JP2003173951A

JP2003173951A - 電子ビーム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブランクス

Info

Publication number: JP2003173951A
Application number: JP2001370579A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Yuasa; 光博湯浅
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-12-04
Filing date: 2001-12-04
Publication date: 2003-06-20
Also published as: US7029801B2; US20030104287A1

Abstract

(57)【要約】【課題】ＳＯＩ基板を用いた場合において、ＳＯＩ層
の表面の損傷を防止し、また、シリコンベース層のエッ
チングを良好に行なうことができるマスクを有する電子
ビーム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用
マスクブランクスを提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板１０（図１（Ａ））の表裏面
に保護膜１４およびハードマスク１５を形成した後（保
護膜・ハードマスク同時形成工程図１（Ｂ））、シリ
コンベース層１３およびＢＯＸ層１２をエッチングし
て、中間製品としての電子ビーム描画用マスクブランク
スを製造する。さらに、ＳＯＩ層１１をエッチングして
電子ビームを透過させる開口が形成された電子ビーム描
画用マスクを完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム描画用
マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブラン
クスに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路等を形成するに
は、半導体ウエハに対して成膜、酸化・拡散、エッチン
グ等の各種処理が繰り返し施される。

【０００３】この場合、最近の半導体装置の超高集積化
に伴い、半導体ウエハ上に形成される酸化膜等や金属配
線については、超微細化が求められている。

【０００４】このため、超微細なパターンの形成を可能
とするリソグラフィ技術と、超微細なパターンの形成さ
れたレジストをマスクとして深さ方向に選択的に異方性
エッチングするエッチング技術とが必須とされる。

【０００５】後者のエッチング技術としては、異方性の
大きなエッチングが可能なＲＩＥ（Reactive Ion Etchi
ng）等が好適に用いられる。

【０００６】一方、前者のリソグラフィ技術としては、
電子ビーム投影を用いたリソグラフィが注目されてい
る。

【０００７】電子ビームリソグラフィは、縮小投影露光
装置を用い、パターンの原版となるマスクをレンズで縮
小して、フォトレジストの形成されたウエハに投影して
露光した後、現像するものである。ほかの電子ビームリ
ソグラフィ技術としては等倍投影露光装置を用い、パタ
ーンの原版となるマスクを、フォトレジストの形成され
たウエハにレンズを介して投影して露光した後、現像す
るものがある。使用するパターンのデザインルールが比
較的大きい場合や、マスクに作り込まれたパターンが微
細に作成されている場合には、等倍投影露光装置を用い
ることができるが、通常は縮小投影露光装置が用いられ
ることが一般的である。

【０００８】上記パターンの原版となるマスクは、電子
ビーム透過方式の違いにより、ステンシルタイプとメン
ブレンタイプとに分けられる。

【０００９】このうち前者のステンシルタイプのマスク
（以下、電子ビーム描画用マスクという。）の場合、開
口部以外の領域での電子ビームの透過を防止可能な２μ
ｍ程度の十分な厚みを持ったシリコン層を有するととも
に、一定の剛性を確保するために、シリコン層の裏面に
数百〜６００μｍ程度の厚みを持った別のシリコン層が
絶縁層を介して設けられる。

【００１０】このような膜構成の電子ビーム描画用マス
クは、シリコンベース層上に絶縁層であるＢＯＸ層を介
してＳＯＩ層を形成して構成されるＳＯＩ（Silicon On
Insulator）基板を用いて好適に製造される。

【００１１】上記ＳＯＩ基板を用いた電子ビーム描画用
マスクの製造方法の従来技術について、図７を参照して
以下説明する。

【００１２】ＳＯＩ基板１は、上記の通り、例えば、６
００μｍ程度の厚さを有するシリコンベース層４の上に
絶縁層として数μｍ程度の厚さを有するＢＯＸ層（Buri
ed Oxide Layer）と呼ばれるＳｉＯ_２からなる層３が設
けられ、さらに、ＢＯＸ層の上に２μｍ程度の厚さを有
するＳＯＩ層２が設けられたものである（図７（Ａ）参
照）。なお、図７をはじめとする本明細書の各図におい
て、各層の厚さは実寸法の比率では表示していない。

【００１３】ＳＯＩ基板１を用いて電子ビーム描画用マ
スクを製造するには、まず、シリコンベース層４の裏面
にレジストを塗布し、リソグラフィ処理により所望のパ
ターンを有するレジスト膜（レジストマスク）５を形成
する（図７（Ａ））。

【００１４】ついで、レジスト膜５をマスクとして、ハ
ロゲン含有ガス等のエッチングガスによる異方性エッチ
ングによりシリコンベース層４をドライエッチングして
パターンを形成する（図７（Ｂ）参照）。

【００１５】ついで、シリコンベース層４をマスクとし
て、ＣＦ_４等のガスから生成するＦラジカルを含むプラ
ズマを用いてＢＯＸ層３をドライエッチングした後、酸
素プラズマを用いてアッシングしてレジスト膜５を除去
する（図７（Ｃ）参照）。

【００１６】ついで、ＳＯＩ層２の表面にレジストを塗
布し、前記の電子ビームリソグラフィ等により所望のパ
ターンを有するレジスト膜（レジストマスク）７を形成
する（図７（Ｄ）参照）。

