JP6007029B2 - 基板加工方法 - Google Patents
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Description
なお、下記特許文献1にはMEMSの両面加工プロセスの一例が記載されている。
本発明は基板加工方法であって、前記第一の真空処理はエッチングする工程を含む基板加工方法である。
本発明は基板加工方法であって、前記第一の真空処理は成膜する工程を含む基板加工方法である。
本発明は基板加工方法であって、前記第二の真空処理はエッチングする工程を含む基板加工方法である。
本発明は基板加工方法であって、前記第二の真空処理は成膜する工程を含む基板加工方法である。
本発明は基板加工方法であって、前記静電チャックの前記吸着面は平坦であり、前記吸着工程では、前記外周部分を前記吸着面に環状に接触させる基板加工方法である。
本発明は基板加工方法であって、前記レジスト配置工程では、前記第一面の前記外周部分で取り囲まれた中央部分に点状に補助レジストを配置し、前記エッチング工程では、前記第一面をドライエッチングして、前記中央部分に前記外周部分と同じ高さの凸部を形成する基板加工方法である。
第二の真空処理工程では、冷却ガスのリークが抑制され、基板の冷却効果が向上し、第二の真空処理がエッチングする工程を含む場合には加工精度と効率が上がる。また、第二の真空処理が成膜する工程を含む場合には、基板温度の制御を精密にすることができ、膜の応力や結晶性などの制御が可能となる。
第二面を第二の真空処理する前に、第一面に保護膜を形成する必要が無く、加工工数の削減が期待できる。
図1(a)は未加工の基板11の内部側面図である。
まず、基板11の第一面に、ここではポジ型のレジストを塗布し、開口が設けられた環状のマスクを第一面上に配置して、第一面の外周部分17をマスクで遮蔽し、第一面の外周部分17で取り囲まれた中央部分をマスクの開口から露出させる。
基板11の第一面を現像液と接触させて、露光した中央部分のレジストを現像液に溶解させて除去し、図1(b)を参照し、第一面の外周部分17に環状にレジスト12を配置する。
第一面の外周部分17にレジスト12が配置された基板11を、ドライエッチング装置の真空排気された真空槽内に搬入し、真空槽内にエッチングガスを導入してプラズマを生成し、基板11の第一面にエッチングガスのプラズマを接触させ、第一面のレジスト12で取り囲まれた中央部分をドライエッチングして、図1(c)を参照し、第一面の中央部分に凹部13を形成する。第一面の外周部分17はレジスト12で覆われてエッチングされない。
基板11の第一面をレジスト剥離液やアッシングプラズマと接触させて、第一面の外周部分17のレジスト12を剥離する。
本実施形態では、凹部13が形成された基板11を成膜装置の真空排気された真空槽内に搬入し、第二面を基板ステージ(不図示)に接触させ、第一面に薄膜材料の粒子を到達させ、図2(a)を参照し、第一面に薄膜21を、第一面の外周部分17の凹部13底面からの高さより低い厚みで形成する。
図1(d)を参照し、第一の真空処理がされた基板11を、真空処理装置の真空排気された真空槽内に搬入する。
真空槽内には、図1(e)を参照し、静電チャック31が配置されている。静電チャック31の基板11が配置される吸着面32は平坦にされており、吸着面32の中央にはガス導入孔33が設けられている。
第一面の外周部分17が吸着面32と接触するときに、凹部13の底面は吸着面32から離間され、構造体14が吸着面32と衝突して機械的に損傷することはない。
ガス導入孔33から基板11の第一面と吸着面32との間に冷却ガス(例えばHeガス)を導入すると、導入された冷却ガスは第一面の凹部13の内側空間に充満した後、第一面の外周部分17と吸着面32との間の隙間を通って流出する。
第一面と吸着面32との間への冷却ガスの導入を継続しながら、図1(f)を参照し、本実施形態では、基板11の第二面をエッチングして溝15を形成する。
