KR100849377B1 - 리소그래픽 템플레이트 - Google Patents

리소그래픽 템플레이트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스들, 마이크로 전자 디바이스들, 마이크로 전자 기계 디바이스들, 마이크로 유체 디바이스들에 관련이 있고 특히, 리소그래픽 템플레이트, 리소그래픽 템플레이트 형성 방법 및 리소그래픽 템플레이트를 갖는 이러한 디바이스들을 제조하는 방법에 관련이 있다. 리소그래픽 템플레이트(20, 30, 42)는 기판(22, 32)을 가지고 형성되고 템플레이트 페데스탈은 최상위 표면상에 에칭된 패턴 또는 릴리프 이미지(26, 36, 48)를 형성한다. 반도체 디바이스(44) 위에 형성된 방사 감지 물질(50)을 갖는 반도체 디바이스(44)에 가까이 템플레이트(20, 30, 42)를 위치시킴으로써 디바이스(44) 내의 패턴에 영향을 주고, 템플레이트(42) 상에 나타난 릴리프 이미지(48)로 방사 감지 물질이 흐르도록 하는 압력을 인가하기 위해 템플레이트(20, 30, 42)는 반도체 디바이스(44)의 제작에 이용된다. 그 후 방사(53)는 조사광 민감한 물질(50)의 부분들을 더욱 처리하고 조사광 민감한 물질(50) 내의 패턴을 한정하기 위해 템플레이트(42)를 통해 인가된다. 그 다음 템플레이트(20, 30, 42)는 반도체 디바이스(44)의 제작을 완료하기 위해 제거된다.
리소그래픽 템플레이트, 기판, 표면, 페데스탈

Description

리소그래픽 템플레이트 {Lithographic template}
본 발명은 반도체 디바이스들, 마이크로 전자 디바이스들, 마이크로 전자 기계(micro-electro mechanical) 디바이스들, 마이크로 유체(microfluidic) 디바이스들에 관한 것으로, 특히 리소그래픽 템플레이트(lithographic template), 리소그래픽 템플레이트를 형성하는 방법 및 리소그래픽 템플레이트를 갖는 디바이스들을 형성하는 방법에 관한 것이다.
집적 회로들의 제작은 일정 방식으로(in some fashion) 상호 작용하는 여러 물질들의 층(layer)들의 생성을 포함한다. 하나 이상의 이러한 층들은 패터닝될 수 있고, 그래서 층의 다양한 영역들은 다른 전자적 특성들을 가지며, 상기 영역들은 전기 부품들과 회로들을 생성하기 위해 층 내에 또는 다른 층들에 상호 연결될 수 있다. 이러한 영역들은 다양한 물질들을 선택적으로 도입하거나 제거함으로써 생성된다. 그러한 영역들을 한정하는 패턴들은 리소그래픽 프로세스들에 의해 주로 생성된다. 예를 들면, 포토레지스트(photoresist) 물질의 층은 웨이퍼 기판을 덮고 있는 층 상에 적용된다. (깨끗하고 불명료한(clear and opaque) 영역을 포함하는) 포토마스크(photomask)는 자외선광, 전자들, 또는 X-선들과 같은 조사광(radiation)의 형태로 이 포토레지스트 물질을 선택적으로 노출하는데 사용된다. 조사광에 노출되었거나 노출되지 않은 포토레지스트 물질 중 하나는 현상기(developer)의 적용(application)에 의해 제거된다. 그 후 에칭(etch)이, 남아있는 레지스트(resist)에 의해 보호되지 않는 층에 적용되고, 레지스트가 제거될 때, 기판을 덮고 있는 층은 패터닝된다.
앞에서 설명된 프로세스와 같은 리소그래픽 프로세스들은 통상적으로 포토마스크에서 디바이스로 패턴(pattern)들을 전사하는데 사용된다. 반도체 디바이스들 상의 피처(feature) 크기들이 서브미크론 범위로 감소함에 따라, 고밀도 반도체 디바이스들을 패터닝하기 위해서 새로운 리소그래픽 프로세스들 또는 기술들이 필요하다. 이러한 필요성을 만족시키고 임프린팅(imprinting) 및 스탬핑(stamping)에 토대를 가진 여러 새로운 리소그래픽 기술들이 제안되었다. 특히 SFIL(Step and Flash Imprint Lithography)는 60nm만큼 작은 라인들을 패터닝하는 것이 가능한 것으로 나타났다.