【００１７】ついで、レジスト膜７をマスクとして、ハ
ロゲン含有ガス等のエッチングガスによる異方性エッチ
ングによりＳＯＩ層２をドライエッチングしてパターン
を形成し、最後に、酸素プラズマを用いてアッシングし
てレジスト膜７を除去することにより、電子ビームを透
過する開口８がＳＯＩ層２に形成されたステンシルマス
ク９が完成する（図７（Ｅ）参照）。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子ビーム描画用マスクの製造方法の場合、前段で
ＳＯＩ基板のシリコンベース層上にリソグラフィ処理を
施し、ついで、シリコンベース層やＢＯＸ層をエッチン
グ処理するためには、ＳＯＩ基板を反転してＳＯＩ基板
の裏面（シリコンベース層がある面）を上に向け、ＳＯ
Ｉ基板の表面（ＳＯＩ層がある面）を下に向けた状態と
して、真空チャックや静電チャックでＳＯＩ基板を吸着
して搬送し、あるいは処理する必要があり、この搬送
時、あるいは処理する際にＳＯＩ層の表面を損傷し、望
ましいパターンを形成することができないおそれがあ
る。

【００１９】また、シリコンベース層の膜厚が厚いた
め、通常の数μｍ程度の厚さのレジスト膜では、エッチ
ング耐性が不十分である。このとき、エッチング耐性を
確保するために数十〜数百μｍ程度の厚さのレジスト膜
を形成するには、多数回塗布を繰り返してレジスト膜を
形成する必要があるため、実際的ではなく、塗布作業が
煩雑である。また、レジスト膜を厚く形成すると、アッ
シング後の洗浄処理によるエッチング残渣の除去が不十
分となるおそれもある。

【００２０】また、上記の課題とは別に、従来の電子ビ
ーム描画用マスクの製造方法の場合、ＳＯＩ層上にリソ
グラフィ処理を施し、ついで、エッチング処理を行なう
ためには、真空チャックあるいは静電チャックでシリコ
ンベース層の側を吸着した状態で行なう必要があるが、
このとき、図７中参照符号６で示す空隙部（開口）の存
在により、ＳＯＩ層が変形しあるいは破壊されるなどの
不具合が生じるおそれがある。

【００２１】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、ＳＯＩ基板を用いた場合において、ＳＯＩ層
表面の損傷を防止し、またシリコンベース層のエッチン
グを良好に行なうことができるマスクを有する電子ビー
ム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マス
クブランクスを提供することを第１の目的とする。

【００２２】また、本発明は、エッチング等の処理時に
シリコンベース層に形成された空隙部に起因するＳＯＩ
層の変形等の不具合を防止することができる電子ビーム
描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスク
ブランクスを提供することを第２の目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子ビーム
描画用マスクの製造方法は、シリコンベース層上に絶縁
層を介してＳＯＩ層を有してなるＳＯＩ基板から、パタ
ーンが形成されたレジストをマスクとして、該ＳＯＩ
層、該絶縁層および該シリコンベース層をそれぞれエッ
チングして開口を形成してなる電子ビーム描画用マスク
の製造方法において、該ＳＯＩ層の表面に予め保護膜を
形成する保護膜形成工程と、該ＳＯＩ層をエッチングし
て開口を形成するためのレジストマスクを形成するに先
立ち、該保護膜を除去する保護膜除去工程とを有するこ
とを特徴とする。

【００２４】ここで、電子ビーム描画用マスクとは、縮
小投影露光装置または等倍投影露光装置を用いて電子ビ
ームリソグラフィを行なう際の、パターンの原版となる
ステンシルマスクタイプのマスクをいう。また、ＳＯＩ
基板における絶縁層の材料としては、ＳｉＮやＡｌ_２Ｏ
_３等の物質が挙げられるが、好適には、埋め込みＳｉＯ
_２層（ＢＯＸ層：Buried Oxide Layer）を挙げることが
できる。また、保護膜は、本発明の作用効果を奏するも
のである限り特に限定するものではなく、例えば、酸化
膜、窒化膜、金属膜が挙げられる。保護膜の厚さは、特
に限定するものではないが、５〜１５μｍ程度あれば十
分である。

【００２５】本発明の上記の構成により、ＳＯＩ基板表
面のＳＯＩ層の表面上に形成した保護膜を、ＳＯＩ層の
表面にレジストマスク（レジスト層）を形成する直前に
除去するため、シリコンベース層を処理等する際にチャ
ック等によりＳＯＩ層の表面に損傷を生じパターン形成
に不具合を来すおそれがない。

【００２６】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクの製造方法は、パターンが形成されたレジストを
マスクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリ
コンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成する
にあたり、予め、該ＳＯＩ層の表面に保護膜を、および
該シリコンベース層の裏面にハードマスクを同時に形成
する保護膜・ハードマスク同時形成工程を有することを
特徴とする。

【００２７】これにより、保護膜およびハードマスクを
一括して容易に形成することができ、作業能率あるいは
生産効率上および設備の使用効率上好ましい。

【００２８】ここで、保護膜・ハードマスク同時形成工
程は、熱処理装置で基板の表面および裏面を同時に熱処
理することにより行なわれるが、この場合、保護膜およ
びハードマスクは必要な膜厚が異なるため、相対的に大
きな膜厚を必要とするハードマスクの形成条件で熱処理
を行なうことになる。

【００２９】この保護膜・ハードマスク同時形成工程
は、枚葉式の熱処理装置を用いて基板１枚ごとに行なっ
てもよいが、複数枚の基板を基板ボートに配列して行な
うバッチ式の熱処理装置を用いて複数枚の基板について
一括して行なうと、生産効率上より好ましい。

【００３０】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクの製造方法は、前記シリコンベース層および前記
絶縁層をエッチングして開口を形成した後、該ＳＯＩ層
をエッチングし開口を形成するに先立ち、該絶縁層およ
び該シリコンベース層の開口に埋設物質を埋設する埋設
物質埋設工程と、該ＳＯＩ層をエッチングして開口を形
成した後、該埋設物質を除去する埋設物質除去工程とを
さらに有することを特徴とする。

【００３１】これにより、エッチング等の処理の際、シ
リコンベース層およびＢＯＸ層に形成された空隙部に起
因する不具合を生じるおそれがない。すなわち、真空チ
ャックによりＳＯＩ基板のシリコンベース層側を吸着し
てＳＯＩ層上にスピンコート法等によりレジスト膜を形
成する際に、ＳＯＩ層が変形、破壊等するおそれがな
く、また、静電チャックによりシリコンベース層の側を
吸着して、ＳＯＩ層をエッチングする際に開口に相当す
る距離分だけ静電引力による吸着力が低下するおそれが
なく、また、ＳＯＩ層をエッチングする際に、異常放電
等が発生するおそれがなく、また、サセプタから冷却ガ
スを導入してシリコンベース層を均一な温度でエッチン
グする際に、冷却ガスの流れの偏りを生じて温度が不均
一となるおそれがない。

【００３２】また、本発明に係る電子ビーム描画用マス
クブランクスは、パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のシリコンベース層およびＳＯＩ層
をそれぞれエッチングして開口を形成してなる電子ビー
ム描画用マスクを調製するためのものであり、該シリコ
ンベース層にマスクとしてのレジスト膜を形成する直前
の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブランク
スにおいて、少なくとも該ＳＯＩ層の表面に形成された
保護膜を有してなることを特徴とする。

【００３３】ここで、電子ビーム描画用マスクブランク
スとは、電子ビーム描画用マスクの中間製品であり、Ｓ
ＯＩ層上にレジストマスクを形成してエッチングすれば
電子ビーム描画用マスクが完成する状態にまで調製され
た形態のものをいう。

【００３４】本発明の上記の構成により、シリコンベー
ス層を処理等する際にチャック等によりＳＯＩ層の表面
に損傷を生じパターンの形成に不具合を来すおそれがな
く、また、シリコンベース層の裏面のレジストマスク形
成工程の煩雑さやレジスト残渣に起因する不具合を来す
おそれがない電子ビーム描画用マスクブランクスを得る
ことができる。

【００３５】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクブランクスは、該ＳＯＩ層の表面に形成された保
護膜に加えて、該シリコンベース層の裏面に形成された
ハードマスクをさらに有することを特徴とする。

【００３６】本発明の構成により、中間製品として運
送、保管等のハンドリングを行なう際にＳＯＩ層の表面
やシリコンベース層の裏面を損傷するおそれがない電子
ビーム描画用マスクブランクスを得ることができる。

【００３７】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクブランクスは、パターンが形成されたレジストを
マスクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリ
コンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成して
なる電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジストを形成する直
前の形態に形成したものであって、該ＳＯＩ層の表面に
形成された保護膜を有するとともに、エッチングにより
形成された該絶縁層および該シリコンベース層の開口に
埋設された埋設物質を有してなることを特徴とする。

【００３８】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクブランクスは、該ＳＯＩ層の表面に形成された保
護膜と、該絶縁層および該シリコンベース層の開口に埋
設された該埋設物質に加えて、該シリコンベース層の裏
面に形成されたハードマスクをさらに有することを特徴
とする。

【００３９】本発明の上記の構成により、保護膜および
ハードマスクの形成された上記電子ビーム描画用マスク
ブランクス同様の効果を奏することができるとともに、
エッチングによりシリコンベース層および絶縁層に形成
された空隙部に起因する不具合を生じるおそれがない電
子ビーム描画用マスクブランクスを得ることができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】本発明に係る電子ビーム描画用マ
スクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブランク
スの好適な実施の形態（以下、本実施の形態例とい
う。）について、図を参照して以下に説明する。

【００４１】まず、本実施の形態例に係る電子ビーム描
画用マスクの製造方法について、図１〜図４を参照して
説明する。

【００４２】電子ビーム描画用マスク（以下、単に描画
用マスクという。）を製造するための材料としてＳＯＩ
基板１０を準備する。ＳＯＩ基板１０は、例えば、６０
０μｍ程度の厚さを有するシリコンベース層１３の上に
絶縁層として数μｍ程度の厚さを有するＢＯＸ層（Buri
ed Oxide Layer）と呼ばれるＳｉＯ_２からなる層１２が
設けられ、さらに、ＢＯＸ層１２の上に数μｍ程度の厚
さを有するＳＯＩ層１１が設けられたものである（図１
（Ａ））。

【００４３】そして、ＳＯＩ基板１０を熱処理設備で熱
処理して、ＳＯＩ基板１０の表裏両面、すなわち、ＳＯ
Ｉ層１１の表面（ＳＯＩ基板１０の上面）とシリコンベ
ース層１３の裏面（ＳＯＩ基板１０の下面）に所定の厚
さの保護膜１４およびハードマスク１５を形成する（保
護膜生成工程、ハードマスク形成工程、保護膜・ハード
マスク同時形成工程図１（Ｂ））。

【００４４】ここで、熱処理設備は、図５に示すバッチ
式の熱処理装置を用いてもよく、また、図６に示す枚葉
式の熱処理装置を用いてもよい。

【００４５】図５のバッチ式の熱処理装置４０は、縦型
熱処理装置の一例である。熱処理装置４０は、複数枚の
基板４２が基板ボート４４に棚積み配列されて、二重管
式の円筒状の反応容器４６に収容されている。基板ボー
ト４４は、反応容器４６の外部に配置された図示しない
回転駆動機構に連結されたターンテーブル４８上に搭載
されている。反応容器４６の外周には、外面と所定の間
隔を空けて、例えば、コイル状の抵抗加熱ヒータ５０が
配設されており、この抵抗加熱ヒータ５０を取り囲んで
断熱材層５２が設けられている。

【００４６】成膜時の反応ガスを供給する、例えば、石
英からなるガス導入管５４は、基板ボート４４に収容さ
れた各基板４２の表裏両方向に開口された複数のノズル
５６を有している。排気管５８は、同様に、各基板４２
の表裏両方向にノズル５６に対向して開口された複数の
排気口６０を有している。

【００４７】上記の熱処理装置４０は、一方向から供給
された反応ガスが各基板４２の表裏面に均一に流通し、
複数枚の基板４２の表裏面を一括して熱処理して、成膜
することができる。

【００４８】図６に示す枚葉式の熱処理装置６２は、１
枚の基板４２がサセプタ６４上に配置され、基板４２の
周縁がサセプタ６４に固定される。サセプタ６４は、図
示しない回転駆動機構に連結され、回転可能に設けられ
ている。サセプタ６４は、透明石英製の上部ドーム６６
ａおよび下部ドーム６６ｂからなるチャンバ６６内に収
容されている。チャンバ６６の上下に加熱源としての複
数のランプ６８が配設され、上部ドーム６６ａおよび下
部ドーム６６ｂ越しに、チャンバ６６内を加熱可能に構
成されている。

【００４９】成膜時の反応ガスを供給する、例えば、石
英からなる図示しないガス導入管は、基板４２の一方向
側のチャンバ６６の側壁に開口されたノズル７０を有し
ている。図示しない排気管は、同様に、基板４２の他の
一方向のチャンバ６６の側壁にノズル７０に対向して開
口された排気口７２を有している。

【００５０】上記の熱処理装置６２は、一方向から供給
された反応ガスが１枚の基板４２の表裏面に均一に流通
し、基板４２の表裏面を熱処理して、成膜することがで
きる。

【００５１】保護膜１４およびハードマスク１５の形成
処理を前者のバッチ式の熱処理装置４０を用いて行なう
と、複数枚のＳＯＩ基板１０について一括して行なうこ
とができ、生産効率上より好ましい。

【００５２】前記の熱処理装置４０を用いて保護膜１４
およびハードマスク１５を形成するときの処理条件は、
例えば、酸素含有ガス雰囲気中で８５０℃の温度で３時
間処理する。これにより、例えば、１０μｍの膜厚のＳ
ｉＯ_２からなる保護膜１４およびハードマスク１５が形
成される。

【００５３】ここで、１０μｍの保護膜１４が形成され
るには、ＳＯＩ層１１の一部が酸化されて酸化膜に変化
するため、元の膜厚が減少する。電子ビーム描画用マス
クとして使用する場合、ＳＯＩ層１１の厚さは２μｍ程
度であることが望ましく、ここから初期のＳＯＩ層１１
の厚さを決定するとよい。

【００５４】保護膜１４およびハードマスク１５を形成
したＳＯＩ基板１０を、図示しない搬送装置を用いて熱
処理装置から取り出し、ＳＯＩ基板１０を上下反転させ
る（図１（Ｃ））。

【００５５】そして、つぎに、例えば、図示しないスピ
ンナーによりシリコンベース層１３の裏面、言い換えれ
ば、図１（Ｃ）中、ハードマスク１５の表面にレジスト
を、例えば、３μｍの膜厚にスピンコートする。このと
き、ＳＯＩ基板１０は、保護膜１４の表面がスピンナー
の基板チャックに真空吸着されて処理される。引き続
き、反転姿勢を維持した状態で、ＳＯＩ基板１０を、例
えば、図示しないステッパのステージ上に移し、リソグ
ラフィ処理を行ない、所定のパターンを有するレジスト
膜（レジストマスク）１６を形成する（図１（Ｄ））。

【００５６】ここで、従来例では、図示しない搬送装置
の真空チャック、上記スピンナーの基板チャック、ある
いは、上記ステッパのステージにＳＯＩ基板１０のＳＯ
Ｉ層１１の表面を吸着しあるいは固定した状態で搬送や
処理が行なわれるため、ＳＯＩ層１１の表面が損傷し、
後述するパターン形成に不具合を来すおそれがある。こ
れに対して、上記本実施例の形態例では、ＳＯＩ層１１
の表面に形成した保護膜１４によりＳＯＩ層１１の表面
を保護しているため、ＳＯＩ層１１の表面に損傷を生じ
るおそれがない。

【００５７】つぎに、反転姿勢を維持した状態で、ＳＯ
Ｉ基板１０を、例えば、図示しないＲＩＥ装置に移し、
レジスト膜１６をマスクとして、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４等を
含有するガスを用いてハードマスク１５をドライエッチ
ングし、シリコンベース層１３を露出させる（図２
（Ａ））。この時レジスト膜１６の上部も同時に一部除
去される。引き続き、酸素プラズマによりアッシング
し、レジスト膜１６を除去する（図２（Ｂ））。ここ
で、このアッシング工程は省略して次の工程に進んでも
構わない。

【００５８】つぎに、エッチングされたハードマスク１
５をマスクとして、ＳＦ_６等のハロゲン系ガスを用いて
シリコンベース層１３をドライエッチングする。このと
き、ハードマスク１５の上部も同時に一部または全部が
除去される。前の工程でレジスト膜１６のアッシング工
程を省略した場合は、ドライエッチング時にレジスト膜
が除去される。

【００５９】上記したシリコンベース層１３をドライエ
ッチングする工程は、従来例では、６００μｍの厚さの
厚いシリコンベース層３を、マスクとしてレジスト膜を
用いてドライエッチングするとき、例えば、レジスト膜
の膜厚を１００μｍ程度に厚く設ける必要がある。この
ような厚いレジスト膜は、複数回塗布を繰り返すことに
よって形成する必要があるため、塗布作業が煩雑であ
る。また、ドライエッチング後、厚いレジスト膜を完全
に除去できずにアッシング残渣やエッチング残渣が残る
おそれがある。これに対して、本実施の形態例によれ
ば、レジスト膜１６は、ハードマスク１５をエッチング
するのに必要な３μｍ程度の薄い膜でよく、厚い膜であ
るシリコンベース層１３は、エッチングされた１０μｍ
程度の薄いハードマスク１５をマスクとして、エッチン
グすることができる。

【００６０】つぎに、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４等のガスから生
成するＦラジカルを含むプラズマを用いてＢＯＸ層１２
をドライエッチングする（図２（Ｃ））。これにより、
ＳＯＩ基板１０のシリコンベース層１３およびＢＯＸ層
１２には、空隙部（開口）１７が形成される。

【００６１】以上説明した、ハードマスク１５のドライ
エッチング処理からＢＯＸ層１２のドライエッチング処
理までの各工程は連続して行なうことができる。

【００６２】また、上記ＢＯＸ層１２のドライエッチン
グ処理に代えて、ＨＦ溶液等を用いてウエットエッチン
グ処理を行なってもよい。

【００６３】以上の各処理を経て形成された、図２
（Ｃ）に示す、空隙部１７を有するＳＯＩ基板１０は、
電子ビーム描画用マスクブランクス（以下、参照符号２
０を付し、単にマスク用ブランクスという。）であり、
描画用マスクの中間製品とされる。このマスク用ブラン
クス２０は、ＳＯＩ層１１上にレジストマスクを形成し
てエッチングすれば描画用マスクが完成する状態にまで
調製された形態のものであり、引き続き一貫処理して描
画用マスクを製造する場合のほかに、このマスク用ブラ
ンクス２０を製品としてほかのメーカーに販売し、その
メーカーで上記処理を行なって描画用マスクを製造する
こともある。

【００６４】マスク用ブランクス２０は、上記の形態に
代えて、以下に説明する、空隙部１７に埋設物質１８を
埋め込んだ図２（Ｄ）に示す形態であってもよい。

【００６５】図２（Ｃ）に示す上記マスク用ブランクス
２０は、引き続き、前記したスピンコート法あるいは化
学蒸着法等により、空隙部１７に埋設物質１８を埋め込
む（埋設物質埋設工程図２（Ｄ））。埋設物質１８
は、例えば、ＳＯＧ膜、ＳｉＯ _２膜、有機ＳＯＧ膜、有
機レジスト膜等であることが好ましい。例えば、有機Ｓ
ＯＧ膜をスピンコート法により塗布した後、１５０℃で
３０秒程度ベーキングすることにより、埋設物質１８を
埋め込み形成することができる。

【００６６】このとき、埋設物質１８は、ハードマスク
１５と面一に形成してもよく、また図２（Ｄ）に示すよ
うに、ハードマスク１５の上面より高い高さに形成して
もよい。

【００６７】上記図２（Ｄ）に示す埋設物質１８を埋め
込み形成したマスク用ブランクスは、ハンドリング中に
ＳＯＩ層１１が変形等して損傷を受けることがなく、好
適である。なお、この場合、マスク用ブランクスは、図
２（Ｄ）に示す形態に代えて、図２（Ｃ）に示す段階
で、ハードマスク１５をエッチングにより除去した後、
空隙部１７に埋設物質１８を埋め込み形成してもよい。

【００６８】つぎに、マスク用ブランクスを上下反転さ
せて（図３（Ａ））、ＨＦ溶液等を用いてウエットエッ
チングして保護膜１４を除去する（図３（Ｂ））。この
工程は、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４等のガスから生成するＦラジ
カルを含むプラズマを用いてドライエッチングすること
によっても実施できる。

【００６９】つぎに、例えば、スピンコート法によりＳ
ＯＩ層１１の表面にレジストを、例えば、３μｍの厚さ
に塗布した後、引き続き、リソグラフィ処理を行ない、
所定のパターンを有するレジスト膜（レジストマスク）
１９形成する（図３（Ｃ））。

【００７０】つぎに、レジスト膜１９をマスクとして、
ＳＦ_６等のハロゲン系ガスを用いてＳＯＩ層１１をドラ
イエッチングし、ＳＯＩ層１１に開口２１を形成する
（図３（Ｄ））。このとき、レジスト膜１９の上部も同
時に一部除去される。

【００７１】つぎに、酸素プラズマによりアッシング
し、レジスト膜１９を除去する（図４（Ａ））。

【００７２】つぎに、ＨＦまたはＨＦとＮＨ_４Ｆを用い
たウエットエッチングにより、埋設物質１８を除去した
後（埋設物質除去工程）、有機溶媒液等によりクリーニ
ングして、エッチング残渣を洗浄、除去する（図４
（Ｂ））。これにより、電子ビームを透過する開口２１
がＳＯＩ層１１に形成された電子ビーム描画用マスク３
０が完成する。

【００７３】これまで電子ビーム描画用マスクの製造方
法において、保護膜形成工程およびハードマスク形成工
程を同時に行なう生産効率上好ましい例として、バッチ
型および枚葉型の熱処理装置を用いて形成する例を用い
て説明したが、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）・スピンオ
ン塗布法・シート状膜の貼り付け等の方法によっても実
施可能である。

【００７４】これらの方法を用いる場合、ＳＯＩ基板１
０の表裏面を片面ずつ処理して、保護膜１４およびハー
ドマスク１５をそれぞれ別々に所望の厚さに形成するこ
とが可能である。

【００７５】また、これらの方法を用いる場合、ＳＯＩ
層１１上に保護膜またはハードマスクを別途形成するた
め、初期のＳＯＩ層の膜の厚さをそのまま維持すること
ができるという利点がある。

【００７６】化学気相蒸着法を用いる場合、図８に示し
たような装置８０内のステージ８１上にＳＯＩ基板１０
の表面（ＳＯＩ層１１側）または裏面（シリコンベース
層１３側）を上にして載置される。その後、ステージ下
に設けられた加熱用ランプ８２によりＳＯＩ基板１０が
加熱され、ステージに対向して設けられたシャワープレ
ート８３から供給される処理ガスの化学気相反応により
ＳＯＩ基板１０上にＢＰＳＧ膜等が形成される。

【００７７】スピンオン塗布法を用いる場合、例えば、
図９に示したような装置９０を用い、膜となるシロキサ
ン成分と溶媒としてのアルコール成分などから調整され
るＳＯＧ液をノズル９１から回転機構９２により回転し
ているＳＯＩ基板１０上に塗布し、その後、熱処理で溶
媒などを蒸発させ、膜を硬化するとＳＯＧ膜が形成され
る。ＳＯＧは、シロキサンの構造により、シリカガラ
ス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキ
オキサンポリマー（ＭＳＱ）、水素化シルセスキオキサ
ンポリマー（ＨＳＱ）、水素化アルキルシルセスキオキ
サンポリマー（ＨＯＳＰ）がある。

【００７８】シート状膜の貼り付けを用いる場合、例え
ば、ポリイミド等の難燃性のシート状部材を、それぞれ
ＳＯＩ基板１０の表面または裏面に貼り付けることによ
り、保護膜またはハードマスクを形成することができ
る。

【００７９】以上説明した本実施の形態例の電子ビーム
描画用マスクの製造方法において、図２（Ｃ）に示す空
隙部１７を形成した段階で、その後、埋設物質１８を空
隙部１７に埋め込み形成することなく、その後の処理を
行ない、電子ビーム描画用マスク３０を製造してもよ
い。

【００８０】また、本実施例の形態例の電子ビーム描画
用マスクの製造方法のシリコンベース層１３およびＢＯ
Ｘ層１２のエッチング処理とＳＯＩ層１１のエッチング
処理の順序を入れ替えて、ＳＯＩ層１１のエッチング処
理を先に行なう手順を排除するものではない。

【００８１】

【発明の効果】本発明に係る電子ビーム描画用マスクの
製造方法によれば、ＳＯＩ層の表面に予め保護膜を形成
する保護膜形成工程と、ＳＯＩ層をエッチングして開口
を形成するためのレジストマスクを形成するに先立ち、
保護膜を除去する保護膜除去工程とを有するため、シリ
コンベース層を処理等する際にチャック等によりＳＯＩ
層の表面に損傷を生じパターン形成に不具合を来すおそ
れがない。

【００８２】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクの製造方法によれば、予め、ＳＯＩ層の表面に保
護膜を、およびシリコンベース層の裏面にハードマスク
を同時に形成する保護膜・ハードマスク同時形成工程を
有するため、保護膜およびハードマスクを一括して容易
に形成することができ、作業能率あるいは生産効率上お
よび設備の使用効率上好ましい。

【００８３】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクの製造方法によれば、シリコンベース層および絶
縁層をエッチングして開口を形成した後、ＳＯＩ層をエ
ッチングし開口を形成するに先立ち、絶縁層およびシリ
コンベース層の開口に埋設物質を埋設する埋設物質埋設
工程と、ＳＯＩ層をエッチングして開口を形成した後、
埋設物質を除去する埋設物質除去工程とをさらに有する
ため、エッチング等の処理の際、シリコンベース層およ
びＢＯＸ層に形成された空隙部に起因する不具合を生じ
るおそれがない。

【００８４】また、本発明に係る電子ビーム描画用マス
クブランクスによれば、少なくともＳＯＩ層の表面に形
成された保護膜を有してなるため、シリコンベース層を
処理等する際にチャック等によりＳＯＩ層の表面に損傷
を生じパターンの形成に不具合を来すおそれがなく、ま
た、シリコンベース層の裏面のレジストマスク形成工程
の煩雑さやレジスト残渣に起因する不具合を来すおそれ
がない。

【００８５】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクブランクスによれば、ＳＯＩ層の表面に形成され
た保護膜に加えて、シリコンベース層の裏面に形成され
たハードマスクをさらに有してなるため、中間製品とし
て運送、保管等のハンドリングを行なう際にＳＯＩ層の
表面やシリコンベース層の裏面を損傷するおそれがな
い。

【００８６】また、本発明に係る別の電子ビーム描画用
マスクブランクスによれば、ＳＯＩ層の表面に形成され
た保護膜を有するとともに、エッチングにより形成され
た絶縁層およびシリコンベース層の開口に埋設された埋
設物質を有してなり、また、シリコンベース層の裏面に
形成されたハードマスクをさらに有してなるため、保護
膜およびハードマスクの形成された上記電子ビーム描画
用マスクブランクス同様の効果を奏することができると
ともに、エッチングによりシリコンベース層および絶縁
層に形成された空隙部に起因する不具合を生じるおそれ
がない電子ビーム描画用マスクブランクスを得ることが
できる。

【００８７】以下、本発明の種々の実施形態を例示的に
示すが、これらは本発明を限定するものではない。

【００８８】１．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面に熱酸化法により保護膜を、および該シ
リコンベース層の裏面に熱酸化法によりハードマスクを
形成する保護膜・ハードマスク形成工程を有することを
特徴とする電子ビーム描画用マスクの製造方法。

【００８９】２．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面に化学気相蒸着法により保護膜を、およ
び該シリコンベース層の裏面に化学気相蒸着法によりハ
ードマスクを形成する保護膜・ハードマスク形成工程を
有することを特徴とする電子ビーム描画用マスクの製造
方法。

【００９０】３．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面にスピンオン塗布法により保護膜を、お
よび該シリコンベース層の裏面にスピンオン塗布法によ
りハードマスクを形成する保護膜・ハードマスク形成工
程を有することを特徴とする電子ビーム描画用マスクの
製造方法。

【００９１】４．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面にシート状膜の貼り付けにより保護膜
を、および該シリコンベース層の裏面にシート状膜の貼
り付けによりハードマスクを形成する保護膜・ハードマ
スク形成工程を有することを特徴とする電子ビーム描画
用マスクの製造方法。

【００９２】５．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面に熱酸化法により保護膜を形成する保護
膜形成工程を有することを特徴とする電子ビーム描画用
マスクの製造方法。

【００９３】６．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面に化学気相蒸着法により保護膜を形成す
る保護膜形成工程を有することを特徴とする電子ビーム
描画用マスクの製造方法。

【００９４】７．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面にスピンオン塗布法により保護膜を形成
する保護膜形成工程を有することを特徴とする電子ビー
ム描画用マスクの製造方法。

【００９５】８．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
ＳＯＩ層の表面にシート状膜の貼り付けにより保護膜を
形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする電子
ビーム描画用マスクの製造方法。

【００９６】９．パターンが形成されたレジストをマス
クとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコン
ベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる
電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該
シリコンベース層の裏面に熱酸化法によりハードマスク
を形成するハードマスク形成工程を有することを特徴と
する電子ビーム描画用マスクの製造方法。

【００９７】１０．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、
該シリコンベース層の裏面に化学気相蒸着法によりハー
ドマスクを形成するハードマスク形成工程を有すること
を特徴とする電子ビーム描画用マスクの製造方法。

【００９８】１１．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、
該シリコンベース層の裏面にスピンオン塗布法によりハ
ードマスクを形成するハードマスク形成工程を有するこ
とを特徴とする電子ビーム描画用マスクの製造方法。

【００９９】１２．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、
該シリコンベース層の裏面にシート状膜の貼り付けによ
りハードマスクを形成するハードマスク形成工程を有す
ることを特徴とする電子ビーム描画用マスクの製造方
法。

【０１００】１３．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該ＳＯＩ膜の表面に熱酸化
法により形成された保護膜を有してなることを特徴とす
る電子ビーム描画用マスクブランクス。

【０１０１】１４．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該ＳＯＩ膜の表面に化学気
相蒸着法により形成された保護膜を有してなることを特
徴とする電子ビーム描画用マスクブランクス。

【０１０２】１５．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該ＳＯＩ膜の表面にスピン
オン塗布法により形成された保護膜を有してなることを
特徴とする電子ビーム描画用マスクブランクス。

【０１０３】１６．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該ＳＯＩ膜の表面にシート
状膜の貼り付けにより形成された保護膜を有してなるこ
とを特徴とする電子ビーム描画用マスクブランクス。

【０１０４】１７．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該シリコンベース層の裏面
に熱酸化法により形成されたハードマスクを有してなる
ことを特徴とする電子ビーム描画用マスクブランクス。

【０１０５】１８．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該シリコンベース層の裏面
に化学気相蒸着法により形成されたハードマスクを有し
てなることを特徴とする電子ビーム描画用マスクブラン
クス。

【０１０６】１９．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該シリコンベース層の裏面
にスピンオン塗布法により形成されたハードマスクを有
してなることを特徴とする電子ビーム描画用マスクブラ
ンクス。

【０１０７】２０．パターンが形成されたレジストをマ
スクとしてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコ
ンベース層をそれぞれエッチングして開口を形成してな
る電子ビーム描画用マスクを調製するためのものであ
り、該ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する
直前の形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブラ
ンクスにおいて、少なくとも該シリコンベース層の裏面
にシート状膜の貼り付けにより形成されたハードマスク
を有してなることを特徴とする電子ビーム描画用マスク
ブランクス。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法を説明するためのものであり、図１（Ａ）は
ＳＯＩ基板を示し、図１（Ｂ）は保護膜およびハードマ
スクを形成する工程を示し、図１（Ｃ）はＳＯＩ基板を
上下反転させる工程を示し、図１（Ｄ）はハードマスク
上にレジスト膜を形成する工程を示す。

【図２】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法を説明するためのものであり、図２（Ａ）は
ハードマスクをドライエッチングする工程を示し、図２
（Ｂ）はハードマスクをエッチングした後アッシングし
てレジスト膜を除去する工程を示し、図２（Ｃ）はＢＯ
Ｘ層をドライエッチングして電子ビーム描画用マスクブ
ランクスを製造する工程を示し、図２（Ｄ）は空隙部に
埋設物質を埋め込む工程を示す。

【図３】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法を説明するためのものであり、図３（Ａ）は
マスク用ブランクスを上下反転させる工程を示し、図３
（Ｂ）はウエットエッチングして保護膜を除去した後、
クリーニングして、エッチング残渣を洗浄、除去する工
程を示し、図３（Ｃ）はＳＯＩ層の表面にレジスト膜を
形成する工程を示し、図３（Ｄ）はＳＯＩ層をドライエ
ッチングして開口を形成する工程を示す。

【図４】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法を説明するためのものであり、図４（Ａ）は
アッシングしてレジスト膜を除去する工程を示し、図４
（Ｂ）はウエットエッチングにより、埋設物質を除去し
た後、クリーニングしてエッチング残渣を洗浄、除去し
て電子ビーム描画用マスクを完成する工程を示す。

【図５】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法において使用するバッチ式の熱処理装置の概
略断面図である。

【図６】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法において使用する枚葉式の熱処理装置の概略
断面図である。

【図７】従来例の電子ビーム用マスクの製造方法を説明
するためのものであり、図７（Ａ）はＳＯＩ基板のシリ
コンベース層の裏面にレジスト膜を形成する工程を示
し、図７（Ｂ）はシリコンベース層をエッチングする工
程を示し、図７（Ｃ）はＢＯＸ層をエッチングする工程
を示し、図７（Ｄ）はＳＯＩ層の表面にレジスト膜を形
成する工程を示し、図７（Ｅ）はＳＯＩ層をエッチング
して電子ビーム描画用マスクを完成する工程を示す。

【図８】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法において使用する化学気相蒸着装置の概略断
面図である。

【図９】本実施の形態例に係る電子ビーム描画用マスク
の製造方法において使用するスピンオン塗布装置の概略
断面図である。

【符号の説明】

１０ＳＯＩ基板１１ＳＯＩ層１２ＢＯＸ層（絶縁層）１３シリコンベース層１４保護膜１５ハードマスク１６レジスト膜１７空隙部１８埋設物質１９レジスト膜２０マスク用ブランクス２１開口３０電子ビーム描画用マスク４０バッチ式の熱処理装置４２基板４４基板ボート６２枚葉式の熱処理装置６４サセプタ８０化学気相蒸着装置８１ステージ８２加熱用ランプ８３シャワープレート９０スピンオン塗布装置９１ノズル９２回転機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコンベース層上に絶縁層を介してＳ
ＯＩ層を有してなるＳＯＩ基板から、パターンが形成さ
れたレジストをマスクとして、該ＳＯＩ層、該絶縁層お
よび該シリコンベース層をそれぞれエッチングして開口
を形成してなる電子ビーム描画用マスクの製造方法にお
いて、該ＳＯＩ層の表面に予め保護膜を形成する保護膜形成工
程と、該ＳＯＩ層をエッチングして開口を形成するためのレジ
ストマスクを形成するに先立ち、該保護膜を除去する保
護膜除去工程とを有することを特徴とする電子ビーム描
画用マスクの製造方法。
【請求項２】パターンが形成されたレジストをマスク
としてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコンベ
ース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる電
子ビーム描画用マスクの製造方法において、予め、該ＳＯＩ層の表面に保護膜を、および該シリコン
ベース層の裏面にハードマスクを同時に形成する保護膜
・ハードマスク同時形成工程を有することを特徴とする
電子ビーム描画用マスクの製造方法。
【請求項３】前記シリコンベース層および前記絶縁層
をエッチングして開口を形成した後、該ＳＯＩ層をエッ
チングし開口を形成するに先立ち、該絶縁層および該シ
リコンベース層の開口に埋設物質を埋設する埋設物質埋
設工程と、該ＳＯＩ層をエッチングして開口を形成した
後、該埋設物質を除去する埋設物質除去工程とをさらに
有することを特徴とする請求項２記載の電子ビーム描画
用マスクの製造方法。
【請求項４】パターンが形成されたレジストをマスク
としてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコンベ
ース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる電
子ビーム描画用マスクを調製するためのものであり、該
ＳＯＩ層にマスクとしてのレジスト膜を形成する直前の
形態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブランクス
において、少なくとも該ＳＯＩ層の表面に形成された保護膜を有し
てなることを特徴とする電子ビーム描画用マスクブラン
クス。
【請求項５】該シリコンベース層の裏面に形成された
ハードマスクをさらに有することを特徴とする請求項４
記載の電子ビーム描画用マスクブランクス。
【請求項６】パターンが形成されたレジストをマスク
としてＳＯＩ基板のＳＯＩ層、絶縁層およびシリコンベ
ース層をそれぞれエッチングして開口を形成してなる電
子ビーム描画用マスクを調製するためのものであり、該
ＳＯＩ層にマスクとしてのレジストを形成する直前の形
態に形成してなる電子ビーム描画用マスクブランクスに
おいて、少なくとも該ＳＯＩ層の表面に形成された保護膜を有す
るとともに、エッチングにより形成された該絶縁層および該シリコン
ベース層の開口に埋設された埋設物質を有してなること
を特徴とする電子ビーム描画用マスクブランクス。
【請求項７】該シリコンベース層の裏面に形成された
ハードマスクをさらに有することを特徴とする請求項６
記載の電子ビーム描画用マスクブランクス。