JP2014182170A - 封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】接合強度及び封止性能の両立を容易とする封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器を提供する。
【解決手段】固定反射膜５４が設けられた第一基板５１と、第一基板５１に対向し、可動反射膜５５が設けられた第二基板５２と、第一基板５１及び第二基板５２を接合する第一接合膜５７１と、第一基板５１及び第二基板５２間において第一基板５１及び第二基板５２により挟まれた第一内部空間５８１を外部と連通させる第一間隙部５７３に配置され、第一内部空間５８１を封止する封止材５７５と、を備え、第一間隙部５７３における第一基板５１及び第二基板５２の基板間距離は、基板厚み方向から見た平面視において、基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる。
【選択図】図３

Description

本発明は、封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器に関する。

従来、一対の反射ミラー間で光を反射させ、反射ミラー間の距離に応じた特定波長以外の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光を取得する分光フィルターが知られている。また、このような分光フィルターとして、反射ミラー間の距離を調整することで、取得する光の波長を選択可能に構成された波長可変型の干渉フィルター（波長可変干渉フィルター）が知られている（例えば、特許文献１参照）。

一般に、波長可変干渉フィルターは、湿度や異物等の環境要因により、ミラー間寸法を変更させる駆動部やミラーの劣化等により、駆動特性や光学特性が劣化し、信頼性が低下するというおそれがある。
これに対して、特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、固定反射面が形成された第一基板と、この第一基板に対向して接合され、可動反射面が形成された第二基板と、第二基板の第一基板と反対側にスペーサーを介して接合されたガラス基板とを備えている。そして、第一基板と第二基板、及び第二基板とガラス基板のそれぞれの間に形成された内部空間が封止されている。

特開２００５−３０９１７４号公報

ところで、第一基板と第二基板とを接合するとともに封止を行っているので、使用可能な接合方法に制限があった。例えば、一般的に気密封止に使用可能な直接接合、陽極接合、及び表面活性化接合等の接合方法は、接合面の平坦性等の表面状態に大きく影響を受けやすい。すなわち、接合面が滑らかであることが必要であり、滑らかでないと十分な接合強度を得ることができないおそれがあった。
一方、プラズマ重合膜や樹脂を用いた接合は、接合面の平坦性の影響を受けにくく、十分に接合強度を得ることができる。しかしながら、封止性能の維持は困難であった。

このように、一対の基板を接合するとともに、基板間に設けられた空間を外部から封止する際に、接合強度と封止性能を両立させることは困難であった。特に、干渉フィルターにおいて、第一基板及び第二基板を接合する際は、ミラー間の距離を設計値とするために、接合層の厚みを制御する必要があり、接合方法が制限される。従って、接合強度と封止性能の両立は一層困難であった。

本発明は、接合強度及び封止性能の向上の両立を容易とする封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明の封止構造は、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた内部空間を外部と連通させる間隙部に配置され、前記内部空間を封止する封止部と、を備え、前記間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなることを特徴とする。

本発明では、第一基板及び第二基板が接合部により接合され、かつ、間隙部において内部空間を封止する封止部が配置されている。
これにより、接合と封止とを別々の材料、方法で行うことができる。従って、接合部によって接合強度を確保するとともに、封止部によって封止性能を得ることができ、接合強度と封止性能の両立を容易に実現できる。
また、間隙部は、外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離が小さくなるように構成されている。これにより、封止材を基板外周縁から内側に向かって浸透させることで封止部を形成する際に、封止材の浸透膜距離、すなわち封止部により封止される封止距離を長くすることができ、封止性能を向上させることができる。

本発明の封止構造において、前記間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成されていることが好ましい。
本発明では、間隙部は、基板間距離が外周縁から内側に向かうにつれて小さくなるように複数の段差を設けることで構成されている。このような段差は、例えばエッチング等により容易に形成することができる。従って、間隙部を容易に形成することができる。

本発明の封止構造において、前記間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成されていることが好ましい。
本発明では、間隙部は、基板間距離が外周縁から内側に向かうにつれて小さくなるような傾斜面を第一基板及び第二基板の少なくともいずれかに設けることで構成されている。これにより、封止材を基板間に浸透させる際に、封止材をより内側まで浸透させることができ、封止部の封止性能を向上させることができる。

本発明の干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部と、を備え、前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなることを特徴とする。

ここで、第一反射膜及び第二反射膜が、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過するとは、入射光の一部を反射し、一部を透過し、残りを吸収する場合と、入射光の一部を反射し、残りを透過する場合との両方の場合が、本発明に包含されることを意味する。

