JP6441181B2 - インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6441181B2 JP6441181B2 JP2015154403A JP2015154403A JP6441181B2 JP 6441181 B2 JP6441181 B2 JP 6441181B2 JP 2015154403 A JP2015154403 A JP 2015154403A JP 2015154403 A JP2015154403 A JP 2015154403A JP 6441181 B2 JP6441181 B2 JP 6441181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- pattern
- resist
- convex
- concavo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
図1は第1の実施形態によるインプリント用テンプレート1の断面図、図2は図1のテンプレート1の製造方法を説明する図である。本実施形態は、テンプレート1をウエハ2上のレジスト3に押しつけたときに、レジスト3がテンプレート1の側面に這い上がらないように、テンプレート1の側面に保護層4を形成する処理を行う。保護層4は、保護層4が形成されるテンプレートの表面材料、例えば石英よりもレジスト3との接触角が高い膜(撥レジスト層)といえる。
上述した第1の実施形態は、テンプレート1の凹凸パターン1bと遮蔽板5との間に隙間があるため、この隙間を通ってCF系ガス6やCF系溶剤が凹凸パターン1bの周囲に入り込み、凹凸パターン1bの少なくとも一部が撥レジスト化してしまうおそれがある。そこで、以下に説明する第2の実施形態は、凹凸パターン1bを破壊させずに、凹凸パターン1bとマスク材とを密着させるものである。
以下に説明する第3の実施形態は、第2の実施形態とは別の手法により、凹凸パターン1bを保護してテンプレート1の側面に撥レジスト層4を形成するものである。
第4の実施形態は、UV光を照射しなくても、凹凸パターン1bに付着している第1部材11を凹凸パターン1bから容易に分離できるようにしたものである。
第5の実施形態は、上述した第3および第4の実施形態によるインプリント用テンプレート1を製造し、製造したテンプレートを用いて半導体装置を製造するための半導体製造装置の構成に特徴があるものである。
インプリント用テンプレート1として、凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、石英板からなるマスク材8とを用意した。マスク材8を構成する石英板の一主面はテフロン膜でコーティングされ、このテフロン膜を凹凸パターン面に対向配置させた。石英ガラスの凹凸パターン面を水で濡らし、その上にマスク材8を配置した。この場合、水が緩衝部材7となる。そして、マスク材8のテフロン膜とは反対側の面から凹凸パターン面方向に弱い押圧力で押圧した。これにより、水が凹凸パターン面とマスク材8との隙間から周囲に徐々に流出し、それに伴って、凹凸パターン面とマスク材8との隙間が徐々に縮まり、最終的に、凹凸パターン面にマスク材8が接触した。接触時には、衝撃は起きなかった。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。フッ素表面処理では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガス6をプラズマ励起させて、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を石英ガラスの表面に形成した。
インプリント用テンプレート1として、凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、石英板からなるマスク材8とを用意した。凹凸パターン面に対向配置されるマスク材8は石英板であり、石英板の一主面はテフロン膜でコーティングされ、このテフロン膜を凹凸パターン面に対向配置させた。石英ガラスの凹凸パターン面とマスク材8のテフロン膜とを離隔して対向配置し、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間に窒素を導入した。この場合、窒素が緩衝部材7となる。そして、マスク材8のテフロン膜とは反対側の面から凹凸パターン面方向に弱い押圧力で押圧した。これにより、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間から窒素が徐々に排出され、それに伴って、凹凸パターン面とマスク材8との隙間が徐々に縮まり、最終的に、凹凸パターン面にマスク材8が接触した。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。フッ素表面処理では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガス6をプラズマ励起させて、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を石英ガラスの表面に形成した。
インプリント用テンプレート1として、凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、石英板からなるマスク材8とを用意した。凹凸パターン面に対向配置されるマスク材8は石英板であり、石英板の一主面はテフロン膜でコーティングされ、このテフロン膜を凹凸パターン面に対向配置させた。石英ガラスの凹凸パターン面を水で濡らし、その上にマスク材8を配置した。そして、マスク材8のテフロン膜とは反対側の面から凹凸パターン面方向に弱い押圧力で押圧した。これにより、水が凹凸パターン面とマスク材8との隙間から周囲に徐々に流出し、それに伴って、凹凸パターン面とマスク材8との隙間が徐々に縮まり、最終的に、凹凸パターン面にマスク材8が接触した。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。フッ素表面処理では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガス6をプラズマ励起させて、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を石英ガラスの表面に形成した。
インプリント用テンプレート1として、凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、石英板からなるマスク材8とを用意した。凹凸パターン面に対向配置されるマスク材8は石英板であり、石英板の一主面はテフロン膜でコーティングされ、このテフロン膜を凹凸パターン面に対向配置させた。石英ガラスの凹凸パターン面とマスク材8のテフロン膜とを離隔して対向配置し、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間に窒素を導入した。そして、マスク材8のテフロン膜とは反対側の面から凹凸パターン面方向に弱い押圧力で押圧した。これにより、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間から窒素が徐々に排出され、それに伴って、凹凸パターン面とマスク材8との隙間が徐々に縮まり、最終的に、凹凸パターン面にマスク材8が接触した。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。フッ素表面処理では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガス6をプラズマ励起させて、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を石英ガラスの表面に形成した。
インプリント用テンプレート1として、凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、石英板からなるマスク材8とを用意した。凹凸パターン面に対向配置されるマスク材8は石英板であり、石英板の一主面はテフロン膜でコーティングされ、このテフロン膜を凹凸パターン面に対向配置させた。石英ガラスの凹凸パターン面とマスク材8のテフロン膜とを離隔して対向配置し、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間にアルコールを導入した。この場合、アルコールが緩衝部材7となる。そして、マスク材8のテフロン膜とは反対側の面から凹凸パターン面方向に弱い押圧力で押圧した。これにより、凹凸パターン面とテフロン膜との隙間からアルコールが徐々に排出され、それに伴って、凹凸パターン面とマスク材8との隙間が徐々に縮まり、最終的に、凹凸パターン面にマスク材8が接触した。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。フッ素表面処理では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガス6をプラズマ励起させて、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を石英ガラスの表面に形成した。
凹凸パターン面を有する15cm角の石英ガラスと、テフロン製のマスク材8とを用意し、凹凸パターン面にマスク材8を直接接触させた。その後、凹凸パターン面を除く石英ガラスの表面に対してフッ素表面処理を行った。石英ガラスの凹凸パターン面を欠陥検査器で検査したところ、0.2μm以上の異物が500個、傷は48箇所検出された。
表面自由エネルギが16mN/mのテフロン基板を第1基板12として、表面自由エネルギが60mN/mの石英板を第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、テンプレート1の側面の表面処理を行った。より具体的には、CF系溶媒をベーパ化して、テンプレート1の側面に炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層4を形成した。第2基板16上のレジスト3(第2部材15)の塗布は、スピンコートにより行った。レジスト3が転写された凹凸パターン1bを第2基板16に押しつけると、凹凸パターン1bに接触していたレジスト3が第2基板16上のレジスト3に一体的に接合して、凹凸パターン1bからレジスト3が分離された。また、第2基板16上のレジスト3塗布を、レジスト3のドロップショットでも行ったが、同様に、凹凸パターン1bに接触していたレジスト3が第2基板16上のレジスト3に一体的に接合し、凹凸パターン1bからレジスト3が分離された。また、テンプレート1の凹凸パターン1bにレジスト3が残存する不具合も生じなかった。
表面自由エネルギが25mN/mのカーボン基板を第1基板12として、表面自由エネルギが60mN/mの石英板を第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行った。第2基板16へのレジスト3(第2部材15)の塗布は、第6実施例と同様の手法で行った。これにより、第6実施例と同様に良好な転写処理が行えた。
表面自由エネルギが16mN/mのテフロン基板を第1基板12として、表面自由エネルギが60mN/mのシリコンウエハ2を第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行った。第2基板16へのレジスト3(第2部材15)の塗布は、第6実施例と同様の手法で行った。これにより、第6実施例と同様に良好な転写処理が行えた。
表面自由エネルギが25mN/mのカーボン基板を第1基板12として、表面自由エネルギが65mN/mのシリコンウエハ2を第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行った。第2基板16へのレジスト3(第2部材15)の塗布は、第6実施例と同様の手法で行った。これにより、第6実施例と同様に良好な転写処理が行えた。
CF系溶媒のベーパ化により形成された表面自由エネルギが25mN/mの膜でコーティングされたシリコンウエハ2を第1基板12として、表面自由エネルギが65mN/mの酸化膜を有するシリコンウエハ2を第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行った。第2基板16へのレジスト3(第2部材15)の塗布は、第6実施例と同様の手法で行った。これにより、第6実施例と同様に良好な転写処理が行えた。
表面自由エネルギが16mN/mのテフロン基板を第1基板12および第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写した状態で、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行った。第2基板16へのレジスト3(第2部材15)の塗布は、第6実施例と同様の手法で行った。テンプレート1の凹凸パターン面に転写されたレジスト3の一部は、第2基板16上のレジスト3には接合せず、凹凸パターン面にレジスト3が残存した。
表面自由エネルギが60mN/mのテフロン基板を第1基板12および第2基板16として用意した。石英ガラスからなるテンプレート1の凹凸パターン面に第1基板12上のレジスト3(第1部材11)を転写させようとしたが、レジスト3の一部は凹凸パターン面に付着されず、凹凸パターン面の一部はレジスト3で覆われなかった。このため、第6実施例と同様の手法でテンプレート1の側面の表面処理を行ったところ、凹凸パターン1bの一部にCF系溶剤が混入し、凹凸パターン1bの一部が撥レジスト化した。
Claims (12)
- ベース部と、
前記ベース部上に形成された凸状部を有し、前記凸状部の主面に凹凸パターンが形成されたパターン形成部と、
前記ベース部の側面上及び前記パターン形成部の側面上に形成された、前記パターン形成部の材料よりもレジスト材料に対する接触角の高い保護層と、
を有するインプリント用テンプレート。 - 前記パターン形成部の材料は石英であることを特徴とする請求項1記載のインプリント用テンプレート。
- ベース部と、
前記ベース部上に形成された凸状部を有し、前記凸状部の主面に凹凸パターンが形成されたパターン形成部と、
前記ベース部の側面上、及び石英を含む前記パターン形成部の側面上に形成された、炭素およびフッ素を含有する保護層と、
を有するインプリント用テンプレート。 - ベース部の上に形成された凸形状のインプリント用テンプレートの凹凸パターン面に対してマスク材を対向配置した状態で、前記ベース部の側面及び前記テンプレートの側面に、前記テンプレートの材料よりもレジスト材料に対する接触角の高い保護層を形成する工程を備えるインプリント用テンプレートの製造方法。
- ベース部の上に形成された凸形状のインプリント用テンプレートの凹凸パターン面に対してマスク材を対向配置した状態で、前記ベース部の側面及び前記テンプレートの側面に炭素およびフッ素を含有する保護層を形成する工程を備えるインプリント用テンプレートの製造方法。
- インプリント用テンプレートの凹凸パターン面に対してマスク材を対向配置した状態で、前記テンプレートの側面に、前記テンプレートの材料よりもレジスト材料に対する接触角の高い保護層を形成する工程と、
前記テンプレートの前記凹凸パターン面に所定の緩衝部材の第1主面を接触させる工程と、
前記緩衝部材の前記第1主面の反対側の第2主面に前記マスク材を接触させる工程と、
前記緩衝部材を漸次に除去して、前記凹凸パターン面と前記マスク材との離間距離を漸次に狭める工程と、を備え、
前記保護層を形成する工程は、前記凹凸パターン面に前記マスク材が接触した状態で行われるインプリント用テンプレートの製造方法。 - インプリント用テンプレートの凹凸パターン面に対してマスク材を対向配置した状態で、石英を含む前記テンプレートの側面に炭素およびフッ素を含有する保護層を形成する工程と、
前記テンプレートの前記凹凸パターン面に所定の緩衝部材の第1主面を接触させる工程と、
前記緩衝部材の前記第1主面の反対側の第2主面に前記マスク材を接触させる工程と、
前記緩衝部材を漸次に除去して、前記凹凸パターン面と前記マスク材との離間距離を漸次に狭める工程と、を備え、
前記保護層を形成する工程は、前記凹凸パターン面に前記マスク材が接触した状態で行われるインプリント用テンプレートの製造方法。 - インプリント用テンプレートの凹凸パターン面に、第1基板の上に付着された前記第1基板の表面自由エネルギよりも小さい表面自由エネルギを有する第1部材を対向配置させて、前記凹凸パターン面を前記第1部材に接触および押圧させて、前記第1基板から前記第1部材を剥離して前記凹凸パターン面に転写する工程と、
前記凹凸パターン面に前記第1部材が転写された状態で、前記テンプレートの側面に、炭素およびフッ素を含有する撥レジスト層を形成する工程と、
前記第1部材が転写された前記凹凸パターン面に、第2基板の上に付着された前記第2基板の表面自由エネルギよりも大きい表面自由エネルギを有する第2部材を対向配置させて、前記凹凸パターン面を前記第2部材に接触および押圧させて、前記第1部材を前記凹凸パターン面から剥離して前記第2部材の上面に転写する工程と、を備えるインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記保護層を形成する工程では、炭素およびフッ素を含有するCF系ガスのプラズマ励起または熱励起、あるいは炭素およびフッ素を含有するCF系溶剤のベーパ化により、前記保護層を形成する請求項4乃至7のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
- ベース部と、前記ベース部上に形成された凸状部を有し前記凸状部の主面に凹凸パターンが形成されたパターン形成部と、前記ベース部の側面上及び前記パターン形成部の側面上に形成された、前記パターン形成部の材料よりもレジスト材料に対する接触角の高い保護層と、を有するインプリント用テンプレートを用いて、半導体基板上に凹凸パターンを転写する半導体装置の製造方法。
- 前記パターン形成部の材料は石英であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- ベース部と、前記ベース部上に形成された凸状部を有し前記凸状部の主面に凹凸パターンが形成されたパターン形成部と、前記ベース部の側面上及び前記パターン形成部の側面上に形成された、炭素およびフッ素を含有する保護層と、を有するインプリント用テンプレートを用いて、半導体基板上に凹凸パターンを転写する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154403A JP6441181B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 |
US15/066,616 US10359697B2 (en) | 2015-08-04 | 2016-03-10 | Imprinting template substrate, method for manufacturing the same, imprinting template substrate manufacturing apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154403A JP6441181B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017034164A JP2017034164A (ja) | 2017-02-09 |
