JP2015143741A - 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線信頼性の向上を図れる干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供する。【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、第二溝５１２を有する固定基板５１と、第二溝５１２の深さ方向に沿って積層された複数層からなる固定反射膜５４と、固定反射膜５４に対向する可動反射膜５５と、固定反射膜５４の膜厚方向から見た平面視で、固定反射膜５４の外周縁の内外に跨って設けられた固定導電部５７と、を備え、固定反射膜５４における第二溝５１２の底面５１２Ａとは反対側の上面５４Ｂ、及び平面視において固定基板５１の第二溝５１２よりも外側の表面が、平滑面で連続する。【選択図】図３
Description
本発明は、干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法に関する。
従来、互いに対向する一対の反射膜を有し、この反射膜間の距離（ギャップ寸法）を変化させることで、測定対象の光から所定波長の光を選択して射出させる干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１の干渉フィルターでは、各反射膜上に電極が配置され、電極間に電圧を印加することで、反射膜間のギャップ寸法を変化させることが可能となる。また、反射膜として誘電体多層膜が用いられ、スペクトルの半値幅が小さい（分解能が高い）光を透過させることができる。
この特許文献１の干渉フィルターでは、各反射膜上に電極が配置され、電極間に電圧を印加することで、反射膜間のギャップ寸法を変化させることが可能となる。また、反射膜として誘電体多層膜が用いられ、スペクトルの半値幅が小さい（分解能が高い）光を透過させることができる。
ところで、干渉フィルターにおいて、反射膜上に保持された電荷を除去するために、反射膜上に帯電防止用の電極を設ける構成や、各反射膜上に静電容量検出用の電極を配置し、これらの電極間の静電容量を検出する構成等、反射膜上に電極を設ける構成が提案されている。この場合、反射膜上の電極から、反射膜の外側に引き出された引出電極を形成し、引出電極に設けられた端子から回路に電気的接続を行う。
しかしながら、蒸着やスパッタリング等により、反射膜の端面（他方の反射膜に対向する上面に直交した側面）に電極や引出電極を形成すると、例えば当該端面において電極や引出電極が断線してしまうという課題がある。この場合、反射膜上の電極に対して電気的導通を適切にとることができず、配線信頼性が低下するという課題がある。特に、上記特許文献１のように、反射膜として誘電体多層膜を用いる場合、単層の反射膜に比べて厚み寸法が大きくなるため、より断線のリスクが高くなる。
しかしながら、蒸着やスパッタリング等により、反射膜の端面（他方の反射膜に対向する上面に直交した側面）に電極や引出電極を形成すると、例えば当該端面において電極や引出電極が断線してしまうという課題がある。この場合、反射膜上の電極に対して電気的導通を適切にとることができず、配線信頼性が低下するという課題がある。特に、上記特許文献１のように、反射膜として誘電体多層膜を用いる場合、単層の反射膜に比べて厚み寸法が大きくなるため、より断線のリスクが高くなる。
本発明は、配線信頼性の向上を図れる干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の干渉フィルターは、溝部を有する基板と、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜と、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部と、を備え、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続することを特徴とする。
本発明では、複数層からなる第一反射膜と、当該第一反射膜の第二反射膜に対向する面に設けられた導電部と、を備えている。また、基板は、溝部を有し、この溝部に第一反射膜及び導電部が積層されている。そして、第一反射膜の上面及び基板表面が平滑面で連続している。
このような構成では、導電部の厚み寸法が小さく、当該導電部を第一反射膜上から基板の第一反射膜が設けられていない外側に亘って配置した場合でも、当該導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
このような構成では、導電部の厚み寸法が小さく、当該導電部を第一反射膜上から基板の第一反射膜が設けられていない外側に亘って配置した場合でも、当該導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の干渉フィルターにおいて、前記導電部は、前記第一反射膜上に設けられた導電膜と、前記導電膜の外周縁の内側から前記基板における前記溝部よりも外側の前記第一反射膜が設けられていない領域に亘って設けられ、前記導電膜よりも厚み寸法が大きい金属配線部と、を備えたことが好ましい。
本発明では、第一反射膜上に設けられた導電膜の内側から、溝部の外周縁よりも外側に亘って金属配線部が設けられている。
ここで、例えば、導電部を１部材で形成する場合、当該導電部を光透過性の導電材料である必要がある。このような導電部としては、干渉フィルターの光学特性の維持の観点から厚み寸法を大きくすることができず、断線しやすくなる。これに対して、本発明では、導電部を、導電膜と、金属配線部とに分ける。この場合、少なくとも第一反射膜及び第二反射膜により光を干渉させる干渉領域上に導電膜を設け、当該導電膜の内外に亘って金属配線部を設ける。金属配線部は、導電膜のように厚み寸法を小さくする必要がなく、導電膜に対して十分大きい厚み寸法で形成することができる。これにより、本発明では、断線のリスクをより低減させることができる。
ここで、例えば、導電部を１部材で形成する場合、当該導電部を光透過性の導電材料である必要がある。このような導電部としては、干渉フィルターの光学特性の維持の観点から厚み寸法を大きくすることができず、断線しやすくなる。これに対して、本発明では、導電部を、導電膜と、金属配線部とに分ける。この場合、少なくとも第一反射膜及び第二反射膜により光を干渉させる干渉領域上に導電膜を設け、当該導電膜の内外に亘って金属配線部を設ける。金属配線部は、導電膜のように厚み寸法を小さくする必要がなく、導電膜に対して十分大きい厚み寸法で形成することができる。これにより、本発明では、断線のリスクをより低減させることができる。
本発明の干渉フィルターにおいて、前記第一反射膜は、前記平面視における中央領域に凹部を有し、前記導電膜は前記凹部に設けられ、前記導電膜における前記溝部の底面とは反対側の第２の上面、及び前記平面視において前記導電膜を囲む前記第一反射膜の前記上面が、平滑面で連続することが好ましい。
本発明では、第一反射膜は、凹部を有し、この凹部に導電膜が設けられている。そして、導電膜の第２の上面及び第一反射膜の上面が平滑面で連続している。
このような構成では、金属配線部が導電膜の第２の上面から第一反射膜の上面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、導電膜の端縁や第一反射膜の端縁で金属配線部が分断されることがなく、断線するリスクをより低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性をより向上させることができる。
このような構成では、金属配線部が導電膜の第２の上面から第一反射膜の上面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、導電膜の端縁や第一反射膜の端縁で金属配線部が分断されることがなく、断線するリスクをより低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性をより向上させることができる。
本発明の干渉フィルターにおいて、前記第二反射膜は、複数層からなり、前記第二反射膜が深さ方向に沿って積層された第２の溝部を有する第２の基板と、前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第二反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた第２の導電部と、を備え、前記第二反射膜における前記第２の溝部の底面とは反対側の第３の上面、及び前記平面視において前記第２の基板の前記第２の溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続することが好ましい。
本発明では、さらに、第二反射膜も複数層により構成され、この第二反射膜の第一反射膜に対向する面に第２の導電部が設けられている。また、第２の基板は、第２の溝部を有し、この第２の溝部に第２の導電部が積層されている。そして、第二反射膜の第３の上面及び第２の基板の基板表面が平滑面で連続している。
このような構成では、上記発明と同様、第２の導電部が、第二反射膜の第３の上面から第２の基板の基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第二反射膜の端縁で第２の導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
このような構成では、上記発明と同様、第２の導電部が、第二反射膜の第３の上面から第２の基板の基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第二反射膜の端縁で第２の導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の光学フィルターデバイスは、溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、前記干渉フィルターを収納する筐体と、を具備し、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続することを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様に、導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の光学モジュールは、溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を具備し、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続することを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様に、導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の電子機器は、溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、前記干渉フィルターを制御する制御部と、を具備し、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続することを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様に、導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の干渉フィルターの製造方法は、溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備え、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する干渉フィルターの製造方法であって、前記基板の一面に、開口が設けられたマスクを形成し、エッチングにより、前記基板の前記開口に対応する位置に前記溝部を形成し、前記溝部に前記第一反射膜を形成し、前記マスクを除去し、前記導電部を形成することを特徴とする。
本発明では、開口を有するマスクを基板に形成し、当該マスクを用いてエッチングにより、基板の開口に対応する位置に溝部を形成する。そして、マスクを除去した後に、導電部を形成する。ここで、溝部をエッチングで形成する際に、溝部にはサイドエッチにより湾曲した側面が形成される。第一反射膜は、この側面に沿って湾曲して形成される。この第一反射膜の端部がマスクの底面に接触するように第一反射膜を形成することにより、第一反射膜の上面と、基板表とを平滑面で連続させることができる。
このため、上記発明と同様に、導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
このため、上記発明と同様に、導電部が、第一反射膜の上面から基板表面に亘る平滑面に配置されることになる。したがって、第一反射膜の端縁で導電部が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性を向上させることができる。
本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記マスクの厚み寸法は、前記溝部の深さ寸法よりも大きいことが好ましい。
本発明では、マスクの厚み寸法が、溝部の深さ寸法よりも大きいので、例えば、第一反射膜をスパッタ法により製膜したのち、リフトオフ法を利用して、マスクとマスク上に形成された第一反射膜の形成材料とを同時に除去することができる。すなわち、本発明では、第一反射膜を形成する際に、第一反射膜の形成材料がマスクの開口の壁面に形成されることを抑制でき、リフトオフ法によりマスクの除去をより確実に実施することができる。
本発明の干渉フィルターの製造方法において、前記第一反射膜は、前記マスク上にも同時に形成され、前記マスクを除去する際に、リフトオフ法により前記マスク及び前記マスク上に形成された前記第一反射膜の形成材料を除去することが好ましい。
本発明では、マスクはリフトオフ用のマスクとして用いることにより、リフトオフ法により、マスク、及び当該マスク上に形成された第一反射膜の形成材料を同時に除去することができる。これにより、工程の簡略化を図り、コストの抑制を図ることができる
［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。
［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、駆動制御部１５とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５を透過した光をディテクター１１（受光部）で受光する。そして、ディテクター１１から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、駆動制御部１５とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５を透過した光をディテクター１１（受光部）で受光する。そして、ディテクター１１から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。
［波長可変干渉フィルターの構成］
次に、光学モジュール１０に組み込まれる波長可変干渉フィルター５について説明する。
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ´線で波長可変干渉フィルター５を切断した断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２及び図３に示すように、本発明の基板である固定基板５１、及び本発明の第２の基板である可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板５２の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。