本発明では、第一間隙部において第一内部空間を封止する封止部と、第一基板と第二基板とを接合する第一接合部と、を備えている。
これにより、接合部によって接合強度を確保するとともに、封止部によって封止性能を得ることができ、接合強度と封止性能の両立を容易に実現できる。
また、第一間隙部は、外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離が小さくなるように構成されているので、上述のように、封止部による封止距離を長くすることができ、封止性能を向上させることができる。
また、封止性能を向上させることができるので、第一内部空間に外部からの異物の混入を抑制することができ、環境要因による各反射膜の劣化を抑制できる。従って、駆動特性や光学特性の劣化を抑制でき、長期間にわたり信頼性を維持できる干渉フィルターを提供することができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成されたことが好ましい。
本発明では、第一間隙部は、第一基板及び第二基板の少なくともいずれかにおいて複数の段差を設けることで構成されている。このような段差は、例えばエッチング等により容易に形成することができる。従って、良好な封止性能を有する干渉フィルターを容易に製造することができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成されたことが好ましい。
本発明では、第一間隙部は、基板間距離が外周縁から内側に向かうにつれて小さくなるように傾斜面を第一基板及び第二基板の少なくともいずれかに設けることで構成されている。これにより、封止材をより内側まで浸透させることが可能となるので、封止部の封止距離をより長くすることができ、封止性能を向上させることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二基板の前記第一基板とは反対側に対向配置された第三基板と、前記第二基板と前記第三基板とを接合する第二接合部と、を備え、前記封止部は、前記第二基板及び前記第三基板において前記第二基板及び前記第三基板により挟まれる第二内部空間を外部と連通させる第二間隙部に配置され、前記第二内部空間を封止し、前記第二間隙部における前記第二基板及び前記第三基板の基板間距離は、前記平面視において、前記第二基板及び前記第三基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなることが好ましい。
本発明では、第二基板及び第三基板は、第一間隙部と同様の第二間隙部を備えており、この第二間隙部に封止部が設けられている。
これにより、第二基板と第三基板との間でも接合強度及び封止性能の向上の両立を図れる。
また、第二内部空間の封止性能を向上させることができるので、第二内部空間の圧力変動を抑制することができ、圧力変動による干渉フィルターの分光精度の低下を抑制できる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二間隙部は、前記第二基板及び前記第三基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成されていることが好ましい。
本発明では、第二間隙部は、第一間隙部同様に、基板間距離が外周縁から内側に向かうにつれて小さくなるように複数の段差を設けることで構成されている。このような段差は、例えばエッチング等により容易に形成することができる。従って、第二間隙部を容易に形成することができ、第二内部空間の圧力変動の抑制を容易に実現できる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二間隙部は、前記第二基板及び前記第三基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成されていることが好ましい。
本発明では、第二間隙部は、基板間距離が外周縁から内側に向かうにつれて小さくなるように傾斜面を第二基板及び第三基板の少なくともいずれかに設けることで構成されている。これにより、封止材を第二間隙部のより内側まで浸透させることが可能となるので、封止部の封止距離をより長くすることができ、封止性能を向上させることができる。従って、第二内部空間の圧力変動をより効果的に抑制できる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一内部空間及び前記第二内部空間の内部圧力は、大気圧よりも低いことが好ましい。
このように、第一内部空間及び前記第二内部空間内の圧力を減圧することで、第一反射膜及び前記第二反射膜間のギャップの寸法を変更する場合、移動する反射膜に対する抵抗を低減でき、良好の応答性を得ることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一反射膜及び前記第二反射膜間のギャップの寸法を変更するギャップ変更部を備え、前記第二基板は、前記第一内部空間及び前記第二内部空間を連通する貫通孔を有することが好ましい。
本発明では、第二基板に第一内部空間及び第二内部空間を連通する貫通孔が設けられている。これにより、第一内部空間と第二内部空間との圧力を均一にできる。従って、ギャップ変更部により反射膜間のギャップの寸法を変更する際に、各内部空間の圧力差が生じず、第二基板を精度良く撓ませることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記封止部は、パラキシリレン系ポリマーであることが好ましい。
本発明では、封止部を形成する封止材としてパラキシリレン系ポリマー（パリレン）を用いる。パリレンは、微細な間隙の内部に浸透させることができ、間隙の奥深くまで封止材を成膜させることができる。従って、封止距離を長くすることができ、封止性能の向上を図ることができる。
また、パリレンは室温で成膜することができ、熱による干渉フィルターへの影響、すなわち熱膨張による応力の発生や、反射膜の劣化等を抑制できる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記封止部は、原子層堆積法又は化学気相成長法によって形成されたことが好ましい。
このように、原子層堆積法や、化学気相成長法によって封止部を形成することにより、例えばウェハ上に複数の干渉フィルターが並ぶように形成し、これらを個片化して複数の干渉フィルターを同時に製造する際に、これらを同時に封止することができるので、製造効率を向上させることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記接合部は、プラズマ重合膜であることが好ましい。
これにより、基板の製造時において複数の加工プロセスにより接合面の面精度が悪化した場合でも、プラズマ重合膜は、表面の凹凸を吸収することができる。これにより、表面を平坦化しなくとも、基板同士を強い接合強度で接合させることができる。

本発明の光学モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部と、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなることを特徴とする。

本発明の光学モジュールは、第一間隙部において第一内部空間を封止する封止部と、第一基板と第二基板とを接合する第一接合部と、を備えている。従って、上記発明と同様に、接合と封止とを別々の材料、方法で行うことができ、接合強度と封止性能の両立を容易に実現できる。
また、本発明の光学モジュールでは、第一間隙部は、外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離が小さくなるように構成されているので、上述のように、封止部による封止距離を長くすることができ、封止性能を向上させることができる。
また、封止性能を向上させることができるので、第一内部空間に外部からの異物の混入を抑制することができ、環境要因による各反射膜の劣化を抑制できる。従って、駆動特性や光学特性の劣化を抑制でき、長期間にわたり信頼性を維持できる光学モジュールを提供できる。

本発明の電子機器は、第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜、前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部、並びに、前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部、を備えた干渉フィルターと、前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなることを特徴とする。

本発明の電子機器は、第一間隙部において第一内部空間を封止する封止部と、第一基板と第二基板とを接合する第一接合部と、を備えている。従って、上記発明と同様に、接合と封止とを別々の材料、方法で行うことができ、接合強度と封止性能の両立を容易に実現できる。
また、本発明の光学モジュールでは、第一間隙部は、外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離が小さくなるように構成されているので、上述のように、封止部による封止距離を長くすることができ、封止性能を向上させることができる。
また、封止性能を向上させることができるので、第一内部空間に外部からの異物の混入を抑制することができ、環境要因による各反射膜の劣化を抑制できる。従って、駆動特性や光学特性の劣化を抑制でき、長期間にわたり信頼性を維持できる電子機器を提供できる。

第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。 前記実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図２の波長可変干渉フィルターのIII−III’線での断面図。 図２の波長可変干渉フィルターのIV−IV’線での断面図。 前記実施形態の第一基板を第二基板側から見た平面図。 前記実施形態の第二基板を第一基板側から見た平面図。 前記実施形態の第三基板を第二基板側から見た平面図。 前記実施形態の製造工程における封止工程を示す図。 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 波長可変干渉フィルターの一変形例の概略構成を示す断面図。 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた測色装置（電子機器）の概略構成を示す図。 本発明の波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置（電子機器）の概略構成を示す図。 図１２のガス検出装置の制御系を示すブロック図。 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた食物分析装置（電子機器）の概略構成を示す図。 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた分光カメラ（電子機器）の概略構成を示す図。

以下、本発明に係る各実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするために、各層や各部材の尺度を適宜変更して模式的に示している。

［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明の第一実施形態に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、測定対象Ｘで反射された測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する電子機器である。なお、測定対象Ｘとして、例えば液晶ディスプレイ等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０を制御する制御部２０と、を備えている。

［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、検出部１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、電圧制御部１５と、を備えている。
光学モジュール１０は、測定対象光を入射光学系（図示省略）を介して波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５により測定対象光から所定波長の光を透過させ、透過した光を検出部１１で受光する。検出部１１からの検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。

［波長可変干渉フィルターの構成］
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III’線で切断した際の波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す断面図である。図４は、図２におけるIV−IV’線で切断した際の波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す断面図である。

波長可変干渉フィルター５は、図２〜図４に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター５は、第一基板５１、第二基板５２、及び第三基板５３を備えている。
これらの各基板５１，５２，５３は、それぞれ、例えばソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。
なお、以降の説明に当たり、各基板５１，５２，５３の基板厚み方向から見た平面視、つまり、第一基板５１、第二基板５２、及び第三基板５３の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。

フィルター平面視において、第一基板５１の一対の頂点は、第二基板５２及び第三基板５３側から見て突出しており、第一電極引出部５１３Ａが形成されている。また、第一基板５１の他の頂点も同様に、第二基板５２及び第三基板５３側から見て突出しており、第二電極引出部５１３Ｂが形成されている。

（第一基板の構成）
図５は、第一基板５１を第二基板５２側から見た平面図である。
第一基板５１は、図３〜図５に示すように、電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１４が形成されている。この第一基板５１は、第二基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１及び可動電極５６２間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極５６１の内部応力による第一基板５１の撓みはない。

反射膜設置部５１４は、フィルター平面視で、波長可変干渉フィルター５の平面中心点Ｏを中心とし、基板の厚さ方向に突出した略円柱状に形成されている。反射膜設置部５１４の突出先端面は、反射膜設置面５１４Ａとなり、固定反射膜５４が設置されている。
反射膜設置部５１４は、前記平面視において、電極配置溝５１１の中心部から第二基板５２側に突出して形成されている。反射膜設置部５１４の突出先端面は、反射膜設置面５１４Ａとなり、固定反射膜５４が設置されている。

電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、波長可変干渉フィルター５の平面中心点Ｏを中心とし、反射膜設置部５１４よりも大きな直径を有する環状に形成されている。電極配置溝５１１の溝底面は、固定電極５６１が配置される電極設置面５１１Ａとなる。
また、第一基板５１には、電極配置溝５１１から、第一電極引出部５１３Ａに向かって第一電極引出溝５１２Ａが、第二電極引出部５１３Ｂに向かって第二電極引出溝５１２Ｂが設けられている。

電極配置溝５１１の電極設置面５１１Ａには、固定電極５６１が設けられている。この固定電極５６１は、電極設置面５１１Ａのうち、後述する可動部５２１の可動電極５６２に対向する領域に設けられている。
そして、第一基板５１には、固定電極５６１の外周縁から、第一電極引出溝５１２Ａを通り、第一電極引出部５１３Ａまで延出する固定引出電極５６３が設けられている。この固定引出電極５６３の延出先端部は、第一電極引出部５１３Ａにおいて固定電極パッド５６３Ｐを構成する。
なお、本実施形態では、電極設置面５１１Ａに１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、平面中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。

第二電極引出溝５１２Ｂには、第一可動引出電極５６４Ａと、第一可動引出電極５６４Ａに後述する可動電極を電気的に接続させるためのバンプ電極５６５とが設けられている。バンプ電極５６５は、例えばポリイミド等の樹脂で形成されたコアのまわりを金等の金属でメッキすることで形成される。
また、第一可動引出電極５６４Ａの延出先端部は、第二電極引出部５１３Ｂにおいて可動電極パッド５６４Ｐを構成する。

そして、第一基板５１の第二基板５２に対向する面のうち、電極配置溝５１１、各電極引出溝５１２Ａ，５１２Ｂ、各電極引出部５１３Ａ，５１３Ｂ、及び反射膜設置部５１４が形成された面を除く面は、第一平面部５１５及び第二平面部５１６を構成する。
第一平面部５１５は、フィルター平面視において、内縁が電極配置溝５１１に沿って形成されている。
第二平面部５１６は、フィルター平面視において、正方形状の基板の頂点に位置する各電極引出部５１３Ａ，５１３Ｂが形成された領域を除く、八角形状の外縁を有し、外縁から所定距離Ｄ１の位置に内縁を有する平面である。第二平面部５１６は、第一平面部５１５よりも基板の厚みが小さくなっており、第一平面部５１５と第二平面部５１６との間に段差が設けられている。

（第二基板の構成）
図６は、第二基板５２を第一基板５１側から見た平面図である。
第二基板５２は、図６に示すようなフィルター平面視において、平面中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１の外側に設けられ、可動部５２１を保持する保持部５２２とを備えている。
また、第二基板５２は、第一電極引出部５１３Ａ及び第二電極引出部５１３Ｂに対向する領域、すなわち、正方形状の４つの頂点に対応する領域に、切欠きが形成されており、フィルター平面視において八角形状の外形を有する。

可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面５１４Ａの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１には、可動電極５６２及び本発明の第二反射膜である可動反射膜５５が設けられている。
可動反射膜５５は、可動部５２１の可動面５２１Ａの中心部に、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧを介して対向して設けられる。

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を第一基板５１側に変位させることが可能となる。
保持部５２２には、基板厚み方向に、第二基板５２の両側に形成された空間を連通させる貫通孔５２２Ａが形成されている。

可動電極５６２は、固定電極５６１に対向し、固定電極５６１と同一形状となる環状に形成されている。
また、第二基板５２には、可動電極５６２の外周縁から第二基板５２の二つの頂点、具体的には、可動電極パッド５６４Ｐが設けられた第一基板５１の頂点に対向する２つの頂点に向かって延出する第二可動引出電極５６４Ｂが形成されている。第二可動引出電極５６４Ｂは、一部が第一可動引出電極５６４Ａと対向するように形成される。第一基板５１及び第二基板５２の接合時には、第一基板５１側に設けられたバンプ電極５６５が第二可動引出電極５６４Ｂに当接することで、可動電極５６２が可動電極パッド５６４Ｐに電気的に接続される。

