JP2014178409A

JP2014178409A - 干渉フィルター、干渉フィルターの製造方法、光学モジュール、電子機器、及び接合基板

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Publication number: JP2014178409A
Application number: JP2013051369A
Authority: JP
Inventors: Katsuharu Arakawa; 克治荒川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2013-03-14
Filing date: 2013-03-14
Publication date: 2014-09-25
Anticipated expiration: 2033-03-14
Also published as: EP2778743A1; US20140268344A1; CN104049358A; CN104049358B; JP6119325B2

Abstract

【課題】基板同士が高い気密性を保って接合された干渉フィルター、干渉フィルターの製造方法、光学モジュール、電子機器、及び接合基板を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、可動基板５２と、固定反射膜５１に設けられた固定反射膜５４と、可動基板５２に設けられ、固定反射膜５１に対して対向する可動反射膜５５と、固定基板５１及び可動基板５２を接合する第一接合部５７とを備え、第一接合部５７は、固定基板５１に設けられた樹脂層５７１Ａと、固定基板５１において、樹脂層５７１Ａを覆って設けられ、樹脂層５７１Ａよりも塑性が小さい金属層５７１Ｂと、可動基板５２に設けられ、金属層５７１Ｂに接合される金属層５７２Ｂと、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、干渉フィルター、干渉フィルターの製造方法、光学モジュール、電子機器、及び接合基板に関する。

従来、一対の反射ミラー間で光を反射させ、特定波長の光を透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光を取得する分光フィルターが知られている。また、このような分光フィルターとして、ミラー間の距離を調整することで、射出させる光を選択して射出させる波長可変干渉フィルターが知られている（例えば特許文献１参照）。

特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、第一の反射膜が設けられた第一のガラス基板と、第一のガラス基板に接合され、第一の反射膜に対向する第二の反射膜が設けられた可動基板と、可動基板の第一のガラス基板とは反対側に接合される第二のガラス基板とを備えている。このような波長可変干渉フィルターでは、第一のガラス基板及び可動基板の間に設けられた静電アクチュエーターにより、反射膜間のギャップ寸法を変更することができ、ギャップ寸法に応じた波長の光を透過又は反射させることが可能となる。また、内部空間（第一のガラス基板及び可動基板の間、可動基板及び第二のガラス基板の間）を真空又は大気圧より減圧された状態に保持することで、静電アクチュエーターを駆動させた際の応答性を向上させることが可能となる。

特開２００５−３０９１７４号公報

ところで、特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、内部空間を真空又は大気圧より減圧された状態に保持するためには、内部空間を気密封止する必要がある。このような気密封止のためには、基板同士の接合を気密接合する必要がある。このような接合としては、例えば、基板同士の直接活性化接合、金属層を介した活性化接合が適している。しかしながら、これらの接合では、良好な接合強度を得るためには、接合面における高い面精度が要求され、特に、基板をエッチング等により加工する場合は、当該面精度を保つことが困難であるという課題がある。
また、基板同士の接合を、例えば樹脂層や接着剤、低融点ガラス等により接合する場合は、気密性を十分に確保できず、アウトガス等の課題もある。

本発明の目的は、基板同士が高い気密性を保って接合された干渉フィルター、干渉フィルターの製造方法、光学モジュール、電子機器、及び接合基板を提供することである。

本発明の干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、を備え、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有することを特徴とする。

本発明では、第一基板及び第二基板を第一接合部により接合することで、第一基板及び第二基板の間の内部空間を封止する。この第一接合部において、第一基板及び第二基板のいずれか一方には、第一の下地層と、この第一の下地層を覆って設けられた第一の金属層とが設けられる。また、第一基板及び第二基板のうち、第一の下地層や第一の金属層が設けられない他方の基板には、第一の金属層に対向する第二の金属層が設けられる。そして、これらの第一の金属層及び第二の金属層が金属接合されることで第一基板及び第二基板が接合される。
ここで、本発明では、第一の下地層は、第一の金属層よりも塑性が大きく、変形しやすい。したがって、第一の金属層及び第二の金属層を金属接合する際に、第一の金属層や第二の金属層の面精度が低い場合でも、第一の下地層がクッションとなり、第一の金属層及び第二の金属層の互いに対向する面同士を密着させることができる。加えて、第一の金属層が第一の下地層を覆っているため、第一の下地層の表面が外部に露出することなく、第一の下地層に含まれる空隙等を介して第一内部空間と外部とが連通することがない。以上に示すように、本発明では、第一基板及び第二基板を、高い気密性を保って接合することができ、かつ、接合歩留りの向上をも図ることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第二の金属層よりも塑性が大きい第二の下地層を有し、前記第二の金属層は、前記第二の下地層を覆って設けられていることが好ましい。
本発明では、第一接合部は、第一の下地層及び第一の金属層が形成されていない他方の基板においても、第二の金属層よりも塑性が大きい第二の下地層が設けられ、第二の金属層が第二の下地層を覆って形成されている。したがって、第一の金属層及び第二の金属層同士を接合する際に、各金属層の表面の面精度が粗い場合でも、第一の下地層及び第二の下地層の双方がクッションとなって、表面の凹凸を吸収し、各金属層の表面同士を密着させることができる。したがって、第一の下地層のみが設けられる場合に比べて、より一層金属層同士の密着性を向上でき、第一接合部における気密性の更なる向上を図れる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一基板の前記第二基板が配置された面とは反対側に配置された第三基板と、前記第一基板及び前記第三基板を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止する第二接合部と、を備え、前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に設けられた第三の下地層と、前記第三の下地層が設けられた基板において、前記第三の下地層を覆って設けられ、前記第三の下地層よりも塑性が小さい第三の金属層と、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第三の金属層に接合される第四の金属層と、を有することが好ましい。
本発明では、第一基板の第二基板とは反対側に第三基板が接合され、第一基板と第三基板との間の第二内部空間が気密密閉されている。また、これらの基板の接合する第二接合部として、第一接合部と同様の構成が用いられている。したがって、第一基板及び第三基板を高い気密性を保って接合させることができ、かつ接合歩留りの向上も図れる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第四の金属層よりも塑性が大きい第四の下地層を有し、前記第四の金属層は、前記第四の下地層を覆って設けられていることが好ましい。
本発明では、第二接合部において、第三の下地層及び第三の金属層が形成されていない他方の基板においても、第四の金属層よりも塑性が大きい第四の下地層が設けられ、第四の金属層が第四の下地層を覆って形成されている。したがって、第三の金属層及び第四の金属層同士を接合する際に、各金属層の表面の面精度が粗い場合でも、第三の下地層及び第四の下地層の双方がクッションとなって、表面の凹凸を吸収し、各金属層の表面同士を密着させることができる。したがって、第三の下地層のみが設けられる場合に比べて、さらに、第二接合部における気密性をさらに向上させることができる。

本発明の干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、を備え、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた樹脂からなる第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられた第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有することを特徴とする。

