JP2013211450A - 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 - Google Patents
基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013211450A JP2013211450A JP2012081480A JP2012081480A JP2013211450A JP 2013211450 A JP2013211450 A JP 2013211450A JP 2012081480 A JP2012081480 A JP 2012081480A JP 2012081480 A JP2012081480 A JP 2012081480A JP 2013211450 A JP2013211450 A JP 2013211450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- manufacturing
- template
- substrate material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 ナノインプリントリソグラフィの技術を応用することにより、高い表面平坦性を有する母材(マスタープレート)から、同レベルの高い表面平坦性を有する基板を量産することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、反射型マスクを使うEUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィや、テンプレートを使うナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nano Imprint Lithography)が提案されている。
特に、ナノインプリントリソグラフィは、フォトリソグラフィのような高額な露光装置(ステッパー)を用いないため、経済的にも有利であることから、注目を集めている。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。
光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを用いて所望の樹脂パターンを形成するには、例えば、図7(a)に示すように、まず、凹凸形状の転写パターンを設けたナノインプリントリソグラフィ用テンプレート500、および、紫外線硬化性の樹脂521を設けた被転写基板520を準備し、次に、テンプレート500を、被転写基板520の上に設けた樹脂521に密着させ、紫外線530を照射して樹脂521を硬化させ(図7(b))、その後、テンプレート500を離型する(図7(c))。
次に、被転写基板520の上の硬化した樹脂パターン522に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン540によるドライエッチングを施して、厚さT1の余分な残膜部分を除去し(図7(d))、テンプレート500の転写パターンとは凹凸形状が反転した所望の樹脂パターン523を得る(図7(e))。
ここで、上述の残膜部分の厚さT1は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、RLT(Residual Layer Thickness)と呼ばれるものである。
また、上記の反応性イオン540は、樹脂パターン522をエッチングする特性を有しているが、通常、被転写基板520をエッチングする特性を有してはいない。
また、ガスクラスターイオンビーム等により、基板表面の凸部のみを局所的に除去する方法もある(例えば、特許文献4)。
そして、上述のように、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、石英基板等の基板の表面をパターニングして凹凸形状の転写パターンを形成しているため、上記の残膜部分の厚さ(RLT)を均一に保つためには、テンプレートを製造するための基板(石英基板等)の表面ラフネス(表面凹凸)を極力小さくする必要がある。
すなわち、図8(c)に示すように、樹脂パターン522の残膜部分の厚さ(RLT)は、最大厚さT2と最小厚さT3の厚さ分布を有することになる。なお、最大厚さT2と最小厚さT3の差は、基板510Aの表面ラフネス(表面凹凸)の最大高低差hに相当する。
なお、例えば、図8(e)に示すように、形成された凹凸形状の樹脂パターンの中で、最大高さを有する樹脂パターン523Aと、最小高さを有する樹脂パターン523Bとの高低差は、基板510Aの表面ラフネス(表面凹凸)の最大高低差hに相当する。
そして、上述のように、形成された凹凸形状の樹脂パターン(テンプレートの転写パターンの反転パターン)が、その高さにばらつきを有する場合は、次に説明するような、パターン寸法の問題がある。
しかしながら、通常、1つのテンプレートには、各種の異なる平面形状や平面サイズからなる転写パターンが含まれており、その全ての転写パターンの断面形状を、上述のように側壁垂直な断面形状となるように製造することは、現実的には困難である。
図9に示すように、樹脂パターンの断面形状が順テーパー形状の場合であっても、テンプレートを離型した後の樹脂パターンの残膜部分の厚さ(RLT)が均一な場合には、その後のドライエッチング工程で前記残膜部分を適切に除去することにより形成される凹凸形状の樹脂パターン(テンプレートの転写パターンの反転パターン)同士においては、テンプレートの転写パターン同士が同一寸法に設計されていれば、前記樹脂パターン同士も同一寸法を有することになる。
より詳細には、残膜厚さの差分(T2−T3)の大きさに応じて、樹脂パターン523Bは樹脂パターン523Aよりも高さが低くなり、例え、樹脂パターン523Aの被転写基板520に接する寸法を設計通りのW1に形成できた場合でも、樹脂パターン523Aの被転写基板520に接する寸法(W2)は、W1よりも小さい値になってしまう。
そして、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法によれば、表面平坦性が高いテンプレートを製造することができる。
まず、本発明に係る基板の製造方法について、図1および図2を用いて説明する。
ここで、図1は、本発明に係る基板の製造方法の前半の工程の一例を示す概略工程図であり、図2は、図1に続く本発明に係る基板の製造方法の一例を示す概略工程図である。
本発明に係る基板の製造方法は、主に、図1に示すインプリント工程と、図2に示すドライエッチング工程を含むものである。
ここで、基板材10Aは、基板10と同じ材料からなる平板状の材料であって、本発明の製造方法に係る表面平坦化を施す前の基板に相当し、最大高低差hの表面ラフネス(表面凹凸)を有するものである。
ここで、上述のマスタープレート50を密着させる工程(図1(c))には、従来のナノインプリントリソグラフィと同じ技術を用いることができる。
すなわち、従来のナノインプリントリソグラフィにおいては、例えば、図7(b)に示すように、テンプレート500を、被転写基板520の上に設けた樹脂521に密着させるが、本発明においては、図7(b)に示すテンプレート500に替えて、マスタープレート50を、基板材10Aの上に設けた樹脂21A、21Bに密着させる。
