JP2012124394A - パターン形成方法、半導体装置の製造方法およびテンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法では、インプリントによって基板に回路パターンを形成する前の処理として、前記基板上でインプリントショットとなる領域の周囲を所定の高さで前記インプリントショット毎に囲うことによってインプリントショット間を遮断する壁パターンを形成する。そして、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、インプリント材を滴下する。そして、前記インプリント材にテンプレートを押し当てることにより、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、前記回路パターンを形成する。
【選択図】図5
Description
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法の概念を説明するための図である。図1の(a)、(c)では、基板W1の断面図を示している。また、図1の(b)では、後述するショット外周パターン1Bの斜視図を示している。基板W1は、半導体装置(半導体集積回路)が形成されるウエハなどである。
つぎに、図7〜図12を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、基板上のハードマスク層を用いてショット外周パターン(後述のショット外周パターン5B)を形成する。
Claims (5)
- インプリントによって基板に回路パターンを形成する前の処理として、前記基板上でインプリントショットとなる領域の周囲を所定の高さで前記インプリントショット毎に囲うことによってインプリントショット間を遮断する壁パターンを形成する壁パターン形成ステップと、
前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、インプリント材を滴下する滴下ステップと、
前記インプリント材にテンプレートを押し当てることにより、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、前記回路パターンを形成する回路パターン形成ステップと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記壁パターン形成ステップは、
前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布ステップと、
前記レジストを用いて前記壁パターンとしてのレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記壁パターン形成ステップは、
前記基板上にハードマスク層を成膜する成膜ステップと、
前記ハードマスク層を用いて前記壁パターンとしてのハードマスクパターンを形成するハードマスクパターン形成ステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - インプリントによって基板に回路パターンを形成する前の処理として、前記基板上でインプリントショットとなる領域の周囲を所定の高さで前記インプリントショット毎に囲うことによってインプリントショット間を遮断する壁パターンを形成する壁パターン形成ステップと、
前記壁パターンで囲まれた各インプリントショット内に、インプリント材を滴下する滴下ステップと、
前記インプリント材にテンプレートを押し当てることにより、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、前記回路パターンを形成する回路パターン形成ステップと、
を含み、
前記回路パターンが形成された基板は、半導体装置が作製される半導体基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - インプリントによって第1の基板に回路パターンを形成する前の処理として、前記第1の基板上でインプリントショットとなる領域の周囲を所定の高さで前記インプリントショット毎に囲うことによってインプリントショット間を遮断する壁パターンを形成する壁パターン形成ステップと、
前記壁パターンで囲まれた各インプリントショット内に、インプリント材を滴下する滴下ステップと、
前記インプリント材に第1のテンプレートを押し当てることにより、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、前記回路パターンを形成する回路パターン形成ステップと、
を含み、
前記回路パターンが形成された第1の基板は、前記回路パターンをインプリントによって第2の基板上に転写する第2のテンプレートであることを特徴とするテンプレートの製造方法。
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