本発明では、樹脂からなる第一の下地層を覆うように第一の金属層が設けられ、この第一の金属層と第二の金属層とが金属接合される。
第一の下地層は樹脂であるため、第一の金属層よりも変形しやすい（塑性が大きい）。したがって、上記発明と同様に、第一の金属層及び第二の金属層を金属接合する際に、第一の金属層や第二の金属層の面精度が低い場合でも、第一の下地層がクッションとなり、第一の金属層及び第二の金属層の互いに対向する面同士を密着させることができる。加えて、第一の下地層がガスバリア性の高い第一の金属層により覆われ、第一の金属層及び第二の金属層による金属接合により基板が接合される。以上により、第一基板及び第二基板を高い気密性を保って接合することができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられた樹脂からなる第二の下地層を有し、前記第二の金属層は、前記第二の下地層を覆って設けられていることが好ましい。
本発明では、第一接合部は、第一の下地層及び第一の金属層が形成されていない他方の基板においても、樹脂からなる第二の下地層が設けられ、第二の金属層が第二の下地層を覆って形成されている。したがって、上述した発明と同様に、第一の下地層のみが設けられる場合に比べて、より一層金属層同士の密着性を向上でき、第一接合部における気密性の更なる向上を図れる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一基板の前記第二基板が配置された面とは反対側に配置された第三基板と、前記第一基板及び前記第三基板を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止する第二接合部と、を備え、前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に設けられた樹脂からなる第三の下地層と、前記第三の下地層が設けられた基板において、前記第三の下地層を覆って設けられた第三の金属層と、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第三の金属層に接合される第四の金属層と、を有することが好ましい。
本発明では、第一基板の第二基板とは反対側に第三基板が接合され、第一基板と第三基板とが第二接合部により接合されており、この第二接合部は、第一接合部と同様の構成が用いられている。したがって、上述した発明と同様に、第一基板及び第三基板を高い気密性で接合することができ、接合歩留りも向上させることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられた樹脂からなる第四の下地層を有し、前記第四の金属層は、前記第四の下地層を覆って設けられていることが好ましい。
本発明では、第二接合部において、第三の下地層及び第三の金属層が形成されていない他方の基板においても、樹脂からなる第四の下地層が設けられ、第四の金属層が第四の下地層を覆って形成されている。したがって、上述した発明と同様に、第三の金属層及び第四の金属層同士を接合する際に、各金属層の表面の面精度が粗い場合でも、各金属層の表面同士を密着させることができる。したがって、第三の下地層のみが設けられる場合に比べて、さらに、第二接合部における気密性及び接合歩留りの向上を図れる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の間の寸法を変更するギャップ変更部を備え、前記第一内部空間及び前記第二内部空間が大気圧よりも低い気圧で封止されていることが好ましい。
本発明では、ギャップ変更部が設けられ、第一反射膜及び第二反射膜間のギャップ寸法が可変となる。この際、第一内部空間及び第二内部空間が例えば真空に維持される等、大気圧よりも低い気圧に減圧されている。このような構成では、第一内部空間及び第二内部空間の双方がそれぞれ減圧されているため、気圧差により第一基板が撓む不都合を抑制できる。また、これらの第一内部空間が減圧されていることで、ギャップ変更部により反射膜間のギャップの寸法を変更する際に空気抵抗を低減でき、応答性の向上を図ることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二基板は、前記第一基板に対向する接合面、及び当該接合面より前記第一基板までの距離が長い第一面を備え、前記下地層は、前記接合面から前記第一面に亘って設けられていることが好ましい。
本発明では、第二基板は、接合面及び接合面よりも第一基板までの距離が長い第一面を備え、下地層が接合面から第一面に亘って設けられている。例えば、第二基板に第一の下地層を設ける場合、第二基板にエッチング等による加工プロセスを施して凹部や溝を形成することで第一面を形成し、凹部や溝が設けられていない面を接合面とする。そして、接合面から第一面に亘って第一の下地層が設けられ、この第一の下地層を覆うように、第一の金属層が設けられる。
平面上に下地層を設ける場合、下地層の外周端縁が浮き上がり、その他の部分（下地層の中央領域）に比べて厚みが大きくなってしまう場合がある。このような場合、下地層を覆って金属層を設けたとしても、下地層の外周縁の浮き上がりに応じて金属層も浮き上がり、対向する基板に設けられた金属層と接合する際に、当該浮き上がり部分が接触し、金属層同士が密着する面積が小さくなるおそれがある。これに対して、本発明のように、下地層を接合面から第一面に亘って設けることで、下地層の外周端縁に浮き上がりが生じたとしても、当該外周端縁は基板間の距離が長い第一面に位置するため、接合面の上方に設けられた金属層同士の接触を阻害することがない。したがって、金属層同士の接触する面積を十分に確保でき、第一内部空間の気密性を高く保った状態での基板の接合を行える。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二基板は、前記第一基板に対向する接合面、及び当該接合面より前記第一基板までの距離が長い第一面を備え、前記下地層は、前記第一基板の前記接合面に対向する部分から前記第一基板の前記第一面に対向する部分に亘って設けられていることが好ましい。
本発明では、上述した発明と同様に、第二基板は、接合面及び接合面よりも第一基板までの距離が長い第一面を備え、下地層が接合面から第一面に亘って設けられている。そして、下地層は、第一基板において、接合面に対向する部分から第一面に対向する部分に亘って設けられ、この下地層を覆うように、金属層が設けられる。
このような構成でも、上記発明と同様に、下地層の外周端縁に浮き上がりが生じたとしても、当該外周端縁は基板間の距離が長い第一面に対向する部分に位置するため、接合面の上方に設けられた金属層同士の接触を阻害することがない。したがって、金属層同士の接触する面積を十分に確保でき、第一内部空間の気密性を高く保った状態での基板の接合を行える。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記下地層は、樹脂層であることが好ましい。
上述した第一接合部や第二接合部において、下地層（第一、第二、第三、第四の下地層）は、樹脂層であるため、金属層（第一、第二、第三、第四の金属層）に比べて硬く、塑性が十分に大きく（変形しやすく）なる。したがって、金属層同士を金属接合する際に、樹脂層が撓んでクッションになることで、金属層の表面精度が粗い場合でも、適切に金属層同士を面接触させることができ、高い気密性で基板同士を接合することができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記下地層は、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜であることが好ましい。
本発明では、下地層として、プラズマ重合膜を用いている。このようなプラズマ重合膜は、メタルマスクを用いた乾式工程で容易に成膜することができ、製造効率性の向上、製造コストの低減を図ることができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記下地層は、エポキシ系感光材料であることが好ましい。
下地層に用いられる樹脂層としてエポキシ系感光材料を用いる場合、樹脂層のサイズや位置をより高精度にすることができる。つまり、上述したようなメタルマスクを用いた方法では、製造効率性が向上する反面、メタルマスクの下に樹脂層が入り込む場合があり、サイズや位置精度が悪化する。これに対して、エポキシ系感光材料を用いる場合、フォトマスクを用いて、高精度なサイズや位置の決定ができる。

本発明の干渉フィルターにおいて、前記金属層は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、若しくはＣｕ、又はこれらの合金であることが好ましい。
本発明では、金属層として、柔軟性が高い（塑性が大きい）Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、若しくはＣｕ、又はこれらの合金が用いられているため、下地層の撓みに応じで金属層も撓ませることができ、荷重をかけた際に、金属層表面の凹凸を下地層に吸収させることが容易となるので、金属層同士の面接触精度を向上させることができる。また、軟化温度も低く、加熱圧着させる場合でも容易に金属層同士を接合させることができる。

本発明の干渉フィルターの製造方法は、第一基板を形成し、前記第一基板に入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜を設ける第一基板形成工程と、第二基板を形成し、前記第二基板に入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を設ける第二基板形成工程と、前記第一基板及び前記第二基板のいずれか一方に、第一の下地層を形成する下地層形成工程と、前記第一基板及び前記第二基板のいずれか一方に、前記第一の下地層よりも塑性が小さく、前記第一の下地層を覆う第一の金属層を形成し、前記第一基板及び前記第二基板の他方に前記第一の金属層に接合される第二の金属層を形成する金属層形成工程と、前記第一の金属層及び前記第二の金属層を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する接合工程と、を実施することを特徴とする。

本発明では、第一基板形成工程及び第二基板形成工程により形成された第一基板及び第二基板を接合する際に、まず、下地層形成工程により第一基板及び第二基板のいずれか一方に第一の下地層を形成し、その後、金属層形成工程により、第一の下地層を覆うように、第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層を形成する。また、金属層形成工程では、第一基板及び第二基板のうち第一の金属層が形成されていない他方の基板に対して第二の金属層を形成する。そして、接合工程において、第一の金属層及び第二の金属層を接触させて金属接合させる。このような製造方法では、上述した発明と同様に、第一の金属層及び第二の金属層により金属接合されることで、気密性が高い金属接合を行うことができる。また、第一の金属層の下層に第一の下地層が設けられているため、第一基板形成工程や第二基板形成工程において基板に対してエッチング等の加工プロセスを施して表面精度が悪化した場合でも、接合時に第一の下地層がクッションとなり、第一の金属層や第二の金属層の表面の微小な凹凸を吸収することができ、金属層同士を面接触させることができる。
以上により、高い気密性を保って第一基板及び第二基板を接合することができ、かつ、接合歩留りを向上させることができる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第二基板の他方に、前記第二の金属層よりも塑性が大きい第二の下地層を形成し、前記金属層形成工程は、前記第二の下地層を覆って前記第二の金属層を形成することが好ましい。
本発明では、下地層形成工程により第二の下地層を形成し、金属層形成工程において、その第二の下地層を覆うように第二の金属層を形成する。このため、第一の下地層に加え第二の下地層をもクッションとして作用させることで、より精度よく第一及び第二の金属層の表面に生じる微小凹凸を吸収させることができ、金属層同士の密着性を向上させることができる。したがって、第一接合部における接合歩留り及び気密性のさらなる向上を図ることができる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記第一基板の前記第二基板が配置される面とは反対側に配置される第三基板を形成する第三基板形成工程を実施し、前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に、第三の下地層を形成し、前記金属層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に、前記第三の下地層よりも塑性が小さく、前記第三の下地層を覆う第三の金属層を形成し、前記第一基板及び前記第三基板の他方に前記第三の金属層に接合される第四の金属層を形成し、前記接合工程は、前記第三の金属層及び前記第四の金属層を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止することが好ましい。

本発明では、さらに第三基板形成工程において、第一基板の第二面に接合する第三基板を形成し、第一基板及び第三基板を接合する。この際に、上記発明と同様に、第一及び第三基板のいずれか一方に第三の下地層を形成し、その第三の下地層を覆う第三の金属層を形成する。また、他方の基板に第四の金属層を形成し、第三の金属層及び第四の金属層を金属接合する。
これにより、上記した第一基板及び第二基板の接合と同様、第一基板及び第三基板の接合においても、接合歩留り及び気密性の双方を向上できる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に、前記第四の金属層よりも塑性が大きい第四の下地層を形成し、前記金属層形成工程は、前記第四の下地層を覆って前記第四の金属層を形成することが好ましい。
本発明では、下地層形成工程において、第四の下地層を形成し、金属層形成工程において、第四の下地層を覆うように第四の金属層を形成する。これにより、第三の下地層に加え第四の下地層をもクッションとして作用させることで、より精度よく第三及び第四の金属層の表面に生じる微小凹凸を吸収させることができ、金属層同士の密着性を向上させることができる。

本発明のフィルターの製造方法において、前記接合工程は、前記金属層の表面を活性化処理した後、前記金属層同士を圧着により活性化接合することが好ましい。
本発明では、接合工程において、金属層（第一、第二、第三、第四の金属層）の表面を活性化処理することで、金属層の表面を結合しやすい活性化状態にすることができる。この活性化状態で金属層同士を圧着することで、活性化された金属層表面の結合手同士を容易に結合させることができる。これにより、金属層同士の密着性の向上を図れ、接合歩留りや気密性も高めることができる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記接合工程における前記活性化処理は、不活性ガスを用いたプラズマ処理であることが好ましい。
本発明では、上記のような活性化処理として、不活性ガスを用いたプラズマ処理を施す。このように不活性ガスを用いることで、第一反射膜や第二反射膜としてＡｇやＡｇ合金等の劣化しやすい反射膜を用いた場合でも、反射膜の劣化を抑制できる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記接合工程は、前記第一反射膜及び前記第二反射膜が劣化する温度よりも低い圧着温度まで加熱しながら前記金属層同士を圧着することが好ましい。
本発明では、金属層同士を加熱圧着により接合する。金属層同士を軟化させた状態で密着接合させることができ、気密性の向上を図れる。また、この際の加熱温度として反射膜に劣化が生じない程度の圧着温度にすることで、反射膜の熱劣化を抑制できる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記下地層形成工程は、前記下地層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理した後、前記下地層を形成することが好ましい。
本発明では、下地層形成工程（第一、第二、第三、第四の下地層形成工程）において、下地層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理する。ここで、下層としては、第一基板、第二基板及び第三基板を例示できるが、その他、これらの基板上に他の層を介して下地層を形成する場合も含まれる。この場合、当該他の層が下地材の下層に設けられた基材となる。本発明によれば、下地層の基材に対する密着性を向上させることができる。