上記の密着層、離型層、離型材の材料には、従来のナノインプリントリソグラフィにおいて、密着層、離型層、離型材として用いることができる材料であれば用いることができる。
例えば、本発明の製造方法によって製造される基板を、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造するための基板に用いる場合には、前記平坦面は、26mm×33mmよりも大きな面積の領域であって、その領域の最大高低差が5nm以下であることが好ましい。
石英を含む材料から形成されていれば紫外線を透過することができ、例えば、光インプリント法を用いる際に、マスタープレート50の裏面側から紫外線を照射することで、基板材10Aの表面上の樹脂を硬化させることができるからである。
上述のように、熱インプリント法よりも生産性などの点で優れている光インプリント法を利用することができるからである。
また、上述のように、樹脂21A、21Bには離型材が含まれていても良い。
例えば、図1(a)に示すように、基板材10Aの表面に、凹部11Aと凹部11Bがあり、凹部11Aの容量が、凹部11Bの容量よりも大きい場合には、図1(b)に示すように、その容量の大きさに応じて、凹部11Aに配設する樹脂21Aの液適量を大きくし、一方、凹部11Bに配設する樹脂21Aの液適量を小さくする。
そして、本発明によれば、上記のように、基板材10Aに配設する樹脂量を過不足の無い量に制御することができるため、図1(c)に示すように、基板材10Aの表面ラフネス(表面凹凸)の最大高さ位置からマスタープレート50までの間の樹脂層の厚さTRを薄く形成することができる。これにより、後のドライエッチング工程(図2参照)で硬化した樹脂層22を消失させる時間を短縮することができ、かつ、ドライエッチングの面内分布の影響も小さくすることができる。
上記の凹部11Aおよび凹部11Bの容量は、例えば、上述の非接触表面形状測定機を用いて求めることができる。
図3は、本発明における樹脂の配設方法の例を示す説明図である。ここで、図3(a)は、基板材10Aの表面ラフネス(表面凹凸)を説明する図であり、図3(b)は、上述の基板材10Aの表面の凹部の容量分布に応じて、各配設位置における前記樹脂の液滴量を調整する方法を説明する図であり、図3(c)は、基板材10Aの表面の凹部の容量分布に応じて、各配設位置における前記樹脂の配設密度を調整する方法を説明する図である。
本方法では、例えば、図3(a)に示すように、基板材10Aの表面に、凹部11Aと凹部11Bがあり、凹部11Aの容量が、凹部11Bの容量よりも大きい場合には、図3(c)に示すように、その容量の大きさに応じて、凹部11Aに配設する樹脂の配設密度を大きくし、一方、凹部11Bに配設する樹脂の配設密度を小さくする。ここで、樹脂21a、21b、21c、21dはいずれも同一量の液滴である。
そして、図1(c)に示すように、基板材10Aの表面ラフネス(表面凹凸)の最大高さ位置からマスタープレート50までの間の樹脂層の厚さTRを薄く形成することができる。これにより、後のドライエッチング工程(図2参照)で樹脂層を消失させる時間を短縮化でき、かつ、ドライエッチングの面内分布の影響も小さくできる。
この場合は、例えば、上述のように、樹脂層21Cに紫外線硬化性樹脂を用い、図1(d)に示すように、マスタープレート50の裏面から紫外線30を照射する等の方法を用いることで、樹脂層21Cを硬化させることができる。
次いで、部分的に露出する基板材10A表面の凸部を順次エッチングし(図2(g)、(h))、最終的に、樹脂層22を全て消失させて、表面が平坦化された基板10を得る(図2(i))。
ここで、上記の反応性イオン40によるドライエッチングは、1種類のエッチングガスによって行われても良いし、複数種のエッチングガスによって行われても良い。また、主に基板材10Aをエッチングする特性を有するエッチングガスと、主に樹脂層22をエッチングする特性を有するエッチングガスを混合して用いても良い。
例えば、本発明においては、主に基板材10Aをエッチングする特性を有するエッチングガスとして、フッ素(F)を含むガス(例えば、CF4やCHF3等を含むガス)を用いることができる。また、主に樹脂層22をエッチングする特性を有するエッチングガスとして、O2を含むガスを用いることができる。
前記エッチング速度の比の値が1の場合、すなわち、樹脂層22のエッチング速度と基板材10Aのエッチング速度が等しい場合、図2(f)に示す樹脂層22の表面の平坦性が維持されたまま、樹脂層22のエッチングと基板材10Aのエッチングが進行し、図2(i)に示す基板10の表面は、マスタープレート50の平坦面と同レベルの高い平坦性を有するものになるからである。
しかしながら、この場合も、樹脂層22が全て消失する前に、当初の基板材10Aが有していた凸部の少なくとも一部はエッチングされることから、最終的に得られる基板10の表面ラフネス(表面凹凸)は、最大高低差の値が前記hよりも小さいものになり、当初の基板材10Aが有していた最大高低差hの表面ラフネス(表面凹凸)に比べれば、基板10は平坦化された表面を有するものになる。
なお、主に基板材10Aをエッチングする特性を有するエッチングガスのみでは、樹脂層22のエッチング速度が基板材10Aのエッチング速度よりも遅い場合には、上述のように、主に樹脂層22をエッチングする特性を有するエッチングガスとして、O2を含むガスを混合して用いることができる。
また、本発明に係る基板の製造方法を用いて、前記フォトマスクや反射型マスクに用いられる石英基板を製造することもできる。そして、本発明に係る基板の製造方法により製造された表面平坦性が高い石英基板を前記フォトマスク用基板および反射型マスク用基板に用いることで、各マスクを使用したリソグラフィにより得られるパターン寸法の精度を向上させたり、欠陥発生を低減させたりすることもできる。
(ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート)
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について説明する。
ここでは、まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造することができる各種形態のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートについて説明する。
図4は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの一例を示す説明図であり、(a)は概略平面図、(b)は(a)におけるA−A断面図である。また、図5は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの他の例を示す説明図である。
それゆえ、転写領域113以外の領域(非転写領域114)が前記被転写基板や前記樹脂と接触することを避けるため、通常、転写領域113は、メサ構造115の上面に設けられている。ただし、前記被転写基板がメサ構造を有している場合等は、テンプレート側にメサ構造を設けない場合もある。
それゆえ、テンプレートの転写領域は、湾曲容易な構造を有していることが好ましい。
例えば、テンプレートを湾曲させて、転写領域の中央部から外周部へと徐々に被転写基板上の樹脂に接触するように操作することで、テンプレートの転写領域と被転写基板上の樹脂との間にある空気を外部へと押し出し、気泡となって残留しないようにすることができるからである。
このような構成であれば、テンプレート100全体の強度については、厚みのある外周部によって保持しつつ、厚みの薄い転写領域113を容易に湾曲させることができる。
上記の図4に示す例においては、テンプレート100の転写領域113を湾曲容易とする好適な形態例として、凹状の段差構造116を有する形態を示したが、例えば、上記の凹状の段差構造を設けなくても転写領域が湾曲可能な場合や、被転写基板が湾曲可能な場合などあり、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、図5(a)に示すように、上記の凹状の段差構造を有さない形態であっても良い。
さらに、被転写基板がメサ構造を有している場合等は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、上記の凹状の段差構造を有さない形態であっても良い(図5(b))。
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について説明する。
本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法は、上述の本発明に係る基板の製造方法によって製造した基板の表面をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とするものである。
本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレート100、101、若しくは102を得るには、まず、図6(a)に示すように、上述の本発明に係る基板の製造方法によって製造した基板10を準備し、その平坦化した表面にハードマスク層202を形成する。
上記のドライエッチング加工には、例えば、従来の位相シフトマスク加工に用いられるものと同様な構成を有する平行平板型の反応性イオンエッチング装置を用いることができ、反応性ガスには、例えば、CF4ガスを用いることができる。
上記のような工程であれば、レジストパターン203Aの下にパターン保護膜が形成されているため、例えば、基板10をエッチングしてメサ構造115を形成する際に、レジスト界面から浸入するエッチング液から、より確実に転写領域113を保護できる。
上記の凹状の段差構造116の形成方法には、例えば、機械的研削方法を用いることができる。
そして、この製造方法によって製造されたテンプレートを用いてナノインプリントリソグラフィを行うことにより、樹脂パターンの残膜部分の厚さ(RLT)の均一性を改善することができ、パターン寸法の精度を向上させることができる。
10A・・・基板材
11A、11B・・・凹部
21A、21B・・・樹脂
21a、21b、21c、21d・・・樹脂
21C・・・樹脂層
22・・・樹脂層
30・・・紫外線
40・・・反応性イオン
50・・・マスタープレート
100、101、102・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
111・・・第1の主面
112・・・第2の主面
113・・・転写領域
114・・・非転写領域
115・・・メサ構造
116・・・凹状の段差構造
117・・・底面
202・・・ハードマスク層
202A・・・ハードマスクパターン
203A・・・レジストパターン
500・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
510A・・・基板
520・・・被転写基板
522・・・樹脂パターン
523・・・樹脂パターン
523A、523B・・・樹脂パターン
530・・・紫外線
540・・・反応性イオン
Claims (8)
- 表面に凹凸を有する基板材の前記表面上に、樹脂を配設する工程と、
前記基板材上の前記樹脂に、表面に平坦面を有するマスタープレートの前記平坦面を密着させて、前記樹脂を、前記基板材の表面と前記マスタープレートの平坦面との間で、前記基板材表面の前記凹凸を埋める層状の形態にする工程と、
前記密着工程により、前記層状の形態にされた樹脂を硬化させる工程と、
前記基板材上の硬化した前記層状の形態の樹脂から前記マスタープレートを離型する工程と、
前記基板材の表面を前記層状の形態の樹脂の上からドライエッチングすることにより、前記層状の形態の樹脂を消失させつつ、部分的に露出する前記基板材の表面の凸部をエッチングして、前記基板材の表面を平坦化する工程と、
を順に備えることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記樹脂を配設する工程が、
液滴状の前記樹脂を、複数個所に配設する工程であって、
前記基板材の表面の凹部の容量分布に応じて、
各配設位置における前記樹脂の液滴量を調整することを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。 - 前記樹脂を配設する工程が、
液滴状の前記樹脂を、複数個所に配設する工程であって、
前記基板材の表面の凹部の容量分布に応じて、
前記樹脂の配設密度を調整することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板の製造方法。 - 前記ドライエッチングにおける前記樹脂層のエッチング速度に対する前記基板材のエッチング速度の比が、0より大きな値であって、1以下の値であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 前記マスタープレートが、石英を含む材料から形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 前記基板材が、石英を含む材料から形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 前記樹脂が、紫外線硬化性樹脂であること特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造した基板の表面をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012081480A JP5935453B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012081480A JP5935453B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211450A true JP2013211450A (ja) | 2013-10-10 |
JP5935453B2 JP5935453B2 (ja) | 2016-06-15 |
Family
ID=49529035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012081480A Active JP5935453B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5935453B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016007668A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2016219679A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 株式会社東芝 | 基板平坦化方法および滴下量算出方法 |
