JP4776959B2 - 撥水処理方法 - Google Patents
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本発明の第1の目的は、大気圧において、被処理物の表面を超撥水処理することである。
電力パルスが印加されている期間に原子の重合が発生するので、このパルス期間の長さにより生成される粒子の大きさを制御することができる。
原料ガスが印加されていない他のパルス期間において、重合した粒子は帯電されて、被処理物方向に力を受ける。このために、粒子の大きさをパルス期間幅によって制御することができる。
原料ガスがプラズマ化される期間と、フッ素の終端処理が行われる期間とが交互に存在させれば、より撥水性の高い、撥水処理膜を形成することができる。
原料ガスがプラズマ化されるパルス期間と、フッ素の終端処理が行われるパルス期間とが交互に存在させれば、より撥水性の高い、撥水処理膜を形成することができる。
上記のいずれの条件においても、大気圧プラズマを微小ギャップに生成した状態で流入口13からCF4 ,C4F8ガスを導入し、2L/分で筐体10に流入するように排気口61からの排気量を調整した。実施例1と同様にシリコンから成る被処理物63には超撥水処理膜が形成された。
上記のいずれの条件においても、大気圧プラズマを微小ギャップに生成した状態で流入口13からCF4 ,C4F8ガスを導入し、2L/分で筐体10に流入するように排気口61からの排気量を調整した。実施例1と同様にシリコンから成る被処理物63には超撥水処理膜が形成された。
マイクロ波は連続でもパルスでも良いこと、パルスで与えた場合には、パルスの繰返周期とデューティ比によりプラズマ温度が制御できることなどは、上記の実施例と同様である。
上記の装置において、微小ギャップを形成する表面部分には絶縁膜が形成されているのが望ましい。すなわち、最も電界が集中する部分の微小ギャップの表面を絶縁膜で被膜するのが良い。もちろん、電極の表面の全てを絶縁膜で被膜しても良い。絶縁膜には、Al2O3 、 SiO2、Si2O3、TiO、などのセラミクスやBN、ダイヤモンドなどを用いることができる。その他、高融点絶縁材料であれば、任意の材料を用いることができる。筐体内に存在する導体は、筐体と共にマイクロ波を誘導する作用をする。孔が筐体の底面に1つもうけられる場合には、導体は筒状の筐体の中心軸に設けられるのが望ましい。孔が筐体の底面に複数設けられる場合には、マイクロ波を複数の微小ギャップに導くことができるならば、この構成により、効果的に、大気圧で電子温度がガス温度よりも高い状態、すなわち、非平衡のプラズマを得ることができる。これにより、疎水性基を形成するガスのプラズマが形成され、被処理物が正電位にバイアスされていることから、被処理物にナノメータオーダの疎水性基を被覆することができる。
11…底面
20…電極
30…孔
60…排気室
62…ターンテーブル
64…モータ
65…直流電源装置
110…筐体
300…孔
320…絶縁膜
120…冷却媒体
410…サセプタ
420…半導体基板
A…微小ギャップ
Claims (2)
- 少なくとも炭素とフッ素を含むガスの大気圧プラズマを発生させて、
その大気圧プラズマの発生領域から離間し前記大気圧プラズマによるラジカルが被処理物上に堆積しない位置に、前記大気圧プラズマから離れて、被処理物を設け、
大気圧プラズマから少なくとも炭素とフッ素を含む粒子を生成すると共にプラズマの電子により負に帯電させ、
前記被処理物に対して直流の正電圧を印加して、この電圧による電界により帯電粒子を被処理物の方向に加速して、被処理物に堆積することにより被処理物を撥水処理する方法であって、
前記大気圧プラズマは、電力パルスにより発生させ、少なくとも炭素とフッ素を含む原料ガスをこの電力パルスの1回おきに、同期して供給し、
原料ガスを供給しない少なくともパルス期間は、He、Ar等の希ガス、又は、窒素ガスを供給し、
原料ガスを供給しないパルス期間のみ前記帯電粒子に被処理物の方向への力を与える電界を印加することを特徴とする撥水処理方法。 - 前記撥水処理の後に、フッ素を含み炭素を含まない非堆積系のガスのプラズマにより処理をすることを特徴とする請求項1に記載の撥水処理方法。
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JP2006274322A JP2006274322A (ja) | 2006-10-12 |
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