本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記金属層形成工程は、前記金属層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理した後、前記金属層を形成することが好ましい。
本発明では、金属層形成工程（第一、第二、第三、第四の金属層形成工程）において、金属層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理する。ここで、下層としては、第一の金属層及び第三の金属層の場合、これらの金属層により覆われる第一の下地層、第二の下地層の表面、及びこれらの下地層が設けられる基板の表面をプラズマ処理する。さらに、金属層と下地層との間に、その他、例えば金属層の密着性を向上させるＣｒ等の素材の層を介在させる構成としてもよく、この場合、当該他の層が基材となり、この他の層の表面をプラズマ処理する。
また、第二の金属層及び第四の金属層は、基板（第一基板、または第二基板、または第三基板）上に直接形成されてもよく、この場合は、基板表面をプラズマ処理する。また、第二の下地層及び第四の下地層上に設ける場合は、当該下地層の表面及び基板の表面をプラズマ処理する。さらに、金属層と基板との間、若しくは金属層と下地層との間に、他の層を介在させる構成としてもよく、この場合、当該他の層が基材となり、この他の層の表面をプラズマ処理する。
本発明によれば、金属層を形成する基材の表面がプラズマ処理されることで、金属層の密着性を向上させることができる。

本発明の光学モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の間に入射した光が干渉して選択された波長の光を受光する受光部と、を備え、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有することを特徴とする。
本発明では、上記のように、第一基板及び第二基板が高い気密性を保って接合される。したがって、第一内部空間への阻害粒子（例えば、反射膜の劣化に繋がる水分子等）の侵入を防止でき、干渉フィルターの分光精度を高くできる。したがって、このような干渉フィルターを透過または反射した光を受光部により受光することで、高い精度で分光測定を行うことができる。また、第三基板を、第二内部空間が間に介在する状態で第一基板に接合し、第一内部空間及び第二内部空間を減圧下に維持する場合、反射膜間のギャップの寸法を可変させる際の応答性を向上させることができ、光学モジュールにより迅速な分光測定を行うことができる。

本発明の電子機器は、第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜、及び前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部を有する干渉フィルターと、前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有することを特徴とする。
本発明では、上記のように第一基板及び第二基板が高い気密性を保って接合される。したがって、第一内部空間への阻害粒子（例えば、反射膜の劣化に繋がる水分子等）の侵入を防止でき、干渉フィルターの分光精度を高くできる。したがって、干渉フィルターにより取り出された（透過又は反射された）光に基づいて、所定の電気的処理を実施する電子機器においても、精度よく干渉フィルターから精度の高い光を取り出すことができ、処理制度を向上させることができる。また、第三基板を、第二内部空間を介して第一基板に接合し、第一内部空間及び第二内部空間を減圧下に維持する場合、反射膜間のギャップの寸法を可変させる際の応答性を向上させることができ、電子機器における処理の迅速化を図れる。

本発明の接合基板は、一対の基板と、前記一対の基板を接合し、前記一対の基板の間に形成される内部空間を封止する接合部と、前記内部空間に収容されるデバイスと、を備え、前記接合部は、前記一対の基板のいずれか一方に設けられた下地層と、前記下地層が設けられた基板において、前記下地層を覆って設けられ、前記下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記一対の基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有することを特徴とする。
本発明では、一対の基板を接合して、これらの基板間の内部空間を気密封止する。この時、接合部は、一対の基板のいずれかに下地層を設け、この下地層を覆って第一の金属層を設け、他の基板に設けられた第二の金属層と、第一の金属層とを接合させる。このような構成では、上記発明と同様に、接合時に、第一の金属層や第二の金属層の面精度が低い場合でも、下地層がクッションとなって金属層表面の微小凹凸の影響を抑制することができ、金属層同士を良好に密着させることができる。したがって、基板同士を高い気密性で接合することができる。

本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの平面図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの断面図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板の平面図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板の平面図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの一部を断面した断面図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における固定基板形成工程を示す図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における可動基板形成工程を示す図。第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における下地層形成工程、金属層形成工程、及び接合工程を示す図。第一実施形態の変形例を示す波長可変干渉フィルターの断面図。第二実施形態の第一接合部の一例を示す図。本発明の他の実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。その他の実施形態において、電子機器の一例である測色装置の概略構成を示すブロック図。その他の実施形態において、電子機器の一例であるガス検出装置の概略構成を示す図。図１５のガス検出装置のシステム構成を示すブロック図。その他の実施形態において、電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示すブロック図。その他の実施形態において、電子機器の一例である分光カメラの概略構成を示す図。その他の実施形態において、接合基板の一例である圧力センサーの概略構成を示す断面図。

［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。

［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、電圧制御部１５とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５を透過した光をディテクター１１で受光する。そして、ディテクター１１から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。

［波長可変干渉フィルターの構成］
次に、光学モジュール１０に組み込まれる波長可変干渉フィルター５（本発明における干渉フィルター）について説明する。
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図３は、図２におけるIII-III線を断面した際の断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２及び図３に示すように、本発明の第二基板に相当する固定基板５１、本発明の第一基板に相当する可動基板５２、及び本発明の第三基板に相当するカバー基板５３を備えている。これらの基板５１，５２，５３は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。また、固定基板５１及び可動基板５２は第一接合部５７に接合され、可動基板５２及びカバー基板５３は第二接合部５８により接合されている。これらの第一接合部５７，５８の構成についての詳細な説明は後述する。

固定基板５１の可動基板５２に対向する面には、本発明の第二反射膜を構成する固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２の固定基板５１に対向する可動面には、本発明の第一反射膜を構成する可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、ギャップＧ１を介して対向配置されている。そして、固定基板５１及び可動基板５２を厚み方向から見た平面視において、これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５が重なる領域により光干渉領域が構成される。

波長可変干渉フィルター５には、ギャップＧ１のギャップ寸法を調整（変更）するのに用いられる本発明のギャップ変更部の一例である静電アクチュエーター５６が設けられている。このような静電アクチュエーター５６は対向する電極間に所定の電圧を印加することで、静電引力により容易にギャップＧ１の寸法を変化させることができ、構成の簡略化を図れる。静電アクチュエーター５６は、電圧制御部１５の制御により駆動可能となる。
なお、以降の説明に当たり、各基板５１，５２，５３の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１、可動基板５２、及びカバー基板５３の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜の中心点をフィルター中心点Ｏと称し、これらの反射膜の中心点を通る直線を中心軸と称する。

（固定基板の構成）
図４は、本実施形態の固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。
固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６による静電引力や、固定基板５１上に形成される膜部材（例えば固定反射膜５４等）の内部応力による固定基板５１の撓みはない。
この固定基板５１は、図３及び図４に示すように、例えばエッチング等により形成された電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２を備える。また、固定基板５１の一端部（辺Ｃ３−Ｃ４）は、フィルター平面視において、可動基板５２及びカバー基板５３の外周縁（辺Ｃ５−Ｃ６）より外に突出しており、この突出部分により端子部５１３が構成されている。

電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部５１２は、フィルター平面視において、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成されている。この電極配置溝５１１の溝底面は、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が配置される電極設置面５１１Ａとなる。また、反射膜設置部５１２の突出先端面は、固定反射膜５４が配置される反射膜設置面５１２Ａとなる。
また、固定基板５１には、電極配置溝５１１から、固定基板５１の外周縁に向かって延出する電極引出溝５１１Ｂが設けられている。具体的には、電極引出溝５１１Ｂは、電極配置溝５１１から固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４の端子部５１３まで延出している。また、端子部５１３は、電極配置溝５１１や電極引出溝５１１Ｂと同じ高さ（同一平面）に形成されている。

電極配置溝５１１の電極設置面５１１Ａには、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられる。固定電極５６１は、電極設置面５１１Ａに直接設けてもよく、電極設置面５１１Ａの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。
この固定電極５６１は、略環状に形成されており、好ましくは円環状に形成されている。なお、ここで述べる略環状とは、例えばＣ字形状等、一部に切欠きがある形状をも含むものである。また、本実施形態では、１つの固定電極５６１が設けられる例を示すが、例えば、複数の円環状の電極が同心円で配置され、これらの複数の電極がそれぞれ独立（絶縁されている）構成などとしてもよい。
また、固定電極５６１には、固定引出電極５６１Ａが接続され、この固定引出電極５６１Ａは、電極引出溝５１１Ｂに沿って、端子部５１３まで引き出され、端子部５１３において、例えばワイヤーボンディングやＦＰＣ等によって電圧制御部１５に接続されている。
このような固定電極５６１及び固定引出電極５６１Ａを形成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ膜、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
また、固定電極５６１には、その表面に絶縁膜が形成されていてもよい。

さらに、電極引出溝５１１Ｂには、ポリイミド等の樹脂をコア５６３Ａとして、コアのまわりをＡｕ等でメッキしたバンプ電極５６３が形成されている。このバンプ電極５６３は、電極引出溝５１１Ｂに沿って端子部５１３まで引き出され、例えばワイヤーボンディングやＦＰＣ等によって電圧制御部１５に接続されている。なお、バンプ電極５６３及び固定引出電極５６１Ａは、接触せず、互いに絶縁関係にある。

反射膜設置部５１２は、上述したように、電極配置溝５１１と同軸上で、電極配置溝５１１よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、可動基板５２に対向する反射膜設置面５１２Ａを備えている。
この反射膜設置部５１２には、固定反射膜５４が設置されている。
固定反射膜５４は、反射膜設置部５１２に直接設けてもよいし、反射膜設置部５１２の上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。固定反射膜５４としては、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等、導電性の合金膜を用いることができる。Ａｇ等の金属膜を用いる場合、Ａｇの劣化を抑制するため保護膜を形成することが好ましい。
また、例えば高屈折率層をＴｉＯ_２、低屈折率層をＳｉＯ_２とし、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成された誘電体多層膜を用いてもよく、誘電体多層膜及び金属膜を積層した反射膜や、誘電体単層膜及び合金膜を積層した反射膜等を用いてもよい。

さらに、固定基板５１の光入射面（固定反射膜５４が設けられない面）には、固定反射膜５４に対応する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、固定基板５１の表面での光反射率を低下させ、透過率を増大させる。
また、固定基板５１の可動基板５２に対向する面のうち、電極配置溝５１１、電極引出溝５１１Ｂ、反射膜設置部５１２、及び端子部５１３以外の領域は、後述する第一接合部５７が設けられる固定側接合対象面５１４となる。

（可動基板の構成）
図５は、本実施形態の波長可変干渉フィルターにおける可動基板５２を固定基板５１側から見た平面図である。
可動基板５２は、図２、図４、及び図５に示すように、フィルター平面視においてフィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた基板外周部５２３と、を備えている。

可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２（基板外周部５２３）の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面５１２Ａの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１には、静電アクチュエーター５６を構成する可動電極５６２、及び可動反射膜５５が設けられている。可動電極５６２、及び可動反射膜５５は、可動部５２１の固定基板５１に対向する可動面５２１Ａに直接設けてもよいし、可動面５２１Ａの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。

可動電極５６２は、固定電極５６１と同様、略環状に形成されており、好ましくはフィルター中心点Ｏを円環状に形成されている。また、可動電極５６２は、固定電極５６１と同様、例えばＣ字状等、円環の一部が切り欠かれた形状に構成されていてもよく、複数の環状の電極により構成されていてもよい。
また、可動電極５６２には、可動引出電極５６２Ａが接続され、この可動引出電極５６２Ａは、電極引出溝５１１Ｂに対向する領域に沿って、可動基板５２の外周縁まで引き出されている。より具体的には、可動引出電極５６２Ａは、バンプ電極５６３に対向して設けられており、コア５６３Ａ上のバンプ電極５６３と接触する。これにより、バンプ電極５６３を介して、可動電極５６２が電圧制御部１５に接続される。
このような可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａを形成する材料としては、固定電極５６１と同様、例えば、Ａｕ／Ｃｒ膜、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等を用いることができる。

可動反射膜５５は、可動部５２１の可動面５２１Ａの中心部に、固定反射膜５４とギャップＧ１を介して対向して設けられる。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられる。
なお、本実施形態では、電極５６１，５６２間のギャップが反射膜５４，５５間のギャップＧ１よりも大きい例を示すがこれに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、ギャップＧ１が電極５６１，５６２間のギャップよりも大きくなる構成としてもよい。

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、可動部５２１が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化をある程度抑制出来る。
また、保持部５２２の一部に連通孔５２２Ａが設けられている。この連通孔５２２Ａは、固定基板５１及び可動基板５２の間に設けられる第一内部空間Ｓｐ１（反射膜５４，５５、及び静電アクチュエーター５６が配置される空間）と、可動基板５２及びカバー基板５３間に設けられる第二内部空間Ｓｐ２とを連通する。本実施形態では、第一内部空間Ｓｐ１及び第二内部空間Ｓｐ２が気密封止され、これらの内部空間Ｓｐ１，Ｓｐ２が大気より減圧された気圧（例えば真空）に維持されている。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、可動部５２１のフィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

基板外周部５２３は、フィルター平面視において保持部５２２より外に設けられる部分である。この基板外周部５２３の固定基板５１に対向する面は、本発明の第一面である第一可動側接合対象面５２３Ａとなる。また、基板外周部５２３のカバー基板５３に対向する面は、本発明の第二面である第二可動側接合対象面５２３Ｂとなる。

（カバー基板の構成）
カバー基板５３は、上記固定基板５１および可動基板５２と同様に、ガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、カバー基板５３には、可動基板５２の可動部５２１及び保持部５２２に対向するギャップ形成溝５３１が形成されている。
また、カバー基板５３の両面には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜５３３（バンドパスフィルター）が、固定反射膜５４および可動反射膜５５と同心円状に形成されている。なお、光学膜５３３としては、カバー基板５３のいずれか一方の面のみに設けられる構成としてもよい。また、光学膜５３３は、分光測定装置１により分光測定を実施する対象波長に応じて選択される。例えば可視光域に対する分光測定を実施する分光測定装置１では、赤外域及び紫外域を遮光する光学膜５３３を設ける。この際、２つの光学膜５３３のうちの一方により赤外域をカットし、他方により紫外域をカットしてもよい。
また、カバー基板５３の可動基板５２に対向する面のうち、ギャップ形成溝５３１が設けられない領域は、カバー側接合対象面５３２となる。

（第一接合部及び第二接合部の構成）
次に、固定基板５１及び可動基板５２を接合する第一接合部５７について説明する。
図３に示すように、第一接合部５７は、固定基板５１の固定側接合対象面５１４に設けられた樹脂層５７１Ａ及び金属層５７１Ｂと、可動基板５２の第一可動側接合対象面５２３Ａに設けられた樹脂層５７２Ａ及び金属層５７２Ｂと、を備えている。そして、金属層５７１Ｂ及び金属層５７２Ｂの表面が面接触して金属接合されることで、固定基板５１及び可動基板５２が接合されている。
樹脂層５７１Ａ，５７２Ａは、本発明における第一の下地層、第二の下地層を構成し、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂは、本発明における第一の金属層、第二の金属層を構成する。

これらの樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ及び金属層５７１Ｂ，５７２Ｂは、フィルター平面視において、波長可変干渉フィルター５の第一内部空間Ｓｐ１を囲うように、環状に形成されている。
また、金属層５７１Ｂは、固定基板５１の固定側接合対象面５１４において、樹脂層５７１Ａを覆うように設けられている。つまり、図３に示すように、樹脂層５７１Ａの端縁５７１Ａ１が、金属層５７１Ｂにより完全に覆われており、樹脂層５７１Ａの表面が波長可変干渉フィルター５の外部に露出することはない。また、金属層５７１Ｂの内周端５７１Ｂ１及び外周端５７１Ｂ２は、固定側接合対象面５１４に密着している。
金属層５７２Ｂにおいても同様であり、第一可動側接合対象面５２３Ａにおいて、樹脂層５７２Ａの端縁５７２Ａ１が、金属層５７２Ｂにより完全に覆われており、金属層５７２Ｂの内周端５７２Ｂ１及び外周端５７２Ｂ２は、第一可動側接合対象面５２３Ａに密着している。
なお、これらの樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ及び金属層５７１Ｂ，５７２Ｂは、固定基板５１又は可動基板５２に直接形成されていてもよく、例えば密着層等、他の層を介して形成されていてもよい。

図６は、図３におけるＶＩ−ＶＩ線を断面した断面図である。
ところで、固定基板５１において電極引出溝５１１Ｂが形成される部分は、固定基板５１及び可動基板５２の間の寸法が、固定側接合対象面５１４及び第一可動側接合対象面５２３Ａの間の寸法よりも大きくなるため、金属層５７１Ｂと金属層５７２Ｂとが接触しない。したがって、本実施形態では、この領域には、図６に示すような構成により気密性を確保している。
すなわち、電極引出溝５１１Ｂでは、固定引出電極５６１Ａ及びバンプ電極５６３を覆うように、絶縁層５９が設けられる。なお、バンプ電極５６３のコア５６３Ａが設けられる部位は、可動引出電極５６２Ａとの導通を取る必要があるため、絶縁層５９は設けられない。
また、図３及び図６に示すように、第一接合部５７を構成する樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ及び金属層５７１Ｂ，５７２Ｂは、電極引出溝５１１Ｂの内コア５６３Ａが設けられる位置よりも端子部５１３側に設けられる。ここで、樹脂層５７１Ａ及び金属層５７１Ｂは、図３及び図６に示すように、絶縁層５９上に設けられる。
そして、金属層５７１Ｂ及び金属層５７２Ｂの間は、封止材５７３に封止されることで、第一内部空間Ｓｐ１が密閉される。このような封止材５７３としては、例えば接着剤、低融点ガラス、低融点金属等が用いられ、特にアウトガスが少なく、気密性が高い低融点金属が好ましい。

第二接合部５８も、上記第一接合部５７と同様の構成により可動基板５２及びカバー基板５３を接合する。
図３に示すように、第二接合部５８は、可動基板５２の第二可動側接合対象面５２３Ｂに設けられた樹脂層５８１Ａ及び金属層５８１Ｂと、カバー基板５３のカバー側接合対象面５３２に設けられた樹脂層５８２Ａ及び金属層５８２Ｂと、を備えている。そして、金属層５８１Ｂ及び金属層５８２Ｂの表面が面接触して金属接合されることで、可動基板５２及びカバー基板５３が接合されている。
樹脂層５８１Ａ，５８２Ａは、本発明における第三の下地層、第四の下地層を構成し、金属層５８１Ｂ，５８２Ｂは、本発明における第三の金属層、第四の金属層を構成する。

これらの樹脂層５８１Ａ，５８２Ａ、及び金属層５８１Ｂ，５８２Ｂは、フィルター平面視において、波長可変干渉フィルター５の第二内部空間Ｓｐ２を囲うように、環状に形成されている。
また、金属層５８１Ｂは、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂと同様、樹脂層５８１Ａを覆うように設けられている。つまり、図３に示すように、樹脂層５８１Ａの端縁５８１Ａ１が、金属層５８１Ｂにより完全に覆われており、樹脂層５８１Ａの表面が波長可変干渉フィルター５の外部に露出することはない。また、金属層５８１Ｂの内周端５８１Ｂ１及び外周端５８１Ｂ２は、第二可動側接合対象面５２３Ｂに密着している。
金属層５８２Ｂにおいても同様であり、カバー側接合対象面５３２において、樹脂層５８２Ａの端縁５８２Ａ１が、金属層５８２Ｂにより完全に覆われており、金属層５８２Ｂの内周端５８２Ｂ１及び外周端５８２Ｂ２は、カバー側接合対象面５３２に密着している。

上述したような接合部５７，５８では、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂは、Ａｕ（金）により構成されることが好ましい。Ａｕは、金属において比較的柔軟性が高く（塑性が大きく）、金属結合により高接合強度、高気密性での接合が可能となる。なお、金属層の素材としては、Ａｕに限定されず、Ａｌ、Ａｇ、若しくはＣｕ等の金属、又はこれらの合金を用いてもよい。
また、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａは、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂよりも塑性が大きい素材が用いられる。本実施形態では、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａとしてポリオルガノシロキサンを主成分としてプラズマ重合膜により構成されている。このようなプラズマ重合膜は、メタルマスクを用いて基板表面に容易にパターニングすることができ、製造効率性の向上をも図れる。
なお、樹脂層としては、上述したようなプラズマ重合膜に限定されず、例えばエポキシ系感光材料により構成されていてもよい。樹脂層としてエポキシ系感光材料を用いる場合、フォトマスクによるパターニングを行う。この場合、メタルマスクを用いる場合よりも精度よく樹脂層のパターニングが行え、樹脂層の形状、位置、サイズの精度を向上できる。

なお、本実施形態では、各下地層の一例として樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを用いているが、金属層として用いる素材よりも柔軟であればよい。例えば、本実施形態では、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２ＢとしてＡｕが用いられるので、Ａｕよりも塑性が大きい金属を用いてもよい。このような金属の例としては、Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛），Ｍｇ（マグネシウム）等を挙げることができる。また、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂとして、Ａｕ以外の金属を用いる場合、下地層もそれに応じて素材を変更することができる。例えば、下地層としてＰｂを用い、金属層としてＭｇを用いてもよい。

［光学モジュールの他の構成］
次に、図１に戻り、光学モジュール１０の他の構成物について説明する。
ディテクター１１は、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器１２に出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。

電圧制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に対して駆動電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極５６１及び可動電極５６２間で静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位する。

［制御部の構成］
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、フィルター駆動部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。

フィルター駆動部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定し、Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加させる旨の指令信号を電圧制御部１５に出力する。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。

［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述した波長可変干渉フィルターの製造方法について、図面に基づいて説明する。
図７は、波長可変干渉フィルターの製造方法を示すフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、まず、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１、可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２を用意し、カバー基板５３を形成するための第三ガラス基板Ｍ３を用意し、固定基板形成工程Ｓ１（第二基板形成工程）、可動基板形成工程Ｓ２（第一基板形成工程）、カバー基板形成工程Ｓ３を実施する。なお、固定基板形成工程Ｓ１、可動基板形成工程Ｓ２、及びカバー基板形成工程Ｓ３の工程順は入れ替わってもよい。そして、下地層形成工程Ｓ４により、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを形成した後、金属層形成工程Ｓ５により金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂを形成する。その後、形成した各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を接合する接合工程Ｓ６を実施して、チップ単位で波長可変干渉フィルター５を切り出す。
以下、各工程Ｓ１〜Ｓ５について、図面に基づいて説明する。

（固定基板形成工程）
図８は、固定基板形成工程Ｓ１における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。
固定基板形成工程Ｓ１では、まず、図８（Ａ）に示すように、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１（例えば厚み寸法が１ｍｍ）の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。

次に、図８（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面をエッチングにより加工する。
具体的には、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施す。まず、電極配置溝５１１、電極引出溝５１１Ｂ、反射膜設置部５１２、及び端子部５１３を反射膜設置面５１２Ａの高さ位置（例えば０．５μｍ）までエッチングする。この後、電極配置溝５１１、電極引出溝５１１Ｂ、及び端子部５１３を電極設置面５１１Ａの高さ位置（例えば１．０μｍ）までエッチングする。
なお、第一ガラス基板Ｍ１の表面のうちエッチングされない面は、固定側接合対象面５１４となる。これにより、固定基板５１の基板形状が決定された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
ここで、本実施形態では、１つの第一ガラス基板Ｍ１から複数の固定基板５１を形成する。したがって、この工程では、第一ガラス基板Ｍ１に、複数の固定基板５１がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、エッチングを行う。

次に、第一ガラス基板Ｍ１にポリイミド等の樹脂層を形成し、これをエッチングすることでコア５６３Ａを形成する。そして、第一ガラス基板Ｍ１に固定電極５６１、固定引出電極５６１Ａ（図８及び後述する図１０では省略する）、バンプ電極５６３を形成する電極材料（例えば、本実施形態では、Ｃｒ／Ａｕ層）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて例えば０．１μｍの厚みで成膜する。そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定電極５６１、固定引出電極５６１Ａ、及びバンプ電極５６３の形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、エッチング液によりエッチングを実施した後、レジストを除去する。これにより、図８（Ｃ）に示すように、固定電極５６１、固定引出電極５６１Ａ、及びバンプ電極５６３が形成される。
また、固定電極５６１上に絶縁層を成膜する場合、固定電極５６１の形成後、例えばプラズマＣＶＤ等により固定基板５１の可動基板５２に対向する面全体に、例えば１００ｎｍ程度の厚みのＳｉＯ_２を成膜する。そして、端子部５１３の固定引出電極５６１Ａ、端子部５１３のバンプ電極５６３、及びコア５６３Ａ上のバンプ電極５６３の上に形成されたＳｉＯ_２を、例えばドライエッチング等により除去する。

次に、反射膜設置部５１２上に、固定反射膜５４を形成する。本実施形態では、固定反射膜５４として、Ａｇ合金を用いる。Ａｇ合金等の金属膜やＡｇ合金等の合金膜を用いる場合では、第一ガラス基板Ｍ１の表面に反射膜（金属膜又や合金膜）を形成した後、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングする。
なお、反射膜として誘電体多層膜を形成する場合では、例えばリフトオフプロセスによりパターニングをすることができる。この場合、フォトリソグラフィ法等により、第一ガラス基板Ｍ１上の反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を形成する。この後、固定反射膜５４を形成するための材料（例えば、高屈折層をＴｉＯ_２、低屈折層をＳｉＯ_２とした誘電体多層膜）をスパッタリング法または蒸着法等により成膜する。そして、固定反射膜５４を成膜した後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
以上により、図８（Ｄ）に示すように、固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。

（可動基板形成工程）
次に、可動基板形成工程Ｓ２について説明する。図９は、可動基板形成工程Ｓ２における第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
可動基板形成工程Ｓ２では、まず、図９（Ａ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２（例えば厚み寸法が０．５ｍｍ）の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、第二ガラス基板Ｍ２の表面にＣｒ／Ａｕ層を形成し、このＣｒ／Ａｕ層をエッチングマスクとし、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いて、保持部５２２に相当する領域を例えば厚み寸法が３０μｍとなるようにエッチングする。この後、エッチングマスクとして使用したＣｒ／Ａｕ層を除去することで図９（Ｂ）に示すように、可動基板５２の基板形状が決定された第二ガラス基板Ｍ２が製造される。
ここで、本実施形態では、１つの第二ガラス基板Ｍ２から複数の可動基板５２を形成する。したがって、この工程では、第二ガラス基板Ｍ２に、複数の可動基板５２がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、エッチングを行う。

次に、図９（Ｃ）に示すように、可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａを形成する。この可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａの形成では、上記固定基板５１における固定電極５６１の形成と同様の方法を用いることができる。

この後、図９（Ｄ）に示すように、可動面５２１Ａに可動反射膜５５を形成する。この可動反射膜５５の形成も、固定反射膜５４と同様の方法により形成することができる。
以上により、可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が製造される。

（カバー基板形成工程）
次に、カバー基板形成工程Ｓ３について説明する。
カバー基板形成工程Ｓ３では、第三ガラス基板（例えば厚み寸法が１．０ｍｍ）の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、第三ガラス基板Ｍ３（図１０参照）の表面をマスクしてエッチングすることで、ギャップ形成溝５３１を形成する。また、第三ガラス基板Ｍ３の両面に光学膜５３３を形成し、フォトリソグラフィ等によりパターニングする。

（下地層形成工程）
図１０（Ａ）は下地層形成工程、（Ｂ）は金属層形成工程、（Ｃ）は接合工程を示す図である。
次に、各基板５１，５２，５３における第一接合部５７及び第二接合部５８の形成位置に対応して下地層を形成する下地層形成工程Ｓ４を実施する。
この下地層形成工程Ｓ４では、まず、上記各工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３により形成された各基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の接合対象面５１４．５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２に対して活性化処理を施す。この活性化処理としては、例えば、プラズマ処理、ＵＶ処理等が挙げられるが、反射膜５４，５５への影響を考慮してプラズマ処理を行うことが好ましい。また、このプラズマ処理においても、反射膜５４，５５の劣化を防止するため、不活性ガス（例えばＡｒガスやＮ_２ガス）を用いたプラズマ処理を実施する。

この後、表面活性化された接合対象面５１４．５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２上に下地層である樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを形成する。具体的には、メタルマスクを用いて、ポリオルガノシロキサンを主成分とした樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａをプラズマ重合法により成膜する。各樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの厚み寸法としては、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚み寸法とする。

（金属層形成工程）
次に、図１０（Ｂ）に示すように、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂを形成する金属層形成工程Ｓ５を実施する。
この金属層形成工程Ｓ５では、まず、各基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の接合対象面５１４．５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２、及び樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａに対して活性化処理を施す。この活性化処理としては、下地層形成工程と同様、不活性ガスを用いたプラズマ処理を実施する。
この後、表面活性化された接合対象面５１４，５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２及び樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａ上に金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂを例えばスパッタリング法等により形成する。各金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの厚み寸法としては、ガスバリアとして機能するために十分な厚み寸法（気密性を確保可能な厚み寸法）にし、例えば１０ｎｍ以上の厚みに形成する。
また、各金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂは、上述したように、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを完全に覆い、内周端５７１Ｂ１，５７２Ｂ１，５８１Ｂ１，５８２Ｂ１及び外周端５７１Ｂ２，５７２Ｂ２，５８１Ｂ２，５８２Ｂ２が接合対象面５１４．５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２に密着するように形成する。
なお、本実施形態では、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２ＢとしてＡｕを用いるが、ＣｒやＴｉ等、Ａｕ及びガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３との密着性が高い他の層を形成した後、Ａｕ層を形成する構成などとしてもよい。

（接合工程）
次に、図１０（Ｃ）に示すように、各ガラス基板Ｍ１、Ｍ２，Ｍ３を接合する接合工程Ｓ６を実施する。
この接合工程では、金属層形成工程Ｓ５により形成された各金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの表面を活性化処理する。活性化処理では、下地層形成工程Ｓ４や金属層形成工程Ｓ５と同様、不活性ガスを用いたプラズマ処理を実施する。なお、ＵＶ活性化処理等であってもよい。ＵＶ活性化処理の場合、ＵＶ光による反射膜５４，５５の劣化を防止するために、ＵＶマスク等により反射膜５４，５５を覆う。

この後、各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３のアライメント調整を行い、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を重ね合わせ、接合部分に加熱圧着する。この際の加熱温度としては、反射膜５４，５５の劣化が生じない程度の温度にする。加熱圧着時に加える荷重としては、例えば９８（Ｎ）の荷重で、１０分間印加する。

上記のような接合では、第一接合部５７において、金属層５７１Ｂの表面と、金属層５７２Ｂの表面とが面接触し、加熱圧着されることで金属結合により接合される。ここで、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２は、エッチング等の加工プロセスを経ているため、接合対象面５１４，５２３Ａにおいても面精度が粗くなっていることがある。このような場合、接合対象面５１４，５２３Ａに直接金属層を形成すると、各金属層の表面も基板表面の面精度に応じて粗くなり、微小な凹凸が形成されてしまう。したがって、加熱圧着により金属層同士を接合した場合でも、金属層の表面が適切に面接触せず、気密性が低下する。
これに対して、本実施形態では、下地層として樹脂層５７１Ａ，５７２Ａが設けられているため、基板表面の面精度の粗さ（微小な凹凸）がある場合でも、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａにより凹凸が吸収され、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂの表面精度が向上する。したがって、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂの互いに対向する面を高い面精度で面接触させることが可能となり、接合歩留りを向上させつつ、高い気密性を保った接合を行うことが可能となる。また、加熱圧着によりより金属層５７１Ｂ，５７２Ｂの密着性を向上させることができ、より気密性を向上させることができる。第二接合部５８においても同様である。

この後、固定基板５１及び可動基板５２をチップ単位で取り出す切断工程を実施する。具体的には、図１０（Ｃ）に示す、ラインＢ１に沿って第二ガラス基板Ｍ２及び第三ガラス基板Ｍ３のみを切断する。そして、ラインＢ２に沿って第一ガラス基板Ｍ１、第二ガラス基板Ｍ２、及び第三ガラス基板Ｍ３を切断する。最後に、ラインＢ３に沿って第一ガラス基板Ｍ１を切断する。なお、ラインＢ１〜Ｂ３の切断においては、どの順で切断を行っても構わない。これらの切断には、例えばスクライブブレイクやレーザー切断等を利用することができる。

この後、電極引出溝５１１Ｂを封止材５７３で封止する。この封止材５７３の封止を行う際には、切り出された接合体（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を接合した構成物）を真空チャンバー内で実施する。これにより、第一内部空間Ｓｐ１、第二内部空間Ｓｐ２が真空状態で気密に封止された波長可変干渉フィルター５が製造される。
なお、さらなる気密性の確保のため、各接合部５７，５８の外周部、つまり各基板５１，５２，５３の外周縁に沿って別途封止材を注入して封止する構成としてもよい。

［第一実施形態の作用効果］
本実施形態では、第一接合部５７において、固定基板５１に設けられた樹脂層５７１Ａと、この樹脂層５７１Ａを覆う金属層５７１Ｂと、可動基板５２に設けられた樹脂層５７２Ａと、この樹脂層５７２Ａを覆う金属層５７２Ｂと、を備えている。そして、金属層５７１Ｂと金属層５７２Ｂとが金属接合されることで、第一接合部５７により固定基板５１及び可動基板５２が接合されている。
このような接合構成では、基板５１，５２の表面精度が悪く、微小な凹凸が形成されている場合であっても、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａによりこれらの凹凸を吸収することができ、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂの表面に基板の凹凸形状が現れない。したがって、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂの面精度が高く、表面全体を密着させることができ、接合歩留りを高めつつ、高い気密性を保った接合を実施することができる。
また、下地層である樹脂層５７１Ａ、５７２Ａは、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂに比べて微小な気泡等により気密性が高くないが、この樹脂層５７１Ａ，５７２Ａは、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂにより覆われているため、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａを介して第一内部空間Ｓｐ１が外部と連通することはない。さらに、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂによる金属接合を行うため、高気密性を保った接合が可能となる。

本実施形態では、可動基板５２に対してカバー基板５３が第二接合部５８により接合されている。この第二接合部５８は、可動基板５２に設けられた樹脂層５８１Ａと、この樹脂層５８１Ａを覆う金属層５８１Ｂと、カバー基板５３に設けられた樹脂層５８２Ａと、この樹脂層５８２Ａを覆う金属層５８２Ｂと、を備えている。そして、金属層５８１Ｂと金属層５８２Ｂとが金属接合されることで、第二接合部５８により可動基板５２及びカバー基板５３が接合されている。したがって、上記第一接合部５７と同様、接合歩留りを高めつつ、高い気密性を保った接合を実施することができる。

本実施形態では、上記のような第一接合部５７及び第二接合部５８により第一内部空間Ｓｐ１及び第二内部空間Ｓｐ２が真空状態（又は大気圧よりも減圧された状態）で気密維持されている。したがって、静電アクチュエーター５６により反射膜５４，５５間のギャップ寸法を変更する際に、空気抵抗に影響を低減でき、波長可変干渉フィルター５の駆動時の応答性を向上させることができる。
また、第一内部空間Ｓｐ１及び第二内部空間Ｓｐ２が気密封止されることで、例えば帯電粒子や水滴等の侵入を防止でき、これらの粒子の侵入による動作不良や反射膜５４，５５の劣化を抑制することができる。

本実施形態では、下地層として、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜により形成される樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを用いている。
このようなプラズマ重合膜は、メタルマスクを用いた簡易な方法により成膜することができ製造効率性を向上させることができる。
また、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを用いることで、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの材料選択の自由度の向上を図れる。

下地層形成工程Ｓ４において、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の基板表面をプラズマ処理した後、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを形成する。このため、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３との密着性を向上させることができ、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの剥離等を抑制できる。

金属層形成工程Ｓ５において、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の基板表面、及び樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの表面をプラズマ処理した後、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂを形成する。このため、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３や樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａに対する密着性を向上させることができ、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの剥離等を抑制できる。

接合工程Ｓ６において、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの表面をプラズマ処理により活性化し、加熱圧着させる。
このため、活性化処理により、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの表面が活性化することができ、接合しやすい状態にすることができる。また、加熱圧着により、結合手同士を容易に結合させることができ、強固な金属接合を好適に行うことができる。

また、プラズマ処理において、Ｎ_２ガスやＡｒガスが用いられるため、反射膜５４，５５の劣化を抑制することができる。さらに、加熱圧着時において、反射膜５４，５５への影響が出ない所定圧着温度に設定しているため、反射膜５４，５５の劣化を抑制することができる。

［第一実施形態の変形例］
上述した第一実施形態では、固定引出電極５６１Ａ及びバンプ電極５６３が電極引出溝５１１Ｂから端子部５１３に引き出され、電極引出溝５１１Ｂにおいて、封止材５７３により封止される構成を例示したがこれに限定されない。
図１１は、第一実施形態の変形例における波長可変干渉フィルター５Ａの概略構成を示す断面図である。
図１１に示すように、固定基板５１を厚み方向に対して貫通する貫通電極５６１Ｂ，５６３Ｂを設け、固定引出電極５６１Ａ及びバンプ電極５６３を貫通電極５６１Ｂ，５６３Ｂに接続する構成としてもよい。このような貫通電極５６１Ｂ、５６３Ｂは、例えば、固定基板５１に対してダイヤモンドドリルやサンドブラスト等により貫通孔を形成して、当該貫通孔をＡｕ等のメッキにより封止することで形成することができる。また、固定基板５１のガラス形成時に金属棒（貫通電極５６１Ｂ，５６３Ｂ）を埋め込んでおく等してもよい。
そして、固定基板５１の可動基板５２とは反対側の面に、固定引出電極５６１Ａに貫通電極５６１Ｂを介して接続される固定電極端子５６１Ｃを設け、バンプ電極５６３に貫通電極５６３Ｂを介して接続されるバンプ電極端子５６３Ｃを設ける。これにより、固定電極端子５６１Ｃ及びバンプ電極端子５６３Ｃをそれぞれ電圧制御部１５に接続することで静電アクチュエーター５６を制御することが可能となる。

さらに、固定基板５１に、第一内部空間Ｓｐ１と、波長可変干渉フィルター５の外部とを連通する第一孔部５１５が形成されている。この第一孔部５１５は、第一内部空間Ｓｐ１及び第二内部空間Ｓｐ２が減圧された状態で、封止材５１６により封止される。封止材５１６としては、接着剤、低融点ガラス、Ａｕ等の低融点金属等が用いられる。
このような波長可変干渉フィルター５は、各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を接合した後、第一孔部５１５から第一内部空間Ｓｐ１及び第二内部空間Ｓｐ２の空気を吸入して真空状態にし、その後、封止材５１６により封止する。

［第二実施形態］
次に、本発明に係る第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、各接合対象面５１４，５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２が平面であり、これらの接合対象面５１４，５２３Ａ，５２３Ｂ，５３２に下地層である樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａを形成する例を示した。
しかしながら、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの形成時に、その端縁５７１Ａ１，５７２Ａ１，５８１Ａ１，５８２Ａ１が浮き上がる等により、他の部分より厚み寸法が大きくなる場合がある。この場合、これらの樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの上に形成された金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂの前記端縁５７１Ａ１，５７２Ａ１，５８１Ａ１，５８２Ａ１に対応する部分も浮き上がってしまう。したがって、金属層５７１Ｂ及び金属層５７２Ｂ、又は金属層５８１Ｂ及び金属層５８２Ｂが、当該浮き上がり部分でのみ接触し、気密性を十分に確保できないおそれがあり、接合強度も低下するおそれがある。
これに対して、第二実施形態では、このような下地層形成時の樹脂層の形状変化を考慮して、樹脂層５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａの形成位置が前記第一実施形態と相違している。

図１２は、第二実施形態における第一接合部５７Ａ近傍を示した拡大断面図である。
図１２に示すように、本実施形態の固定基板５１は、フィルター平面視において、固定側接合対象面５１４（接合面）の周囲に、エッチングにより形成された凹部が設けられ、当該凹部の底面は、固定側接合対象面５１４よりも可動基板５２までの距離が長くなる第一面５１４Ａ，５１４Ｂを形成する。なお、フィルター平面視において、固定側接合対象面５１４の内側の第一面５１４Ａは電極設置面５１１Ａであってもよく、固定側接合対象面５１４の外側の第一面５１４Ｂは端子部５１３であってもよい。
そして、第一接合部５７の樹脂層５７１Ａは、固定側接合対象面５１４から、第一面５１４Ａ，５１４Ｂに亘って設けられている。すなわち、樹脂層５７１Ａは、固定側接合対象面５１４を覆うように形成されている。
また、金属層５７１Ｂは、樹脂層５７１Ａを覆って設けられる。したがって、金属層５７１Ｂの内周端５７１Ｂ１は、第一面５１４Ａに位置し、外周端５７１Ｂ２は、第一面５１４Ｂに位置する。

