JP2022503766A - パッケージング方法及びパッケージング構造 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
1、該製品は、実現するために3枚のウェハを必要として、コストが高く、且つ超薄型の製品の作製に役立たない。
2、中間のウェハ上で、MEMSデバイスの全ての構造を作製する必要があり、該MEMSデバイスが復雑な場合、作製プロセスの難易度が高く、製品の集積度の向上に役立たない。
3、MEMSデバイスの一部又は全ては、一般的に高温又は特別なプロセスによる作製を必要とするから、これらの部分は、CMOS回路構造の作製と同じプラットフォームで集積できず、3枚のウェハで実現する時、ウェハの有効利用率が低くなる。
キャップウェハを提供するステップであって、前記キャップウェハ内に溝が形成され、前記溝内に犠牲層が形成され、且つ前記犠牲層上に第1デバイスが形成されるステップと、
第2デバイスが形成される基板ウェハを提供するステップと、
前記第1デバイスが前記第2デバイスと電気的に接続されるように、前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するステップと、
前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記犠牲層を除去し、キャビティを前記キャップウェハと前記基板ウェハとの間に形成するステップであって、前記第1デバイスが前記キャビティ内に位置するステップと、を含むパッケージング方法を提供する。
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合する前に、第1密封リングを前記溝の外周側の前記キャップウェハの表面上に位置するように前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面上に形成するステップと、第2密封リングを前記第1密封リングに対応するとともに前記第2デバイスの外周側の前記基板ウェハの表面上に位置するように前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面上に形成するステップと、をさらに含み、
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するときに、前記第1密封リングと前記第2密封リングとを位置合わせして接合することにより、前記キャビティを封止する。
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合する前又は後に、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記キャップウェハをエッチングすることにより、前記犠牲層を露出させる少なくとも1つの開放孔を形成し、前記開放孔によって、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記犠牲層を除去するステップと、
前記犠牲層を除去した後に、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記開放孔を密封し、前記第1デバイスを前記キャビティ内に密封するステップと、をさらに含む。
前記第1デバイスは、独立型デバイスの全てを含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの動作をサポートする回路構造を含み、
又は、前記第1デバイスは、独立型デバイスの一部を含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの他部を含み、前記第1デバイスと前記第2デバイスとを電気的に接続することにより前記独立型デバイスが形成される。
溝が形成され、前記溝内に除去可能な犠牲層が形成され、前記犠牲層上に第1デバイスが形成されるキャップウェハと、
第2デバイスが形成される基板ウェハと、を含み、
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面が、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面と接合され、前記第1デバイスが前記第2デバイスと電気的に接続され、且つ前記犠牲層が除去された後に、前記キャップウェハと前記基板ウェハとの間にキャビティが形成され、前記第1デバイスが前記キャビティ内に位置するパッケージング構造を提供する。
本発明のパッケージング方法では、まず、キャップウェハ内に溝を形成し、且つ犠牲層を前記溝内に形成し、次に、第1デバイス(独立型デバイスの構造の全て又は一部であってもよい)を前記犠牲層上に作製し、且つ前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面をフリップの方式で第2デバイス(前記独立型デバイスの別の部分の構造又は前記独立型デバイスの動作をサポートする回路構造であってもよい)が形成される基板ウェハの表面上に接合し、前記キャップウェハ上の第1デバイスの密封及び第2デバイスとの電気的接続を実現し、次に、犠牲層を除去してキャップウェハ上の第1デバイスの動作に必要なキャビティを形成する。本発明のパッケージング方法は、キャップウェハと基板ウェハという2つのウェハを使用すれば、従来のキャップウェハ、被集積ウェハ及び基板ウェハという3つのウェハのパッケージング構造を実現することができ、ウェハの利用率を向上させ、且つコストを低減させることができ、超薄製品の作製に役立つと共に、キャップウェハと基板ウェハという2つのウェハ上にそれぞれ対応するデバイスを作製することができるため、製品の集積度の向上に役立ち、特に、複雑なデバイス(すなわち独立型デバイス)を二つの部分に分けて、それぞれキャップウェハと基板ウェハという2つのウェハに作製することができ、これによって、複雑なデバイスの作製のプロセスの難易度を大幅に低減させることができ、例えば、前記複雑なデバイスがMEMSデバイスの場合、MEMSデバイスの中に高温又は特別なプロセスによる作製を必要とする部分を第1デバイスとして、MEMSデバイスの他の部分及び前記MEMSデバイスの動作をサポートするCMOS回路構造を第2デバイスとして使用することができるため、MEMSデバイスの第1デバイスの作製は、CMOS回路構造の作製と同じプラットフォームで集積できないという欠点を回避することができる。
キャップウェハを提供するステップS1であって、前記キャップウェハ内に溝が形成され、前記溝内に犠牲層が形成され、且つ前記犠牲層上に第1デバイスが形成されるステップS1と、
第2デバイスが形成される基板ウェハを提供するステップS2と、
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するステップS3であって、前記第1デバイスが前記第2デバイスと電気的に接続されるステップS3と、
前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記犠牲層を除去し、キャビティを前記キャップウェハと前記基板ウェハとの間に形成するステップS4であって、前記第1デバイスが前記キャビティ内に位置するステップS4と、を含む、パッケージング方法を提供する。
30-キャップウェハ、30-第1基板、300a-キャップウェハの第1表面、300b-キャップウェハの第2表面、300’-溝、301-保護層、302-犠牲層、303-第1デバイス、304-開放孔、305-キャビティ、306-ホールブロッキング層、307-第1接合構造、308-第1密封リング、
40-基板ウェハ、400-第2基板、401-CMOSデバイス、402-金属相互接続回路構造、403-第2接合構造、404-第2密封リング
Claims (20)
- パッケージング方法であって、
キャップウェハを提供するステップであって、前記キャップウェハ内に溝が形成され、前記溝内に犠牲層が形成され、且つ前記犠牲層上に第1デバイスが形成されるステップと、
第2デバイスが形成される基板ウェハを提供するステップと、
前記第1デバイスが前記第2デバイスと電気的に接続されるように、前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するステップと、
前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記犠牲層を除去し、キャビティを前記キャップウェハと前記基板ウェハとの間に形成するステップであって、前記第1デバイスが前記キャビティ内に位置するステップと、を含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。 - 前記犠牲層を前記溝内に形成する前に、先に保護層を前記溝の側壁及び底壁に形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング方法。 - 前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合する前に、第1接合構造を前記第1デバイス上に形成するとともに前記第1接合構造に対応する第2接合構造を前記第2デバイス上に形成し、前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するときに、前記第1接合構造と前記第2接合構造とを位置合わせして接合することにより、電気的接続を形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング方法。 - 前記第1接合構造と前記第2接合構造の材料は、それぞれAl、Ge、Cu、Au、Ni、Sn及びAgのうちの少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項3に記載のパッケージング方法。
- 前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合する前に、第1密封リングを前記溝の外周側の前記キャップウェハの表面上に位置するように前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面上に形成するステップと、第2密封リングを前記第1密封リングに対応するとともに前記第2デバイスの外周側の前記基板ウェハの表面上に位置するように前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面上に形成するステップと、をさらに含み、
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合するときに、前記第1密封リングと前記第2密封リングとを位置合わせして接合することにより、前記キャビティを封止する、
ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパッケージング方法。 - 前記第1密封リングと前記第2密封リングの材料は、絶縁媒体又は金属である、
ことを特徴とする請求項5に記載のパッケージング方法。 - 前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面と、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面とを接合する前又は後に、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記キャップウェハをエッチングすることにより、前記犠牲層を露出させる少なくとも1つの開放孔を形成し、前記開放孔によって、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記犠牲層を除去するステップと、
前記犠牲層を除去した後に、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記開放孔を密封し、前記第1デバイスを前記キャビティ内に密封するステップと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング方法。 - 前記キャップウェハをエッチングして前記開放孔を形成する前に、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側から前記キャップウェハを薄型化する、
ことを特徴とする請求項7に記載のパッケージング方法。 - 前記第1デバイスは、独立型デバイスの全てを含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの動作をサポートする回路構造を含み、
又は、前記第1デバイスは、前記独立型デバイスの一部を含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの他部を含み、前記第1デバイスと前記第2デバイスとを電気的に接続することにより前記独立型デバイスが形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング方法。 - 前記独立型デバイスはMEMSデバイスである、
ことを特徴とする請求項9に記載のパッケージング方法。 - パッケージング構造であって、
溝が形成され、前記溝内に除去可能な犠牲層が形成され、前記犠牲層上に第1デバイスが形成されるキャップウェハと、
第2デバイスが形成される基板ウェハと、を含み、
前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面が、前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面と接合され、前記第1デバイスが前記第2デバイスと電気的に接続され、且つ前記犠牲層が除去された後に、前記キャップウェハと前記基板ウェハとの間にキャビティが形成され、前記第1デバイスが前記キャビティ内に位置する、
ことを特徴とするパッケージング構造。 - 前記犠牲層と前記溝の内面との間には、保護層がさらに形成される、
ことを特徴とする請求項11に記載のパッケージング構造。 - 前記第1デバイス上に形成される第1接合構造と、
前記第2デバイス上に形成され且つ前記第1接合構造と位置合わせされて接合されることで、前記第1デバイスと前記第2デバイスとの電気的接続が行われた第2接合構造と、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項11に記載のパッケージング構造。 - 前記第1接合構造と前記第2接合構造の材料は、それぞれAl、Ge、Cu、Au、Ni、Sn及びAgのうちの少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項13に記載のパッケージング構造。 - 前記第1デバイスが形成される前記キャップウェハの表面上に形成されるとともに、前記溝の外周側の前記キャップウェハの表面上に位置する第1密封リングと、
前記第2デバイスが形成される前記基板ウェハの表面上に形成されるとともに、前記第2デバイスの外周側の前記基板ウェハの表面上に位置し、且つ前記第1密封リングと位置合わせされて接合され、前記キャビティを封止する第2密封リングと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項11~14のいずれか1項に記載のパッケージング構造。 - 前記第1密封リングと前記第2密封リングの材料は、絶縁媒体又は金属である、
ことを特徴とする請求項15に記載のパッケージング構造。 - 前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側の表面上に、前記犠牲層を露出させる少なくとも1つの開放孔が形成され、前記犠牲層が除去された後に、前記開放孔は、前記キャビティと連通する、
ことを特徴とする請求項11に記載のパッケージング構造。 - ホールブロッキング層をさらに含み、
前記ホールブロッキング層は、少なくとも前記開放孔内に充填される材料層であり、又は、前記キャップウェハの前記基板ウェハと背向する片側の表面上に貼り付けられるテープである、
ことを特徴とする請求項17に記載のパッケージング構造。 - 前記第1デバイスは、独立型デバイスの全てを含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの動作をサポートする回路構造を含み、
又は、前記第1デバイスは、前記独立型デバイスの一部を含み、前記第2デバイスは、前記独立型デバイスの他部を含み、前記第1デバイスと前記第2デバイスとを電気的に接続することにより、前記独立型デバイスが形成される、
ことを特徴とする請求項11に記載のパッケージング構造。 - 前記独立型デバイスはMEMSデバイスである、
ことを特徴とする請求項19に記載のパッケージング構造。
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