SFIL 템플레이트들은 통상적으로 투명한 석영(quartz)판 상으로 80-100nm 두께의 크롬 층을 적용함으로써 생성된다. 레지스트 층이 크롬에 적용되고 전자 빔이나 광학 노광 시스템 중 하나를 사용해 패터닝된다. 그 후 레지스트는 크롬 층 상에 패턴들을 형성하기 위해 현상기 내에 위치된다. 레지스트는 크롬 층을 에칭하기 위해 마스크(mask)로 사용된다. 크롬은 그 후 석영 판의 에칭을 위해 단단한 마스크의 역할을 한다. 마지막으로, 크롬이 제거되고, 그것에 의해 석영 내 릴리프(relief) 이미지들을 포함하는 석영 템플레이트를 형성한다.
전체적으로, SFIL기술들은 SFIL 프로세스를 수행하기 위해 요구되는 광화학(photochemistry), 주변 온도 프로세스 및 낮은 접촉 압력의 SFIL의 특유한 사용에서 이득을 얻는다. 일반적인 SFIL 프로세스동안, 기판은 유기적 평탄화 층(organic planarization layer)으로 코팅되고, 투명한 SFIL 템플레이트에 매우 근접하게 되며, 상기 투명한 SFIL 템플레이트는 통상적으로 석영으로 구성되고 릴리프 이미지를 포함하면서 낮은 표면 에너지 물질로 코팅되어 있다. 자외선 또는 원자외선(deep ultraviolet)에 민감한 광처리가능한(photocurable) 유기 용액이 템플레이트와 코팅된 기판 사이에 침착된다(deposited). 최소 압력을 사용하여, 템플레이트는 기판과, 보다 구체적으로 광처리가능한 유기층(organci layer)과 접촉하게 된다. 다음에, 유기층은 템플레이트를 통해 광조명(photoillumination)에 의해 상온에서 처리되거나(cured), 교차 결합된다(crosslink). 광원은 통상적으로 자외선 조사광을 사용한다. 파장의 범위는 템플레이트의 투과 특성과 광처리가능한 유기체의 광감성(photosensitivity)에 의존하면서, (150nm-500nm)가 가능하다. 다음에, 템플레이트는 평탄화 층 상의 템플레이트 릴리프의 유기 복제(replica)를 남기면서, 기판 및 유기층으로부터 분리된다. 그 후 이 패턴은 짧은 할로겐 브레이크쓰루(breakthrough)로 에칭되며, 유기층과 평탄화층에 높은 해상도(high-resolution), 높은 종횡비(aspect-ratio)의 피처(feature)를 형성하는 산소 이온 반응 식각(RIE:reactive ion etch)이 후속된다.
리소그래픽 마스크와 리소그래픽 템플레이트의 차이는 주의해야 한다. 리소그래픽 마스크는 포토래지스트 물질내로 빛의 엷은(aerial) 이미지를 주기 위해서 스텐실(stencil)로 사용된다. 리소그래픽 템플레이트는 템플레이트의 표면으로 에칭되는 릴리프 이미지를 가지며, 형태(form)와 몰드(mold)를 형성한다. SFIL동안, 패턴은 광처리가능한 액체가 릴리프 이미지내로 흐를때 한정되고, 다음에 처리된다. 표준 임프린트 리소그래피동안, 패턴은 가해진 압력에 응답하여 기판 물질의 표면 상에 존재하는 물질이 변형될 때 한정된다. 따라서, 마스크들과 템플레이트에 필요한 속성들(attributes)은 매우 다르다.
SFIL 기술은 60nm만큼 작은 피처들을 분해할 수 있는 것으로 증명되었다. 그것으로서, 매우 다양한 피처 크기들이 하나의 웨이퍼 상에 그려질 수 있다. 이 SFIL 템플레이트 제작 방법에도 일정한 문제들이 존재한다. 특히 문제들은 템플레이트 제작물(fabrication)을 기존의 리소그래픽 장비와 핸들러(handler)들로 결합하는 것에 관해서 존재한다. SFIL에 대한 통상적인 템플레이트 제작물은 6"×6"×.250"의 표준 포토마스크 또는 템플레이트 물질의 1" 평방 구역으로의 커팅(cutting)을 요구한다. 이 커팅 과정은 실제 템플레이트 최종 제품의 많은 양의 오염을 야기하는 것은 잘 알려져 있다. 게다가, 이 방법은 제작 프로세스에서 비용과 복잡성을 추가시키는 테스팅(testing), 핸들링(handling), 검사 및 수리를 위해 비표준(non-standard) 장비의 사용을 요구한다. 일단 템플레이트가 형성되면, 종래 기술을 참조한 도 1에 일반적으로 도시된 바와 같이, 캐리어(carrier)에서의 사용을 위해 장착된다. 특히, 캐리어(12)에 장착되는 패터닝된 부분(11)을 포함하는 템플레이트(10)가 예시되어 있고, 화살표(14)들에 의해 예시된 힘, 일반적으로 압축력(compression force)이 캐리어(12)에 의해 템플레이트의 외부 수직면(vertical aspect)들에 적용된다. 템플레이트(10)는 이 캐리어(12) 및 기판 웨이퍼(16)에 대한 힘(14)에 의해 제자리에 고정되고, SFIL을 달성하기 위해서 사용된다.
이전에 설명한 바와 같이, 이 1" 템플레이트 포맷은 일단 템플레이트(10)가 커팅되었으면, 표준 포토마스크 검사 장비 및 장비의 클리닝(cleaning)의 사용을 저지한다. 이러한 저지는 표준 포토마스크 장비가 일반적으로 3"에서 9"의 범위이고 가장 일반적인 실시예에서 5"-6"의 범위인 보다 큰 포맷을 사용한다는 사실에서 비롯된다. 템플레이트 주변은 일반적으로 직사각형 형상이지만, 원형 또는 둥근 포맷도 사용될 수 있으며 정렬 목적을 위해 주변 표면 상이나 내에 형성된 플랫(flat), 노치(notch) 등을 포함할 수 있다. 게다가, 1" 평방의 일반적이지 않은 포맷으로 인해 사용을 위해 템플레이트(10)를 장착하는데 요구되는 특별한 캐리어 디바이스(12)는 캐리어 디바이스(12)내에 장착하는데 요구되는 필요한 압축력(14)으로 인해 템플레이트의 패턴화된 부분(11)의 왜곡을 야기한다. 따라서, 템플레이트가 산업 현장에서 존재하는 표준 포토마스크 장비를 따르기 위해서 제작되는 리소그래피 프로세스들에서의 사용을 위해서는 템플레이트를 개선하는 것이 이득이 있다.
본 발명의 목적은 개선된 리소그래픽 템플레이트, 개선된 리소그래픽 템플레이트를 제작하는 방법 및 개선된 리소그래픽 템플레이트를 갖는 디바이스들을 제조하는 방법을 제공하는 것이며, 상기 개선된 리소그래픽 템플레이트에서는 당분야에서 현재 존재하는 표준 핸들링 및 검사 장비가 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 개선된 리소그래픽 템플레이트, 개선된 리소그래픽 템플레이트를 제작하는 방법 및 개선된 리소그래픽 템플레이트를 갖는 디바이스를 제조하는 방법을 제공하는 것이며, 상기 템플레이트에서의 개선은 더 높은 작업처리량 및 비용 효율을 제공한다.