そして、図３，４に示すように、第二基板５２の第一基板５１に対向する面のうち、フィルター平面視において保持部５２２よりも外側の面は、第三平面部５２３、第四平面部５２４及び第五平面部５２５を構成する。
第三平面部５２３は、フィルター平面視において、内縁が保持部５２２の形成領域に沿って形成されている。
第四平面部５２４は、フィルター平面視において、八角形状の第二基板５２の外周を外縁とし、外縁から所定距離Ｄ２の位置に内縁を有する平面である。
第五平面部５２５は、第四平面部５２４の各電極引出溝５１２Ａ，５１２Ｂに対向する領域に形成され、上記外縁から所定距離Ｄ１の位置に内縁を有する平面である。

第四平面部５２４は、第三平面部５２３よりも基板の厚みが小さくなっており、第三平面部５２３と第四平面部５２４との間に段差が設けられている。
また、第五平面部５２５は、第四平面部５２４よりも基板の厚みが小さくなっており、第四平面部５２４と第五平面部５２５との間に段差が設けられている。

（第三基板の構成）
図７は、第三基板５３を第二基板５２側から見た平面図である。
第三基板５３は、図７に示すようなフィルター平面視において、平面中心点Ｏを中心とし、第二基板５２の保持部５２２と対向する領域に、保持部５２２と同一寸法のギャップ形成溝５３１が形成されている。
また、第三基板５３は、第一電極引出部５１３Ａ及び第二電極引出部５１３Ｂに対向する領域、すなわち、正方形状の４つの頂点に対応する領域に、切欠きが形成されており、フィルター平面視において八角形状の外形を有する。
また、第三基板５３の両面には所定範囲外の波長の光を反射又は吸収する光学膜５３２が、固定反射膜５４及び可動反射膜５５と同心円状に形成されている。

そして、図３，４に示すように、第三基板５３の第二基板５２に対向する面のうち、フィルター平面視においてギャップ形成溝５３１よりも外側の面は、第六平面部５３３、第七平面部５３４及び第八平面部５３５を構成する。
第六平面部５３３は、フィルター平面視において、内縁がギャップ形成溝５３１に沿って形成されている。
第七平面部５３４は、フィルター平面視において、第三基板５３の八角形状の外縁から所定距離Ｄ２の位置を内縁とし、所定距離Ｄ１の位置を外縁とする平面を有する。
第八平面部５３５は、フィルター平面視において、第三基板５３の八角形状の外縁から所定距離Ｄ１の位置に内縁を有する平面である。

第七平面部５３４は、第六平面部５３３よりも基板の厚みが小さくなっており、第六平面部５３３と第七平面部５３４との間に段差が設けられている。
また、第八平面部５３５は、第七平面部５３４よりも基板の厚みが小さくなっており、第七平面部５３４と第八平面部５３５との間に段差が設けられている。

（第一接合膜、第二接合膜）
第一基板５１及び第二基板５２は、フィルター平面視において、第一平面部５１５の電極配置溝５１１（第三平面部５２３の保持部５２２）の形成領域に沿った円環状の領域（接合領域Ａｒ１）に配置された第一接合膜５７１によって接合される。
第二基板５２及び第三基板５３は、フィルター平面視において、第二基板の上面５２６の保持部５２２、及び第六平面部５３３のギャップ形成溝５３１に沿った円環状の領域（接合領域Ａｒ１）に配置された第二接合膜５７２によって接合される。
第一接合膜５７１及び第二接合膜５７２としては、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等を例示できる。これら各接合膜５７１，５７２は、本発明の接合部に相当する。

（封止材）
上述したような第一基板５１、第二基板５２、及び第三基板５３は、図３及び図４に示すように、接合領域Ａｒ１において、第一接合膜５７１及び第二接合膜５７２によって接合される。
その結果、フィルター平面視において、接合領域Ａｒ１の外側には、各基板５１，５２，５３がそれぞれ対向する領域の外周から内側に向かって、各基板間の距離ｄ（以下、基板間距離ｄとも称する、図３及び図４参照）が小さくなる間隙が形成される。すなわち、第一基板５１及び第二基板５２の間に第一間隙部５７３が、第二基板５２及び第三基板５３の間に第二間隙部５７４が形成される。これらの各間隙部５７３，５７４を、本発明の封止部に相当する封止材５７５によって封止して、波長可変干渉フィルター５が形成される。各間隙部５７３，５７４が形成された領域を封止領域Ａｒ２とする。
なお、基板間距離ｄは、対向する各基板５１，５２，５３のそれぞれの対向面の間の距離であり、各反射膜５４，５５に垂直な方向に沿って測定した差異の各基板間の距離である。

封止材５７５としては、パリレンＣ、パリレンＮ、パリレンＤ、及びパリレンＨＴ等によって例示されるパラキシリレン系ポリマー（パリレン）、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）や化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）等によって成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮ、及びＡｌ_２Ｏ_３等の無機薄膜、並びに、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ナイロン、及びエチレンビニルアルコール等の樹脂が用いられる。

［検出部、Ｉ−Ｖ変換器、アンプ、Ａ／Ｄ変換器、及び電圧制御部の構成］
検出部１１は、波長可変干渉フィルター５の各反射膜５４，５５が対向する光干渉領域Ａｒ０を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号を出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、検出部１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
電圧制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に対して電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極及び可動電極間で静電引力が発生し、可動部５２１が第一基板５１側に変位して、反射膜間ギャップＧの寸法が所定値に設定される。

［制御部の構成］
図１に戻り、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、フィルター駆動部と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。
また、制御部２０は、各種データを記憶する記憶部３０を備える。この記憶部３０は、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧に対する、当該波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長の関係を示すＶ−λデータを記憶する。

フィルター駆動部は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の波長を設定するための駆動電圧（目標電圧）を設定し、設定した目標電圧に応じた電圧指示信号を電圧制御部１５に出力する。
ここで、フィルター駆動部は、記憶部３０に記憶されたＶ−λデータから、測定対象である目的波長に対応した駆動電圧を読み出し、読み出した駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加する。

光量取得部２２は、検出部１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。

［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、波長可変干渉フィルター５の製造方法について説明する。
まず、上述の各基板５１，５２，５３を形成する。なお、第一基板５１及び第三基板５３は、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２を減圧状態とした際に、撓まない程度の剛性を確保できる厚さに形成する。

次に、各基板５１，５２，５３を接合する。ここで、各接合膜５７１，５７２には、例えばプラズマ重合膜が用いられる。具体的には、各基板５１，５２，５３の接合領域Ａｒ１にプラズマ重合法などによりプラズマ重合膜を形成し、プラズマ重合膜に紫外線を照射又はプラズマ処理をした後に、各基板５１，５２，５３を重ね合せることで、各基板５１，５２，５３が接合される。プラズマ重合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として用いるのが好ましく、その平均厚みは、約１０ｎｍから１０００ｎｍである。

このように、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いた活性化接合を実施することで、温度によらず、容易にプラズマ重合膜を接合できる。
また、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いることにより、接合対象となる各基板５１，５２，５３の素材によらず、又、表面の平坦度が良好でない場合でも、良好な接合強度を得ることができる。
なお、各基板５１，５２，５３の接合は、上記接合方法以外にも、例えば、粘着性薄膜（接着剤）による接合方法や、金属膜による接合方法などを利用できる。

（封止工程及びチップ形成工程）
図８は、各基板５１，５２，５３を接合した後の封止及びチップ形成工程を示す図である。ここでは、各基板５１，５２，５３を一枚の基材にそれぞれ形成し、この基材をそれぞれ接合して、最後に個別の波長可変干渉フィルター５に個片化する製造方法について説明する。

図８（Ａ）は、各基板５１，５２，５３を接合した状態を示している。各基板５１，５２，５３を接合した後、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２を大気圧より減圧された状態とする。第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２が減圧された状態（例えば真空状態）で、第一間隙部５７３及び第二間隙部５７４を封止材５７５により密封する（図８（Ｂ）参照）。
封止材５７５には、例えばパラキシリレン系ポリマー（パリレン）を用いる。具体的には、接合された各基板５１，５２，５３が配置された真空チャンバー内に、パリレンのモノマーガスを導入することで、接合された各基板５１，５２，５３の表面に均一なパリレン薄膜が室温で成膜される。
パリレンは、微細な間隙にも浸透する。従って、第一間隙部５７３及び第二間隙部５７４の内部にもパリレンが浸透し、成膜されて封止材５７５が形成される。これにより、第一間隙部５７３及び第二間隙部５７４が封止される。

封止材５７５による封止を行った後、反応性インエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）等のプラズマ処理により、基板の厚み方向に異方性エッチングを行い、第三基板５３の上面に成膜された封止材５７５と、固定電極パッド５６３Ｐ及び可動電極パッド５６４Ｐの全面を覆った封止材５７５の一部とを除去する（図８（Ｃ）参照）。例えば、封止材５７５にパリレンを用いた場合、Ｏ_２ガスを用いたプラズマ処理を行う。
次に、図８（Ｄ）の破線に示す切断ラインＬ１，Ｌ２に沿って切断することにより個片化され、複数の波長可変干渉フィルター５が形成される（図８（Ｅ）参照）。

［第一実施形態の作用効果］
本実施形態では、第一基板５１及び第二基板５２は、その外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離ｄが小さくなる第一間隙部５７３を形成している。そして、フィルター平面視において、第一間隙部５７３よりも内側に第一接合膜５７１が配置され、各基板５１，５２が接合されており、第一間隙部５７３が封止材５７５により封止されている。
これにより、接合と封止とを別々の材料、方法で行うことができる。従って、第一接合膜５７１は、封止性能を考慮せず、所望の接合強度を得られるように接合を行うことができる。一方で、封止材５７５による封止は、接合強度を考慮せずに、所望の封止性能を得られる材料や方法を選択できる。これにより、接合強度と封止性能の向上の両立を容易に実現できる。
また、接合の後に封止を行うため、接合方法の自由度が向上する。例えば、大気圧雰囲気下で接合を行うことができ、接合工程の簡略化を行うことができる。

また、第一基板５１及び第二基板５２は、フィルター平面視において、外周縁から内側に向かうにつれて基板間の距離ｄが小さくなるような第一間隙部５７３を形成している。特に本実施形態では、複数の段差で構成されている。
これにより、間隙のより内側まで封止材５７５を成膜させることができる。これにより、封止距離を長くすることができ、封止性能の向上を図ることができる。
すなわち、本実施形態のように、真空チャンバー内部に充填された、封止材５７５の材料を蒸着により成膜させる場合、封止距離は、間隙の基板厚み方向の寸法（高さ）に応じて決まる。すなわち、高さが大きいと、封止距離は長くなり、小さいと、封止距離は短くなる。
従って、接合領域Ａｒ１よりも外側に複数の段差を設けることにより、単に、接合領域Ａｒ１と同じ高さの間隙を設ける場合よりも、内側まで封止材５７５を成膜させることができ、封止距離を延ばすことができる。これにより、封止性能の向上を図ることができる。

また、このような封止構造を備える波長可変干渉フィルター５では、接合と封止を異なる部材で行うことにより、それぞれに適切な材料及び方法を選択することが容易となる。
すなわち、接合方法では、適切な接合強度を得る方法であることはもちろんのこと、基板間を平行かつ適切な距離（設計値）で接合できる必要がある。従って、使用可能な方法が制限され、このような制限の下で、併せて封止性能を満足させることは容易ではなかった。これに対して、本実施形態のように、接合領域Ａｒ１の外側に基板間距離ｄが外側から内側に向かうにつれて小さくなるような封止領域Ａｒ２を設け、当該封止領域Ａｒ２を封止することにより、接合強度及び封止性能の向上を両立させることが容易となる。

本実形態では、第二基板５２と第三基板５３との間にも、同様に、接合領域Ａｒ１と封止領域Ａｒ２が設けられており、第二基板５２と第三基板５３との間でも上記封止構造を備えることにより、接合強度及び封止性能の向上を両立させることが容易となる。
また、本実施形態では、封止性能を向上させることができるので、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２に外部からの異物の混入を抑制することができ、環境要因による静電アクチュエーター５６や各反射膜５４，５５の劣化を抑制できる。従って、駆動特性や光学特性の劣化を抑制でき、長期間にわたり信頼性を維持できる波長可変干渉フィルター５を提供することができる。
さらに、光学モジュール１０及び分光測定装置１は、このような波長可変干渉フィルター５を備えることにより、長期間にわたり高い精度での測定が可能となる。

本実施形態では、封止材５７５として、パラキシリレン系ポリマー（パリレン）を用いることにより、封止性能の向上を図るとともに、高い性能を有する波長可変干渉フィルター５を効率良く製造できる。
すなわち、パリレンは、微細な間隙に成膜でき、間隙の奥深くまで封止材を成膜させることができる。従って、封止距離を長くすることができ、封止性能の向上を図ることができる。
また、パリレンは室温で成膜することができ、熱による波長可変干渉フィルター５への影響、すなわち熱膨張による応力の発生や、ミラーの劣化等を抑制でき、高い性能を有する波長可変干渉フィルター５を製造できる。
また、大きな基板上に複数の波長可変干渉フィルター５を形成し、これらを個片化して複数の波長可変干渉フィルター５を製造する場合に、これらを同時に封止することができるので、製造効率を向上させることができる。
なお、特にパリレンＣは、高いガスバリア性を有するので、このパリレンＣを封止材として用いることにより、封止性能をより向上させることができる。

なお、封止材５７５は、パリレンに限定されず、ＡＬＤ）や、ＣＶＤによって形成してもよい。ＡＬＤやＣＶＤによって形成される、封止材５７５としては、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機薄膜である。
このように、ＡＬＤやＣＶＤにより封止材５７５を成膜することにより、上述のように複数の波長可変干渉フィルター５を同時に封止することができるので、製造効率を向上させることができる。

本実施形態では、接合膜として、プラズマ重合膜を用いている。各基板５１，５２，５３の製造時において複数の加工プロセスにより接合面の面精度が悪化した場合でも、プラズマ重合膜は、表面の凹凸を吸収することができる。これにより、表面を平坦化しなくとも、各基板５１，５２，５３を接合させることができる。

また、本実施形態では、保持部５２２は、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２を連通する貫通孔５２２Ａを有する。
これにより、第一内部空間５８１と第二内部空間５８２との圧力を均一にできる。従って、各内部空間の圧力差による可動反射膜５５に対する外力の変化を抑制でき、精度良く可動反射膜５５を移動させることができる。
また、このような波長可変干渉フィルター５を用いた光学モジュール１０及び分光測定装置１では、波長可変干渉フィルター５の可動反射膜５５を精度よく移動させることができるので、測定対象光を高精度に分光して受光し、測定対象光を高精度に分析できる。
また、本実施形態では、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２の内部圧力は、大気圧よりも低い。このように、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２内の圧力を減圧することで、可動部５２１の応答性を良好にできる。

［第二実施形態］
次に、本発明に係る第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
図９は、本発明の第二実施形態である波長可変干渉フィルター５Ａの概略構成を示す断面図である。なお、以降の説明では、第一実施形態と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター５は、封止領域Ａｒ２において、複数の段差によって形成された、外縁から内部に向かうにつれて基板間距離ｄが小さくなる第一間隙部５７３及び第二間隙部５７４を有している。
これに対して、本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａは、傾斜面によって形成された第一間隙部５７３Ａ及び第二間隙部５７４Ａを有している。

［波長可変干渉フィルターの構成］
波長可変干渉フィルター５Ａは、図９に示すように、第一基板５１Ａ、第二基板５２Ａ、及び第三基板５３Ａを備えている。
第一基板５１Ａの第二基板５２Ａに対向する面のうち、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１４、各電極引出溝５１２Ａ，５１２Ｂ、各電極引出部５１３Ａ，５１３Ｂが形成された面を除く面は、第一平面部５１５及び第一傾斜部５１６Ａを構成する。
第一平面部５１５は、フィルター平面視において、内縁が電極配置溝５１１に沿って形成されている。
第一傾斜部５１６Ａは、フィルター平面視において、八角形状の外周をその外縁とし、外縁から所定距離Ｄ１の位置に向かって、第一基板５１Ａの厚みが大きくなるように傾斜する傾斜面を有する。

第二基板５２Ａの第一基板５１Ａに対向する面のうち、フィルター平面視において保持部５２２よりも外側の面は、第三平面部５２３及び第二傾斜部５２４Ａを構成する。
第二傾斜部５２４Ａは、フィルター平面視において、八角形状の基板の外周を外縁とし、外縁から所定距離Ｄ２の位置に向かって、第二基板５２Ａの厚みが大きくなるように傾斜する傾斜面を有する。

第三基板５３Ａの第二基板５２Ａに対向する面のうち、フィルター平面視においてギャップ形成溝５３１よりも外側の面は、第六平面部５３３、及び第三傾斜部５３４Ａを構成する。
第六平面部５３３は、フィルター平面視において、内縁がギャップ形成溝５３１に沿って形成されている。
第三傾斜部５３４Ａは、フィルター平面視において、八角形状の第三基板５３の外周を外縁とし、外縁から所定距離Ｄ２の位置に向かって、第三基板５３Ａの厚みが大きくなるように傾斜する傾斜面を有する。

第一基板５１Ａ、第二基板５２Ａ、及び第三基板５３Ａは、第一実施形態と同様に、接合領域Ａｒ１において、第一接合膜５７１及び第二接合膜５７２によって接合される。
また、フィルター平面視において、接合領域Ａｒ１の外側には、各基板５１Ａ，５２Ａ，５３Ａがそれぞれ対向する領域の外周から内側に向かって、基板間距離ｄが小さくなる封止領域Ａｒ２が形成される。すなわち、第一基板５１Ａ及び第二基板５２Ａの間に第一間隙部５７３Ａが、第二基板５２Ａ及び第三基板５３Ａの間に第二間隙部５７４Ａが形成される。これらの各間隙部５７３Ａ，５７４Ａを封止材５７５によって封止して、波長可変干渉フィルター５Ａが形成される。
このように構成された波長可変干渉フィルター５Ａも第一実施形態の波長可変干渉フィルター５と同様の方法で製造される。