JP2017175056A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | インプリントモールド用基板、マスクブランク、インプリントモールド用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
KR20190030608A (ko) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평탄화 공정 및 장치 |
JP2019526174A (ja) * | 2016-08-03 | 2019-09-12 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 半導体平坦化用及びインプリントリソグラフィ用ウェハスケールプログラマブル膜 |
JP2020004877A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法 |
JP2020009994A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP2020043315A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP2020088286A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114213A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-05-19 | フェアチャイルド セミコンダクタ コーポレーション | 平担化方法 |
JPH07221006A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Sony Corp | 平坦化膜の形成方法およびその形成装置 |
JPH0982616A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Sony Corp | 絶縁膜の平坦化方法 |
JPH10135198A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
JP2007223206A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2011245787A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2011529626A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-12-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング |
JP2012009623A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | テンプレート作製方法 |
JP2012015324A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Fujifilm Corp | 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム |
WO2012008343A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 旭硝子株式会社 | インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材およびその製造方法 |
JP2012028685A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | インプリント装置及びインプリント転写方法 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012081480A patent/JP5935453B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114213A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-05-19 | フェアチャイルド セミコンダクタ コーポレーション | 平担化方法 |
JPH07221006A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Sony Corp | 平坦化膜の形成方法およびその形成装置 |
JPH0982616A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Sony Corp | 絶縁膜の平坦化方法 |
JPH10135198A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
JP2007223206A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2011529626A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-12-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2011245787A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2012009623A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | テンプレート作製方法 |
JP2012015324A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Fujifilm Corp | 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム |
WO2012008343A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 旭硝子株式会社 | インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材およびその製造方法 |
JP2012028685A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | インプリント装置及びインプリント転写方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016007668A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2016219679A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 株式会社東芝 | 基板平坦化方法および滴下量算出方法 |
US9941137B2 (en) | 2015-05-25 | 2018-04-10 | Toshiba Memory Corporation | Substrate planarizing method and dropping amount calculating method |
