記憶されていてもよい。選択部７２は、情報取得部７１によって取得した情報およびテーブル情報を参照して、どの紫外線照射器２を使用するのかを選択してもよい。あるいは、隙間の深さと波長の関係を示す関係式を定義し、この関係式に基づいて算出された波長に最も近い波長の紫外線を選択してもよい。

１，１Ａ 基板保持手段（基板保持部）
２，２Ａ，２ａ〜２ｅ 紫外線照射手段（紫外線照射器）
４Ａ，４２，４２ａ，４２ｂ 気体供給手段（気体供給部）
７ 制御手段（制御部）
８Ａ 移動手段（移動機構）
１５ 回転手段（回転機構）
７１ 情報取得手段
７２ 選択手段（選択部）

Claims (20)

1. 基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段によって保持された複数の微細構造物が形成された前記基板の前記微細構造物の間の隙間に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射する複数の紫外線照射手段と、
   前記複数の紫外線照射手段を制御する制御手段と
   を備え、
   前記制御手段は、互いに異なるスペクトルを有することにより、前記隙間において強度が足りない領域の強度不足を互いに補う複数の紫外線が前記隙間に入り込むことができるように前記複数の紫外線照射手段を制御する、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段は第１紫外線照射手段および第２紫外線照射手段を含み、
   前記第１紫外線照射手段から出力される第１紫外線の強度は、前記微細構造物の前記隙間において深さ方向に第１周期で増減し、
   前記第２紫外線照射手段から出力される第２紫外線の強度は、前記微細構造物の前記隙間において前記深さ方向に第２周期で増減し、
   前記第１紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第１周期の半周期に相当する第１領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとる、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段は第３紫外線照射手段を含み、
   前記第３紫外線照射手段から出力される第３紫外線の強度は、前記微細構造物の前記隙間において前記深さ方向に第３周期で増減し、
   前記第３紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第３周期の半周期に相当する第２領域と、前記第１領域とが互いに重複する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとる、基板処理装置。
4. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段は３つ以上あり、
   前記制御手段は、
   前記微細構造物の前記隙間の幅および深さの少なくともいずれか一方に応じて変化する情報を取得する取得手段と、
   前記複数の紫外線照射手段のうち２以上の紫外線照射手段に紫外線を照射させるかを、前記微細構造物の前記隙間の幅および前記深さの少なくともいずれか一方に応じて選択する選択動作を、前記情報に基づいて行う選択手段と
   を備える、基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
   前記選択手段は、前記微細構造物の隙間が広い、または、浅いほど、波長が短い紫外線照射手段を前記情報に基づいて選択する、基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段は、
   第１ピーク波長を含むスペクトルで第１紫外線を照射する第１紫外線照射手段と、
   前記第１ピーク波長よりも長い第２ピーク波長を含むスペクトルで第２紫外線を照射する第２紫外線照射手段と
   を含み、
   前記選択手段は前記情報に基づいて第１紫外線照射手段および第２紫外線照射手段を選択し、
   前記第１紫外線の強度は前記微細構造物の前記隙間で深さ方向において第１周期で増減し、
   前記第１紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第１周期の半周期に相当する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとる、基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段は、
   前記第２ピーク波長よりも長い第３ピーク波長を含むスペクトルで第３紫外線を照射する第３紫外線照射手段を含み、
   前記選択手段は、
   第１情報に基づいて、前記第１紫外線照射手段および前記第２紫外線照射手段を選択し、前記第３紫外線照射手段を選択せず、
   前記第１情報よりも前記微細構造物の前記隙間が狭いまたは深い第２情報に基づいて、前記第２紫外線照射手段および前記第３紫外線照射手段を選択する、基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記複数の紫外線照射手段の各々と前記基板保持手段との間の距離は、前記複数の紫外線照射手段によって照射される紫外線のピーク波長が長いほど、短い、基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記制御手段は、前記複数の紫外線照射手段の各々の照射期間の少なくとも一部が重なるように、前記複数の紫外線照射手段を制御する、基板処理装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記複数の紫外線照射手段は、前記基板保持手段によって保持された基板と空間を隔てて対向しており、
    前記基板処理装置は、前記空間へと不活性ガスを供給する気体供給手段を更に備える、基板処理装置。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記複数の紫外線照射手段の各々は前記基板保持手段によって保持された基板の表面の全面に紫外線を照射する、基板処理装置。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持手段を水平方向に沿って前記複数の紫外線照射手段に対して相対的に移動させる移動手段を更に備える、基板処理装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    基板の表面に直交する回転軸を中心として基板保持手段を回転させる回転手段を更に備える、基板処理装置。
14. 請求項１から請求項１３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記微細構造物のアスペクト比は３．５以上、前記微細構造物のピッチは５０ｎｍ以下、または、前記微細構造物の間隔は４０ｎｍ以下である、基板処理装置。
15. 基板保持手段が基板を保持し、
    複数の紫外線照射手段が、前記基板保持手段に保持された複数の微細構造物が形成された前記基板の前記微細構造物の間の隙間に、互いに異なるスペクトルで紫外線を照射し、
    互いに異なるスペクトルを有することにより、前記隙間において強度が足りない領域の強度不足を互いに補う複数の紫外線が前記隙間に入り込むことができるように前記複数の紫外線照射手段を制御する、基板処理方法。
16. 複数の微細構造物が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記微細構造物の隙間に紫外線を照射する複数の紫外線照射手段を有する基板処理装置において、紫外線照射手段を選択する方法であって、
    微細構造物の間の隙間に進入可能な第１紫外線を照射する第１紫外線照射手段を選択する第１工程と、
    前記第１紫外線のピーク波長よりも長いピーク波長を有し、前記微細構造物の隙間において前記第１紫外線の強度が不足する領域の強度不足を補う第２紫外線を照射する第２紫外線照射手段を選択する第２工程と
    を備える、紫外線照射手段の選択方法。
17. 請求項１６に記載の紫外線照射手段の選択方法であって、
    前記第１工程において、前記第１紫外線の強度が前記微細構造物の隙間の深さ方向において周期的に増減する場合、前記第１紫外線の強度の少なくとも一つのピーク値のうち最小となるピーク値が基準値よりも大きいと判断したときに、前記第１紫外線照射手段を選択する、紫外線照射手段の選択方法。
18. 請求項１７に記載の紫外線照射手段の選択方法であって、
    前記第２工程において、前記第１紫外線の強度がボトム値をとるときの前記深さ方向の位置を中心とし、前記深さ方向の幅が前記第１紫外線の強度の半周期に相当する領域内において、前記第２紫外線の強度がピーク値をとると判断したときに、前記第２紫外線照射手段を選択する、紫外線照射手段の選択方法。
19. 請求項１８に記載の紫外線照射手段の選択方法であって、
    第３紫外線照射手段から照射され前記第２紫外線のピーク波長よりも長いピーク波長を有する第３紫外線の強度、および、前記第２紫外線の強度の両方が前記領域においてピーク値をとる場合に、前記第２紫外線照射手段を選択し、前記第３紫外線照射手段を選択しない、紫外線照射手段の選択方法。
20. 請求項１６に記載の紫外線照射手段の選択方法であって、
    前記第１工程において、前記第１紫外線の強度が前記微細構造物の隙間の深さ方向において単調減少するときには、所定の深さ位置における前記第１紫外線の強度が基準値よりも大きいと判断したときに、前記第１紫外線照射手段を選択する第３工程を更に備える、紫外線照射手段の選択方法。

Images