［第二実施形態の作用効果］
本実施形態においても、第一実施形態同様に、フィルター平面視において、その外周縁から内側に向かうにつれて、基板間距離ｄが小さくなる封止領域Ａｒ２が形成され、封止材５７５により封止されている。これにより、接合強度と封止性能の向上の両立を容易に実現できる。
特に本実施形態では、第一傾斜部５１６Ａ、第二傾斜部５２４Ａ、及び第三傾斜部５３４Ａによって封止領域Ａｒ２が構成されることにより、基板間距離ｄを連続的に変化させることができる。これにより、封止材５７５を第一間隙部５７３Ａ及び第二間隙部５７４Ａの、より内側まで形成することができ、封止距離をより長くすることができ、封止性能を向上させることができる。

［実施形態の変形］
なお、本発明は前述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記各実施形態では、第二基板５２上に可動反射膜５５，５２Ａが設けられる波長可変干渉フィルター５，５Ａを例示したが、これに限定されない。本発明は、一対の基板のそれぞれに反射膜が設けられた構成に限定されず、１つの基板上に一対の反射膜が対向して設けられるファブリーペローエタロンに対して適用してもよい。

図１０は、本発明の一変形例である波長可変干渉フィルター５Ｂの概略構成を示す断面図である。
図１０に示すように、第一基板６０１上に固定反射膜６０２が設けられている。この固定反射膜６０２上には犠牲層６０３が設けられ、この犠牲層６０３に支持されて可動反射膜６０４が設けられている。なお、可動反射膜６０４には、可動反射膜６０４の両側の空間を連通させる貫通孔（不図示）が設けられている。
固定反射膜６０２には固定電極６０５が設けられ、可動反射膜６０４の固定電極６０５に対向する領域には可動電極６０６が設けられている。

このような構造は、第一基板６０１上に、固定反射膜６０２及び固定電極６０５を順次形成した後に、その上に犠牲層を形成し、この犠牲層の上に可動電極６０６及び可動反射膜６０４を順次形成する。そして、犠牲層の一部を、例えばエッチングにより除去して、可動反射膜６０４を支持するとともに反射膜間のギャップを維持する犠牲層６０３を形成する。この犠牲層６０３は、固定反射膜６０２と可動反射膜６０４との間に空間６０７を形成するためのスペーサーとして機能する。なお、この空間６０７、すなわち反射膜間のギャップは、犠牲層が除去されることで形成される。
このようにして、固定反射膜６０２と可動反射膜６０４とが対向して、ファブリーペローエタロンを形成する。

さらに、図１０に示すように、固定反射膜６０２及び可動反射膜６０４を覆って、第一基板６０１上に第二基板６０８が配置されている。
第二基板６０８は、第一実施形態の第三基板５３と同様に、ギャップ形成溝６０８Ａが形成されており、このギャップ形成溝６０８Ａに沿って接合領域が形成されている。この接合領域に接合膜６０９が設けられ、第一基板６０１と第二基板６０８とが接合されている。
また、第二基板６０８は、第一実施形態の第三基板５３と同様に、接合領域の外側に、複数段の段差を有し、外側から内側に向かって第一基板６０１と第二基板６０８との距離である基板間距離ｄが小さくなる封止領域が形成されている。この封止領域に封止材６１０が成膜され、ギャップ形成溝６０８Ａによって形成された内部空間６１１が封止される。

このように構成された波長可変干渉フィルター５Ｂにおいても、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、第二基板６０８は、第一実施形態と同様に複数の段差によって封止領域が形成される構成について説明したが、これに限定されず、第二実施形態と同様に傾斜部によって封止領域が形成される構成としもよい。

上記各実施形態では、貫通孔５２２Ａは、保持部５２２に設けられている構成を例示したが、本発明はこれに限定されない。貫通孔５２２Ａは、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２を連通可能であればよく、例えば可動部５２１に設けられてもよい。
上記各実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成としてもよい。この場合、貫通孔５２２Ａは不要である。
上記各実施形態では、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２が減圧状態である構成を例示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２に不活性ガスが充填され、第一内部空間５８１及び第二内部空間５８２が大気圧や加圧状態である構成としてもよい。

上記各実施形態及び変形例では、本発明のギャップ変更部として静電アクチュエーターを例示したが、これに限定されない。例えば、ギャップ変更部として、固定電極５６１の代わりに第一誘電コイルを配置し、可動電極５６２の代わりに第二誘電コイル又は永久磁石を配置した誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。その他、圧電素子を用いて可動部５２１を変位させる構成、空気圧により反射膜間ギャップを変化させる構成など、反射膜間ギャップＧを変化させることが可能な構成であれば、ギャップ変更部として、いかなる駆動手段を用いてもよい。

上記各実施形態及び変形例では、波長可変型のファブリーペローエタロンである波長可変干渉フィルター５，５Ａ，５Ｂについて説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、ギャップ変更部を備えていない波長固定型のファブリーペローエタロンであってもよい。この場合でも、内部空間の封止を好適に行うことができ、反射膜の劣化を抑制できる。なお、この場合、可動反射膜の両側の空間を連通させる貫通孔は不要である。

上記各実施形態及び変形例では、波長可変干渉フィルター５，５Ａ，５Ｂにおける基板間の封止構造について説明したが、本発明はこれに限定されず、２枚の基板の接合及び基板間に形成される空間の封止を行う場合の封止構造に用いてよい。

また、本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
例えば、図１１に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１１は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。

この測色装置４００は、図１１に示すように、測定対象Ｘに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を測定対象Ｘにて反射させ、反射された測定対象光を測色センサー４２０にて受光し、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、測定対象光の色度、すなわち測定対象Ｘの色を分析して測定する装置である。