JP6441181B2 true JP6441181B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=57987191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015154403A Active JP6441181B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10359697B2 (ja) |
JP (1) | JP6441181B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11366385B2 (en) | 2019-04-24 | 2022-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint mold, manufacturing method thereof, and imprint method |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10935883B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication |
JP7030533B2 (ja) | 2018-01-15 | 2022-03-07 | キオクシア株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2019149488A (ja) | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレート、テンプレートの製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN108873607A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纳米压印模板及其制作方法 |
US20220035245A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Nano imprint stamps |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0931215A (ja) | 1995-07-24 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学吸着膜の製造方法およびそれに用いる化学吸着液 |
US6523803B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Mold apparatus used during semiconductor device fabrication |
US20060177532A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate |
JP4776959B2 (ja) | 2005-03-28 | 2011-09-21 | 国立大学法人名古屋大学 | 撥水処理方法 |
US8011916B2 (en) * | 2005-09-06 | 2011-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure |
US8215946B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
JP4940884B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2012-05-30 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
TW200842934A (en) * | 2006-12-29 | 2008-11-01 | Molecular Imprints Inc | Imprint fluid control |
US20090166317A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing substrate by imprinting |
US7961063B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-06-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Balun signal transformer and method of forming |
JP5377053B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法 |
JP5299139B2 (ja) * | 2009-07-22 | 2013-09-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP5693941B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-04-01 | 株式会社東芝 | テンプレートの表面処理方法及び装置並びにパターン形成方法 |
JP6028384B2 (ja) | 2012-05-07 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP2014099525A (ja) | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Fujifilm Corp | ナノインプリント方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
US9482410B2 (en) * | 2012-12-11 | 2016-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting module and surface lighting device having the same |
JP6303268B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2018-04-04 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド、インプリント方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6003731B2 (ja) | 2013-03-15 | 2016-10-05 | 旭硝子株式会社 | 撥水撥油性物品 |
JP2016195169A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | インプリント用のテンプレート |
-
2015
- 2015-08-04 JP JP2015154403A patent/JP6441181B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-10 US US15/066,616 patent/US10359697B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11366385B2 (en) | 2019-04-24 | 2022-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint mold, manufacturing method thereof, and imprint method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10359697B2 (en) | 2019-07-23 |
US20170040161A1 (en) | 2017-02-09 |
JP2017034164A (ja) | 2017-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6441181B2 (ja) | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 | |
WO2009119064A1 (ja) | 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法 | |
US8288284B2 (en) | Substrate processing method, semiconductor chip manufacturing method, and resin-adhesive-layer-backed semiconductor chip manufacturing method | |
JP2016157785A (ja) | テンプレート形成方法、テンプレートおよびテンプレート基材 | |
JP2011165855A (ja) | パターン形成方法 | |
US8293652B2 (en) | Substrate processing method, semiconductor chip manufacturing method, and resin-adhesive-layer-backed semiconductor chip manufacturing method | |
JP2019165095A (ja) | テンプレート、テンプレート作製方法、および半導体装置の製造方法 | |
JP2003173951A (ja) | 電子ビーム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブランクス | |
US8778112B2 (en) | Method for bonding thin film piece | |
US8486288B2 (en) | Pattern forming method | |
US11366385B2 (en) | Imprint mold, manufacturing method thereof, and imprint method | |
JP2005313278A (ja) | 形状転写方法 | |
EP3029725B1 (en) | Chuck for collective bonding of semiconductor dies, method of making the same and methods of using the same | |
US20160056036A1 (en) | Template, template forming method, and semiconductor device manufacturing method | |
JP6403017B2 (ja) | インプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレート基板、インプリント用テンプレート、および半導体装置の製造方法 | |
TWI574344B (zh) | 支承板及其製造方法、基板處理方法 | |
US10249545B2 (en) | Method for processing substrate including forming a film on a silicon-containing surface of the substrate to prevent resist from extruding from the substrate during an imprinting process | |
US20060194442A1 (en) | Procede method for cleaning a semiconductor | |
JP2009283806A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6007029B2 (ja) | 基板加工方法 | |
JP2006501072A (ja) | 単結晶基板から微細構造物を形成する方法 | |
JP2018207128A (ja) | テンプレート、テンプレート基材、テンプレート形成方法、および半導体装置の製造方法 | |
US9588417B2 (en) | Photomask pellicle | |
JP2002043307A (ja) | 樹脂被膜基板および樹脂被膜基板の製造方法 | |
JP2014065231A (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法並びにパターン成形体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170530 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180523 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180831 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6441181 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |