JP2011529626A - 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング - Google Patents
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- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 title abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
Description
本出願は、引用により本明細書に取り込まれている2008年6月9日に出願した、米国特許仮出願番号第61/060,007号の米国特許法第119条(e)項(1)に基づく利益を主張する。本出願は、引用により本明細書に取り込まれている2009年6月6日に出願した、第12/479,200号に対する優先権を主張する。
62a 基板; 64a フィーチャ; 72 表面; 74 第1の表面;
76 第2の表面。
Claims (20)
- 第1の表面のナノトポグラフィを決定する工程と、
第2の表面に関する所望の形状特性を決定する工程と、
滴下パターンを生成するために、前記第1の表面の前記ナノトポグラフィおよび前記第2の表面に関する前記所望の形状特性を評価する工程と、
前記滴下パターンに従って、テンプレートと前記第1の表面との間に重合可能物質を堆積する工程と、
前記重合可能物質に前記テンプレートを接触させる工程と、
前記重合可能物質を固化させる工程と、
前記所望の形状特性を有する前記第2の表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程と
を含む、インプリント・リソグラフィ・システムを使用して所望の形状特性を有する表面を形成する方法。 - 少なくとも1つの寄生効果を決定し、前記寄生効果を補正するために前記滴下パターンを調整する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記寄生効果が前記重合可能物質の蒸発である、請求項2に記載の方法。
- 前記寄生効果がパターン密度のばらつきである、請求項2または3に記載の方法。
- 前記寄生効果がエッチングの不均一性である、請求項2から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記寄生効果がポリシングの不均一性である、請求項2から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記寄生効果が体積収縮である、請求項2から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記所望の形状特性を有する前記第2の表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程が、前記第1の表面のナノトポグラフィおよびラフネスを修正する、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の表面の前記所望の形状特性が平坦である、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の表面の前記所望の形状特性が平坦でない、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記滴下パターンに従って、テンプレートと前記第1の表面との間に重合可能物質を堆積する工程が、
第1のエッチ速度を有する第1の重合可能物質を堆積し、第2のエッチ速度を有する第2の重合可能物質を堆積する工程と、
前記第1のエッチ速度および前記第2のエッチ速度を補正するために、前記滴下パターンを調整する工程と
をさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1のエッチ速度および前記第2のエッチ速度が異なる、請求項11に記載の方法。
- 前記滴下パターンを生成するために、前記第1の表面の前記ナノトポグラフィおよび前記第2の表面に関する前記所望の形状特性を評価する工程が、
高さ補正マップを生成するために、前記第1の表面の前記ナノトポグラフィと前記第2の表面に関する前記所望の形状特性との間の差異を評価する工程と、
前記高さ補正マップに基づいて密度マップを生成する工程と、
前記滴下パターンを決定するために前記密度マップを使用する工程と
をさらに含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。 - 表面のナノトポグラフィを決定する工程と、
所望のナノトポグラフィと比較して前記表面の前記ナノトポグラフィとの間の高さ補正を決定するために、前記表面の前記ナノトポグラフィを評価する工程と、
前記所望のナノトポグラフィと比較して前記表面の前記ナノトポグラフィとの間の前記高さ補正に基づいて密度マップを生成する工程と、
前記密度マップに基づいて滴下パターンを決定する工程と、
前記滴下パターンに従って、インプリント・リソグラフィ・テンプレートと前記表面との間に重合可能物質を堆積する工程と、
前記重合可能物質に前記テンプレートを接触させる工程と、
前記重合可能物質を固化させる工程と、
前記所望のナノトポグラフィを有する前記表面を形成するために、前記重合可能物質をエッチングする工程と
を含む、インプリント・リソグラフィ・システムを使用して所望のナノトポグラフィを有する表面を形成する方法。 - 少なくとも1つの寄生効果を決定し、前記寄生効果を補正するために前記滴下パターンを調整する工程をさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記所望のナノトポグラフィが平坦である、請求項14または15に記載の方法。
- 前記表面が平坦ではなく、前記重合可能物質をエッチングする工程が公称の前記平坦でない表面を保ちつつ平坦なトポグラフィを有する前記表面を形成する、請求項14に記載の方法。
- 表面のナノトポグラフィを決定する工程と、
第1のエッチ速度を有する第1の重合可能物質および第2のエッチ速度を有する第2の重合可能物質に対して平坦な表面を形成するように滴下パターンを決定するために、前記表面の前記ナノトポグラフィを評価する工程と、
前記滴下パターンに従って、インプリント・リソグラフィ・テンプレートと前記表面との間に前記第1の重合可能物質および前記第2の重合可能物質を堆積する工程と、
前記第1の重合可能物質および前記第2の重合可能物質のうちの少なくとも1つに前記テンプレートを接触させる工程と、
前記第1の重合可能物質および前記第2の重合可能物質のうちの少なくとも1つを固化させる工程と、
前記平坦な表面を形成するために、前記第1の重合可能物質および前記第2の重合可能物質のうちの少なくとも1つをエッチングする工程と
を含む、インプリント・リソグラフィ・システムを使用して平坦な表面を形成する方法。 - 少なくとも1つの寄生効果を決定し、前記寄生効果を補正するために前記滴下パターンを調整する工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 滴下パターンを決定するために、前記表面の前記ナノトポグラフィを評価する工程が、
形成すべき前記平坦な表面と比較して前記表面の前記ナノトポグラフィとの間の高さ補正を決定するために、前記表面の前記ナノトポグラフィを評価する工程と、
前記高さ補正に基づいて密度マップを生成する工程と、
前記密度マップに基づいて前記滴下パターンを決定する工程と
をさらに含む、請求項18または19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US6000708P | 2008-06-09 | 2008-06-09 | |
US61/060,007 | 2008-06-09 | ||
US12/479,200 | 2009-06-05 | ||
US12/479,200 US8394282B2 (en) | 2008-06-09 | 2009-06-05 | Adaptive nanotopography sculpting |
PCT/US2009/003420 WO2009151560A2 (en) | 2008-06-09 | 2009-06-05 | Adaptive nanotopography sculpting |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011529626A true JP2011529626A (ja) | 2011-12-08 |
JP2011529626A5 JP2011529626A5 (ja) | 2012-07-12 |
JP5349588B2 JP5349588B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41323556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011513482A Active JP5349588B2 (ja) | 2008-06-09 | 2009-06-05 | 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8394282B2 (ja) |
EP (1) | EP2304501A2 (ja) |
JP (1) | JP5349588B2 (ja) |
KR (1) | KR101653195B1 (ja) |
CN (1) | CN102089708A (ja) |
WO (1) | WO2009151560A2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JP2019140394A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | キヤノン株式会社 | スーパーストレート |
JP2019145786A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、平坦化層形成装置、形成装置、制御方法、および、物品製造方法 |
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JP2020004877A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法 |
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