一方、可動基板５２に設けられる樹脂層５７２Ａは、フィルター平面視において固定側接合対象面５１４を覆うように設けられる。つまり、可動基板５２は、固定側接合対象面５１４に対向する部分から第一面５１４Ａ，５１４Ｂに対向する部分に亘って設けられている。したがって、樹脂層５７２Ａの端縁は、第一面５１４Ａに対向する位置、及び第一面５１４Ｂに対向する位置にある。
また、金属層５７２Ｂは、樹脂層５７２Ａを覆って設けられるため、金属層５７１Ｂの内周端５７２Ｂ１は、第一可動側接合対象面５２３Ａにおける第一面５１４Ａに対向する位置、外周端５７１Ｂ２は、第一可動側接合対象面５２３Ａにおける第一面５１４Ａに対向する位置にある。

このような第二実施形態では、下地層である樹脂層５７１Ａ，５７１Ｂの端縁が第一面５１４Ａ，５１４Ｂ上、または第一面５１４Ａ，５１４Ｂに対向する位置となる。このため、前記端縁において、他部よりも厚み寸法が大きくなる浮き上がりが生じ、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂにも凸部が生じたとしても、接合対象面５１４，５２３Ａ上での金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ同士の接合に影響が出ない。したがって、接合歩留りを高めつつ、高い気密性を保った接合を実施することができる。

なお、図１２では、固定基板５１に第一面５１４Ａ，５１４Ｂを設ける構成としたが、これに限定されず、可動基板５２の第一可動側接合対象面５２３Ａの周囲に第一面を設け、樹脂層５７２Ａを第一可動側接合対象面５２３Ａから第一面に亘って形成する構成としてもよい。さらに、固定基板５１及び可動基板５２の双方に、第一面を設ける構成としてもよい。
また、上記において、第一接合部５７について説明したが、第二接合部５８においても同様であり、可動基板５２の第二可動側接合対象面５２３Ｂの周囲に第一面を設け、樹脂層５８１Ａを第二可動側接合対象面５２３Ｂから第一面に亘って形成してもよい。また、カバー基板５３のカバー側接合対象面５３２の周囲に第一面を設け、樹脂層５８２Ａをカバー側接合対象面５３２から第一面に亘って形成してもよい。

［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、樹脂層としては、上述したように、プラズマ重合膜に限定されず、例えばエポキシ系感光材料や金属層（Ａｕ）よりも柔らかい他の金属により構成されていてもよい。樹脂層としてエポキシ系感光材料を用いる場合、フォトマスクによるパターニングを行えるため、樹脂層の形成位置の精度を向上できる。

また、下地層である、第一接合部５７において、樹脂層５７１Ａ及び樹脂層５７２Ａを設ける構成としたがこれに限定されない。
下地層としては、固定基板５１及び可動基板５２のいずれか一方に設けられていればよい。したがって、例えば、固定基板５１に樹脂層５７１Ａを介して金属層５７１Ｂが設けられ、可動基板５２には、金属層５７２Ｂが直接基板に設けられる構成としてもよい。また、固定基板５１に直接金属層５７１Ｂが設けられ、可動基板５２に樹脂層５７２Ａを介して金属層５７２Ｂが設けられる構成としてもよい。
第二接合部５８においても同様であり、可動基板５２及びカバー基板５３のいずれか一方に下地層が設けられていればよい。例えば、可動基板５２に樹脂層５８１Ａを介して金属層５８１Ｂが設けられ、カバー基板５３には、金属層５８２Ｂが直接基板に設けられる構成としてもよい。また、可動基板５２に直接金属層５８１Ｂが設けられ、カバー基板５３に樹脂層５８２Ａを介して金属層５８２Ｂが設けられる構成としてもよい。

また、例えば、上記のように、固定基板５１に樹脂層５７１Ａを介して金属層５７１Ｂが設けられ、可動基板５２には、金属層５７２Ｂが直接基板に設けられる構成とした場合でも、第二実施形態にて例示したように、固定基板５１に固定側接合対象面５１４及び第一面５１４Ａ，５１４Ｂを形成し、固定側接合対象面５１４から第一面５１４Ａ，５１４Ｂに亘って樹脂層５７１Ａを形成する構成とすることが好ましい。
さらに、可動基板５２に樹脂層５７２Ａを介して金属層５７２Ｂが設けられ、固定基板５１には、金属層５７１Ｂが直接基板に設けられる構成とした場合、固定基板５１に固定側接合対象面５１４及び第一面５１４Ａ，５１４Ｂを形成し、可動基板５２の固定側接合対象面５１４に対向する部分から第一面５１４Ａ，５１４Ｂに対向する部分に亘って樹脂層５７２Ａを形成する構成とすることが好ましい。この場合でも、樹脂層５７２Ａの外周端部に浮き上がりが発生しても、金属層５７１Ｂ，５７２Ｂ同士の接合時に、浮き上がり部の影響を受けず、高い密着性での接合が可能となる。

また、上述した各実施形態では、ギャップ変更部として静電アクチュエーター５６を例示し、静電アクチュエーター５６により、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の間のギャップＧ１の寸法を変更する構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、ギャップ変更部としては、固定基板５１に設けられる第一誘電コイルと、可動基板５２に設けられる第二誘電コイルまたは永久磁石とにより構成される誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。
更に、静電アクチュエーター５６の代わりに圧電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。この場合、例えば保持部５２２に下部電極層、圧電膜、及び上部電極層を積層配置させ、下部電極層及び上部電極層の間に印加する電圧を入力値として可変させることで、圧電膜を伸縮させて保持部５２２を撓ませることができる。

さらに、ギャップ変更部が設けられない、波長固定側のファブリーペローエタロンに対しても、本発明を適用することができる。
波長固定型の干渉フィルターでは、上記実施形態のような可動部５２１や保持部５２２が設けられず、第一基板（可動基板５２）と第二基板（固定基板５１）との間隔（反射膜５４，５５間のギャップＧ１）が一定に維持される。
この際、第一接合部５７により固定基板５１及び可動基板５２が高い気密性で接合されているため、固定基板５１及び可動基板５２の間への異物の侵入を好適に防止でき、反射膜５４，５５の劣化を抑制できる。

さらに、上記実施形態では、可動反射膜５５（第一反射膜）が設けられた可動基板５２（第一基板）と、固定反射膜５４（第二反射膜）が設けられた固定基板５１（第二基板）と、を第一接合部５７により接合する例を示したが、これに限定されない。例えば、第二反射膜が第二基板に設けられない構成などとしてもよい。
また、上記実施形態では、第三基板であるカバー基板５３を備える構成を例示したが、第三基板が設けられない構成などとしてもよい。
以下、このような干渉フィルターの具体例を図１３に基づいて説明する。
図１３は、本発明の他の実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図である。
図１３に示す波長可変干渉フィルター５Ｂでは、第一基板５１Ａと第二基板５２Ａとが対向して配置されており、これらに第一基板５１Ａ及び第二基板５２Ａが、上述した各実施形態と同様の構成を有する第一接合部５７（または第一接合部５７Ａ）により接合されることで、内部空間ＳＰ３が形成されている。
また、第一基板５１Ａには、例えばエッチング等によって形成された溝部５１Ａ１が設けられており、この溝部５１Ａ１に第一反射膜５４Ａが設けられている。また、第一反射膜５４Ａに対して、所定のギャップＧ１を介して第二反射膜５５Ａが対向配置されている。
さらに、第一反射膜５４Ａ上に静電アクチュエーター５６Ａを構成する第一駆動電極５６１Ａが設けられ、第二反射膜５５Ａ上に第二駆動電極５６２Ａが設けられている。

このような構成は、第一基板５１Ａに第一反射膜５４Ａを形成し、第一駆動電極５６１Ａを形成した後、犠牲層を形成する。そして、犠牲層上に第二駆動電極５６２Ａを形成し、第二反射膜５５Ａを形成し、最後に、エッチング等により犠牲層を除去する。これにより、図１３に示すような反射膜５４Ａ，５５Ａ及び駆動電極５６１Ａ，５６２Ａを形成することができる。
そして、この波長可変干渉フィルター５Ｂにおいても、第一接合部５７（または第一接合部５７Ａ）により、第一基板５１Ａ及び第二基板５２Ａが接合される構成であり、上記実施形態と同様、第一基板５１Ａ及び第二基板５２Ａを高い気密性で接合することができ、内部空間ＳＰ３の高気密性を維持することができる。

本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。

例えば、図１４に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１４は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１４に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光し、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。

光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１４には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば検査対象Ａが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。

測色センサー４２０は、本発明の光学モジュールであり、図１４に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター１１と、波長可変干渉フィルター５で透過させる光の波長を可変する電圧制御部１５とを備える。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、上述した波長可変干渉フィルター５Ａが設けられる構成としてもよい。

制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１４に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の電圧制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、検査対象Ａの色度を分析する。

また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。

図１５は、本発明の光学モジュールを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１６は、図１５のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１５に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（検出部）等を含む検出装置（光学モジュール）と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８（処理部）、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、上述した波長可変干渉フィルター５Ａが設けられる構成としてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１６に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
更に、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１６に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１５、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。

次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出す
ると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。

また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１５に対して制御信号を出力する。これにより、電圧制御部１５は、上記第一実施形態と同様にして波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。

なお、上記図１５及び図１６において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。

図１７は、本発明の光学モジュールを利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１７に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（検出部）と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、上述した波長可変干渉フィルター５Ａが設けられる構成としてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部１５と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。

この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部１５の制御により、上記第一実施形態に示すような駆動方法で駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部１５を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、更には、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。

また、図１７において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

更には、本発明の光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。

また、電子機器としては、本発明の光学モジュールにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１８は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１８に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１８に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、上述した波長可変干渉フィルター５Ａ，５Ｂや、光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。

更には、本発明の光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。

更には、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

上記に示すように、本発明の光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学モジュールは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。

