JP5939168B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、請求項2に記載の発明では、センサ部および接合部材には、それぞれ窪み部(17、24)が形成されており、気密室は、センサ部に形成された窪み部および接合部材に形成された窪み部を含んで形成されており、センサ部は、センサ部における一面に窪み部が形成されることによって構成される薄肉のダイヤフラムを有し、ダイヤフラムにゲージ抵抗が形成されてセンシング部が構成されており、接合部材に形成された窪み部の体積は、センサ部に形成された窪み部の体積より大きくされていることを特徴としている。
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、加速度を検出するセンシング部が形成されたセンサ部を備える半導体装置を例に挙げて説明する。
(数1)R=V×(P/T)
で示される。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してセンシング部15aを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
15a センシング部
17 窪み部
20 接合部材
24 窪み部
30 気密室
Claims (4)
- 一面を有し、物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部(15a)が形成されたセンサ部(10)と、
前記センサ部の一面と接合される一面を有する接合部材(20)と、を備え、
前記センサ部と前記接合部材との間に気密室(30)が形成される半導体装置において、
前記センサ部および前記接合部材には、それぞれ窪み部(17、24)が形成されており、
前記気密室は、前記センサ部に形成された前記窪み部および前記接合部材に形成された前記窪み部を含んで形成されており、
前記センサ部は、支持基板(11)、埋込絶縁膜(12)、半導体層(13)が順に積層された半導体基板を用いて構成され、
前記半導体層には前記センシング部が形成されていると共に前記絶縁膜には前記センシング部を浮遊させる開口部(16)が形成され、前記支持基板のうち前記センシング部と対向する部分には前記センサ部における前記窪み部が形成されており、
前記センシング部は、前記気密室に封止され、
前記接合部材には、前記センサ部と前記接合部材との積層方向に貫通し、前記センシング部と電気的に接続される貫通電極(25c)が形成されており、
前記接合部材に形成された窪み部の体積は、前記センサ部に形成された窪み部の体積より小さくされていることを特徴とする半導体装置。 - 一面を有し、物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部(15a)が形成されたセンサ部(10)と、
前記センサ部の一面と接合される一面を有する接合部材(20)と、を備え、
前記センサ部と前記接合部材との間に気密室(30)が形成される半導体装置において、
前記センサ部および前記接合部材には、それぞれ窪み部(17、24)が形成されており、
前記気密室は、前記センサ部に形成された前記窪み部および前記接合部材に形成された前記窪み部を含んで形成されており、
前記センサ部は、前記センサ部における一面に前記窪み部が形成されることによって構成される薄肉のダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗が形成されて前記センシング部が構成されており、
前記接合部材に形成された窪み部の体積は、前記センサ部に形成された窪み部の体積より大きくされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記センサ部に形成された前記窪み部は、前記センサ部における一面側から前記窪み部の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記接合部材に形成された前記窪み部は、前記接合部材における一面側から前記窪み部の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。
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