JP2006295006A - 静電容量型センサの構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固定電極9が形成されるガラス基板8と可動電極6aが形成される半導体基板を備え、ガラス基板8に設けられた貫通穴11aを通して各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサにおいて、半導体基板に、絶縁層3を介在して接合された上側Si基板2及び下側Si基板4を有するSOIウエハ基板を使用し、上側Si基板2に、このSi基板2から電気的に分離された島状分離部15を形成し、半導体基板とガラス基板8とを陽極接合することにより、ガラス基板8の貫通穴11aを密閉すると共に、島状分離部15と各電極の配線との電気的接続を同時に行う。これにより、気密性を保持しつつ電極の引き出し配線を取り出すことができる。
【選択図】図2
Description
1b、1c センサチップ
2 上側Si基板
3 絶縁層
4 下側Si基板
6a、6b 可動電極
8 ガラス基板
9 固定電極
10a、10b、20 静電容量型センサ
11a、11b貫通穴
15 島状分離部
21 裏面島状分離部
23 ワイヤボンディング
24 保護用ガラス基板
Claims (6)
- 固定電極が形成されるガラス基板と可動電極が形成される半導体基板を備え、前記ガラス基板に設けられた貫通穴を通して前記各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサの構造において、
前記半導体基板に、絶縁層を介在して接合された上側Si基板及び下側Si基板を有するSOI(Silicon on insulator)ウエハ基板を使用し、前記上側Si基板に、該Si基板から電気的に分離された島状分離部を形成し、
前記半導体基板と前記ガラス基板とを陽極接合することにより前記ガラス基板の貫通穴を密閉すると共に、前記島状分離部と前記各電極の配線との電気的接続を行うことを特徴とする静電容量型センサの構造。 - 前記島状分離部の裏面にある下側Si基板の一部を絶縁層まで除去したことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型センサの構造。
- 前記島状分離部の裏面にある下側Si基板にも、該Si基板から電気的に分離された裏面島状分離部を形成したことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型センサの構造。
- 前記島状分離部の裏面にある下側Si基板を前記島状分離部の大きさより大きな面積で除去し、前記島状分離部を下側Si基板から分離したことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型センサの構造。
- 前記貫通穴の下部にある島状分離部に対し、前記ガラス基板の外部より直接ワイヤボンディングを含む電気的な配線を形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の静電容量型センサの構造。
- 前記SOI基板の裏面に保護用ガラス基板を接合したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の静電容量型センサの構造。
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