JP6515691B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6515691B2 JP6515691B2 JP2015117575A JP2015117575A JP6515691B2 JP 6515691 B2 JP6515691 B2 JP 6515691B2 JP 2015117575 A JP2015117575 A JP 2015117575A JP 2015117575 A JP2015117575 A JP 2015117575A JP 6515691 B2 JP6515691 B2 JP 6515691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- recess
- protective layer
- opening
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
また、請求項3に記載の発明では、半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域(70)がスクライブライン(71)で区画されたウェハ状のものを用意し、保護層を形成する工程では、保護層として、当該保護層における、それぞれのチップ形成領域のうちの凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部(17a)が形成されていると共に、スクライブラインと対向する領域に開口部(17b)が形成され、凹部形成予定領域と対向する領域に形成された開口部と、スクライブラインと対向する領域に形成された開口部とがそれぞれ繋がっているものを形成し、凹部を形成する工程では、開口部内の空間に保護層より熱伝達率が高い熱伝達ガス(22)を導入しつつ、チャンバ内に凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行うことを特徴としている。
本発明の第1実施系形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の半導体装置の製造方法を圧力センサの製造方法に適用した例について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してパッシベーション膜16にも開口部を形成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して圧力センサの構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してウェハ状の半導体基板10を用いるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 一面
10b 他面
11 凹部
17 保護層
17a 開口部
20 支持台
60 半導体基板
60a 一面
60b 他面
Claims (4)
- 一面(10a、60a)および前記一面と反対側の他面(10b、60b)を有する半導体基板(10、60)を用意する工程と、
前記一面に保護層(17)を形成する工程と、
前記半導体基板の他面が支持台(20)側と反対側に位置するように、前記保護層をチャンバ内に設置された前記支持台に固定する工程と、
前記半導体基板の他面にドライエッチングを行うことによって凹部(11)を形成する工程と、を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を用意する工程では、前記一面にパッシベーション膜(16)が形成されたものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、前記パッシベーション膜上に前記保護層を形成すると共に、前記保護層として、当該保護層における前記他面のうちの前記凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部(17a)が形成されたものを形成し、さらに、前記パッシベーション膜に前記開口部と連通する開口部(16a)を形成し、
前記凹部を形成する工程では、前記開口部内の空間に前記保護層より前記熱伝達率が高い熱伝達ガス(22)を導入しつつ、前記チャンバ内に前記凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行い、前記熱伝達ガスとして前記パッシベーション膜より熱伝達率の高いものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域(70)がスクライブライン(71)で区画されたウェハ状のものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、それぞれの前記チップ形成領域における前記凹部形成予定領域と対向する領域に前記開口部が形成されていると共に、前記スクライブラインと対向する領域に開口部(17b)が形成され、前記凹部形成予定領域と対向する領域に形成された前記開口部と、前記スクライブラインと対向する領域に形成された前記開口部とがそれぞれ繋がっている前記保護層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 一面(10a、60a)および前記一面と反対側の他面(10b、60b)を有する半導体基板(10、60)を用意する工程と、
前記一面に保護層(17)を形成する工程と、
前記半導体基板の他面が支持台(20)側と反対側に位置するように、前記保護層をチャンバ内に設置された前記支持台に固定する工程と、
前記半導体基板の他面にドライエッチングを行うことによって凹部(11)を形成する工程と、を行う半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を用意する工程では、複数のチップ形成領域(70)がスクライブライン(71)で区画されたウェハ状のものを用意し、
前記保護層を形成する工程では、前記保護層として、当該保護層における、それぞれの前記チップ形成領域のうちの前記凹部が形成される凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に開口部(17a)が形成されていると共に、前記スクライブラインと対向する領域に開口部(17b)が形成され、前記凹部形成予定領域と対向する領域に形成された前記開口部と、前記スクライブラインと対向する領域に形成された前記開口部とがそれぞれ繋がっているものを形成し、
前記凹部を形成する工程では、前記開口部内の空間に前記保護層より前記熱伝達率が高い熱伝達ガス(22)を導入しつつ、前記チャンバ内に前記凹部を形成するためのエッチングガスと、エッチングされた部分の側壁を保護する側壁保護膜を形成するためのデポガスとを導入して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を用意する工程では、前記半導体基板として、第1基板(10)と第2基板(40)とが接合されることによって構成され、前記他面が前記第1基板で構成されると共に前記一面が前記第2基板で構成されており、前記第2基板における前記第1基板側の一面(40a)のうちの前記凹部形成予定領域と対向する領域を含む領域に窪み部が形成されることにより、前記第1基板と前記第2基板との間に前記窪み部内の空間によって基準室(50)が構成され、前記第1基板のうちの前記第2基板側の一面(10a)に配線層(14)が形成され、前記第2基板に、前記配線層を露出させる貫通孔(44)が形成されていると共に前記貫通孔に前記配線層と電気的に接続される貫通電極(46)が形成されたものを用意することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015117575A JP6515691B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015117575A JP6515691B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005108A JP2017005108A (ja) | 2017-01-05 |
JP6515691B2 true JP6515691B2 (ja) | 2019-05-22 |
Family
ID=57752309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015117575A Expired - Fee Related JP6515691B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6515691B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3512968B2 (ja) * | 1996-04-11 | 2004-03-31 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JP3032203B1 (ja) * | 1999-04-28 | 2000-04-10 | 三菱電機株式会社 | デバイスの製造方法 |
JP2007073780A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 保護板 |
JP5067584B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2012-11-07 | オムロン株式会社 | 半導体センサ及びその製造方法 |
JP5406081B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-02-05 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6007029B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2016-10-12 | 株式会社アルバック | 基板加工方法 |
JP5783297B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-09-24 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
-
2015
- 2015-06-10 JP JP2015117575A patent/JP6515691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017005108A (ja) | 2017-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI512932B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
US10412504B2 (en) | MEMS microphone and method of manufacturing the same | |
JP5783297B2 (ja) | 力学量センサ | |
US7825483B2 (en) | MEMS sensor and production method of MEMS sensor | |
TWI480990B (zh) | 晶片封裝體及其形成方法 | |
JP2006247833A (ja) | Mems素子パッケージ及びその製造方法 | |
JP2007510310A5 (ja) | ||
US20110250760A1 (en) | Method for manufacturing a micro-electromechanical structure | |
CN103607687B (zh) | 一种mems麦克风缺陷监控结构及其制造方法 | |
TWI418002B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
JP2015112703A (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP6515691B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10771891B2 (en) | Method for manufacturing air pulse generating element | |
JP6221965B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWI780216B (zh) | 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 | |
JP6095308B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP6176286B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN111725078B (zh) | 具有排出路径的半导体装置及其制造方法 | |
JP2015174154A (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP2016055395A (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP2006145546A (ja) | 加速度センサ | |
CN111107473B (zh) | Mic和压力传感器的集成结构与方法 | |
JP2015198162A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007047100A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
US9284186B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190401 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6515691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |