JP6303268B2 - インプリントモールド、インプリント方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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また、本発明は、基材と、前記基材のパターン形成面内におけるパターン領域に形成されている転写用凹凸パターンとを備え、前記転写用凹凸パターンをインプリント樹脂に転写するために用いられるインプリントモールドであって、前記パターン形成面内に位置する、前記パターン領域の外周を囲む撥液性領域に、撥液性凹凸パターンが形成されており、前記撥液性凹凸パターンは、液体状の前記インプリント樹脂に対する接触角が90°よりも大きくなる凹凸構造を有し、前記撥液性凹凸パターンの形状は、ラインアンドスペース状であって、前記撥液性凹凸パターンは、前記インプリントモールドの平面視において、前記撥液性凹凸パターンのライン方向が前記パターン領域の外周に沿うようにして形成されていることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明5)。
〔インプリントモールド〕
図1に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド1は、基部2と、基部2の一面から突出する凸構造部3とを備える。この凸構造部3の天面が、インプリント樹脂に転写されるべき転写用凹凸パターン31と、撥液性凹凸パターン32とが形成されているパターン形成面PSとして構成されている。
r1+r2=1 ・・・(2)
式(1)及び(2)中、r1は「撥液性凹凸パターン32の平面視における表面積中の凸部天面321の占める面積の割合」を、r2は「撥液性凹凸パターン32の平面視における表面積中の凸部天面321以外の部分の占める面積(凹部322の開口面積)の割合」を、θ1は「撥液性凹凸パターン32の凸部天面321のインプリント樹脂に対する接触角(°)」を、θ2は「撥液性凹凸パターン32表面における凸部天面321以外の部分(凹部322の開口部)のインプリント樹脂に対する接触角(°)」を表し、r1及びr2は、いずれも1未満の正数である。
cosθCB=r1・cosθ1−r2=r1(cosθ1+1)−1 ・・・(3)
続いて、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
2…基部(基材)
3…凸構造部(基材)
31…転写用凹凸パターン
31A…パターン領域
32…撥液性凹凸パターン
32A…撥液性領域
33A…非パターン領域(パターン非形成領域)
Claims (8)
- 基材と、前記基材のパターン形成面内におけるパターン領域に形成されている転写用凹凸パターンとを備え、前記転写用凹凸パターンをインプリント樹脂に転写するために用いられるインプリントモールドであって、
前記パターン形成面内に位置する、前記パターン領域の外周を囲む撥液性領域に、撥液性凹凸パターンが形成されており、
前記撥液性凹凸パターンは、液体状の前記インプリント樹脂に対する接触角が90°よりも大きくなる凹凸構造を有し、
前記パターン領域と前記撥液性領域との間に、凹凸パターンの形成されないパターン非形成領域が設けられていることを特徴とするインプリントモールド。 - 前記転写用凹凸パターンにおける凸部の天面と前記撥液性凹凸パターンにおける凸部の天面とが略面一であることを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールド。
- 前記パターン領域と前記撥液性領域とが50μm以上離間していることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリントモールド。
- 前記撥液性凹凸パターンの形状は、ラインアンドスペース状であって、
前記撥液性凹凸パターンは、前記インプリントモールドの平面視において、前記撥液性凹凸パターンのライン方向が前記パターン領域の外周に沿うようにして形成されている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のインプリントモールド。 - 基材と、前記基材のパターン形成面内におけるパターン領域に形成されている転写用凹凸パターンとを備え、前記転写用凹凸パターンをインプリント樹脂に転写するために用いられるインプリントモールドであって、
前記パターン形成面内に位置する、前記パターン領域の外周を囲む撥液性領域に、撥液性凹凸パターンが形成されており、
前記撥液性凹凸パターンは、液体状の前記インプリント樹脂に対する接触角が90°よりも大きくなる凹凸構造を有し、
前記撥液性凹凸パターンの形状は、ラインアンドスペース状であって、
前記撥液性凹凸パターンは、前記インプリントモールドの平面視において、前記撥液性凹凸パターンのライン方向が前記パターン領域の外周に沿うようにして形成されていることを特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のインプリントモールドの前記パターン形成面と、基板上に離散的に滴下された前記インプリント樹脂とを接触させて、前記インプリントモールドの前記転写用凹凸パターンの凹部に前記インプリント樹脂を充填させながら前記パターン形成面内に濡れ広がらせる工程と、
前記パターン形成面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させる工程と、
硬化した前記インプリント樹脂と前記インプリントモールドとを引き離す工程と
を含むことを特徴とするインプリント方法。 - 転写用凹凸パターンがパターン形成面に形成されているインプリントモールドを用いたインプリント方法であって、
前記インプリントモールドの前記パターン形成面と、基板上に離散的に滴下されたインプリント樹脂とを接触させて、前記インプリントモールドの前記転写用凹凸パターンの凹部に前記インプリント樹脂を充填させながら前記パターン形成面内に濡れ広げる工程と、
前記パターン形成面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させる工程と、
硬化した前記インプリント樹脂と前記インプリントモールドとを引き離す工程と
を含み、
前記基板は、前記インプリントモールドの前記転写用凹凸パターンが転写される前記基板における領域の外周を囲み、かつ前記パターン形成面に対向する領域内に、液体状の前記インプリント樹脂に対する接触角が90°よりも大きくなる凹凸構造を有する撥液性凹凸パターンを備え、前記インプリントモールドの前記転写用凹凸パターンが転写される前記基板における領域と前記撥液性凹凸パターンとの間に、凹凸パターンの形成されないパターン非形成領域が設けられている
ことを特徴とするインプリント方法。 - 請求項6又は7に記載のインプリント方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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