なお、レジスト配置工程では、図6(a)を参照し、第一面の外周部分17に加えて、第一面の外周部分17で取り囲まれた中央部分に点状に補助レジスト12’を配置し、エッチング工程では、図6(b)を参照し、第一面をドライエッチングして、凹部13の形成に加えて、第一面の中央部分に第一面の外周部分17と同じ高さの凸部16を形成し、加工対象の基板11’を作製してもよい。
凸部16は吸着面32に点状に接触し、凹部13の内側には凸部16で取り囲まれた閉空間は存在せず、ガス導入孔33から導入された冷却ガスは凹部13の内側空間に隈無く充満して、基板11’の冷却効果は維持される。
未加工の基板11の第一面に30μmの深さの凹部13を形成した後、凹部13の底面に5μmの高さの構造体14を複数個形成し、実施例の試験基板(ウエハ1〜3)を作製した。
図8(a)は実施例の試験基板の概略平面図、同図(b)は同概略内部側面図である。
未加工の基板11の第一面に、凹部を形成せずに、直接5μmの高さの構造体14を複数個形成し、比較例の試験基板(ウエハ4〜6)を作製した。
実施例の試験基板(ウエハ1〜3)と比較例の試験基板(ウエハ4〜6)に対して、それぞれ以下の試験方法を行った。
試験基板の第一面を静電チャック31の吸着面32と対向させた状態で、試験基板を吸着面32に静電吸着させ、試験基板の第一面と吸着面32との間にHeガスを導入しながら、試験基板の第二面をエッチングした。
エッチング加工後に、試験基板を静電チャック32から離間させ、試験基板の第一面を目視検査して、構造体14の機械的損傷率(損傷した個数/全体の個数×100)を計測した。
実施例の試験基板(ウエハ1〜3)と比較例の試験基板(ウエハ4〜6)の試験結果を以下の表1にまとめて示す。
12……レジスト
12’……補助レジスト
13……凹部
16……凸部
17……第一面の外周部分
31……静電チャック
32……吸着面
33……ガス導入孔
Claims (7)
- 基板の第一面を第一の真空処理し、前記第一面の裏面の第二面を第二の真空処理する基板加工方法であって、
前記第一面の外周部分に環状にレジストを配置するレジスト配置工程と、
前記第一面の前記レジストで取り囲まれた部分をドライエッチングして凹部を形成するエッチング工程と、
前記第二面を基板ステージに接触させて、前記第一面の前記凹部の底面を前記第一の真空処理し、前記凹部の底面を前記外周部分の高さより低い高さにする第一の真空処理工程と、
前記第一面を静電チャックの吸着面と対向させ、前記レジストが剥離された前記外周部分を前記吸着面と接触させ、前記凹部の底面を前記吸着面と離間させた状態で、前記基板を前記吸着面に吸着させる吸着工程と、
前記吸着面に設けられたガス導入孔から前記第一面と前記吸着面との間に冷却ガスを導入しながら、前記基板の前記第二面を前記第二の真空処理する第二の真空処理工程と、
を有する基板加工方法。 - 前記第一の真空処理はエッチングする工程を含む請求項1記載の基板加工方法。
- 前記第一の真空処理は成膜する工程を含む請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の基板加工方法。
- 前記第二の真空処理はエッチングする工程を含む請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の基板加工方法。
- 前記第二の真空処理は成膜する工程を含む請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の基板加工方法。
- 前記静電チャックの前記吸着面は平坦であり、前記吸着工程では、前記外周部分を前記吸着面に環状に接触させる請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の基板加工方法。
- 前記レジスト配置工程では、前記第一面の前記外周部分で取り囲まれた中央部分に点状に補助レジストを配置し、
前記エッチング工程では、前記第一面をドライエッチングして、前記中央部分に前記外周部分と同じ高さの凸部を形成する請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の基板加工方法。
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