JP2020098258A - 光学モジュール及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】平面サイズを小さくできる光学モジュール、及び光学モジュールを搭載した電子機器を提供する。【解決手段】光学モジュール１００は、波長可変干渉フィルター１１０が内蔵された光学フィルターデバイス７を有する第１基板１１と、受光素子１７を有する第２基板１２と、第１基板１１と第２基板１２とを機械的又は電気的に接合する第１支持部１６と、を備え、波長可変干渉フィルター１１０と受光素子１７とは、第１支持部１６により対向して配置され、第１基板１１と第２基板１２とは、第１支持部１６により、回路素子２１を実装可能な隙間Ｓ１を有して接合される。【選択図】図３

Description

本発明は、光学モジュール、及び光学モジュールを備えた電子機器に関するものである。

従来、光学フィルター、受光素子、及び光学フィルターと受光素子を駆動する回路基板を有する光学モジュールが知られている。特許文献１では、光学フィルターとして、任意の波長にスペクトルのピークを調整できる、波長可変干渉フィルター（ファブリペローエタロン）を備えた光学フィルターデバイスを使用している。そして、特許文献１では、凹部と平面部を有する回路基板の凹部を覆うように光学フィルターデバイスを固定し、凹部内に受光素子を収納した構成を開示している。また、特許文献１では、貫通孔部と平面部を有する回路基板の貫通孔部を覆うように、回路基板の一方の平面部に光学フィルターデバイスを固定すると共に、受光素子を固定した受光基板を、光学フィルターデバイスに対面して貫通孔部を覆うように、回路基板の他方の平面部に固定した構成を開示している。

特開２０１５−１６１５１１号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構成は、波長可変干渉フィルターに入射する光軸とは直交する方向に、回路基板が平面的に広がる構成である。光学モジュールを搭載する機器の要求によっては、平面的な広さを抑えた構造が必要なのに対し、回路面積の狭小化が困難であるという課題があった。

本願の光学モジュールは、波長可変干渉フィルターが内蔵された光学フィルターデバイスを有する第１基板と、受光素子を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを機械的又は電気的に接合する第１支持部と、を備え、前記波長可変干渉フィルターと前記受光素子とは、前記第１支持部により対向して配置され、前記第１基板と前記第２基板とは、前記第１支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることを特徴とする。

上記、光学モジュールにおいて、第３基板と、前記第２基板と前記第３基板とを機械的又は電気的に接合する第２支持部と、を備え、前記第２基板と前記第３基板とは、前記第２支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることが好ましい。

上記、光学モジュールにおいて、前記第２基板には、容量電圧変換回路が設けられることが好ましい。

本願の電子機器は、上述するいずれかの光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。

第１実施形態に係る光学モジュールの構成を示すブロック図。 光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 光学モジュールの概略構成を示す断面図。 光学モジュールの概略構成を示す斜視図。 光学モジュールの概略構成を示す平面図。 第２実施形態に係る光学モジュールの概略構成を示す断面図。 第３実施形態に係る電子機器を示す概略斜視図。 従来の光学モジュールの概略構成を示す断面図。 従来の光学モジュールの概略構成を示す平面図。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以降の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさとするため、各部材の尺度を実際とは異ならせている。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る光学モジュール１００の構成を示すブロック図である。
最初に、本実施形態に係る光学モジュール１００の構成について説明する。

図１に示すように、光学モジュール１００は、制御部１、光学フィルターデバイス駆動部５、光学フィルターデバイス信号処理部６、光学フィルターデバイス７、受光部８、光信号処理部９等で構成されている。また、制御部１は、記憶部２、電圧制御部３、分光測定部４等で構成されている。

記憶部２は、光学フィルターデバイス７を、任意の波長に設定するために必要な電圧値を記憶する部分であり、例えば温度のような特定要因によるずれの補正値も同時に記憶している。

光学フィルターデバイス駆動部５は、電圧制御部３からの信号で光学フィルターデバイス７を駆動する部分である。光学フィルターデバイス７の内部には、駆動状況によって値が変化する例えば可変容量が備えられており、駆動状況は光学フィルターデバイス信号処理部６によって読み取られる。光学フィルターデバイス信号処理部６によって読み取られた駆動状況は、電圧制御部３において記憶部２で記憶した電圧値と比較し、差異を光学フィルターデバイス駆動部５にフィードバックされる。