次に、光学モジュール１０に組み込まれる波長可変干渉フィルター５について説明する。
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ´線で波長可変干渉フィルター５を切断した断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２及び図３に示すように、本発明の基板である固定基板５１、及び本発明の第２の基板である可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板５２の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。
固定基板５１の可動基板５２に対向する面には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２の固定基板５１に対向する面には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５５が設けられている。固定反射膜５４は、ギャップＧ１を介して、可動反射膜５５に対向する。
また、波長可変干渉フィルター５には、ギャップＧ１のギャップ寸法を調整（変更）するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１に設けられた第一電極を構成する固定電極５６１と、可動基板５２に設けられた第二電極を構成する可動電極５６２により構成される。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１又は可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１及び可動基板５２の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜５４，５５の中心点をＯで示す。
また、波長可変干渉フィルター５には、ギャップＧ１のギャップ寸法を調整（変更）するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１に設けられた第一電極を構成する固定電極５６１と、可動基板５２に設けられた第二電極を構成する可動電極５６２により構成される。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１又は可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１及び可動基板５２の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜５４，５５の中心点をＯで示す。
（固定基板の構成）
図４は、固定基板５１を可動基板５２側から見た平面視である。
図３及び図４に示すように、固定基板５１は、例えばエッチング等により形成された第一溝５１１及び第二溝５１２（本発明の溝部に相当）を備える。
第一溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。第二溝５１２は、フィルター平面視において、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状に形成された溝であり、第一溝５１１よりも深さ寸法が大きい。
また、固定基板５１には、第一溝５１１に連続する第三溝５１１Ｂ、及び第四溝５１１Ｃが設けられている。第三溝５１１Ｂは、溝底面が第一溝５１１の溝底面と同一平面となり、固定基板５１の外周縁の辺Ｃ１−Ｃ２まで延出する。第四溝５１１Ｃは、溝底面が第一溝５１１の溝底面と同一平面となり、固定基板５１の外周縁の辺Ｃ３−Ｃ４まで延出する。
図４は、固定基板５１を可動基板５２側から見た平面視である。
図３及び図４に示すように、固定基板５１は、例えばエッチング等により形成された第一溝５１１及び第二溝５１２（本発明の溝部に相当）を備える。
第一溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。第二溝５１２は、フィルター平面視において、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状に形成された溝であり、第一溝５１１よりも深さ寸法が大きい。
また、固定基板５１には、第一溝５１１に連続する第三溝５１１Ｂ、及び第四溝５１１Ｃが設けられている。第三溝５１１Ｂは、溝底面が第一溝５１１の溝底面と同一平面となり、固定基板５１の外周縁の辺Ｃ１−Ｃ２まで延出する。第四溝５１１Ｃは、溝底面が第一溝５１１の溝底面と同一平面となり、固定基板５１の外周縁の辺Ｃ３−Ｃ４まで延出する。
第一溝５１１の溝底面には、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられている。固定電極５６１は、第一溝５１１の溝底面に直接設けられてもよく、他の薄膜（層）等を介して設けられていてもよい。
この固定電極５６１は、フィルター中心点Ｏを中心とした円弧状（Ｃ字状）に形成されており、第三溝５１１Ｂに近接する一部にＣ字開口部が設けられる。また、固定電極５６１の外周縁には、固定引出電極５６１Ａが連続する。固定引出電極５６１Ａは、図４に示すように、第三溝５１１Ｂに沿い、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２まで設けられている。
この固定電極５６１は、フィルター中心点Ｏを中心とした円弧状（Ｃ字状）に形成されており、第三溝５１１Ｂに近接する一部にＣ字開口部が設けられる。また、固定電極５６１の外周縁には、固定引出電極５６１Ａが連続する。固定引出電極５６１Ａは、図４に示すように、第三溝５１１Ｂに沿い、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２まで設けられている。
このような固定電極５６１及び固定引出電極５６１Ａを形成する材料としては、例えば、Ａｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体などが挙げられる。
なお、本実施形態では、第一溝５１１の溝底面に１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。
なお、本実施形態では、第一溝５１１の溝底面に１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。
第二溝５１２は、上述したように、第一溝５１１と同軸上で、第一溝５１１よりも小さい径寸法となる略円形状の溝である。第二溝５１２の溝底面は、第一溝５１１の溝底面、及び、可動基板５２の基板面５２Ａ（後述）に対して平行な平面となる。なお、第二溝５１２の円形状の外周縁の内側を第一領域Ｆ１、外側を第二領域Ｆ２とする。
第二溝５１２は、可動基板５２に対向する溝底面５１２Ａと、溝底面５１２Ａから外周縁に連続する溝側面５１２Ｂと、を有する。本実施形態において、第二溝５１２は、後述するようにウェットエッチングにより形成され、溝側面５１２Ｂはサイドエッチにより湾曲面となっている。この溝側面５１２Ｂは、図３に示すように、第一領域Ｆ１の外周縁から第二溝５１２の深さ寸法程度の幅の円環状の領域Ｆ３に形成されている（以下、湾曲領域Ｆ３とも称する）。また、湾曲領域Ｆ３よりも内側の領域Ｆ４では、平坦な溝底面５１２Ａが形成されている（以下、平坦領域Ｆ４とも称する）。
第二溝５１２は、可動基板５２に対向する溝底面５１２Ａと、溝底面５１２Ａから外周縁に連続する溝側面５１２Ｂと、を有する。本実施形態において、第二溝５１２は、後述するようにウェットエッチングにより形成され、溝側面５１２Ｂはサイドエッチにより湾曲面となっている。この溝側面５１２Ｂは、図３に示すように、第一領域Ｆ１の外周縁から第二溝５１２の深さ寸法程度の幅の円環状の領域Ｆ３に形成されている（以下、湾曲領域Ｆ３とも称する）。また、湾曲領域Ｆ３よりも内側の領域Ｆ４では、平坦な溝底面５１２Ａが形成されている（以下、平坦領域Ｆ４とも称する）。
第二溝５１２の溝底面５１２Ａには固定反射膜５４が設けられ、さらに、固定反射膜５４の可動基板５２側には固定導電部５７（本発明の導電部に相当）が設けられる。固定導電部５７は、固定導電体膜５７１（本発明の導電膜に相当）と、固定側配線部５７２と、を有する。また、固定側配線部５７２が、フィルター平面視において、固定反射膜５４の外周縁の内外に跨って設けられている。この固定反射膜５４及び固定導電部５７については後に詳述するが、固定基板５１の基板厚み方向における第二溝５１２の深さ寸法（第一溝５１１の溝底面５１１Ａの位置から第二溝５１２の溝底面５１２Ａの位置までの寸法）は、固定反射膜５４及び固定導電体膜５７１の総膜厚と略同じである。
固定反射膜５４は、図２ないし図４に示すように、フィルター平面視において、第一領域Ｆ１である第二溝５１２に設けられている。
固定反射膜５４は、図３に示すように、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜として構成されている。誘電体多層膜は、例えば、高屈折率層をＴｉＯ２、低屈折率層をＳｉＯ２とした積層体が例示できる。
また、固定反射膜５４は、フィルター平面視において、円形状の外形を有する固定側凹部５４Ａが形成されている。固定側凹部５４Ａの外周縁は、図３に示すように、第二溝５１２との外周縁と、湾曲領域Ｆ３の内周縁との間に位置する。
固定反射膜５４は、図３に示すように、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜として構成されている。誘電体多層膜は、例えば、高屈折率層をＴｉＯ２、低屈折率層をＳｉＯ２とした積層体が例示できる。
また、固定反射膜５４は、フィルター平面視において、円形状の外形を有する固定側凹部５４Ａが形成されている。固定側凹部５４Ａの外周縁は、図３に示すように、第二溝５１２との外周縁と、湾曲領域Ｆ３の内周縁との間に位置する。
固定反射膜５４は、湾曲領域Ｆ３よりも内側の所定の領域（後述する有効領域Ｆ５）では、複数層で構成された固定反射膜５４の各層の厚みがそれぞれ略均一となっている。また、固定反射膜５４は、湾曲領域Ｆ３において、第二溝５１２の溝側面５１２Ｂに沿って湾曲しており、固定側凹部５４Ａの深さが徐々に小さくなっている。
なお、本実施形態では、固定側凹部５４Ａの外周縁から第二溝５１２の外周縁までの範囲では、固定反射膜５４の溝底面５１２Ａと反対側の上面５４Ｂが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該溝底面５１１Ａとの間で滑らかに連続している。すなわち、固定反射膜５４の上面５４Ｂと、第一溝５１１の溝底面５１１Ａ（本発明の基板表面に相当）とが平滑面で連続している。
なお、本実施形態では、固定側凹部５４Ａの外周縁から第二溝５１２の外周縁までの範囲では、固定反射膜５４の溝底面５１２Ａと反対側の上面５４Ｂが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該溝底面５１１Ａとの間で滑らかに連続している。すなわち、固定反射膜５４の上面５４Ｂと、第一溝５１１の溝底面５１１Ａ（本発明の基板表面に相当）とが平滑面で連続している。
固定導電体膜５７１は、固定側凹部５４Ａに設けられている。この固定導電体膜５７１は、分光測定装置１により測定を実施する波長域に対して透光性を有する導電性の金属酸化物により構成されており、例えば、インジウム系酸化物である酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）、酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）、Ｃｅドープ酸化インジウム（ＩＣＯ）、フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）、スズ系酸化物であるアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、亜鉛系酸化物であるＡｌドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛（ＦＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が用いられる。また、インジウム系酸化物と亜鉛系酸化物からなるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：登録商標）を用いてもよい。
なお、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａが、本発明の第２の上面に相当する。この上面５７１Ａが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、第一溝５１１の溝底面５１１Ａ、固定導電体膜５７１を囲む固定反射膜５４の上面５４Ｂ、及び固定導電体膜５７１の上面５７１Ａで、可動基板５２に対向する平坦面を形成している。
なお、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａが、本発明の第２の上面に相当する。この上面５７１Ａが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、第一溝５１１の溝底面５１１Ａ、固定導電体膜５７１を囲む固定反射膜５４の上面５４Ｂ、及び固定導電体膜５７１の上面５７１Ａで、可動基板５２に対向する平坦面を形成している。
固定導電体膜５７１の外周縁には固定側配線部５７２が連続する。固定側配線部５７２は図４に示すように、第一溝５１１及び第三溝５１１Ｂに、固定電極５６１のＣ字開口部を通って、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２まで設けられている。固定側配線部５７２は、固定導電体膜５７１と一体的に形成されている。
（可動基板の構成）
図５は、可動基板５２を固定基板５１側から見た平面視である。
可動基板５２は、図２、図３、及び図５に示すように、フィルター平面視においてフィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた第二接合部５２３とを備えている。また、可動基板５２の辺Ｃ１´−Ｃ２´は、固定基板の辺Ｃ１−Ｃ２よりも外側に突出し、電装部５２４Ａを構成する。また、可動基板の辺Ｃ３´−Ｃ４´は、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４よりも外側に突出し、電装部５２４Ｂを構成する。
図５は、可動基板５２を固定基板５１側から見た平面視である。
可動基板５２は、図２、図３、及び図５に示すように、フィルター平面視においてフィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた第二接合部５２３とを備えている。また、可動基板５２の辺Ｃ１´−Ｃ２´は、固定基板の辺Ｃ１−Ｃ２よりも外側に突出し、電装部５２４Ａを構成する。また、可動基板の辺Ｃ３´−Ｃ４´は、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４よりも外側に突出し、電装部５２４Ｂを構成する。
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２（第二接合部５２３）の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも固定電極５６１の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１の固定基板５１に対向する可動面５２１Ａには、第五溝５２５が設けられ、この第五溝５２５の内部に可動反射膜５５が設けられている。
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、可動部５２１が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化をある程度抑制できる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、可動部５２１のフィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、可動部５２１のフィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
可動基板５２は、例えばエッチング等により形成された第五溝５２５（本発明の第２の溝部に相当）を備える。
第五溝５２５は、固定基板５１の第二溝５１２と同様の構成を有し、フィルター平面視で、可動基板５２のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。この第五溝５２５の外周縁は、フィルター平面視で第二溝５１２の外周縁と重なっており、第一領域Ｆ１に設けられている。
第五溝５２５は、第二溝５１２と同様に、固定基板５１に対向し、平坦領域Ｆ４に設けられ、平坦な溝底面５２５Ａと、湾曲領域Ｆ３に設けられ、湾曲した溝側面５２５Ｂと、を有する。第五溝５２５の溝底面５２５Ａには可動反射膜５５が設けられ、さらに、可動反射膜５５の固定基板５１側には可動導電部５８（本発明の第２の導電部に相当）が設けられる。可動導電部５８は、可動導電体膜５８１と、可動側配線部５８２と、を有する。また、可動側配線部５８２が、フィルター平面視において、可動反射膜５５の外周縁の内外に跨って設けられている。可動基板５２の基板厚み方向における第五溝５２５の深さ寸法は、可動反射膜５５及び可動導電体膜５８１の総膜厚と略同じである。
第五溝５２５は、固定基板５１の第二溝５１２と同様の構成を有し、フィルター平面視で、可動基板５２のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。この第五溝５２５の外周縁は、フィルター平面視で第二溝５１２の外周縁と重なっており、第一領域Ｆ１に設けられている。
第五溝５２５は、第二溝５１２と同様に、固定基板５１に対向し、平坦領域Ｆ４に設けられ、平坦な溝底面５２５Ａと、湾曲領域Ｆ３に設けられ、湾曲した溝側面５２５Ｂと、を有する。第五溝５２５の溝底面５２５Ａには可動反射膜５５が設けられ、さらに、可動反射膜５５の固定基板５１側には可動導電部５８（本発明の第２の導電部に相当）が設けられる。可動導電部５８は、可動導電体膜５８１と、可動側配線部５８２と、を有する。また、可動側配線部５８２が、フィルター平面視において、可動反射膜５５の外周縁の内外に跨って設けられている。可動基板５２の基板厚み方向における第五溝５２５の深さ寸法は、可動反射膜５５及び可動導電体膜５８１の総膜厚と略同じである。
このような可動基板５２には、固定電極５６１に対向する円環状の可動電極５６２が設けられている。
この可動電極５６２は、フィルター中心点Ｏを中心とした円弧状（Ｃ字状）に形成されており、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´側にＣ字開口部が設けられる。また、可動電極５６２の外周縁には、可動引出電極５６２Ａが連続する。可動引出電極５６２Ａは、図５に示すように、固定基板５１に設けられた第四溝５１１Ｃに対応する位置に沿って、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´の近傍まで設けられている。
このような可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａを形成する材料としては、例えば、Ａｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体などが挙げられる。
なお、本実施形態では、図３に示すように、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１及び可動電極５６２間のギャップＧ２は、反射膜５４，５５間のギャップＧ１よりも大きいが、これに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、ギャップＧ１がギャップＧ２よりも大きくなる構成としてもよい。
この可動電極５６２は、フィルター中心点Ｏを中心とした円弧状（Ｃ字状）に形成されており、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´側にＣ字開口部が設けられる。また、可動電極５６２の外周縁には、可動引出電極５６２Ａが連続する。可動引出電極５６２Ａは、図５に示すように、固定基板５１に設けられた第四溝５１１Ｃに対応する位置に沿って、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´の近傍まで設けられている。
このような可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａを形成する材料としては、例えば、Ａｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体などが挙げられる。
なお、本実施形態では、図３に示すように、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１及び可動電極５６２間のギャップＧ２は、反射膜５４，５５間のギャップＧ１よりも大きいが、これに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、ギャップＧ１がギャップＧ２よりも大きくなる構成としてもよい。
可動反射膜５５は、第五溝５２５に設けられ、図３に示すように、固定反射膜５４と同様に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜として構成されている。
また、可動反射膜５５は、フィルター平面視において、円形状の外形を有する可動側凹部５５Ａが形成されている。可動側凹部５５Ａの外周縁は、図３に示すように、第二溝５１２との外周縁と、湾曲領域Ｆ３の内周縁との間に位置する。
また、可動反射膜５５は、フィルター平面視において、円形状の外形を有する可動側凹部５５Ａが形成されている。可動側凹部５５Ａの外周縁は、図３に示すように、第二溝５１２との外周縁と、湾曲領域Ｆ３の内周縁との間に位置する。
可動反射膜５５は、固定反射膜５４同様に、有効領域Ｆ５において、複数層で構成された可動反射膜５５の各層のそれぞれの厚みが略均一となっている。また、可動反射膜５５は、湾曲領域Ｆ３において、第五溝５２５の溝側面５２５Ｂに沿って湾曲しており、可動側凹部５５Ａの深さが徐々に小さくなっている。
なお、本実施形態では、可動側凹部５５Ａの外周縁から第五溝５２５の外周縁までの範囲では、可動反射膜５５の上面５５Ｂが、可動基板５２の固定基板５１側の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該基板面５２Ａとの間で滑らかに連続している。すなわち、可動反射膜５５の上面５５Ｂは本発明の第３の上面に相当し、基板面５２Ａは本発明の基板表面に相当する。これら可動反射膜５５の上面５５Ｂと、基板面５２Ａとが平滑面で連続している。
なお、本実施形態では、可動側凹部５５Ａの外周縁から第五溝５２５の外周縁までの範囲では、可動反射膜５５の上面５５Ｂが、可動基板５２の固定基板５１側の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該基板面５２Ａとの間で滑らかに連続している。すなわち、可動反射膜５５の上面５５Ｂは本発明の第３の上面に相当し、基板面５２Ａは本発明の基板表面に相当する。これら可動反射膜５５の上面５５Ｂと、基板面５２Ａとが平滑面で連続している。
可動導電体膜５８１は、可動側凹部５５Ａに設けられている。この可動導電体膜５８１は、固定導電体膜５７１と同様に、分光測定装置１により測定を実施する波長域に対して透光性を有する導電性の金属酸化物により構成されており、例えば、インジウム系酸化物である酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）、酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）、Ｃｅドープ酸化インジウム（ＩＣＯ）、フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）、スズ系酸化物であるアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、亜鉛系酸化物であるＡｌドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛（ＦＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が用いられる。また、インジウム系酸化物と亜鉛系酸化物からなるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：登録商標）を用いてもよい。
なお、可動導電体膜５８１の上面５８１Ａが、可動基板５２の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、基板面５２Ａ、可動反射膜５５の上面５５Ｂ、及び可動導電体膜５８１の上面５８１Ａで、固定基板５１に対向する平坦面を形成している。
なお、可動導電体膜５８１の上面５８１Ａが、可動基板５２の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、基板面５２Ａ、可動反射膜５５の上面５５Ｂ、及び可動導電体膜５８１の上面５８１Ａで、固定基板５１に対向する平坦面を形成している。
可動導電体膜５８１の外周縁には可動側配線部５８２が連続する。可動側配線部５８２は図５に示すように、可動電極５６２のＣ字開口部を通って、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´に向かって設けられている。可動側配線部５８２は、可動導電体膜５８１と一体的に形成されている。可動側配線部５８２は、可動引出電極５６２Ａに電気的に接続されている。これにより、可動電極５６２及び可動導電体膜５８１が同電位となる。
そして、可動引出電極５６２Ａは、電装部５２４Ｂにおいて、例えば、ワイヤーボンディング等の配線接続が実施されることで、駆動制御部１５に電気的に接続される。
そして、可動引出電極５６２Ａは、電装部５２４Ｂにおいて、例えば、ワイヤーボンディング等の配線接続が実施されることで、駆動制御部１５に電気的に接続される。
可動基板５２には、固定基板５１の第三溝５１１Ｂに対向する位置に、固定基板５１に向かって突出するバンプ５２１Ｂが設けられている。可動基板５２には、バンプ５２１Ｂから電装部５２４Ａに亘って、第一接続電極５９１及び第二接続電極５９２が設けられている。
第一接続電極５９１は、バンプ５２１Ｂ側の一端が、固定引出電極５６１Ａに対向する位置に設けられている。そして、第一接続電極５９１は、第一基板間接合部５９１Ａを介して固定引出電極５６１Ａに接触し、固定電極５６１と導通している。
第二接続電極５９２は、バンプ５２１Ｂ側の一端が、固定側配線部５７２に対向する位置に設けられている。そして、第二接続電極５９２は、第二基板間接合部５９２Ａを介して固定側配線部５７２に接触し、固定導電体膜５７１と導通している。
そして、これら各接続電極５９１，５９２は、電装部５２４Ａにおいて、例えば、ワイヤーボンディング等の配線接続が実施されることで、駆動制御部１５に電気的に接続される。
なお、各基板間接合部５９１Ａ，５９２Ａは、導電性材料（例えば、Ａｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を用いて形成されている。
第一接続電極５９１は、バンプ５２１Ｂ側の一端が、固定引出電極５６１Ａに対向する位置に設けられている。そして、第一接続電極５９１は、第一基板間接合部５９１Ａを介して固定引出電極５６１Ａに接触し、固定電極５６１と導通している。
第二接続電極５９２は、バンプ５２１Ｂ側の一端が、固定側配線部５７２に対向する位置に設けられている。そして、第二接続電極５９２は、第二基板間接合部５９２Ａを介して固定側配線部５７２に接触し、固定導電体膜５７１と導通している。
そして、これら各接続電極５９１，５９２は、電装部５２４Ａにおいて、例えば、ワイヤーボンディング等の配線接続が実施されることで、駆動制御部１５に電気的に接続される。
なお、各基板間接合部５９１Ａ，５９２Ａは、導電性材料（例えば、Ａｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を用いて形成されている。
［光学モジュールのディテクター、Ｉ−Ｖ変換器、アンプ、Ａ／Ｄ変換器の構成］
次に、図１に戻り、光学モジュール１０について説明する。
ディテクター１１は、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器１２に出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
次に、図１に戻り、光学モジュール１０について説明する。
ディテクター１１は、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器１２に出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
［駆動制御部の構成］
駆動制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に対して駆動電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極５６１及び可動電極５６２間で静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位する。
なお、本実施形態では、駆動制御部１５は、可動引出電極５６２Ａに対して、基準電位（例えばグラウンド電位）を設定する。これにより、可動電極５６２及び可動導電体膜５８１が同じ基準電位に設定される。
また、駆動制御部１５は、固定電極５６１と電気的に接続された第一接続電極５９１に対して、ギャップＧ１を所望のギャップ寸法に設定するための電位を設定する。これにより、固定電極５６１及び可動電極５６２間に、固定電極５６１に設定した電位に応じた電圧が印加され、静電引力により可動部５２１が変位する。
また、駆動制御部１５は、固定導電体膜５７１に電気的に接続された第二接続電極５９２に対して、基準電位（例えばグラウンド電位）を設定する。これにより、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１が同電位となり、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の間でのクーロン力の発生を抑制でき、静電アクチュエーター５６により駆動制御の精度が向上する。また、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１上の電荷をそれぞれ逃がすことができ、帯電による不都合をも抑制できる。
なお、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１間に、静電アクチュエーター５６の駆動に影響を与えない程度の高周波電圧を印加し、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１間の静電容量を検出可能な構成などとしてもよい。
駆動制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に対して駆動電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極５６１及び可動電極５６２間で静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位する。
なお、本実施形態では、駆動制御部１５は、可動引出電極５６２Ａに対して、基準電位（例えばグラウンド電位）を設定する。これにより、可動電極５６２及び可動導電体膜５８１が同じ基準電位に設定される。
また、駆動制御部１５は、固定電極５６１と電気的に接続された第一接続電極５９１に対して、ギャップＧ１を所望のギャップ寸法に設定するための電位を設定する。これにより、固定電極５６１及び可動電極５６２間に、固定電極５６１に設定した電位に応じた電圧が印加され、静電引力により可動部５２１が変位する。
また、駆動制御部１５は、固定導電体膜５７１に電気的に接続された第二接続電極５９２に対して、基準電位（例えばグラウンド電位）を設定する。これにより、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１が同電位となり、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の間でのクーロン力の発生を抑制でき、静電アクチュエーター５６により駆動制御の精度が向上する。また、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１上の電荷をそれぞれ逃がすことができ、帯電による不都合をも抑制できる。
なお、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１間に、静電アクチュエーター５６の駆動に影響を与えない程度の高周波電圧を印加し、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１間の静電容量を検出可能な構成などとしてもよい。
［制御部の構成］
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。
波長設定部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定し、Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加させる旨の指令信号を駆動制御部１５に出力する。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
波長可変干渉フィルター５の製造では、まず、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１（図６（Ａ）参照）、及び可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２（図８（Ａ）参照）を用意し、固定基板形成工程、及び可動基板形成工程を実施する。この後、基板接合工程を実施し、固定基板形成工程により加工された第一ガラス基板Ｍ１と、可動基板形成工程により加工された第二ガラス基板Ｍ２とを接合する。さらに、切断工程を実施し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を個片化して波長可変干渉フィルター５を形成する。
以下、各工程について、図面に基づいて説明する。
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
波長可変干渉フィルター５の製造では、まず、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１（図６（Ａ）参照）、及び可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２（図８（Ａ）参照）を用意し、固定基板形成工程、及び可動基板形成工程を実施する。この後、基板接合工程を実施し、固定基板形成工程により加工された第一ガラス基板Ｍ１と、可動基板形成工程により加工された第二ガラス基板Ｍ２とを接合する。さらに、切断工程を実施し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を個片化して波長可変干渉フィルター５を形成する。
以下、各工程について、図面に基づいて説明する。
（固定基板形成工程）
図６及び図７は、固定基板形成工程における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。
固定基板形成工程では、まず、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
図６及び図７は、固定基板形成工程における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。
固定基板形成工程では、まず、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
次に、図６（Ａ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１を用意する。なお、この第一ガラス基板Ｍ１は、図示を省略するが、基板表面をエッチングにより加工することで、第一溝５１１、第三溝５１１Ｂ、及び第四溝５１１Ｃが形成されている。
具体的には、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施し、第一溝５１１、第三溝５１１Ｂ、及び第四溝５１１Ｃを形成する。
具体的には、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施し、第一溝５１１、第三溝５１１Ｂ、及び第四溝５１１Ｃを形成する。
次に、図６（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターン７（本発明のマスクに相当）を形成する。このレジストパターン７は、貫通口７１が形成されている。この貫通口７１は、第一ガラス基板Ｍ１に向かうにつれて基板厚み方向と直交する方向の断面積、すなわち開口径が大きくなるテーパー状を有する。貫通口７１の第一ガラス基板Ｍ１とは反対側の開口部７１１の縁は、有効領域Ｆ５の外周縁に一致する。また、貫通口７１の第一ガラス基板Ｍ１側の開口部７１２の縁は、湾曲領域Ｆ３の内周縁に一致する。
次に、図６（Ｃ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１に第二溝５１２を形成する。
具体的には、レジストパターン７をマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施し、第二溝５１２を形成する。この際、開口部７１２の縁（湾曲領域Ｆ３の内周縁）を起点としてサイドエッチが発生するため、湾曲領域Ｆ３において湾曲した溝側面５１２Ｂが形成される。一方、湾曲領域Ｆ３よりも内側の平坦領域Ｆ４において平坦な溝底面５１２Ａが形成される。
なお、レジストパターン７の厚み寸法をｄ１、第二溝５１２の深さ寸法をｄ２とすると、ｄ１＞ｄ２となるように、レジストパターン７及び第二溝５１２が形成されている。
具体的には、レジストパターン７をマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施し、第二溝５１２を形成する。この際、開口部７１２の縁（湾曲領域Ｆ３の内周縁）を起点としてサイドエッチが発生するため、湾曲領域Ｆ３において湾曲した溝側面５１２Ｂが形成される。一方、湾曲領域Ｆ３よりも内側の平坦領域Ｆ４において平坦な溝底面５１２Ａが形成される。
なお、レジストパターン７の厚み寸法をｄ１、第二溝５１２の深さ寸法をｄ２とすると、ｄ１＞ｄ２となるように、レジストパターン７及び第二溝５１２が形成されている。
次に、図７（Ａ）に示すように、固定反射膜５４として、誘電体多層膜を形成する。
具体的には、レジストパターン７をマスクに用いて、固定反射膜５４を形成するための材料（例えば、誘電体多層膜を構成する各誘電体膜、及び固定導電体膜５７１を形成する金属酸化物）をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。本実施形態では、例えばスパッタ法により、固定反射膜５４を形成する。この際、貫通口７１の開口部７１１の縁よりも内側の領域では、固定反射膜５４の各層の厚みがそれぞれ略均一に形成される。
具体的には、レジストパターン７をマスクに用いて、固定反射膜５４を形成するための材料（例えば、誘電体多層膜を構成する各誘電体膜、及び固定導電体膜５７１を形成する金属酸化物）をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。本実施形態では、例えばスパッタ法により、固定反射膜５４を形成する。この際、貫通口７１の開口部７１１の縁よりも内側の領域では、固定反射膜５４の各層の厚みがそれぞれ略均一に形成される。
また、固定反射膜５４は、第二溝５１２の深さ寸法よりも、固定導電体膜５７１の厚み寸法だけ薄く形成されている。そして、固定反射膜５４は、湾曲領域Ｆ３において、各層の厚みが徐々に薄くなりながら、第二溝５１２の溝側面５１２Ｂに沿って湾曲して形成される。そして、固定反射膜５４の端部は、第一領域Ｆ１の外周縁よりも内側、かつ湾曲領域Ｆ３の内周縁よりも外側の円環状の領域で、レジストパターン７の下面（第一ガラス基板Ｍ１側の面）に接触するように形成されている。
これにより、固定反射膜５４に固定側凹部５４Ａが形成される。また、固定側凹部５４Ａの外周縁から第二溝５１２の外周縁までの範囲で、固定反射膜５４の上面５４Ｂが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該溝底面５１１Ａとの間で滑らかに連続するように、固定反射膜５４が形成される。
これにより、固定反射膜５４に固定側凹部５４Ａが形成される。また、固定側凹部５４Ａの外周縁から第二溝５１２の外周縁までの範囲で、固定反射膜５４の上面５４Ｂが、第一溝５１１の溝底面５１１Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該溝底面５１１Ａとの間で滑らかに連続するように、固定反射膜５４が形成される。
次に、図７（Ｂ）に示すように、リフトオフにより、レジストパターン７ごと、レジストパターン７上に設けられた誘電体多層膜を除去する。なお、レジストパターン７の厚み寸法ｄ１が、第二溝５１２の深さ寸法ｄ２よりも大きくなるように、レジストパターン７及び第二溝５１２が形成されているため、誘電体多層膜がレジストパターン７の貫通口７１のテーパー面を覆うことを防止できる。これにより、リフトオフによるレジストパターン７の除去をより確実に実施することができる。
次に、図７（Ｃ）に示すように、固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２を同時に形成する。
この場合、フォトリソグラフィ法等により、第一ガラス基板Ｍ１上の、固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
なお、上述のように、固定側凹部５４Ａは、その外周縁近傍において深さが徐々に小さくなっている。このため、固定側凹部５４Ａの外周縁近傍において、一体的に形成された固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２が大きな段差を跨いで連続することを抑制でき、当該固定側凹部５４Ａの外周縁近傍における断線のリスクを抑制できる。
この場合、フォトリソグラフィ法等により、第一ガラス基板Ｍ１上の、固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
なお、上述のように、固定側凹部５４Ａは、その外周縁近傍において深さが徐々に小さくなっている。このため、固定側凹部５４Ａの外周縁近傍において、一体的に形成された固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２が大きな段差を跨いで連続することを抑制でき、当該固定側凹部５４Ａの外周縁近傍における断線のリスクを抑制できる。
さらに、図示は省略するが、第一ガラス基板Ｍ１に固定電極５６１及び固定引出電極５６１Ａを形成する。
以上により、固定反射膜５４、固定導電体膜５７１、固定電極５６１、及び固定引出電極５６１Ａが配置された固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
以上により、固定反射膜５４、固定導電体膜５７１、固定電極５６１、及び固定引出電極５６１Ａが配置された固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
（可動基板形成工程）
図８及び図９は、可動基板形成工程における第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
可動基板形成工程では、まず、可動基板５２の製造素材である第二ガラス基板Ｍ２の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
図８及び図９は、可動基板形成工程における第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
可動基板形成工程では、まず、可動基板５２の製造素材である第二ガラス基板Ｍ２の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
そして、図８（Ａ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２の表面にＣｒ／Ａｕ層を形成し、このＣｒ／Ａｕ層をエッチングマスクとし、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いて、保持部５２２に相当する領域をエッチングする。この後、エッチングマスクとして使用したＣｒ／Ａｕ層を除去することで図８（Ａ）に示すように、可動基板５２の基板形状が形成される。この際、図示を省略するが、バンプ５２１Ｂに対応する部分にもレジストを形成し、ておく。これにより、第二ガラス基板Ｍ２の一部をバンプ５２１Ｂとして機能させることができる。
次に、図８（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターン８（本発明のマスクに相当）を形成する。このレジストパターン８は、固定基板形成工程におけるレジストパターン７と同様に構成され、貫通口８１が形成されている。この貫通口８１は、第二ガラス基板Ｍ２に向かうにつれて断面積（開口径）が大きくなるテーパー形状である。また、貫通口８１の第二ガラス基板Ｍ２とは反対側の開口部８１１の縁は、有効領域Ｆ５の外周縁に一致する。また、貫通口８１の第二ガラス基板Ｍ２側の開口部８１２の縁は、湾曲領域Ｆ３の内周縁に一致する。
次に、図８（Ｃ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２に第五溝５２５を形成する。
具体的には、固定基板形成工程における第二溝５１２の形成工程と同様に、レジストパターン８をマスクに用いて、第二ガラス基板Ｍ２に対して、ウェットエッチングを繰り返し施し、第五溝５２５を形成する。この際、第五溝５２５の形成工程においても、開口部８１２の縁を起点としたサイドエッチにより、湾曲領域Ｆ３に湾曲した溝側面５２５Ｂが形成される。一方、平坦領域Ｆ４に平坦な溝底面５２５Ａが形成される。
なお、レジストパターン８の厚み寸法をｄ３、第五溝５２５の深さ寸法をｄ４とすると、ｄ３＞ｄ４となるように、レジストパターン８及び第五溝５２５が形成されている。
具体的には、固定基板形成工程における第二溝５１２の形成工程と同様に、レジストパターン８をマスクに用いて、第二ガラス基板Ｍ２に対して、ウェットエッチングを繰り返し施し、第五溝５２５を形成する。この際、第五溝５２５の形成工程においても、開口部８１２の縁を起点としたサイドエッチにより、湾曲領域Ｆ３に湾曲した溝側面５２５Ｂが形成される。一方、平坦領域Ｆ４に平坦な溝底面５２５Ａが形成される。
なお、レジストパターン８の厚み寸法をｄ３、第五溝５２５の深さ寸法をｄ４とすると、ｄ３＞ｄ４となるように、レジストパターン８及び第五溝５２５が形成されている。
次に、図９（Ａ）に示すように、可動反射膜５５として、誘電体多層膜を形成する。
具体的には、固定基板形成工程における固定反射膜５４の形成工程と同様に、レジストパターン８をマスクに用いて、可動反射膜５５を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。
本実施形態では、スパッタ法により可動反射膜５５を形成し、貫通口８１の開口部８１１の縁よりも内側の領域では、各層の厚みがそれぞれ略均一に形成される。これにより、各開口部８１１及び７１１の縁よりも内側の領域が、均一な膜厚を有する反射膜５４，５５が対向し、波長可変干渉フィルター５において目的波長の光を精度よく透過可能な有効領域Ｆ５となる。
具体的には、固定基板形成工程における固定反射膜５４の形成工程と同様に、レジストパターン８をマスクに用いて、可動反射膜５５を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。
本実施形態では、スパッタ法により可動反射膜５５を形成し、貫通口８１の開口部８１１の縁よりも内側の領域では、各層の厚みがそれぞれ略均一に形成される。これにより、各開口部８１１及び７１１の縁よりも内側の領域が、均一な膜厚を有する反射膜５４，５５が対向し、波長可変干渉フィルター５において目的波長の光を精度よく透過可能な有効領域Ｆ５となる。
また、可動反射膜５５は、固定反射膜５４と同様に、第五溝５２５の深さ寸法よりも、可動導電体膜５８１の厚み寸法だけ薄く形成されている。また、可動反射膜５５は、湾曲領域Ｆ３において、各層の厚みが徐々に薄くなりながら、第五溝５２５の溝側面５２５Ｂに沿って湾曲して形成される。そして、可動反射膜５５の端部は、第一領域Ｆ１の外周縁よりも内側、かつ湾曲領域Ｆ３の内周縁よりも外側の円環状の領域で、レジストパターン８の下面（第二ガラス基板Ｍ２側の面）に接触するように形成されている。
これにより、可動反射膜５５に可動側凹部５５Ａが形成される。また、可動側凹部５５Ａの外周縁から第五溝５２５の外周縁までの範囲で、可動反射膜５５の上面５５Ｂが、可動基板５２の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該基板面５２Ａとの間で滑らかに連続するように、可動反射膜５５が形成される。
これにより、可動反射膜５５に可動側凹部５５Ａが形成される。また、可動側凹部５５Ａの外周縁から第五溝５２５の外周縁までの範囲で、可動反射膜５５の上面５５Ｂが、可動基板５２の基板面５２Ａに沿う仮想平坦面に沿っており、当該基板面５２Ａとの間で滑らかに連続するように、可動反射膜５５が形成される。
次に、図９（Ｂ）に示すように、リフトオフにより、レジストパターン８ごと、レジストパターン８上に設けられた誘電体多層膜を除去する。なお、レジストパターン８の厚み寸法ｄ３が、第五溝５２５の深さ寸法ｄ４よりも大きくなるように、レジストパターン８及び第五溝５２５が形成されているため、誘電体多層膜がレジストパターン８の貫通口８１のテーパー面を覆うことを防止できる。これにより、リフトオフによるレジストパターン８の除去をより確実に実施することができる。
次に、図９（Ｃ）に示すように、可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２を同時に形成する。
この場合、フォトリソグラフィ法等により、第二ガラス基板Ｍ２上の、可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
なお、上述のように、可動側凹部５５Ａは、その外周縁近傍において深さが徐々に小さくなっている。このため、可動側凹部５５Ａの外周縁近傍において、一体的に形成された可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２が大きな段差を跨いで連続することを抑制でき、当該可動側凹部５５Ａの外周縁近傍における断線のリスクを抑制できる。
この場合、フォトリソグラフィ法等により、第二ガラス基板Ｍ２上の、可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
なお、上述のように、可動側凹部５５Ａは、その外周縁近傍において深さが徐々に小さくなっている。このため、可動側凹部５５Ａの外周縁近傍において、一体的に形成された可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２が大きな段差を跨いで連続することを抑制でき、当該可動側凹部５５Ａの外周縁近傍における断線のリスクを抑制できる。
さらに、図示は省略するが、第二ガラス基板Ｍ２に可動電極５６２、可動引出電極５６２Ａ、第一接続電極５９１及び第二接続電極５９２を形成する。その後、第一基板間接合部５９１Ａ及び第二基板間接合部５９２Ａを形成する。
以上により、可動反射膜５５、可動導電体膜５８１、可動電極５６２、及び可動引出電極５６２Ａが配置された可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
以上により、可動反射膜５５、可動導電体膜５８１、可動電極５６２、及び可動引出電極５６２Ａが配置された可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
（基板接合工程）
次に、基板接合工程及び切断工程について説明する。
基板接合工程では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。ここで、これらのプラズマ重合膜を積層して構成される接合膜５３の厚み寸法は、第一接続電極５９１及び第一基板間接合部５９１Ａと、第二接続電極５９２及び第二基板間接合部５９２Ａが電気的に接続可能な程度の接触圧を受ける程度に設定されている。例えば、バンプ５２２Ｂ、第二接続電極５９２、第二基板間接合部５９２Ａ、及び固定側配線部５７２の総厚に対して、第二接続電極５９２及び第二基板間接合部５９２Ａが電気的に接続可能な程度の接触圧を受けるように設定されている。
次に、基板接合工程及び切断工程について説明する。
基板接合工程では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。ここで、これらのプラズマ重合膜を積層して構成される接合膜５３の厚み寸法は、第一接続電極５９１及び第一基板間接合部５９１Ａと、第二接続電極５９２及び第二基板間接合部５９２Ａが電気的に接続可能な程度の接触圧を受ける程度に設定されている。例えば、バンプ５２２Ｂ、第二接続電極５９２、第二基板間接合部５９２Ａ、及び固定側配線部５７２の総厚に対して、第二接続電極５９２及び第二基板間接合部５９２Ａが電気的に接続可能な程度の接触圧を受けるように設定されている。
そして、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理又はＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理の場合は、Ｏ２流量１．８×１０−３（ｍ３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
（切断工程）
次に、切断工程について説明する。
切断工程では、固定基板５１及び可動基板５２をチップ単位で切り出し、図２に示すような波長可変干渉フィルター５を形成する。第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の切断には、例えばスクライブブレイクやレーザー切断等を利用することができる。
次に、切断工程について説明する。
切断工程では、固定基板５１及び可動基板５２をチップ単位で切り出し、図２に示すような波長可変干渉フィルター５を形成する。第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の切断には、例えばスクライブブレイクやレーザー切断等を利用することができる。
［第一実施形態の作用効果］
波長可変干渉フィルター５は、複数層からなる固定反射膜５４と、当該固定反射膜５４上に設けられた固定導電体膜５７１と、を備えている。また、固定基板５１は、第二溝５１２を有し、この第二溝５１２に固定反射膜５４及び固定導電部５７が積層されている。そして、固定反射膜５４の上面５４Ｂ及び溝底面５１１Ａが平滑面で連続している。
ここで、複数層で形成された固定反射膜５４は一層の反射膜よりも膜厚が大きくなるため、平坦な基板上にこの固定反射膜５４を設けた場合、固定反射膜５４と固定基板５１との間の段差が大きくなり、固定側配線部５７２が断線するリスクが大きくなる。
これに対して、本実施形態では、固定導電部５７の厚み寸法が小さく、当該固定導電部５７の一部である固定側配線部５７２を固定反射膜５４上から固定反射膜５４が設けられていない外側に亘って配置した場合でも、当該固定側配線部５７２が、固定反射膜５４の上面５４Ｂから溝底面５１１Ａに亘る平滑面に配置されることになる。したがって、固定反射膜５４の端縁で固定側配線部５７２が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性を向上させることができる。
波長可変干渉フィルター５は、複数層からなる固定反射膜５４と、当該固定反射膜５４上に設けられた固定導電体膜５７１と、を備えている。また、固定基板５１は、第二溝５１２を有し、この第二溝５１２に固定反射膜５４及び固定導電部５７が積層されている。そして、固定反射膜５４の上面５４Ｂ及び溝底面５１１Ａが平滑面で連続している。
ここで、複数層で形成された固定反射膜５４は一層の反射膜よりも膜厚が大きくなるため、平坦な基板上にこの固定反射膜５４を設けた場合、固定反射膜５４と固定基板５１との間の段差が大きくなり、固定側配線部５７２が断線するリスクが大きくなる。
これに対して、本実施形態では、固定導電部５７の厚み寸法が小さく、当該固定導電部５７の一部である固定側配線部５７２を固定反射膜５４上から固定反射膜５４が設けられていない外側に亘って配置した場合でも、当該固定側配線部５７２が、固定反射膜５４の上面５４Ｂから溝底面５１１Ａに亘る平滑面に配置されることになる。したがって、固定反射膜５４の端縁で固定側配線部５７２が分断されることがなく、断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性を向上させることができる。
また、固定基板５１は、これら固定反射膜５４及び固定導電体膜５７１の総厚に相当する深さの第二溝５１２を有し、第二溝５１２に固定反射膜５４及び固定導電体膜５７１が配置されている。
これにより、複数層で形成された固定反射膜５４が第二溝５１２に設けられているので、固定反射膜５４と固定基板５１との間、すなわち第一領域Ｆ１の外周縁における段差が大きくなることを抑制できる。したがって、固定反射膜５４及び固定基板５１に跨って設けられた固定側配線部５７２が、第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性を向上させることができる。
これにより、複数層で形成された固定反射膜５４が第二溝５１２に設けられているので、固定反射膜５４と固定基板５１との間、すなわち第一領域Ｆ１の外周縁における段差が大きくなることを抑制できる。したがって、固定反射膜５４及び固定基板５１に跨って設けられた固定側配線部５７２が、第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性を向上させることができる。
固定反射膜５４は、固定側凹部５４Ａを有し、この固定側凹部５４Ａに固定導電体膜５７１が設けられている。そして、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａ及び固定反射膜５４の上面５４Ｂが平滑面で連続している。このような構成では、固定側配線部５７２を平滑面に沿って設けることができ、固定側配線部５７２が分断されることがなく、断線するリスクをより低減でき、干渉フィルターにおける配線信頼性をより向上させることができる。
なお、本実施形態では、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１に第一領域Ｆ１よりも小さい開口径の貫通口７１を有するレジストパターン７（マスク）を形成し、当該レジストパターン７をマスクとして用いてエッチングにより、第一ガラス基板Ｍ１（固定基板５１）に第二溝５１２を形成する。このようにして形成された第二溝５１２に固定反射膜５４を形成する。これにより、複数層で形成された固定反射膜５４を第二溝５１２に設けることができる。
特に、本実施形態では、ウェットエッチングを用いて、第一ガラス基板Ｍ１（固定基板５１）をエッチングするので、サイドエッチが発生する。これにより、開口部７１２よりも大きな外周縁を有し、溝側面５１２Ｂが湾曲している第二溝５１２を形成できる。
このような第二溝５１２に固定反射膜５４を形成することにより、固定反射膜５４の端部が溝側面５１２Ｂに沿って湾曲し、レジストパターン７の下面に到達するように、固定反射膜５４を形成することができる。このため、第一領域Ｆ１の外周縁の近傍で、固定基板５１の溝底面５１１Ａと固定反射膜５４とが接続する部分での平坦性を向上させることができる。固定側配線部５７２が、第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性をより一層向上させることができる。
このような第二溝５１２に固定反射膜５４を形成することにより、固定反射膜５４の端部が溝側面５１２Ｂに沿って湾曲し、レジストパターン７の下面に到達するように、固定反射膜５４を形成することができる。このため、第一領域Ｆ１の外周縁の近傍で、固定基板５１の溝底面５１１Ａと固定反射膜５４とが接続する部分での平坦性を向上させることができる。固定側配線部５７２が、第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性をより一層向上させることができる。
また、可動基板５２には、固定基板５１と同様に、可動反射膜５５が第五溝５２５に形成されている。これにより、可動基板５２側においても、固定基板５１側と同様に、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性を向上させることができる。
本実施形態では、各配線部５７２，５８２は、各導電体膜５７１，５８１の一部であり、各導電体膜５７１，５８１を形成する際に同時に形成される。これにより、作業工程の簡略化を図ることができる。
本実施形態では、レジストパターン７の厚み寸法ｄ１が、第二溝５１２の深さ寸法ｄ２よりも大きい。また、レジストパターン８の厚み寸法ｄ３が、第五溝５２５の深さ寸法ｄ４よりも大きい。これにより、各反射膜５４，５５をスパッタにより製膜した際に、反射膜の形成材料が、レジストパターン７，８のそれぞれの貫通口７１，８１の壁面に形成され、レジストパターン７，８とレジストパターン７，８上に形成された反射膜の形成材料とを除去する際にリフトオフ法が利用できないという不具合の発生を抑制できる。
また、これにより、レジストパターン７，８をリフトオフ用のマスクとして用いることができる。したがって、リフトオフ法を利用して、レジストパターン７，８とレジストパターン７，８上に形成された反射膜の形成材料とを同時に除去することができる。これにより、工程の簡略化を図り、コストの抑制を図ることができる
また、これにより、レジストパターン７，８をリフトオフ用のマスクとして用いることができる。したがって、リフトオフ法を利用して、レジストパターン７，８とレジストパターン７，８上に形成された反射膜の形成材料とを同時に除去することができる。これにより、工程の簡略化を図り、コストの抑制を図ることができる
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター５では、固定導電部５７の固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２が、可動導電部５８の可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２が、それぞれ一体的に形成されていた。本実施形態では、各導電部が、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１にそれぞれ接続する金属配線を有する。以下、第二実施形態について、図面を用いて説明するが、上記相違点以外は、第一実施形態と基本的に同様に構成される。以下の説明では、同一の構成については説明を省略又は簡略化する。
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター５では、固定導電部５７の固定導電体膜５７１及び固定側配線部５７２が、可動導電部５８の可動導電体膜５８１及び可動側配線部５８２が、それぞれ一体的に形成されていた。本実施形態では、各導電部が、固定導電体膜５７１及び可動導電体膜５８１にそれぞれ接続する金属配線を有する。以下、第二実施形態について、図面を用いて説明するが、上記相違点以外は、第一実施形態と基本的に同様に構成される。以下の説明では、同一の構成については説明を省略又は簡略化する。
図１０は、第二実施形態における、波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター５Ａは、図１０に示すように、固定基板５１及び可動基板５２を備えている。
固定基板５１の可動基板５２に対向する面には、固定導電部５７Ａが設けられている。具体的には、固定基板５１の第二溝５１２に設けられた固定反射膜５４の固定側凹部５４Ａに固定導電体膜５７１が形成されている。なお、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａ、及び固定導電体膜５７１を囲む固定反射膜５４の上面５４Ｂと、第一溝５１１の溝底面５１１Ａとは、同一の仮想平坦面に沿っている。すなわち、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａ、及び固定反射膜５４の上面５４Ｂが、平滑面で連続している。
そして、本実施形態では、第一実施形態における固定側配線部５７２の代わりに、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａに接触する固定金属配線５７２Ａ（本発明の金属配線部に相当）が設けられている。固定金属配線５７２Ａは、有効領域Ｆ５よりも外側に設けられている。また、固定金属配線５７２Ａは、第一溝５１１及び第三溝５１１Ｂに、固定電極５６１のＣ字開口部を通って、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２まで設けられている。この固定金属配線５７２Ａは、固定導電体膜５７１に電気的に接続されている。また、固定金属配線５７２Ａは、可動基板５２側に設けられ第二接続電極５９２に、第二基板間接合部５９２Ａを介して導通している。
波長可変干渉フィルター５Ａは、図１０に示すように、固定基板５１及び可動基板５２を備えている。
固定基板５１の可動基板５２に対向する面には、固定導電部５７Ａが設けられている。具体的には、固定基板５１の第二溝５１２に設けられた固定反射膜５４の固定側凹部５４Ａに固定導電体膜５７１が形成されている。なお、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａ、及び固定導電体膜５７１を囲む固定反射膜５４の上面５４Ｂと、第一溝５１１の溝底面５１１Ａとは、同一の仮想平坦面に沿っている。すなわち、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａ、及び固定反射膜５４の上面５４Ｂが、平滑面で連続している。
そして、本実施形態では、第一実施形態における固定側配線部５７２の代わりに、固定導電体膜５７１の上面５７１Ａに接触する固定金属配線５７２Ａ（本発明の金属配線部に相当）が設けられている。固定金属配線５７２Ａは、有効領域Ｆ５よりも外側に設けられている。また、固定金属配線５７２Ａは、第一溝５１１及び第三溝５１１Ｂに、固定電極５６１のＣ字開口部を通って、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２まで設けられている。この固定金属配線５７２Ａは、固定導電体膜５７１に電気的に接続されている。また、固定金属配線５７２Ａは、可動基板５２側に設けられ第二接続電極５９２に、第二基板間接合部５９２Ａを介して導通している。
また、可動基板５２の固定基板５１に対向する面には、可動導電部５８Ａが設けられている。具体的には、可動基板５２の第五溝５２５に設けられた可動反射膜５５の可動側凹部５５Ａに可動導電体膜５８１が形成されている。なお、可動導電体膜５８１の上面５８１Ａ、及び可動導電体膜５８１よりも外側の可動反射膜５５の上面５５Ｂと、可動基板５２の基板面５２Ａとは、同一の仮想平坦面に沿っている。すなわち、可動導電体膜５８１の上面５８１Ｂ、及び可動反射膜５５の上面５５Ｂが、平滑面で連続している。
そして、本実施形態では、第一実施形態における可動側配線部５８２の代わりに、可動導電体膜５８１の上面５８１Ａに接触する可動金属配線５８２Ａが設けられている。可動金属配線５８２Ａは、有効領域Ｆ５よりも外側に設けられている。また、可動金属配線５８２Ａは、可動電極５６２のＣ字開口部を通って、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´に向かって設けられている。この可動金属配線５８２Ａは、可動導電体膜５８１に電気的に接続されている。
そして、本実施形態では、第一実施形態における可動側配線部５８２の代わりに、可動導電体膜５８１の上面５８１Ａに接触する可動金属配線５８２Ａが設けられている。可動金属配線５８２Ａは、有効領域Ｆ５よりも外側に設けられている。また、可動金属配線５８２Ａは、可動電極５６２のＣ字開口部を通って、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´に向かって設けられている。この可動金属配線５８２Ａは、可動導電体膜５８１に電気的に接続されている。
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５Ａの製造方法について、図面に基づいて説明する。波長可変干渉フィルター５Ａの製造方法は、固定金属配線５７２Ａ及び可動金属配線５８２Ａを形成する点以外は、基本的に、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５の製造方法と同様である。
すなわち、波長可変干渉フィルター５Ａの製造では、第一実施形態と同様に、第一ガラス基板Ｍ１に固定基板形成工程を、第二ガラス基板Ｍ２に可動基板形成工程を実施し、加工された第一ガラス基板Ｍ１と第二ガラス基板Ｍ２とを接合する。さらに、切断工程を実施し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を個片化して波長可変干渉フィルター５Ａを形成する。
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５Ａの製造方法について、図面に基づいて説明する。波長可変干渉フィルター５Ａの製造方法は、固定金属配線５７２Ａ及び可動金属配線５８２Ａを形成する点以外は、基本的に、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５の製造方法と同様である。
すなわち、波長可変干渉フィルター５Ａの製造では、第一実施形態と同様に、第一ガラス基板Ｍ１に固定基板形成工程を、第二ガラス基板Ｍ２に可動基板形成工程を実施し、加工された第一ガラス基板Ｍ１と第二ガラス基板Ｍ２とを接合する。さらに、切断工程を実施し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を個片化して波長可変干渉フィルター５Ａを形成する。
（固定基板形成工程）
本実施形態では、第一実施形態の固定基板形成工程における、図７（Ａ）〜（Ｃ）及び図８（Ａ），（Ｂ）に示す各工程を実施する。すなわち、用意した第一ガラス基板Ｍ１にレジストパターン７を形成し、これをマスクとして第二溝５１２を形成する。その後、第二溝５１２に固定反射膜５４を形成し、リフトオフによりレジストパターン７及び当該レジストパターン７上に設けられた誘電体多層膜を除去する。このようにして固定側凹部５４Ａを有する固定反射膜５４が、第二溝５１２に形成される。
本実施形態では、第一実施形態の固定基板形成工程における、図７（Ａ）〜（Ｃ）及び図８（Ａ），（Ｂ）に示す各工程を実施する。すなわち、用意した第一ガラス基板Ｍ１にレジストパターン７を形成し、これをマスクとして第二溝５１２を形成する。その後、第二溝５１２に固定反射膜５４を形成し、リフトオフによりレジストパターン７及び当該レジストパターン７上に設けられた誘電体多層膜を除去する。このようにして固定側凹部５４Ａを有する固定反射膜５４が、第二溝５１２に形成される。
次に、図１１（Ａ）に示すように、固定導電体膜５７１を形成する。固定導電体膜５７１は、第一実施形態と同様に、フォトリソグラフィ法等により、第一ガラス基板Ｍ１上の、固定導電体膜５７１を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、固定導電体膜５７１を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
次に、図１１（Ｂ）に示すように、固定金属配線５７２Ａを形成する。
例えば、第一ガラス基板Ｍ１に固定金属配線５７２Ａを形成する金属材料（例えばＡｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定金属配線５７２Ａの形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウェットエッチングにより、固定金属配線５７２Ａをパターニングした後、レジストを除去する。
なお、固定金属配線５７２Ａを形成する際に、固定電極５６１及び固定引出電極５６１Ａも同時に形成してもよいし、別途形成してもよい。
以上により、固定反射膜５４、固定導電体膜５７１、固定金属配線５７２Ａ、固定電極５６１、及び固定引出電極５６１Ａが配置された固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
例えば、第一ガラス基板Ｍ１に固定金属配線５７２Ａを形成する金属材料（例えばＡｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定金属配線５７２Ａの形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウェットエッチングにより、固定金属配線５７２Ａをパターニングした後、レジストを除去する。
なお、固定金属配線５７２Ａを形成する際に、固定電極５６１及び固定引出電極５６１Ａも同時に形成してもよいし、別途形成してもよい。
以上により、固定反射膜５４、固定導電体膜５７１、固定金属配線５７２Ａ、固定電極５６１、及び固定引出電極５６１Ａが配置された固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
（可動基板形成工程）
本実施形態では、第一実施形態の可動基板形成工程における、図８（Ａ）〜（Ｃ）及び図９（Ａ），（Ｂ）に示す各工程を実施する。すなわち、用意した第二ガラス基板Ｍ２にレジストパターン８を形成し、これをマスクとして第五溝５２５を形成する。その後、第五溝５２５に可動反射膜５５を形成し、リフトオフによりレジストパターン８及び当該レジストパターン８上に設けられた誘電体多層膜を除去する。このようにして可動側凹部５５Ａを有する可動反射膜５５が、第五溝５２５に形成される。
本実施形態では、第一実施形態の可動基板形成工程における、図８（Ａ）〜（Ｃ）及び図９（Ａ），（Ｂ）に示す各工程を実施する。すなわち、用意した第二ガラス基板Ｍ２にレジストパターン８を形成し、これをマスクとして第五溝５２５を形成する。その後、第五溝５２５に可動反射膜５５を形成し、リフトオフによりレジストパターン８及び当該レジストパターン８上に設けられた誘電体多層膜を除去する。このようにして可動側凹部５５Ａを有する可動反射膜５５が、第五溝５２５に形成される。
次に、図１２（Ａ）に示すように、可動導電体膜５８１を形成する。固定導電体膜５７１は、第一実施形態と同様に、フォトリソグラフィ法等により、第二ガラス基板Ｍ２上の、可動導電体膜５８１を形成する部分以外にレジストパターン（リフトオフパターン）を形成する。この後、可動導電体膜５８１を形成するための材料をスパッタリング法又は蒸着法等により成膜する。この後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
次に、図１２（Ｂ）に示すように、可動金属配線５８２Ａを形成する。
例えば、第二ガラス基板Ｍ２に可動金属配線５８２Ａを形成する金属材料（例えばＡｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、第二ガラス基板Ｍ２にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて可動金属配線５８２Ａの形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウェットエッチングにより、可動金属配線５８２Ａをパターニングした後、レジストを除去する。
なお、可動金属配線５８２Ａを形成する際に、可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａも同時に形成してもよいし、別途形成してもよい。
以上により、可動反射膜５５、可動導電体膜５８１、可動金属配線５８２Ａ、可動電極５６２、及び可動引出電極５６２Ａが配置された可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
なお、本実施形態では、各金属配線５７２Ａ，５８２Ａを金属材料で形成する構成を例示したが、これに限定されず、ＩＴＯ等の金属酸化物で形成してもよい。
例えば、第二ガラス基板Ｍ２に可動金属配線５８２Ａを形成する金属材料（例えばＡｕ等の金属膜や、Ｃｒ／Ａｕ等の金属積層体）を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、第二ガラス基板Ｍ２にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて可動金属配線５８２Ａの形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウェットエッチングにより、可動金属配線５８２Ａをパターニングした後、レジストを除去する。
なお、可動金属配線５８２Ａを形成する際に、可動電極５６２及び可動引出電極５６２Ａも同時に形成してもよいし、別途形成してもよい。
以上により、可動反射膜５５、可動導電体膜５８１、可動金属配線５８２Ａ、可動電極５６２、及び可動引出電極５６２Ａが配置された可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
なお、本実施形態では、各金属配線５７２Ａ，５８２Ａを金属材料で形成する構成を例示したが、これに限定されず、ＩＴＯ等の金属酸化物で形成してもよい。
［第二実施形態の作用効果］
本実施形態では、固定導電体膜５７１は、第一領域Ｆ１の外周縁よりも内側に設けられ、固定金属配線５７２Ａは、固定導電体膜５７１とは別に設けられた金属配線である。
ここで、例えば、固定導電体膜５７１と固定側配線部とを一体的に形成する場合、固定導電体膜５７１及び固定側配線部を形成する材料として、光透過性を有する導電材料である必要がある。また、この場合、厚み寸法が小さい方が固定導電体膜５７１の光透過性を向上させる点では好ましく、固定側配線部の厚み寸法が固定導電体膜５７１と同等となるため、固定側配線部が断線しやすくなる可能性がある。
これに対して、本実施形態では、第一領域Ｆ１の外周縁から第一領域Ｆ１外に連続する第二領域Ｆ２に亘って金属配線である固定金属配線５７２Ａが設けられている。したがって、固定金属配線５７２Ａの厚み寸法を大きくすることができ、固定側配線部が第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを確実に低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性をより向上させることができる。また、固定導電体膜５７１を薄くすることができ、固定導電体膜５７１の光透過性を向上させることができる。
本実施形態では、固定導電体膜５７１は、第一領域Ｆ１の外周縁よりも内側に設けられ、固定金属配線５７２Ａは、固定導電体膜５７１とは別に設けられた金属配線である。
ここで、例えば、固定導電体膜５７１と固定側配線部とを一体的に形成する場合、固定導電体膜５７１及び固定側配線部を形成する材料として、光透過性を有する導電材料である必要がある。また、この場合、厚み寸法が小さい方が固定導電体膜５７１の光透過性を向上させる点では好ましく、固定側配線部の厚み寸法が固定導電体膜５７１と同等となるため、固定側配線部が断線しやすくなる可能性がある。
これに対して、本実施形態では、第一領域Ｆ１の外周縁から第一領域Ｆ１外に連続する第二領域Ｆ２に亘って金属配線である固定金属配線５７２Ａが設けられている。したがって、固定金属配線５７２Ａの厚み寸法を大きくすることができ、固定側配線部が第一領域Ｆ１の外周縁で断線するリスクを確実に低減でき、波長可変干渉フィルター５における配線信頼性をより向上させることができる。また、固定導電体膜５７１を薄くすることができ、固定導電体膜５７１の光透過性を向上させることができる。
固定金属配線５７２Ａが固定導電体膜５７１の上面５７１Ａから固定反射膜５４の上面５４Ｂに亘る平滑面に配置されることになる。したがって、固定導電体膜５７１の端縁や固定反射膜５４の端縁で固定金属配線５７２Ａが分断されることがなく、断線するリスクをより低減でき、波長可変干渉フィルター５Ａにおける配線信頼性をより向上させることができる。
また、可動基板５２には、固定基板５１と同様の構成が形成されている。これにより、可動基板５２側においても、固定基板５１側と同様に、波長可変干渉フィルター５Ａにおける配線信頼性を向上させることができる。
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、波長可変干渉フィルター５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター５を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、波長可変干渉フィルター５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター５を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
図１３は、本発明の第三実施形態に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
図１３に示すように、光学フィルターデバイス６００は、筐体６１０と、筐体６１０の内部に収納される波長可変干渉フィルター５を備えている。
筐体６１０は、図１３に示すように、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納される。
図１３に示すように、光学フィルターデバイス６００は、筐体６１０と、筐体６１０の内部に収納される波長可変干渉フィルター５を備えている。
筐体６１０は、図１３に示すように、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納される。
（ベースの構成）
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。
台座部６２１は、厚み方向に貫通する開口部６２３を備えている。この開口部６２３は、台座部６２１に波長可変干渉フィルター５を収容した状態で、台座部６２１を厚み方向から見た平面視において、反射膜５４，５５と重なる領域を含むように設けられている。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。
また、台座部６２１のリッド６３０に対向する内面（ベース内側面６２１Ａ）には、波長可変干渉フィルター５の各接続電極５９１，５９２及び可動引出電極５６２Ａに接続される内側端子部６２４が設けられている。内側端子部６２４と、接続電極５９１，５９２及び可動引出電極５６２Ａとは、例えばワイヤーボンディングにより、Ａｕ等のワイヤーを用いて接続される。なお、本実施形態では、ワイヤーボンディングを例示するが、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等を用いてもよい。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。
側壁部６２２は、台座部６２１の縁部から立ち上がり、ベース内側面６２１Ａに載置された波長可変干渉フィルター５の周囲を覆っている。側壁部６２２のリッド６３０に対向する面（端面６２２Ａ）は、例えばベース内側面６２１Ａに平行な平坦面となる。
そして、ベース６２０には、例えば接着剤等の固定材を用いて、波長可変干渉フィルター５が固定される。この際、波長可変干渉フィルター５は、台座部６２１に対して固定されていてもよく、側壁部６２２に対して固定されていてもよい。固定材を設ける位置としては、複数個所であってもよいが、固定材の応力が波長可変干渉フィルター５に伝達するのを抑制するべく、１か所で波長可変干渉フィルター５を固定することが好ましい。
（リッドの構成）
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有する透明部材であり、例えばガラス等により構成される。
リッド６３０は、図１３に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合等が例示できる。
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有する透明部材であり、例えばガラス等により構成される。
リッド６３０は、図１３に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合等が例示できる。
［第三実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６００では、筐体６１０により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６００では、筐体６１０により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、固定反射膜５４の端部が、固定反射膜５４の端部が、第二溝５１２の縁部まで到達しており、溝底面５１１Ａと平坦面で連続している構成を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、固定反射膜５４の端部が、第二溝５１２の縁部まで到達しておらず、第二溝５１２の溝側面５１２Ｂの途中に連続している構成でもよい。この場合でも、第二溝５１２の縁部の近傍において、段差を小さくすることができる。また、第二溝５１２の縁部の近傍において、湾曲した溝側面５１２Ｂ及び固定反射膜５４の上面で、平滑面を形成することができる。したがって、固定側配線部５７２の断線リスクを抑制できる。なお、可動基板５２側でも同様である。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、固定反射膜５４の端部が、固定反射膜５４の端部が、第二溝５１２の縁部まで到達しており、溝底面５１１Ａと平坦面で連続している構成を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、固定反射膜５４の端部が、第二溝５１２の縁部まで到達しておらず、第二溝５１２の溝側面５１２Ｂの途中に連続している構成でもよい。この場合でも、第二溝５１２の縁部の近傍において、段差を小さくすることができる。また、第二溝５１２の縁部の近傍において、湾曲した溝側面５１２Ｂ及び固定反射膜５４の上面で、平滑面を形成することができる。したがって、固定側配線部５７２の断線リスクを抑制できる。なお、可動基板５２側でも同様である。
上記各実施形態では、マスクとして逆テーパー状の開口を有するリフトオフ用のマスクを用いる場合について例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、リフオフを用いない場合、円柱状やテーパー状の開口を有するマスクを用いてもよい。
上記各実施形態では、第二溝５１２をウェットエッチングで形成する場合について例示したが、ドライエッチングで形成してもよい。このような場合でも、第二溝５１２の溝深さと、固定反射膜５４の膜厚を同程度とすることで、固定側配線部５７２の断線リスクを抑制できる。なお、可動基板５２側でも同様である。
上記各実施形態では、第二溝５１２をウェットエッチングで形成する場合について例示したが、ドライエッチングで形成してもよい。このような場合でも、第二溝５１２の溝深さと、固定反射膜５４の膜厚を同程度とすることで、固定側配線部５７２の断線リスクを抑制できる。なお、可動基板５２側でも同様である。
上記各実施形態では、各導電体膜５７１，５８１として、透光性の金属酸化物を例示したがこれに限定されない。各導電体膜５７１，５８１が、Ａｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜により構成されていてもよい。
上記実施液体では、固定反射膜５４が、誘電体多層膜により構成される例を示したが、誘電体多層膜の代わりに誘電体層や、金属膜、金属合金膜等のその他の反射膜が設けられる構成としてもよい。可動反射膜５５に対しても同様である。
上記実施液体では、固定反射膜５４が、誘電体多層膜により構成される例を示したが、誘電体多層膜の代わりに誘電体層や、金属膜、金属合金膜等のその他の反射膜が設けられる構成としてもよい。可動反射膜５５に対しても同様である。
上記各実施形態では、導電体膜で形成された可動側配線部５８２に可動引出電極５６２Ａを導通させ、可動電極５６２と可動導電体膜５８１とを同電位にする例を示したが、これに限定されない。
例えば、可動側配線部５８２に可動引出電極５６２Ａを導通させず、可動電極５６２と、可動導電体膜５８１を電気的に絶縁し、それぞれ独立した電極として機能させてもよい。この場合、例えば、各反射膜５４，５５の導電体膜５７１，５８１をそれぞれ駆動用の電極としても機能させることもでき、静電アクチュエーター５６との併用により、より高精度なギャップＧ１の制御が可能となる。
また、この場合、可動側配線部５８２も電装部５２４Ｂまで設ける構成としてもよい。この場合、電装部５２４Ｂにおいて可動側配線部５８２に配線をする際に、可動側配線部５８２上に金属膜を形成し、当該金属膜に対してワイヤーボンディング等によってＡｕ等のワイヤーを接続してもよい。
例えば、可動側配線部５８２に可動引出電極５６２Ａを導通させず、可動電極５６２と、可動導電体膜５８１を電気的に絶縁し、それぞれ独立した電極として機能させてもよい。この場合、例えば、各反射膜５４，５５の導電体膜５７１，５８１をそれぞれ駆動用の電極としても機能させることもでき、静電アクチュエーター５６との併用により、より高精度なギャップＧ１の制御が可能となる。
また、この場合、可動側配線部５８２も電装部５２４Ｂまで設ける構成としてもよい。この場合、電装部５２４Ｂにおいて可動側配線部５８２に配線をする際に、可動側配線部５８２上に金属膜を形成し、当該金属膜に対してワイヤーボンディング等によってＡｕ等のワイヤーを接続してもよい。
可動基板５２には、固定基板５１の第三溝５１１Ｂに対向する位置に、固定基板５１に向かって突出するバンプ５２１Ｂが設けられている。可動基板５２には、バンプ５２１Ｂから電装部５２４Ａに亘って、第一接続電極５９１及び第二接続電極５９２が設けられている。
上記実施形態では、固定基板形成工程において、第二ガラス基板Ｍ２をエッチングすることで、バンプ５２１Ｂを形成する例を示したが、別途、バンプ５２１Ｂを可動基板５２に固定する構成としてもよい。この際、樹脂性のバンプ５２１Ｂを可動基板５２に取り付けることが好ましい。樹脂材料のバンプ５２１Ｂを形成することで、各接続電極５９１，５９２と、各基板間接合部５９１Ａ，５９２Ａとの接触圧を、樹脂であるバンプ５２１Ｂで分散させることができ、固定基板５１や可動基板５２への応力の伝達を抑制できる。
上記実施形態では、固定基板形成工程において、第二ガラス基板Ｍ２をエッチングすることで、バンプ５２１Ｂを形成する例を示したが、別途、バンプ５２１Ｂを可動基板５２に固定する構成としてもよい。この際、樹脂性のバンプ５２１Ｂを可動基板５２に取り付けることが好ましい。樹脂材料のバンプ５２１Ｂを形成することで、各接続電極５９１，５９２と、各基板間接合部５９１Ａ，５９２Ａとの接触圧を、樹脂であるバンプ５２１Ｂで分散させることができ、固定基板５１や可動基板５２への応力の伝達を抑制できる。
上記各実施形態では、静電アクチュエーター５６により、反射膜５４，５５間のギャップ寸法を変更可能な構成としたが、これに限定されない。例えば、波長固定型のファブリーペローエタロンに対しても、本発明を適用することができる。
波長固定型の干渉フィルターでは、上記各実施形態のような可動部５２１や保持部５２２が設けられず、固定基板５１と可動基板５２との間隔が一定に維持される。このような場合でも、固定反射膜５４や可動反射膜５５の帯電を除去することで、反射膜間の距離を一定に保つことができる。
波長固定型の干渉フィルターでは、上記各実施形態のような可動部５２１や保持部５２２が設けられず、固定基板５１と可動基板５２との間隔が一定に維持される。このような場合でも、固定反射膜５４や可動反射膜５５の帯電を除去することで、反射膜間の距離を一定に保つことができる。
本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
例えば、図１４に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１４は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１４に示すように、測定対象Ｘに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を測定対象Ｘにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光させ、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ｘの色を分析して測定する装置である。
図１４は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１４に示すように、測定対象Ｘに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を測定対象Ｘにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光させ、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ｘの色を分析して測定する装置である。
光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１４には１つのみ記載）を備え、測定対象Ｘに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ｘに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば測定対象Ｘが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。
測色センサー４２０は、本発明の光学モジュールであり、図１４に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター１１と、波長可変干渉フィルター５で透過させる光の波長を可変する駆動制御部１５とを備える。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、測定対象Ｘで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１４に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の駆動制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、測定対象Ｘの色度を分析する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１４に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の駆動制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、測定対象Ｘの色度を分析する。
また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
図１５は、本発明の光学モジュールを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１６は、図１５のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１５に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（受光部）等を含む検出装置（光学モジュール）と、受光素子１３７で受光された光に応じて出力された信号の処理や検出装置や光源部の制御を実施する制御部１３８（処理部）、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１６に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１６に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための駆動制御部１５、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。
図１６は、図１５のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１５に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（受光部）等を含む検出装置（光学モジュール）と、受光素子１３７で受光された光に応じて出力された信号の処理や検出装置や光源部の制御を実施する制御部１３８（処理部）、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１６に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１６に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための駆動制御部１５、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。
次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。
また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、駆動制御部１５に対して制御信号を出力する。これにより、駆動制御部１５は、上記第一実施形態と同様にして波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、駆動制御部１５に対して制御信号を出力する。これにより、駆動制御部１５は、上記第一実施形態と同様にして波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
なお、上記図１５及び図１６において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
図１７は、本発明の光学モジュールを利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１７に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（受光部）と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する駆動制御部１５と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
この食物分析装置２００は、図１７に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（受光部）と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する駆動制御部１５と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は駆動制御部１５の制御により、上記第一実施形態に示すような駆動方法で駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、駆動制御部１５を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。
また、図１７において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
さらには、本発明の光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
また、電子機器としては、本発明の光学モジュールにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１８は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１８に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１８に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
図１８は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１８に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１８に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６００が設けられる構成としてもよい。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
さらには、本発明の光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
また、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
上記に示すように、本発明の光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学モジュールは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
１…分光測定装置、５，５Ａ…波長可変干渉フィルター、７，８…レジストパターン（マスク）、１０…光学モジュール、１１…ディテクター（受光部）、１５…駆動制御部、２０…制御部、５１…固定基板、５２…可動基板、５２Ａ…基板面、５４…固定反射膜、５４Ａ…固定側凹部、５４Ｂ…上面、５５…可動反射膜、５５Ａ…可動側凹部、５５Ｂ…上面（第３の上面）、５７，５７Ａ…固定導電部、５８，５８Ａ…可動導電部、１００…ガス検出装置、１３７…受光素子、１３８…制御部、２００…食物分析装置、２１０…検出器、２２０…制御部、３００…分光カメラ、３３０…撮像部、４００…測色装置、４２０…測色センサー、４３０…制御装置、５１１Ａ…溝底面（基板表面）、５１２…第二溝（溝部）、５２５…第五溝（第２の溝部）、５７１…固定導電体膜（導電膜）、５７１Ａ…上面（第２の上面）、５７２Ａ…固定金属配線（金属配線部）、６００…光学フィルターデバイス、６１０…筐体、６２０…ベース、６２１…台座部、６３０…リッド。
Claims (10)
- 溝部を有する基板と、
前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜と、
前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部と、を備え、
前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記導電部は、前記第一反射膜上に設けられた導電膜と、前記導電膜の外周縁の内側から前記基板における前記溝部よりも外側の前記第一反射膜が設けられていない領域に亘って設けられ、前記導電膜よりも厚み寸法が大きい金属配線部と、を備えた
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一反射膜は、前記平面視における中央領域に凹部を有し、
前記導電膜は前記凹部に設けられ、
前記導電膜における前記溝部の底面とは反対側の第２の上面、及び前記平面視において前記導電膜を囲む前記第一反射膜の前記上面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項１から請求項３のいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二反射膜は、複数層からなり、
前記第二反射膜が深さ方向に沿って積層された第２の溝部を有する第２の基板と、
前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第二反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた第２の導電部と、を備え、
前記第二反射膜における前記第２の溝部の底面とは反対側の第３の上面、及び前記平面視において前記第２の基板の前記第２の溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、
前記干渉フィルターを収納する筐体と、を具備し、
前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする光学フィルターデバイス。 - 溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、
前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を具備し、
前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする光学モジュール。 - 溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備えた干渉フィルターと、
前記干渉フィルターを制御する制御部と、を具備し、
前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する
ことを特徴とする電子機器。 - 溝部を有する基板、前記溝部の深さ方向に沿って積層された複数層からなる第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の膜厚方向から見た平面視で、前記第一反射膜の外周縁の内外に跨って設けられた導電部、を備え、前記第一反射膜における前記溝部の底面とは反対側の上面、及び前記平面視において前記基板の前記溝部よりも外側の基板表面が、平滑面で連続する干渉フィルターの製造方法であって、
前記基板の一面に、開口が設けられたマスクを形成し、
エッチングにより、前記基板の前記開口に対応する位置に前記溝部を形成し、
前記溝部に前記第一反射膜を形成し、
前記マスクを除去し、
前記導電部を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。 - 請求項８に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記マスクの厚み寸法は、前記溝部の深さ寸法よりも大きい
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。 - 請求項８又は請求項９に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記第一反射膜は、前記マスク上にも同時に形成され、
前記マスクを除去する際に、リフトオフ法により前記マスク及び前記マスク上に形成された前記第一反射膜の形成材料を除去する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014016644A JP2015143741A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2014016644A JP2015143741A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法 |
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|---|---|
| JP2015143741A true JP2015143741A (ja) | 2015-08-06 |
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ID=53888828
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014016644A Pending JP2015143741A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2015143741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018230567A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学フィルタシステム |
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014016644A patent/JP2015143741A/ja active Pending
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| JPWO2018230567A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2020-04-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学フィルタシステム |
| US11480783B2 (en) | 2017-06-13 | 2022-10-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical filter system |
| JP7221200B2 (ja) | 2017-06-13 | 2023-02-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学フィルタシステム |
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