また、上述した各実施形態では、干渉フィルターにおける基板同士の接合を例示したが、本発明は、これに限定されず、基板同士を接合することで内部空間を気密に密閉した様々な接合基板に適用することができる。
図１９は、気密封止された内部空間にデバイスを収容した接合基板の一例である圧力センサーの概略構成を示す図である。
この圧力センサー７は、感圧基板７１と、感圧基板７１の一方の面を封止するように接合されるベース基板７２と、感圧基板７１の他方の面を封止するように接合されるダイヤフラム基板７３とを備えている。
感圧基板７１は、中央に配置される感圧素子７１１と、枠部７１２とを備える。感圧素子７１１は、例えば一対の平行な柱状ビーム７１３と、柱状ビームの両端に接続される一対の基部７１４とを有している。また、柱状ビーム７１１には、励振電極（図示略）が設けられ、これら励振電極は、基部に設けられた入出力電極（図示略）に接続され、入出力電極はから枠部７１２に伸びる引出電極により外部に引き出されている。
ベース基板７２は、感圧素子７１１を収容する内部空間Ｓを密閉するための基板であり、枠部７２１と、枠部７２１の内部に設けられた凹部７２２とを備えている。枠部７２１は、感圧素子７１の枠部７１２に第一接合部７４により接合される。
ダイヤフラム基板７３は、感圧基板７１に対向する面が例えばエッチング等により加工されることで、枠部７３１と、支持部７３２と、可撓部７３３とを構成する。枠部７３１は、感圧素子７１の枠部７１２に第二接合部７５により接合される。支持部７３２は、接合部材７３３により基部７１３に接合される。可撓部７３３は、枠部７３１及び支持部７３２よりも厚み寸法が小さく、可撓性を有しており、圧力を受けて変形する。

そして、第一接合部７４及び第二接合部７５は、上記第一実施形態における接合部５７，５８（又は第二実施形態における接合部５７Ａ）と同様の構成を有している。すなわち、第一接合部７４は、枠部７１１に対して設けられた下地層である樹脂層７４１Ａと、この樹脂層７４１Ａを覆う金属層７４１Ｂと、枠部７２１に対して設けられた下地層である樹脂層７４２Ａと、この樹脂層７４２Ａを覆う金属層７４２Ｂと、を備えている。そして、金属層７４１Ｂ及び金属層７４２Ｂが金属接合されることで、感圧基板７１及びベース基板７２が接合されている。なお、上記第一接合部５７と同様、枠部７１１及び枠部７１２のいずれか一方にのみ樹脂層が設けられる構成としてもよい。
同様に、第二接合部７２は、枠部７１１に対して設けられた下地層である樹脂層７５１Ａと、この樹脂層７５１Ａを覆う金属層７５１Ｂと、枠部７３１に対して設けられた下地層である樹脂層７５２Ａと、この樹脂層７５２Ａを覆う金属層７５２Ｂと、を備えている。そして、金属層７５１Ｂ及び金属層７５２Ｂが金属接合されることで、感圧基板７１及びダイヤフラム基板７３が接合されている。なお、上記第二接合部５８と同様、枠部７１２及び枠部７１３のいずれか一方にのみ樹脂層が設けられる構成としてもよい。
このような圧力センサー７においても、上記第一及び第二実施形態と同様に、接合部７４，７５により、感圧基板７１及びベース基板７２、感圧基板７１及びダイヤフラム基板７３を、それぞれ、高い気密性を保った状態で接合させることができる
なお、図１９に示す例では、接合基板の一例として圧力センサー７を例示し、一対の基板間にデバイスとしての感圧素子７１１を収容する例を示したがこれに限定されない。その他、内部空間Ｓに収容されるデバイスとして、圧電振動子、ＭＥＭＳ振動子、加速度センサー、圧電素子、ミラーデバイス等を配置してもよい。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。

１…分光測定装置、５，５Ａ…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール、１１…ディテクター、１５…電圧制御部、２０…制御部、５１…固定基板、５２…可動基板、５３…カバー基板、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター、５７…第一接合部、５８…第二接合部、１００…ガス検出装置、２００…食物分析装置、３００…分光カメラ、４００…測色装置、５１４…固定側接合対象面、５１４Ａ，５１４Ｂ…第一面、５２３Ａ…第一可動側接合対象面、５２３Ｂ…第二可動側接合対象面、５３２…カバー側接合対象面、５７１Ａ，５７２Ａ，５８１Ａ，５８２Ａ…樹脂層、５７１Ｂ，５７２Ｂ，５８１Ｂ，５８２Ｂ…金属層。

Claims

第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、
前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、を備え、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第二の金属層よりも塑性が大きい第二の下地層を有し、
前記第二の金属層は、前記第二の下地層を覆って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１又は請求項２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の前記第二基板が配置された面とは反対側に配置された第三基板と、
前記第一基板及び前記第三基板を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止する第二接合部と、を備え、
前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に設けられた第三の下地層と、前記第三の下地層が設けられた基板において、前記第三の下地層を覆って設けられ、前記第三の下地層よりも塑性が小さい第三の金属層と、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第三の金属層に接合される第四の金属層と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項３に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第四の金属層よりも塑性が大きい第四の下地層を有し、
前記第四の金属層は、前記第四の下地層を覆って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、
前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、を備え、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた樹脂からなる第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられた第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項５に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられた樹脂からなる第二の下地層を有し、
前記第二の金属層は、前記第二の下地層を覆って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項５又は請求項６に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の前記第二基板が配置された面とは反対側に配置された第三基板と、
前記第一基板及び前記第三基板を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止する第二接合部と、を備え、
前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に設けられた樹脂からなる第三の下地層と、前記第三の下地層が設けられた基板において、前記第三の下地層を覆って設けられた第三の金属層と、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられ、前記第三の金属層に接合される第四の金属層と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項７に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二接合部は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に設けられた樹脂からなる第四の下地層を有し、
前記第四の金属層は、前記第四の下地層を覆って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項３、請求項４、請求項７、及び請求項８のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一反射膜及び前記第二反射膜の間の寸法を変更するギャップ変更部を備え、
前記第一内部空間及び前記第二内部空間が大気圧よりも低い気圧で封止されている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項９のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板は、前記第一基板に対向する接合面、及び当該接合面より前記第一基板までの距離が長い第一面を備え、前記下地層は、前記接合面から前記第一面に亘って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板は、前記第一基板に対向する接合面、及び当該接合面より前記第一基板までの距離が長い第一面を備え、前記下地層は、前記第一基板の前記接合面に対向する部分から前記第一基板の前記第一面に対向する部分に亘って設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記下地層は、樹脂層である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記下地層は、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記下地層は、エポキシ系感光材料である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記金属層は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、若しくはＣｕ、又はこれらの合金である
ことを特徴とする干渉フィルター。
第一基板を形成し、前記第一基板に入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜を設ける第一基板形成工程と、
第二基板を形成し、前記第二基板に入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を設ける第二基板形成工程と、
前記第一基板及び前記第二基板のいずれか一方に、第一の下地層を形成する下地層形成工程と、
前記第一基板及び前記第二基板のいずれか一方に、前記第一の下地層よりも塑性が小さく、前記第一の下地層を覆う第一の金属層を形成し、前記第一基板及び前記第二基板の他方に前記第一の金属層に接合される第二の金属層を形成する金属層形成工程と、
前記第一の金属層及び前記第二の金属層を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する接合工程と、
を実施することを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第二基板の他方に、前記第二の金属層よりも塑性が大きい第二の下地層を形成し、
前記金属層形成工程は、前記第二の下地層を覆って前記第二の金属層を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６または請求項１７に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記第一基板の前記第二基板が配置される面とは反対側に配置される第三基板を形成する第三基板形成工程を実施し、
前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に、第三の下地層を形成し、
前記金属層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板のいずれか一方に、前記第三の下地層よりも塑性が小さく、前記第三の下地層を覆う第三の金属層を形成し、前記第一基板及び前記第三基板の他方に前記第三の金属層に接合される第四の金属層を形成し、
前記接合工程は、前記第三の金属層及び前記第四の金属層を接合し、前記第一基板と前記第三基板との間に形成された第二内部空間を封止する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１８に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記下地層形成工程は、前記第一基板及び前記第三基板の他方に、前記第四の金属層よりも塑性が大きい第四の下地層を形成し、
前記金属層形成工程は、前記第四の下地層を覆って前記第四の金属層を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６から請求項１９のいずれかに記載のフィルターの製造方法において、
前記接合工程は、前記金属層の表面を活性化処理した後、前記金属層同士を圧着により活性化接合する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項２０に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記接合工程における前記活性化処理は、不活性ガスを用いたプラズマ処理である
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６から請求項２１のいずれかに記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記接合工程は、前記第一反射膜及び前記第二反射膜が劣化する温度よりも低い圧着温度まで加熱しながら前記金属層同士を圧着する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６から請求項２２のいずれかに記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記下地層形成工程は、前記下地層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理した後、前記下地層を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
請求項１６から請求項２３のいずれかに記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記金属層形成工程は、前記金属層の下層に設けられた基材の表面をプラズマ処理した後、前記金属層を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、
前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部と、
前記第一反射膜及び前記第二反射膜の間に入射した光が干渉して選択された波長の光を受光する受光部と、を備え、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有する
ことを特徴とする光学モジュール。
第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、前記第一反射膜とギャップを隔てて対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜、及び前記第一基板及び前記第二基板を接合し、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される第一内部空間を封止する第一接合部を有する干渉フィルターと、
前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、
前記第一接合部は、前記第一基板及び第二基板のいずれか一方に設けられた第一の下地層と、前記第一の下地層が設けられた基板において、前記第一の下地層を覆って設けられ、前記第一の下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記第一基板及び第二基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有する
ことを特徴とする電子機器。
一対の基板と、
前記一対の基板を接合し、前記一対の基板の間に形成される内部空間を封止する接合部と、
前記内部空間に収容されるデバイスと、を備え、
前記接合部は、前記一対の基板のいずれか一方に設けられた下地層と、前記下地層が設けられた基板において、前記下地層を覆って設けられ、前記下地層よりも塑性が小さい第一の金属層と、前記一対の基板の他方に設けられ、前記第一の金属層に接合される第二の金属層と、を有する
ことを特徴とする接合基板。