JP2017175056A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | インプリントモールド用基板、マスクブランク、インプリントモールド用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP7041121B2 (ja) | 2016-08-03 | 2022-03-23 | ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | 半導体平坦化用及びインプリントリソグラフィ用ウェハスケールプログラマブル膜 |
JP2019526174A (ja) * | 2016-08-03 | 2019-09-12 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 半導体平坦化用及びインプリントリソグラフィ用ウェハスケールプログラマブル膜 |
US11762284B2 (en) | 2016-08-03 | 2023-09-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Wafer-scale programmable films for semiconductor planarization and for imprint lithography |
KR20190030608A (ko) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평탄화 공정 및 장치 |
US10580659B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization process and apparatus |
KR102338180B1 (ko) | 2017-09-14 | 2021-12-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평탄화 공정 및 장치 |
JP7071231B2 (ja) | 2018-06-28 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法 |
JP2020004877A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法 |
JP2020009994A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP7218114B2 (ja) | 2018-07-12 | 2023-02-06 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP2020043315A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP7150535B2 (ja) | 2018-09-13 | 2022-10-11 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 |
JP2020088286A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
JP7171394B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5935453B2 (ja) | 2016-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5935453B2 (ja) | 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
TWI750446B (zh) | 覆板及其使用方法 | |
JP3821069B2 (ja) | 転写パターンによる構造体の形成方法 | |
JP5395757B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP4262267B2 (ja) | モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2007535172A (ja) | Uvインプリンティングのためのコンプライアントなハード・テンプレート | |
JP2011066238A (ja) | パターン形成用テンプレートの作製方法 | |
JP2016219679A (ja) | 基板平坦化方法および滴下量算出方法 | |
JP6019685B2 (ja) | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 | |
JP2007027361A (ja) | インプリント用モールド | |
JP2011165855A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2016213215A (ja) | テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法 | |
JP4861044B2 (ja) | 基板の加工方法、パターン領域を有する部材の製造方法 | |
JP6281592B2 (ja) | レプリカテンプレートの製造方法 | |
JP5200726B2 (ja) | インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置 | |
JP2014213495A (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6361238B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
JP6089451B2 (ja) | ナノインプリントモールドおよびその製造方法 | |
JP6314609B2 (ja) | インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法 | |
JP7178277B2 (ja) | インプリントモールド製造方法 | |
JP2014029993A (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
JP5326192B2 (ja) | インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法 | |
JP6015140B2 (ja) | ナノインプリントモールドおよびその製造方法 | |
JP2011199136A (ja) | インプリント用モールド及びその作製方法並びにパターン転写体 | |
JP5284423B2 (ja) | テンプレートおよびパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20130809 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5935453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |