JP6221965B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の半導体装置を加速度を検出する加速度センサに適用した例について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して基板21の他面21bのうちの窪み部21cの底面と対向する部分の全面を薄くするものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 一面
14 センシング部
21 基板(第2基板)
21a 一面
21b 他面
21c 窪み部
21d 凹部
21e 薄膜部
30 気密室
Claims (10)
- 一面(10a)を有する第1基板(10)と、
一面(21a)を有し、前記一面側に窪み部(21c)が形成され、当該一面が前記第1基板の一面と対向する状態で前記第1基板に接合される第2基板(21)と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板の窪み部との間の空間を含んで気密室(30)が構成された半導体装置の製造方法において、
前記第2基板の一面側に前記窪み部を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを接合することで前記気密室を形成する工程と、
加熱することにより、前記気密室内のデガスを排出するガス抜き工程と、を行い、
前記ガス抜き工程の前に、前記第2基板の一面と反対側の他面(21b)のうちの前記窪み部の底面と対向する部分の少なくとも一部を薄膜化し、前記気密室内のデガスを排出するための薄膜部(21e)を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜部を形成する工程では、前記第2基板の他面のうちの前記窪み部と対向する部分に凹部(21d)を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜部を形成する工程では、前記第2基板の他面のうちの前記窪み部と対向する部分の全面を薄膜化することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記がス抜き工程の後、前記薄膜部上に補強膜(23)を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1、第2基板を接合する工程の前に、前記第1基板の一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(14、19)を形成する工程を行い、
前記気密室を形成する工程では、前記センシング部を封止するように前記気密室を形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記がス抜き工程の後、前記薄膜部に圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(19)を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 一面(10a)を有する第1基板(10)と、
一面(21a)を有し、前記一面側に窪み部(21c)が形成され、当該一面が前記第1基板の一面と対向する状態で前記第1基板に接合される第2基板(21)と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板の窪み部との間の空間を含んで気密室(30)が構成された半導体装置において、
前記第2基板の一面と反対側の他面(21b)のうちの前記窪み部の底面と対向する部分には、前記気密室内のデガスを排出するために薄膜化された薄膜部(21e)が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記薄膜部上には、補強膜(23)が形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第1基板の一面側には、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(14、19)が形成されており、
前記センシング部は、前記気密室に封止されていることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。 - 前記薄膜部には、圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(19)が形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。
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