光学フィルターデバイス７は、被測定物１０からの光から、任意の波長を選択的に透過する。光学フィルターデバイス７を透過した光は、受光部８で受光され、光信号処理部９で電圧に変換され、分光測定部４で保持される。光学フィルターデバイス７の波長を走査し、受光を繰返し行うことで、被測定物１０のスペクトルを測定することができる。

図２は、光学フィルターデバイス７の概略構成を示す断面図である。
光学フィルターデバイス７は、波長可変干渉フィルター１１０と筐体４０とを備えている。波長可変干渉フィルター１１０は、第１ガラス部材１８と第２ガラス部材１９と筐体４０とによって構成される外装の内部に内蔵されている。

筐体４０と第１ガラス部材１８、筐体４０と第２ガラス部材１９は、それぞれ接合部材４１により接合されている。接合部材４１としては、例えば、低融点ガラスやエポキシ樹脂等が挙げられる。また、波長可変干渉フィルター１１０と筐体４０は、接着剤等の固定材４２によって固定される。この時、波長可変干渉フィルター１１０に固定材４２の応力が伝達することを抑制するために、波長可変干渉フィルター１１０と筐体４０との固定は１点で行うことが好ましい。筐体４０外面の電極４４と波長可変干渉フィルター１１０とは、ワイヤーボンディング４３と筐体４０内の配線とによって導通がとられている。

波長可変干渉フィルター１１０は、ベース基板４５とダイアフラム基板４６とで構成されており、接合膜５１によって接合されている。ベース基板４５とダイアフラム基板４６には、ミラー４７がそれぞれに成膜されている。対面するミラー４７は、最表面が導体で形成されている。そして、対面するミラー４７の間の静電容量は、光学フィルターデバイス信号処理部６によって読み取られる。また、対面するミラー４７の間の距離は、同心円状に形成される固定電極４８と可動電極４９とが対面することで構成される静電アクチュエーターによって制御される。

対面する固定電極４８と可動電極４９の間に電圧が印加された場合、静電力によって固定電極４８と可動電極４９とが引き合う力が発生する。この時、同心円状に形成されるダイアフラム部５０が変形する事で、ダイアフラム基板４６のミラー４７がベース基板４５側に引き寄せられ、対面するミラー４７の間の距離が制御される。そして、対面するミラー４７の間の距離に対応して波長可変干渉フィルター１１０を透過する光の波長が選択される。

分光測定時には、光軸Ｌに沿って第２ガラス部材１９側から光学フィルターデバイス７に被測定物１０からの光が入射する。そして、光学フィルターデバイス７に入射した光は、対面するミラー４７の間で干渉し、対面するミラー４７の間の距離に対応して選択された波長の光が、波長可変干渉フィルター１１０を透過する。波長可変干渉フィルター１１０を透過した光は、第１ガラス部材１８を透過し、光学フィルターデバイス７から射出される。

図３は、光学モジュール１００の概略構成を示す断面図である。図４は、光学モジュール１００の概略構成を示す斜視図である。図５は、光学モジュール１００の概略構成を示す平面図である。図４、図５では、光学モジュール１００の筐体２８を図示省略している。

図３〜図５に示すように、本実施形態の光学モジュール１００は、光学フィルターデバイス７、第１基板１１、第２基板１２、第１支持部１６、及び、これらの構成部材を収容する筐体２８等を備えて構成されている。なお、第１基板１１の両側の面部に対し、一方の面部を第１平面部１３、他方の面部を第２平面部１５とする。また、第２基板１２の両側の面部に対し、一方の面部を第３平面部２０、他方の面部を第４平面部２２とする。なお、第１基板１１の第２平面部１５と、第２基板１２の第３平面部２０とは、向かい合うものとする。

本実施形態では、第１基板１１には、第１平面部１３の法線方向に貫通孔部１４が形成され、光学フィルターデバイス７が貫通孔部１４を覆うように第１平面部１３に実装される。この時、光学フィルターデバイス７の第１ガラス部材１８は、第１基板１１の貫通孔部１４内に位置する。

