JP2012163912A - 波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置および波長可変干渉フィルターの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】可動ミラーの応答性を向上できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置、および波長可変干渉フィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定ミラー５５を有する第一基板５１と、第一基板５１に接合され、可動部５２２および可動部５２２に固定される可動ミラー５６を備えた第二基板５２と、第一基板５１とは反対側で第二基板５２に接合される第三基板５３と、可動部５２２を基板対向方向に変位させる静電アクチュエーター５４とを備え、第一基板５１と第二基板５２との間の射出側空間５８１および第二基板５２と第三基板５３との間の入射側空間５８２を外部に連通する貫通孔５１７が形成され、貫通孔５１７は各空間５８１，５８２を減圧状態に密閉する封止材で封止される。
【選択図】図３

Description

本発明は、入射光から所望の目的波長の光を選択して射出する波長可変干渉フィルター、この波長可変干渉フィルターを備えた光モジュール、この光モジュールを備えた光分析装置、および前記波長可変干渉フィルターの製造方法に関する。

従来、一対の反射ミラー間で光を反射させ、特定波長の光を透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光を取得する分光フィルターが知られている。また、このような分光フィルターとして、ミラー間の距離を調整することで、射出させる光を選択して射出させる波長可変干渉フィルターが知られている（例えば特許文献１参照）。

特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、ＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板に形成された固定ミラーと、貫通孔を有し固定ミラーに対向配置された可動ミラーとを備えている。この波長可変干渉フィルターは、可動ミラーの貫通孔により駆動時の空気圧縮に伴う空気抵抗を緩和して、可動ミラーの振動を抑制する。

特開２００７−２９９００８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターでは、可動部を収容する内部空間が大気圧雰囲気であり、駆動時に可動ミラーが空気抵抗を受けることになる。このため、空気抵抗により可動ミラーの応答性が十分に確保できないという問題がある。

本発明の目的は、可動ミラーの応答性を向上できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置および波長可変干渉フィルターの製造方法を提供することにある。

本発明の波長可変干渉フィルターは、透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し、前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、前記第二基板に設けられ、前記可動部を基板厚み方向に移動可能に保持する連結保持部と、前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のミラー間ギャップを介して対向配置される一対のミラーと、前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する一対の変位用電極を有し、これらの変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を前記基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターとを備え、前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ環状の接合層により接合され、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二内部空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材で封止されていることを特徴とする。

この発明では、第一基板と第二基板とにより挟まれた第一内部空間および第二基板と第三基板とに挟まれた第二内部空間を、外部に連通する貫通孔が形成され、貫通孔を封止材で封止して各内部空間を減圧状態に密閉する。この場合、貫通孔を真空ポンプに接続して各内部空間の空気を吸引することなどにより、内部空間を大気圧より減圧状態とすることができるので、基板の接合後に各内部空間を減圧状態で封止することできる。このため、ミラーが設けられた可動部が減圧状態の内部空間内に配置されるため、駆動時に可動ミラーに空気抵抗が働くことを防ぐことができる。従って、可動ミラーの応答性を向上でき、可動ミラーの応答性を十分に確保することができる。
また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板間の接合品質を確保できる。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第二基板に形成され、前記第一内部空間と前記第二内部空間とを連通する第二貫通孔とを備え、前記第一貫通孔が前記封止材で封止されていることが好ましい。

この発明では、第一内部空間に連通する第一貫通孔が第一基板に形成され、第一内部空間と第二内部空間とを連通する第二貫通孔が第二基板に形成されているため、第一貫通孔からの空気吸引により、各内部空間を大気圧より減圧状態とすることができる。従って、第一貫通孔のみを封止することで、各内部空間を減圧状態で封止することができるので、封止材の数や量が少なくてすむ。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第三基板に形成され、前記第二内部空間と基板外部とを連通する第三貫通孔とを備え、前記第一貫通孔および前記第三貫通孔が前記封止材で封止されていることが好ましい。

この発明では、第一内部空間に連通する第一貫通孔が第一基板に形成され、第二内部空間に連通する第三貫通孔が第三基板に形成されているため、各内部空間内の空気をそれぞれ独立して吸引することができる。従って、各内部空間を減圧状態にする時間を短縮することができ、波長可変干渉フィルターの製造効率を向上できる。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記一対の変位用電極は、前記第一基板に設けられた第一変位用電極と、前記第二基板に設けられた第二変位用電極とを備え、前記第一基板には、前記第一基板を貫通し前記第一変位用電極に接続された第一貫通電極と、前記第一基板を貫通する第二貫通電極とが形成され、前記第一基板または前記第二基板の前記第一内部空間に臨む面には、前記第二貫通電極と前記第二変位用電極とを接続するバンプ電極が設けられていることが好ましい。

この発明では、第一貫通電極および第二貫通電極が第一基板に形成されている。そして、第一貫通電極が第一変位用電極に接続され、バンプ電極が第二貫通電極と第二変位用電極とを接続する。このため、波長可変干渉フィルターの外部からの第一および第二変位用電極への導通を確保することができる。また、これら電極を第一基板側に集中して形成するため、各電極を接続するための配線を簡略化でき、基板への各電極の実装を容易に行うことができる。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記封止材は、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成されていることが好ましい。

この発明では、内部空間の封止用の封止材が、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成される。このため、封止時に波長可変干渉フィルターに伝わる熱量を小さくすることができ、封止工程におけるミラー、静電アクチュエーター、接合層等の熱劣化を防ぐことができる。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一基板には、前記一対の変位用電極に接続された貫通電極と、前記貫通電極の形成用に前記第一基板を貫通する電極形成孔が形成され、前記電極形成孔は、前記貫通孔を兼ね、前記貫通電極は、前記封止材を兼ねていることが好ましい。

この発明では、変位用電極に接続された貫通電極の形成用の電極形成孔が、第一基板に形成された貫通孔を兼ね、貫通電極が封止材を兼ねる。このような構成によれば、貫通電極を形成することで各内部空間を封止できるので、変位用電極と導通する貫通電極の形成と内部空間の減圧状態での封止とを、同時に行うことができる。このため、波長可変干渉フィルターの製造プロセスを簡略化でき、波長可変干渉フィルターの製造効率を向上できる。

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第三基板には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が形成されることが好ましい。

この発明では、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が第三基板に形成されるため、第三基板への光の入射時に、特定範囲外の波長の光を除去することができる。つまり、光学膜をバンドパスフィルターとして機能させることができる。このため、バンドパスフィルターを別途設ける必要がなく、波長可変干渉フィルターの部品点数を削減することができる。従って、波長可変干渉フィルターの小型化や低コスト化を図ることができる。

本発明の光モジュールは、上述した波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段とを備えることを特徴とする。

この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの可動ミラーの応答性を向上することができるので、検査対象光を速やかに受光することができる。また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、波長可変干渉フィルターの基板間の接合品質を確保できる。

本発明の光分析装置は、上述した光モジュールと、前記光モジュールの前記受光手段により受光された光に基づいて、光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とすることを特徴とする。

この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの可動ミラーの応答性を向上することができるので、検査対象光の各色成分の強度を速やかに分析することができる。また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、波長可変干渉フィルターの基板間の接合品質を確保できる。

本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法は、透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材を備えた波長可変干渉フィルターの製造方法であって、前記第一基板、前記第二基板および前記第三基板を互いに接合する工程と、前記貫通孔を介して前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧状態にする工程と、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧状態にした状態で、前記貫通孔を前記封止材で封止する工程とを備えることを特徴とする。

この発明では、基板の接合後に、第一内部空間および第二内部空間を大気圧より減圧状態にして各内部空間を封止するため、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができる。このため、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板間の接合品質を向上できる。また、ミラーが設けられた可動部が減圧状態の内部空間内に配置されるため、可動ミラーに空気抵抗が働くことを防ぐことができ、可動ミラーの応答性を十分に確保することができる。

本発明に係る第一実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。 第一実施形態の波長可変干渉フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図である。 第一実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。 第一実施形態の第一基板を第二基板側から見た平面図である。 第二実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。 第三実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。 第三実施形態のエタロンの内部空間の封止工程を示す図である。

〔第一実施形態〕
以下、本発明に係る第一実施形態の光分析装置としての測色装置について、図面を参照して説明する。
〔１．測色装置の全体構成〕
図１は、本発明に係る第一実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。
この測色装置１は、図１に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光モジュールとしての測色センサー３と、測色装置１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この測色装置１は、光源装置２から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサーにて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。

〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。

〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、図１に示すように、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する受光手段としての受光素子３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段６とを備えている。また、測色センサー３は、エタロン５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。

（３−１．エタロンの構成）
図２は、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５の概略構成を示す平面図であり、図３は、エタロン５の断面図である。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。

エタロン５は、図２に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、図３に示すように、第一基板５１、第二基板５２、および第三基板５３を備えている。これらの３枚の基板５１，５２，５３は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板５１，５２，５３の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより基板５１，５２，５３を形成することで、後述するミラー５５，５６や各電極の密着性、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。そして、これらの３つの基板５１，５２，５３は、外周部近傍に形成される接合面５１３，５２４，５２５，５３２が接合層５７１，５７２により接合されることで、一体的に構成されている。

そして、第一基板５１と、第二基板５２との間には、本発明の一対のミラーを構成する固定ミラー５５および可動ミラー５６が設けられる。ここで、固定ミラー５５は、第一基板５１の第二基板５２に対向する面に固定され、可動ミラー５６は、第二基板５２の第一基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー５５および可動ミラー５６は、ミラー間ギャップＧを介して対向配置されている。
さらに、第一基板５１と第二基板５２との間には、固定ミラー５５および可動ミラー５６の間のミラー間ギャップＧの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。

（３−１−１．第一基板の構成）
図４は、第一基板５１を第二基板５２側から見た平面図である。
第一基板５１は、厚みが例えば１ｍｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図３および図４に示すように、第一基板５１には、エッチングによりミラー固定部５１１および電極形成溝５１２が形成される。
ミラー固定部５１１は、第一基板５１の基板厚み方向から第一基板５１を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。電極形成溝５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１２と同心円で電極形成溝５１２よりも径寸法が大きい円形に形成されている。

ミラー固定部５１１は、第一基板５１の表面からの深さが、例えば５００ｎｍに形成されている。ミラー固定部５１１の深さ寸法は、ミラー固定部５１１の表面（ミラー固定面５１１Ａ）に固定される固定ミラー５５、および第二基板５２に形成される可動ミラー５６の間のミラー間ギャップＧの寸法、固定ミラー５５や可動ミラー５６の厚み寸法により適宜設定される。また、ミラー固定部５１１は、エタロン５を透過させる波長域をも考慮して、深さが設計されることが好ましい。

そして、ミラー固定面５１１Ａには、円形状に形成される固定ミラー５５が固定されている。この固定ミラー５５は、高反射率が得られるＡｇ合金やＡｌ合金等の金属合金膜であり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定部５１１に形成される。
なお、本実施形態では、固定ミラー５５としてはＡｇ合金やＡｌ合金等の金属合金膜を用いるが、これに限定されず、例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系膜誘電体多層膜や、ＡｇＣ単層の固定ミラーを用いる構成としてもよい。

電極形成溝５１２は、第一基板５１の表面からの深さが、例えば１μｍに形成されている。電極形成溝５１２には、ミラー固定部５１１の外周縁から電極形成溝５１２の内周壁面まで間に、リング状の電極固定底面５１２Ａが形成され、この電極固定底面５１２Ａに第一変位用電極５４１が形成される。また、第一基板５１には、溝深さがそれぞれ電極固定底面５１２Ａと同一深さ寸法である第一電極導入溝５１２Ｂおよびバンプ電極形成溝５１２Ｃが形成されている。第一電極導入溝５１２Ｂおよびバンプ電極形成溝５１２Ｃは、電極形成溝５１２の外周縁から第一基板５１の平面中心点に対して互いに反対方向に延出して形成される。

第一電極導入溝５１２Ｂには、第一変位用電極５４１の外周縁の一部から延出する第一変位用電極引出部５４２が形成される。第一変位用電極５４１および第一変位用電極引出部５４２は、Ａｕ／Ｃｒ膜（クロム膜を下地とし、その上に金膜を形成した膜）を用いて形成され、スパッタリングなどの手法により、例えば１００ｎｍの厚さに形成される。
なお、本実施形態では、第一変位用電極５４１および第一変位用電極引出部５４２してはＡｕ／Ｃｒ膜を用いるが、これに限定されず、他の金属やＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用いてもよい。

また、第一電極導入溝５１２Ｂの第一変位用電極引出部５４２が設けられた位置には、第一基板５１を貫通する第一貫通電極５１４Ａが形成されている。第一貫通電極５１４Ａは、第一変位用電極引出部５４２と、第一基板５１の第一変位用電極引出部５４２とは反対側の面に設けられた第一外部端子５１５Ａとを接続している。

バンプ電極形成溝５１２Ｃには、ポリイミド等の樹脂をコアとして、コアのまわりを金等でメッキしたバンプ電極５１６が形成されている。バンプ電極形成溝５１２Ｃにおいて、後述の第二変位用電極５４４と対向する位置には、第一基板５１を貫通する第二貫通電極５１４Ｂが形成されている。第二貫通電極５１４Ｂは、バンプ電極５１６と、第一基板５１のバンプ電極５１６とは反対側の面に設けられた第二外部端子５１５Ｂとを接続している。
なお、各貫通電極５１４Ａ，５１４Ｂは、第一変位用電極５４１、第一変位用電極引出部５４２、およびバンプ電極５１６の形成後に、ダイヤモンドドリルやサンドブラスト等によって貫通孔を形成し、貫通孔を金等のメッキで封止することにより形成される。

さらに、第一基板５１には、エタロン５の外部と、第一基板５１および第二基板５２の間の射出側空間（本発明の第一内部空間）５８１とを連通する第一貫通孔５１７が形成されている。この第一貫通孔５１７は、射出側空間５８１と第二基板５２および第三基板５３の間の入射側空間（本発明の第二内部空間）５８２とが減圧状態とされた状態で、封止材５１８により封止される。封止材５１８としては、接着剤、低融点ガラス、低融点金属等が用いられる。

（３−１−２．第二基板の構成）
第二基板５２は、厚みが例えば６００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、図２および図３に示すように、第二基板５２には、エッチングにより変位部５２１が形成される。この変位部５２１は、第二基板５２の基板厚み方向から第二基板５２を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形の可動部５２２と、可動部５２２と同軸であり可動部５２２を保持する連結保持部５２３とを備えている。

可動部５２２は、連結保持部５２３よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第二基板５２の厚み寸法と同一寸法である６００μｍに形成されている。また、可動部５２２は、ミラー固定部５１１の径寸法と略同一径寸法の円柱状に形成されている。また、可動部５２２は、ミラー固定部５１１に平行な可動面５２２Ａを備え、この可動面５２２Ａに可動ミラー５６が固定されている。ここで、この可動ミラー５６と、上記した固定ミラー５５とにより、本発明の一対のミラーが構成される。

可動ミラー５６は、固定ミラー５５と同様に円形状に形成されている。また、可動ミラー５６は、固定ミラー５５と同一の薄膜が用いられ、本実施形態では、Ａｇ合金やＡｌ合金等の金属合金膜が用いられる。

連結保持部５２３は、可動部５２２の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が３０μｍに形成されている。そして、連結保持部５２３の第一基板５１に対向する面には、第一変位用電極５４１と電磁ギャップを介して対向するリング状の第二変位用電極５４４が形成されている。ここで、電磁ギャップは、第一基板５１の電極形成溝５１２の深さ寸法、各変位用電極５４１，５４４の厚み、および接合層５７１の厚みにより決定される。また、第二変位用電極５４４および前述した第一変位用電極５４１は、本発明の一対の変位用電極であり、本発明の静電アクチュエーター５４を構成する。

また、第二変位用電極５４４の外周縁の一部からは、第二変位用電極引出部５４５が、平面正方形状の第二基板５２の１つの頂点に向かって、より具体的には、図２に示す平面視において右上の頂点に向かって延出して形成されている。
なお、本実施形態では、第二変位用電極５４４および第二変位用電極引出部５４５は、第一変位用電極５４１および第一変位用電極引出部５４２と同様に、Ａｕ／Ｃｒ膜を用いて形成されるが、これに限定されず、他の金属やＩＴＯを用いてもよい。

さらに、第二基板５２の連結保持部５２３には、第一基板５１および第二基板５２の間の射出側空間５８１と、第二基板５２および第三基板５３の間の入射側空間５８２とを連通する第二貫通孔５２６が形成されている。この第二貫通孔５２６は、レーザー加工等により予め形成される。

このような第二基板５２と第一基板５１との接合時には、第一基板５１に形成されたバンプ電極５１６に第二変位用電極引出部５４５が当接し、この当接状態が維持される。つまり、第二変位用電極引出部５４５は、バンプ電極５１６および第二貫通電極５１４Ｂを介して、第二外部端子５１５Ｂに接続される。これにより、第二変位用電極引出部５４５から第二外部端子５１５Ｂへの導通が確保される。第二外部端子５１５Ｂおよび前述の第一外部端子５１５Ａは、例えば測色センサー３の電圧制御手段６に接続され、電圧制御手段６により第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４４間に所定の電圧が印加される。これにより、静電引力により、これらの第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４４が引っ張られ、連結保持部５２３が撓んで、可動部５２２が第一基板５１側に変位する。この第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４４間に印加する電圧を制御することで、可動部５２２の可動ミラー５６と、第一基板５１の固定ミラー５５との間のミラー間ギャップＧが調整され、ミラー間ギャップＧに応じた波長の光が分光可能となる。

（３−１−３．第三基板の構成）
第三基板５３は、上記第一基板５１および第二基板５２と同様に、厚みが例えば１ｍｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、第三基板５３には、第二基板５２の変位部５２１に対向して、この変位部５２１と同一径寸法のギャップ形成溝５３１が形成されている。
また、第三基板５３の両面には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜５３３が、固定ミラー５５および可動ミラー５６と同心円状に形成されている。測色センサー３の入射光学レンズから入射した検査対象光は、この光学膜５３３を通って第二基板５２の可動部５２２に入射する。

上述したような第一基板５１、第二基板５２、および第三基板５３は、図３に示すように、変位部５２１の外周側に形成される接合面５１３，５２４，５２５，５３２を接合することで、一体構成として形成される。

（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御手段６は、上記エタロン５とともに、本発明の波長可変干渉フィルターを構成する。この電圧制御手段６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４４に印加する電圧を制御する。

〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色装置１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、および分析処理部としての測色処理部４３などを備えて構成されている。

光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御手段６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
測色処理部４３は、検査対象光を構成する各波長成分の受光量を、例えばディスプレイなどの表示装置やプリンターなどの印刷装置に出力し、検査対象光を構成する各色成分値を表示させる制御をする。
〔５．エタロンの製造方法〕

先ず、上述した各基板５１，５２，５３を形成する。この際、第一基板５１に第一貫通孔５１７を、第二基板５２に第二貫通孔５２６を、それぞれレーザー加工等により予め形成しておく。なお、第一基板５１および第三基板５３は、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態とした際に、撓まない程度の剛性が確保できる厚さに形成する。

次に、各基板５１，５２，５３同士を接合する。ここで、接合面５１３，５２４，５２５，５３２同士を接合する接合層５７１，５７２には、例えばプラズマ重合膜が用いられる。具体的には、各基板５１，５２，５３は、各基板５１，５２，５３の接合面５１３，５２４，５２５，５３２にプラズマ重合法などによりプラズマ重合膜を形成し、プラズマ重合膜に紫外線の照射、またはプラズマ処理をした後に、各基板５１，５２，５３を重ね合わせることで接合される。プラズマ重合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として用いるのが好ましく、その平均厚みは、約１０ｎｍから約１００ｎｍである。

このようには、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いた活性化接合を実施することで、温度によらず、紫外線照射またはプラズマ処理により、容易にプラズマ重合膜を接合させることができる。また、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いれば、各基板５１，５２，５３として、いかなる素材の基板を用いた場合でも、良好な密着性を示し、強い接合強度を得ることができる。
なお、各基板５１，５２，５３の接合では、上記接合方法以外にも、例えば、粘着性薄膜（接着剤）による接合方法や、金属膜による接合方法などを利用することもできる。

各基板５１，５２，５３同士を接合した後は、第一貫通孔５１７から射出側空間５８１および入射側空間５８２内の空気を真空ポンプ等の吸引装置で吸引し、射出側空間５８１および入射側空間５８２を大気圧より減圧状態とする。そして、射出側空間５８１および入射側空間５８２が減圧された状態で、第一貫通孔５１７を封止材５１８により封止する。

〔６．第一実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態のエタロン５では、第一基板５１と第二基板５２とにより挟まれた射出側空間５８１を外部に連通する第一貫通孔５１７が、第一基板５１に形成されている。また、第二基板５２および第三基板５３に挟まれた入射側空間５８２と射出側空間５８１とを連通する第二貫通孔５２６が、第二基板５２に形成されている。
このため、第一貫通孔５１７を介して射出側空間５８１および入射側空間５８２を大気圧より減圧状態とすることができるので、各基板５１，５２，５３の接合後に射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧した状態で封止することできる。従って、基板５１，５２，５３の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板５１，５２，５３間の接合品質を確保できる。特に、接合層５７１，５７２の一例であるプラズマ重合膜は、基板５１，５２，５３表面の凹凸などを吸収できるため、基板５１，５２，５３同士を密閉接合でき、接合品質が良好である。このため、プラズマ重合膜を用いて基板を接合できる本発明の利点は大きい。
また、第一貫通孔５１７のみを封止することで、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態で封止することができるので、封止材５１８の数や量が少なくてすむ。

さらに、可動ミラー５６の設けられた可動部５２２が、それぞれ減圧状態の射出側空間５８１および入射側空間５８２の間に配置されるため、駆動時に可動ミラー５６に空気抵抗が働くことを防ぐことができる。従って、可動ミラー５６の応答性を向上でき、可動ミラー５６の応答性を十分に確保することができる。
また、このようなエタロン５を用いた測色センサー３および測色装置１では、エタロン５の可動ミラー５６の応答性を向上することができるので、検査対象光を速やかに受光したり、検査対象光の各色成分の強度を速やかに分析することができる。

〔第二実施形態〕
次に、本発明に係る第二実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。
図５は、第二実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。なお、第二実施形態以降の説明にあたり、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略または簡略する。

第二実施形態の測色装置は、第一実施形態と略同様の構成を有し、光源装置２と、測色センサー３と、制御装置４とを備えて構成されており、第一実施形態とは、測色センサー３に設けられるエタロン５Ａの構成が異なる。
すなわち、第一実施形態のエタロン５では、第二基板５２に第二貫通孔５２６が設けられる例を示したが、第二実施形態のエタロン５Ａでは、第二基板５２Ａには第二貫通孔５２６が形成されず、第三基板５３Ａに第三貫通孔５３４が形成される。

具体的には、図５に示すように、第二実施形態のエタロン５Ａでは、第三基板５３Ａのギャップ形成溝５３１に、第三貫通孔５３４が形成される。第三貫通孔５３４は、エタロン５の外部と、第二基板５２Ａおよび第三基板５３Ａの間の入射側空間５８２とを連通する。また、第三貫通孔５３４は、入射側空間５８２が大気圧より減圧された状態で、封止材５３５により封止される。

このようなエタロン５Ａは、以下の製造方法により形成することができる。
すなわち、各基板５１，５２，５３同士を接合した後に、各貫通孔５１７，５３４を介して、射出側空間５８１および入射側空間５８２内の空気を真空ポンプ等の吸引装置で吸引し、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態とする。この状態で、各貫通孔５１７，５３４を封止材５１８，５３５で封止することにより、射出側空間５８１および入射側空間５８２が減圧状態で封止されて、エタロン５Ａが形成される。

〔第二実施形態の作用効果〕
第二実施形態のエタロン５Ａでは、次のような作用効果を奏することができる。
すなわち、射出側空間５８１に連通する第一貫通孔５１７が第一基板５１に形成され、入射側空間５８２に連通する第三貫通孔５３４が第三基板５３Ａに形成されている。このため、射出側空間５８１および入射側空間５８２内の空気をそれぞれ独立して吸引することができる。従って、射出側空間５８１および入射側空間５８２内の空気を同時に吸引することができるので、各空間５８１，５８２を減圧状態にする時間を短縮することができ、エタロン５Ａの製造効率を向上できる。特に、前記第一実施形態で示した連結保持部５２３への第二貫通孔５２６の形成が、剛性等の理由により難しい場合には、本実施形態のエタロン５Ａように、第三基板５３Ａに第三貫通孔５３４を形成することで、入射側空間５８２を減圧状態にすることができる。

〔第三実施形態〕
次に、本発明に係る第三実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。
図６は、第三実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図であり、図７は、第三実施形態のエタロンの内部空間の封止工程を説明するための概略図である。

前記第一実施形態では、射出側空間５８１と外部とを連通する各貫通孔５１７，５２６が各貫通電極５１４Ａ，５１４Ｂ形成用の孔とは別に設けられ、入射側空間５８２および射出側空間５８１を減圧した状態で、第一貫通孔５１７を封止していた。また、バンプ電極５１６が形成され、各貫通電極５１４Ａ，５１４Ｂおよびバンプ電極５１６を介して、各変位用電極５４１，５４４が各外部端子５１５Ａ，５１５Ｂと接続されていた。
これに対して、第三実施形態では、各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄの形成用に第一基板５１Ａを貫通する第一電極形成孔５１７Ａおよび第二電極形成孔５１７Ｂが形成され、この電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂに貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄを形成することで、入射側空間５８２および射出側空間５８１の減圧状態での封止と各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄの形成とを行う。

具体的には、図６に示すように、第一基板５１Ａには、第一変位用電極５４１、第一変位用電極引出部５４２、第一外部端子５１５Ｃ、第一電極形成孔５１７Ａ、および第一貫通電極５１４Ｃが形成されている。第一変位用電極引出部５４２および第一外部端子５１５Ｃは、それぞれ第一電極形成孔５１７Ａと略同じ径寸法の電極形成孔を有している。第一電極形成孔５１７Ａは、第一基板５１Ａの第一変位用電極５４１が設けられた位置に、第一変位用電極５４１および第一外部端子５１５Ｃのそれぞれの電極形成孔と一直線状に並んで形成されている。第一貫通電極５１４Ｃは、これら電極形成孔を貫通し、第一変位用電極引出部５４２および後述する第二基板５２のダミー電極５２７と接続されている。

また、第一基板５１Ａには、ダミー電極５１９、第二外部端子５１５Ｄ、第二電極形成孔５１７Ｂ、および第二貫通電極５１４Ｄが形成されている。ダミー電極５１９および第二外部端子５１５Ｄは、それぞれ第二電極形成孔５１７Ｂと略同じ径寸法の電極形成孔を有している。第二電極形成孔５１７Ｂは、第二変位用電極５４４と対向する位置に、ダミー電極５１９および第二外部端子５１５Ｄのそれぞれの電極形成孔と一直線状に並んで形成されている。第二貫通電極５１４Ｄは、これらの電極形成孔を貫通し、第二基板５２の第二変位用電極引出部５４５と接続されている。

以下、本実施形態のエタロン５Ｂにおける入射側空間５８２および射出側空間５８１の封止方法、並びに各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄと各変位用電極引出部５４２，５４５との接続方法について説明する。
先ず、第一基板５１Ａに、第一変位用電極５４１、第一変位用電極引出部５４２、各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄ、およびダミー電極５１９を形成する。また、第二基板５２に、第二変位用電極５４４、第二変位用電極引出部５４５、およびダミー電極５２７を形成する。なお、ダミー電極５１９，５２７は、駆動には関与せず、各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄと第一基板５１Ａとの密着性や、射出側空間５８１の密閉性を確保するために設ける。
そして、ダイヤモンドドリルやサンドブラスト等により、各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄ、第一基板５１Ａ、第一変位用電極引出部５４２、およびダミー電極５１９に、電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂを含む各電極形成孔を形成する。

次に、各基板５１Ａ，５２，５３を、接合層５７１，５７２を介して接合する。その後、図７に示すように、電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂを含む各電極形成孔に所定長さの低融点金属ワイヤー５９１，５９２を挿通して、低融点金属ワイヤー５９１，５９２の先端をダミー電極５２７または第二変位用電極引出部５４５に当接させる。そして、図示しない真空チャンバーにエタロン５Ｂを入れ、真空チャンバー内を減圧する。この際、電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂは、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態にするための第一貫通孔５１７Ａ，５１７Ｂとして機能する。

この状態で、真空チャンバー内を低融点金属ワイヤー５９１，５９２が溶融する温度に加熱する。真空チャンバー内を冷却し、大気圧に戻した後、エタロン５Ｂをチャンバーから取り出すと、図６に示すように、低融点金属ワイヤー５９１，５９２が溶融して、入射側空間５８２および射出側空間５８１が減圧状態で封止される。また、電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂ内に貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄが形成され、この貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄにより、各変位用電極引出部５４２，５４５と各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄとが接続される。

〔第三実施形態の作用効果〕
第三実施形態のエタロン５Ｂでは、第一基板５１Ａを貫通する第一電極形成孔５１７Ａに挿通されて第一変位用電極５４１に当接した低融点金属ワイヤー５９１と、第一基板５１Ａを貫通する第二電極形成孔５１７Ｂに挿通されて第二変位用電極引出部５４５に当接した低融点金属ワイヤー５９２とが、それぞれ溶融して各電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂが封止される。このような構成によれば、各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄの形成用の電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂが、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態にするための第一貫通孔５１７Ａ，５１７Ｂを兼ね、各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄが封止材５１８を兼ねる。このため、各変位用電極５４１，５４４と導通する貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄの形成と、射出側空間５８１および入射側空間５８２の減圧状態での封止とを、同時に行うことができる。従って、エタロン５Ｂの製造プロセスを簡略化でき、エタロン５Ｂの製造効率を向上できる。
また、各変位用電極５４１，５４４や、各変位用電極５４１，５４４と導通する貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄが第一基板５１Ａ側に集中して形成されているため、各電極を接続するための配線を簡略化でき、基板への各電極の実装を容易に行うことができる。

〔他の実施の形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

例えば、前記第一実施形態では、第一貫通孔５１７が第一基板５１に形成されていたが、第一基板５１に第一貫通孔５１７を設けずに、第三基板５３に第三貫通孔５３４を形成してもよい。第二基板５２には、射出側空間５８１と入射側空間５８２とを連通する第二貫通孔５２６が形成されているため、この場合でも、射出側空間５８１および入射側空間５８２内の空気を第一貫通孔から吸引でき、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態とすることができる。

また、前記第一および前記第二実施形態では、バンプ電極５１６が第一基板５１に形成されていたが、バンプ電極５１６を第二基板５２，５２Ａに形成してもよい。バンプ電極５１６が、第一基板５１または第二基板５２，５２Ａの射出側空間５８１に臨む面に設けられていれば、バンプ電極５１６により第二変位用電極５４４と第二貫通電極５１４Ｂとを接続することができるからである。

前記第三実施形態では、第一基板５１Ａに各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄおよび各電極形成孔５１７Ａ，５１７Ｂが形成されていたが、これに限られない。例えば、第三基板５３の第二基板５２とは反対側の面に各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄを設け、各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄ、第三基板５３、第二基板５２、ダミー電極５２７、および第二変位用電極引出部５４５を貫通するように電極形成孔を形成してもよい。この場合、電極形成孔に低融点金属ワイヤー５９１，５９２を挿通し、先端が第一変位用電極引出部５４２またはダミー電極５１９に当接した状態で低融点金属ワイヤー５９１，５９２を溶融させる。これにより、射出側空間５８１および入射側空間５８２を減圧状態で封止できる。また、各変位用電極引出部５４２，５４５と各外部端子５１５Ｃ，５１５Ｄとを接続する貫通電極が形成される。

また、前記第三実施形態では、第二基板５２に第二貫通孔５２６が形成されていたが、前記第二実施形態と同様に、第二基板５２に第二貫通孔５２６を形成せず、第三基板５３に第三貫通孔５３４を形成してもよい。
さらに、前記第三実施形態では、ダミー電極５１９，５２７が設けられていたが、ダミー電極５１９，５２７は必須ではなく、ダミー電極５１９，５２７を設けずに各貫通電極５１４Ｃ，５１４Ｄを形成してもよい。

また、前記各実施形態において第二基板５２，５２Ａに形成される変位部５２１は、ダイヤフラム状の連結保持部５２３を備える構成としたが、これに限定されない。例えば、基板厚み方向からエタロン５，５Ａ，５Ｂをみる平面視において、可動部５２２の外周部に均等間隔に連結保持部５２３が設けられる構成などとしてもよく、可動部５２２の中心点に対し、点対称となる位置に一対の薄板状の連結保持部５２３が、可動部５２２を挟んで形成される構成などとしてもよい。
また、変位用電極も同様であり、例えば、変位用電極が可動部５２２を均等に変位させる位置に設けられていればよい。例えば、第一基板５１の固定ミラー５５を挟んで点対称となる位置に一対の第一変位用電極５４１が形成され、この第一変位用電極５４１に対向して、第二基板５２の連結保持部５２３に一対の第二変位用電極５４４が形成され、これらの電極により静電アクチュエーター５４が構成されてもよい。

さらに、前記各実施形態において、測色装置１は、光源装置２を備え、光源装置２から射出される白色光を検査対象で反射させ、この反射光を検査対象光として測色センサーにて受光する構成としたが、例えば、液晶ディスプレイなど、自ら発光する検査対象の色度を測定する測色装置では、光源装置２が設けられない構成としてもよい。

また、上記測色センサー３内に単一のエタロン５，５Ａ，５Ｂが組み込まれる構成に限らず、複数のエタロン５，５Ａ，５Ｂが組み込まれる構成としてもよい。この場合、それぞれ分光可能な波長域の異なるエタロン５，５Ａ，５Ｂを組み込むことで、より広い範囲をカバーすることができる。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。

１…測色装置、３…測色センサー、４…制御装置、５,５Ａ，５Ｂ…波長可変干渉フィルターを構成するエタロン、６…波長可変干渉フィルターを構成する電圧制御手段、３１…受光手段である受光素子、４３…分析処理部である測色処理部、５１，５１Ａ…第一基板、５２，５２Ａ…第二基板、５３，５３Ａ…第三基板、５４…静電アクチュエーター、５５…固定ミラー、５６…可動ミラー、５１４Ａ，５１４Ｃ…第一貫通電極、５１４Ｂ，５１４Ｄ…第二貫通電極、５１６…バンプ電極、５１７…第一貫通孔、５１７Ａ…第一電極形成孔、第一貫通孔、５１７Ｂ…第二電極形成孔、第一貫通孔、５１８，５３５…封止材、５２２…可動部、５２２Ａ…可動面、５２３…連結保持部、５２６…第二貫通孔、５３３…光学膜、５３４…第三貫通孔、５４１…変位用電極を構成する第一変位用電極、５４４…変位用電極を構成する第二変位用電極、５７１，５７２…接合層、５８１…第一内部空間である射出側空間、５８２…第二内部空間である入射側空間、５９１，５９２…封止材である低融点金属ワイヤー、Ｇ…ミラー間ギャップ。

Claims (10)

1. 透光性を有する第一基板と、
   前記第一基板の一面側に対向し、前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、
   前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、
   前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、
   前記第二基板に設けられ、前記可動部を基板厚み方向に移動可能に保持する連結保持部と、
   前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のミラー間ギャップを介して対向配置される一対のミラーと、
   前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する一対の変位用電極を有し、これらの変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を前記基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターとを備え、
   前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ環状の接合層により接合され、
   前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、
   前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、
   前記貫通孔は、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材で封止されている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
2. 請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記貫通孔は、
   前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、
   前記第二基板に形成され、前記第一内部空間と前記第二内部空間とを連通する第二貫通孔とを備え、
   前記第一貫通孔が前記封止材で封止されている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
3. 請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記貫通孔は、
   前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、
   前記第三基板に形成され、前記第二内部空間と基板外部とを連通する第三貫通孔とを備え、
   前記第一貫通孔および前記第三貫通孔が前記封止材で封止されている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記一対の変位用電極は、前記第一基板に設けられた第一変位用電極と、前記第二基板に設けられた第二変位用電極とを備え、
   前記第一基板には、前記第一基板を貫通し前記第一変位用電極に接続された第一貫通電極と、前記第一基板を貫通する第二貫通電極とが形成され、
   前記第一基板または前記第二基板の前記第一内部空間に臨む面には、前記第二貫通電極と前記第二変位用電極とを接続するバンプ電極が設けられている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記封止材は、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成されている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第一基板には、前記一対の変位用電極に接続された貫通電極と、前記貫通電極の形成用に前記第一基板を貫通する電極形成孔が形成され、
   前記電極形成孔は、前記貫通孔を兼ね、
   前記貫通電極は、前記封止材を兼ねている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第三基板には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が形成される
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
   前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段とを備える
   ことを特徴とする光モジュール。
9. 請求項８に記載の光モジュールと、
   前記光モジュールの前記受光手段により受光された光に基づいて、光の光特性を分析する分析処理部とを備える
   ことを特徴とする光分析装置。
10. 透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材を備えた波長可変干渉フィルターの製造方法であって、
    前記第一基板、前記第二基板および前記第三基板を互いに接合する工程と、
    前記貫通孔を介して前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧する工程と、
    前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧した状態で、前記貫通孔を前記封止材で封止する工程とを備える
    ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。

Images