光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１１には１つのみ記載）を備え、測定対象Ｘに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ｘに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば測定対象Ｘが液晶ディスプレイなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。

測色センサー４２０は、本発明の光学モジュールであり、図１１に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光する検出部１１と、波長可変干渉フィルター５で透過させる光の波長に応じた電圧を印加させる電圧制御部１５とを備える。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、測定対象Ｘで反射された反射光（測定対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した測定対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を検出部１１にて受光する。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、上述した波長可変干渉フィルター５Ａ，５Ｂが設けられる構成としてもよい。

制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１１に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の電圧制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、検出部１１により検出された受光量から、測定対象Ｘの色度を分析する。

また、本発明の電子機器として、例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学フィルターデバイスを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。

このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
図１２は、光学フィルターデバイスを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１３は、図１２に示すガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
ガス検出装置１００は、図１２に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（検出部）等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１２に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１３に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１４６、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。

次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。

また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１４６を制御し、波長可変干渉フィルター５に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。

なお、上記図１２及び図１３において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、光学フィルターデバイスを用いてガスの成分を検出することができる。

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。

図１４は、波長可変干渉フィルター５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１４に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（検出部）と、を備えている。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部２２２と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。

この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部２２２の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部２２２を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。

また、図１４において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

さらには、本発明の干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、本発明の干渉フィルターを備える光学モジュールにおいて、干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。

また、電子機器としては、本発明の光学フィルターデバイスが備える干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１５は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１５に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０（検出部）とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１５に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。

さらには、本発明の干渉フィルターを備える光学フィルターデバイスをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の干渉フィルターを備える光学フィルターデバイスを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。

さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

上記に示すように、本発明の干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の干渉フィルターを備える光学フィルターデバイスは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。従って、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。

１…分光測定装置、５，５Ａ，５Ｂ…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール、１１…検出部、１５…電圧制御部、２０…制御部、５１，５１Ａ，６０１…第一基板、５２，５２Ａ，６０８…第二基板、５３…第三基板、５４，６０２…固定反射膜、５５，６０４…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター、１００…ガス検出装置、１３７…受光素子、１３８…制御部、２００…食物分析装置、２１３…撮像部、２２０…制御部、３００…分光カメラ、３３０…撮像部、４００…測色装置、４３２…測色センサー制御部、５２２Ａ…貫通孔、５７１…第一接合膜、５７２…第二接合膜、５７３，５７３Ａ…第一間隙部、５７４，５７４Ａ…第二間隙部、５７５…封止材、５８１…第一内部空間、５８２…第二内部空間、６０９…接合膜、６１０…封止材、６１１…内部空間。

Claims (16)

1. 第一基板と、
   前記第一基板に対向する第二基板と、
   前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、
   前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた内部空間を外部と連通させる間隙部に配置され、前記内部空間を封止する封止部と、を備え、
   前記間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる
   ことを特徴とする封止構造。
2. 請求項１に記載の封止構造において、
   前記間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成された
   ことを特徴とする封止構造。
3. 請求項１又は請求項２に記載の封止構造において、
   前記間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成された
   ことを特徴とする封止構造。
4. 第一基板と、
   前記第一基板に対向する第二基板と、
   前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜と、
   前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜と、
   前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、
   前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部と、を備え、
   前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる
   ことを特徴とする干渉フィルター。
5. 請求項４に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第一間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成された
   ことを特徴とする干渉フィルター。
6. 請求項４又は請求項５に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第一間隙部は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成された
   ことを特徴とする干渉フィルター。
7. 請求項４から請求項６のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第二基板の前記第一基板とは反対側に対向配置された第三基板と、
   前記第二基板と前記第三基板とを接合する第二接合部と、を備え、
   前記封止部は、前記第二基板及び前記第三基板間において前記第二基板及び前記第三基板により挟まれる第二内部空間を外部と連通させる第二間隙部に配置され、前記第二内部空間を封止し、
   前記第二間隙部における前記第二基板及び前記第三基板の基板間距離は、前記平面視において、前記第二基板及び前記第三基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる
   ことを特徴とする干渉フィルター。
8. 請求項７に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第二間隙部は、前記第二基板及び前記第三基板の少なくともいずれかに形成された複数の段差により構成された
   ことを特徴とする干渉フィルター。
9. 請求項７又は請求項８に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第二間隙部は、前記第二基板及び前記第三基板の少なくともいずれかに形成された傾斜面により構成された
   ことを特徴とする干渉フィルター。
10. 請求項７から請求項９のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
    前記第一内部空間及び前記第二内部空間の内部圧力は、大気圧よりも低い
    ことを特徴とする干渉フィルター。
11. 請求項７から請求項１０のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
    前記第一反射膜及び前記第二反射膜間のギャップの寸法を変更するギャップ変更部を備え、
    前記第二基板は、前記第一内部空間及び前記第二内部空間を連通する貫通孔を有する
    ことを特徴とする干渉フィルター。
12. 請求項４から請求項１１のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
    前記封止部は、パラキシリレン系ポリマーである
    ことを特徴とする干渉フィルター。
13. 請求項４から請求項１１のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
    前記封止部は、原子層堆積法又は化学気相成長法によって形成された
    ことを特徴とする干渉フィルター。
14. 請求項４から請求項１３のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
    前記接合部は、プラズマ重合膜である
    ことを特徴とする干渉フィルター。
15. 第一基板と、
    前記第一基板に対向する第二基板と、
    前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜と、
    前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜と、
    前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部と、
    前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部と、
    前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、
    前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる
    ことを特徴とする光学モジュール。
16. 第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し少なくとも一部を透過する第二反射膜、前記第一基板及び前記第二基板を接合する接合部、並びに、前記第一基板及び前記第二基板間において前記第一基板及び前記第二基板により挟まれた第一内部空間を外部と連通させる第一間隙部に配置され、前記第一内部空間を封止する封止部、を備えた干渉フィルターと、
    前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、
    前記第一間隙部における前記第一基板及び前記第二基板の基板間距離は、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の外周縁から内側に向かうにしたがって小さくなる
    ことを特徴とする電子機器。