第１平面部１３の反対側となる第２平面部１５には、第１支持部１６を介して第２基板１２が接合される。この時、第１支持部１６の少なくとも１か所で、第１基板１１と第２基板１２とが電気的に接合されていることが望ましい。第１基板１１と第２基板１２とが機械的に接合されて、電気的に接合されていない場合は、例えば、ワイヤーボンディングやフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）等の導電性材料を用いて電気的に接合することでよい。

第２基板１２には受光素子１７が実装されている。受光素子１７と第１ガラス部材１８とは、第１支持部１６を介して貫通孔部１４内で対向して配置される。

分光測定時には、被測定物１０からの光が、光軸Ｌに沿って、光学モジュール１００の筐体２８に設けられた開口部２９から、光学モジュール１００の内部に入射する。そして、光学モジュール１００の内部に入射した光は、第２ガラス部材１９、波長可変干渉フィルター１１０、及び第１ガラス部材１８を透過して受光素子１７に入射する。

図３に示すように、本実施形態では、第１支持部１６により、第１基板１１と第２基板１２との間に、隙間Ｓ１を有することになる。隙間Ｓ１の高さ方向（光軸Ｌに平行な方向）の距離は、第１支持部１６の厚さＤ１によって決定される。第１支持部１６の厚さＤ１を、第１基板１１、第２基板１２に実装される回路素子２１の厚さよりも大きくする事で、図３〜図５に示すように、第２平面部１５、第３平面部２０のそれぞれに回路素子２１を実装することができる。

光学モジュール１００を構成する回路は、電気的なノイズを出しやすい回路と電気的なノイズの影響を受けやすい回路とを有している。例えば、図１に示すように、光学フィルターデバイス駆動部５に含まれる昇圧回路５ａは、光学モジュール１００へ給電された電源電圧を、波長可変干渉フィルター１１０を駆動可能な電圧に昇圧する回路であり、電気的なノイズを出しやすい回路である。また、例えば、図１に示すように、光学フィルターデバイス信号処理部６に含まれる容量電圧変換回路６ａは、光学フィルターデバイス７の容量を電圧に変換する回路であり、電気的なノイズの影響を受けやすい回路である。

従来、光学モジュール１００は、１つの基板に構成されており、その１つの基板に、昇圧回路５ａと容量電圧変換回路６ａとが実装されていた。そのため、昇圧回路５ａを動作させることにより、容量電圧変換回路６ａにはノイズが乗りやすくなっていた。

しかし、本実施形態では、第１基板１１に昇圧回路５ａのような電気的なノイズを出しやすい回路を設けている。そして、第２基板１２に容量電圧変換回路６ａのような電気的なノイズの影響を受けやすい回路を設けている。この構成により、光学モジュール１００がノイズの影響を受けることを低減している。

なお、容量電圧変換回路６ａのノイズによる影響を低減したことにより、光学フィルターデバイス信号処理部６は、光学フィルターデバイス７の容量を、より精度よく取得することができる。また、光学フィルターデバイス７の容量を取得する精度が向上することにより、波長可変干渉フィルター１１０の透過光の波長制御の精度が向上する。そのため、被測定物１０のスペクトルをより正確に測定することができる。

ここで、従来の光学モジュール１００Ｃの構成を簡単に説明する。
図８は、従来の光学モジュール１００Ｃの概略構成を示す断面図である。図９は、従来の光学モジュール１００Ｃの概略構成を示す平面図である。また、図９は、光学モジュール１００Ｃの筐体２８を図示省略している。なお、図８、図９では、本実施形態に対応する部材に対し、同様の符号を付与している。

従来の光学モジュール１００Ｃでは、第１基板１１と第２基板１２とを、例えば、半田のような接合部材２７によって接合している。この構成では、第２基板１２の平面サイズを大きくしても、第１基板１１と第２基板１２との重なる面積が増えるだけであり、回路素子２１を実装可能な面積が増えることはない。従って、従来、第２基板１２は接合面積を確保できる最小サイズに設定することが良く、第２基板１２にはわずかな回路素子２１を実装し、第１基板１１に残りの回路素子２１を全て実装していた。このように、従来、第１基板１１に、残りの回路素子２１を全て実装することが、第１基板１１の平面サイズを大きくする原因となっていた。

これに対して、本実施形態の光学モジュール１００の構成により、第１基板１１の平面サイズは、従来の第１基板１１と比較した場合、小さくすることができる。なお、光学モジュール１００の奥行サイズは、従来の光学モジュール１００Ｃに比べて厚くなる。

ここで、平面サイズとは、光学モジュール１００に入射する光の光軸Ｌに直交する平面の大きさをいう。また、奥行サイズとは、光学モジュール１００に入射する光の光軸Ｌに平行な方向の距離（厚さ）をいう。

以上、本実施形態に係る光学モジュール１００によれば、以下の効果を得ることができる。

本実施形態の光学モジュール１００によれば、光学フィルターデバイス７（波長可変干渉フィルター１１０）と受光素子１７とは、第１支持部１６及び第１基板１１により対向して配置されることで、光学フィルターデバイス７から射出された光を受光素子１７が確実に受光することができる。

従来は、第１基板１１と第２基板１２との間には回路素子２１が実装されておらず、第１基板１１にほとんどの回路素子２１が実装されており、第１基板１１の平面サイズを大きくする原因となっていた。しかし、本実施形態の光学モジュール１００によれば、第１基板１１と第２基板１２とは第１支持部１６を介して接合されることにより、第１基板１１と第２基板１２との間に、回路素子２１が実装可能な隙間Ｓ１を有することができる。これにより、従来、第１基板１１に実装されていた回路素子２１を、第１基板１１と第２基板１２との間の隙間Ｓ１に実装させることができることで、第１基板１１の平面サイズを小さくすることができる。従って、光学モジュール１００の平面サイズを小さく（狭小化）することができる。

本実施形態の光学モジュール１００によれば、第１基板１１に、昇圧回路５ａのような電気的なノイズを出しやすい回路の回路素子２１を実装し、第２基板１２に、容量電圧変換回路６ａのような電気的なノイズの影響を受けやすい回路の回路素子２１を実装している。この構成により、電気的なノイズを出しやすい回路と、電気的なノイズの影響を受けやすい回路とを、第１基板１１と第２基板１２とで分離して実装することで、電気的なノイズの影響を低減させることができる。

［第２実施形態］
図６は、第２実施形態に係る光学モジュール１００Ａの概略構成を示す断面図である。
上述した第１実施形態では、２つの回路基板（第１基板１１、第２基板１２）が第１支持部１６を介して実装され、基板間の隙間Ｓ１に回路素子２１を実装する例を示した。これに対して、本実施形態では、回路基板を２つに限定せず、少なくとも３つの回路基板が支持部を介して実装される点で第１実施形態と相違している。

なお、図６では、第１実施形態と同様の構成には同様の符号を付与している。また、本実施形態の光学モジュール１００Ａは、第１実施形態の光学モジュール１００のブロック図（図１参照）と同様に構成される。また、本実施形態の光学モジュール１００Ａを構成する光学フィルターデバイス７（図２参照）の構成も第１実施形態と同様である。従って、同様の構成部の説明は省略する。

図６に示すように、本実施形態では回路基板を３つ用いている。３つの回路基板を、第１基板１１、第２基板１２、及び第３基板２３とする。また、第３基板２３の両側の面部に対し、一方の面部を第５平面部２４、他方の面部を第６平面部２６とする。なお、第２基板１２の第４平面部２２と、第３基板２３の第５平面部２４とは、向かい合うものとする。

本実施形態では、第１基板１１と第２基板１２とは、第１実施形態と同様に第１支持部１６を介して、接合されている。また、第２基板１２と第３基板２３とは、第２支持部２５を介して、接合されている。言い換えると、第２基板１２の第４平面部２２と、第３基板２３の第５平面部２４とは、第２支持部２５を介して接合される。詳細には、第２基板１２の第４平面部２２には、第２支持部２５を介して第３基板２３が接合される。

この時、第２支持部２５の少なくとも１か所で、第２基板１２と第３基板２３とが電気的に接合されていることが望ましい。第２基板１２と第３基板２３とが機械的に接合されて、電気的に接合されていない場合は、例えば、ワイヤーボンディングやＦＦＣ等の導電性材料を用いて電気的に接合することでよい。

また、図６に示すように、本実施形態の第２支持部２５によって、第２基板１２と第３基板２３との間には隙間Ｓ２を有することになる。隙間Ｓ２の高さ方向（光軸Ｌに平行な方向）の距離は、第２支持部２５の厚さＤ２によって決定される。第２支持部２５の厚さＤ２を、第２基板１２、第３基板２３に実装される回路素子２１の厚さよりも大きくする事で、第４平面部２２、第５平面部２４のそれぞれに回路素子２１を実装することができる。また、第３基板２３の第６平面部２６にも回路素子２１を実装することができる。

以上、本実施形態に係る光学モジュール１００Ａによれば、第１実施形態と同様の効果を奏する他、以下の効果を得ることができる。

本実施形態の光学モジュール１００Ａによれば、第１基板１１、第２基板１２に加えて、更に第３基板２３を備え、第２基板１２と第３基板２３とは、第２支持部２５により、回路素子２１を実装可能な隙間Ｓ２を有して接合されている。また、第２支持部２５は、第２基板１２と第３基板２３とを機械的又は電気的に接合する。この構成により、回路素子２１を実装可能な面積が更に増え、第１基板１１の平面サイズを更に小さくすることができる。

［第３実施形態］
図７は、第３実施形態に係る電子機器を示す概略斜視図である。
本実施形態では、電子機器の一例として、ヘッドマウントディスプレイ１２０を示している。

ヘッドマウントディスプレイ１２０には、第１実施形態、第２実施形態での光学モジュール１００，１００Ａが搭載される。光学モジュール１００，１００Ａは、本実施形態では、ヘッドマウントディスプレイ１２０のフレーム３０、特にテンプル３１の側面領域に搭載されている。ヘッドマウントディスプレイ１２０には、光学モジュール１００，１００Ａを制御するための光学モジュール制御部３２が搭載され、光学モジュール制御部３２からの指令に基づいて光学モジュール１００，１００Ａは分光測定を実施する。

以上、本実施形態に係る電子機器（ヘッドマウントディスプレイ１２０）によれば、以下の効果を得ることができる。

本実施形態のヘッドマウントディスプレイ１２０によれば、第１、第２実施形態での光学モジュール１００，１００Ａを備えることにより、ヘッドマウントディスプレイ１２０の正面方向から見た場合に、光学モジュール１００，１００Ａの平面サイズを小さくすることができる。これにより、ヘッドマウントディスプレイ１２０のデザインの自由度を向上させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。

＜変形例１＞
第１実施形態では、隙間Ｓ１の高さ方向の距離は、第１支持部１６の厚さＤ１によって決定され、第１基板１１、第２基板１２に実装される回路素子２１の厚さよりも大きくし、第２平面部１５、第３平面部２０のそれぞれに回路素子２１を実装している。しかし、これには限られず、第２平面部１５または第３平面部２０のいずれか一方の平面部に回路素子２１を実装することでもよい。その場合は、第１支持部１６の厚さＤ１を、いずれか一方の平面部に実装される回路素子２１の厚さよりも大きくすることでよい。これは、第２実施形態での第１支持部１６の厚さＤ１、及び第２支持部２５の厚さＤ２においても同様となる。

＜変形例２＞
第３実施形態では、光学モジュール１００，１００Ａを適用した電子機器の一例として、ヘッドマウントディスプレイ１２０を示した。しかし、これには限られず、奥行サイズの大きさよりも、平面サイズを小さくすることを必要とする、プロジェクターやプリンター等の電子機器にも適用することができる。

以下に、上記実施形態から導き出される内容を記載する。

光学モジュールは、波長可変干渉フィルターが内蔵された光学フィルターデバイスを有する第１基板と、受光素子を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを機械的又は電気的に接合する第１支持部と、を備え、前記波長可変干渉フィルターと前記受光素子とは、前記第１支持部により対向して配置され、前記第１基板と前記第２基板とは、前記第１支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることを特徴とする。

この構成によれば、波長可変干渉フィルターと受光素子とは、第１支持部及び第１基板により対向して配置されることにより、光学フィルターデバイスから射出された光を受光素子が確実に受光することができる。また、従来は、第１基板と第２基板の間には回路素子が実装されておらず、第１基板に殆どの回路素子が実装されており、第１基板の平面サイズを大きくする原因となっていた。しかし、第１基板と第２基板とは、回路素子を実装可能な隙間を介して接合されることにより、第１基板の回路素子を第１基板と第２基板との間の隙間に実装することができることで、第１基板の平面サイズを小さくすることができる。従って、光学モジュールの平面サイズを小さく（狭小化）することができる。

上記、光学モジュールにおいて、第３基板と、前記第２基板と前記第３基板とを機械的又は電気的に接合する第２支持部と、を備え、前記第２基板と前記第３基板とは、前記第２支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることが好ましい。

この構成によれば、更に第３基板を備えて、第２基板と第３基板との間には回路素子を実装可能な隙間を介して接合される様に第２基板と第３基板とを機械的又は電気的に接合する第２支持部を備えることにより、回路素子を実装可能な基板面積が更に増え、第１基板の平面サイズを更に小さくすることができる。

上記、光学モジュールにおいて、前記第２基板には、容量電圧変換回路が設けられることが好ましい。

この構成により、例えば、光学フィルターデバイス信号処理部に含まれる容量電圧変換回路は、光学フィルターデバイスの容量を電圧に変換する回路であり、電気的なノイズの影響を受けやすい回路である。また、例えば、光学フィルターデバイス駆動部に含まれる昇圧回路は、電源電圧を、波長可変干渉フィルターを駆動可能な電圧に昇圧する回路であり、電気的なノイズを出しやすい回路である。従来、容量電圧変換回路は第１基板に実装されている。そして、同じく従来、第１基板に実装される昇圧回路を動作させることにより、容量電圧変換回路にはノイズが乗りやすくなっていた。しかし、第１基板には昇圧回路のような電気的なノイズを出しやすい回路を設け、第２基板には容量電圧変換回路のような電気的なノイズの影響を受けやすい回路を設けることにより、ノイズの影響を受けることを低減することができる。
また、容量電圧変換回路のノイズによる影響が低減したことにより、光学フィルターデバイス信号処理部は、光学フィルターデバイスの容量をより精度よく取得することができる。光学フィルターデバイスの容量を取得する精度が向上すると、波長可変干渉フィルターの透過光の波長制御の精度が向上する。そのため、被測定物のスペクトルをより正確に測定することができるようになる。

電子機器は、上述したいずれかの光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は、光学モジュールと光学モジュールを制御する制御部とを備えることで、光学モジュールの平面サイズを小さくすることができ、デザインの自由度を向上させることができる。

６ａ…容量電圧変換回路、７…光学フィルターデバイス、１１…第１基板、１２…第２基板、１６…第１支持部、１７…受光素子、２１…回路素子、２３…第３基板、２５…第２支持部、３２…光学モジュール制御部、１００，１００Ａ…光学モジュール、１１０…波長可変干渉フィルター、１２０…電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイ、Ｓ１，Ｓ２…隙間。

Claims (4)

1. 波長可変干渉フィルターが内蔵された光学フィルターデバイスを有する第１基板と、
   受光素子を有する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを機械的又は電気的に接合する第１支持部と、を備え、
   前記波長可変干渉フィルターと前記受光素子とは、前記第１支持部により対向して配置され、
   前記第１基板と前記第２基板とは、前記第１支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることを特徴とする光学モジュール。
2. 請求項１に記載の光学モジュールであって、
   第３基板と、
   前記第２基板と前記第３基板とを機械的又は電気的に接合する第２支持部と、を備え、
   前記第２基板と前記第３基板とは、前記第２支持部により、回路素子を実装可能な隙間を有して接合されていることを特徴とする光学モジュール。
3. 請求項１または請求項２に記載の光学モジュールであって、
   前記第２基板には、容量電圧変換回路が設けられることを特徴とする光学モジュール。
4. 請求項１〜請求項３に記載の光学モジュールと、
   前記光学モジュールを制御する制御部と、
   を備えたことを特徴とする電子機器。

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