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 반도체 디바이스들, 마이크로 전자 디바이스들, 마이크로 전자 기계 디바이스들, 마이크로 유체 디바이스들에 관련이 있고 특히, 리소그래픽 템플레이트, 리소그래픽 템플레이트 형성 방법 및 리소그래픽 템플레이트를 가지고 이러한 디바이스들을 제조하는 방법에 관련이 있다. 리소그래픽 템플레이트의 부분으로 형성된 평면(planar) 물질, 최상위 표면에 릴리프 이미지를 형성하는 템플레이트 페데스탈을 포함하는 리소그래픽 템플레이트가 공개된다. 템플레이트는 기판을 제공하는 것으로 형성되며, 상기 기판은 최상위 표면을 가지며 기판내의 최상위 표면에 템플레이트 페데스탈을 한정하고, 에칭된 패턴은 템플레이트 페데스탈의 최상위 표면에 형성된다. 게다가, 제공된 바와 같은 리소그래픽 템플레이트를 갖는 디바이스를 만드는 방법으로서, 기판을 제공하는 단계들을 포함하고, 변형 가능한 물질로 기판을 코팅하고, 앞에서 설명된 바와 같이, 리소그래픽 템플레이트를 제공하고, 변형 가능한 물질에 접촉해 리소그래픽 템플레이트를 위치시키고 변형 가능한 물질내에 패턴이 형성될 수 있도록 템플레이트에 압력을 인가하고, 선택적으로 기판 상의 변형 가능한 물질의 적어도 일부분을 노출시키기 위해 리소그래픽 템플레이트를 통해 조사광을 투과시키고, 이에 의해 변형 가능한 물질내 패턴에 영향을 주는 것 및 기판으로부터 템플레이트를 제거하기 위한 방법이 공개된다.
본 발명의 상기 목적 및 다른 더 구체적인 목적들 및 장점들은 도면들과 관련된 바람직한 실시예의 다음의 상세한 설명으로부터 당업자에게 쉽게 명확해질 것이다:
도 1 은 당분야에서 공지된 스텝 및 플래쉬(step and flash) 리소그래피를 사용한 디바이스를 형성하는 방법을 간단한 단면도로 도시하는 도면.
도 2-4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리소그래픽 템플레이트를 제작하는 프로세스 단계들을 간단한 단면도로 도시하는 도면.
도 5-7는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리소그래픽 템플레이트를 제작하는 프로세스 단계들을 간단한 단면도로 도시하는 도면.
도 8-11은 본 발명에 따른 리소그래픽 템플레이트를 갖는 반도체 디바이스를 제작하는 프로세스 단계들을 간단한 단면도로 도시하는 도면.
도면에 도시되는 요소들은 예시의 명확화와 단순화를 위함이고 반드시 일정 비율로 도시될 필요는 없다. 예를 들면, 일부 요소들의 치수들은 명확화를 위해 다른 요소들에 대해 확대되어 있다. 게다가, 적절하다고 생각되는 경우, 참조 번호들이 대응하거나 유사한 요소들을 지시하기 위해 도면들 사이에서 반복되었다.
본 발명은 클리닝 및 검사 장비 같은 알려진 포토마스크 핸들링 장비를 사용할 수 있지만, 반도체 디바이스들 내에 패턴들을 형성하기 위해서 SFIL뿐 아니라 표준 임프린트 리소그래피에 사용하기에 적합한 템플레이트를 여전히 허용할 수 있는 템플레이트의 개선에 관한 것이다. 도 2-4를 참조하면, 본 발명에 따른 리소그래픽 템플레이트의 제 1 실시예를 제조하기 위한 다수의 프로세스 단계들이 간단한 단면도들로 도시된다. 도 2를 보다 상세히 참조하면, 본 발명에 따른 리소그래픽 템플레이트(20)를 제작하는 과정에서의 제 1 단계가 도시된다. 보다 명확하게, 표면(23)을 가진 기판(22)이 도시된다. 기판(22)은 석영 물질, 폴리카보네이트(polycarbonate) 물질, 파이렉스(pyrex) 물질, 사파이어 물질, 플루오르화 칼슘(CaF2)물질, 플루오르화 마그네슘(MgF2) 물질과 같은 투명한 물질 또는 빛을 투과하는 임의의 다른 유사한 형태의 물질로 구성되는 것으로 개시된다. 기판(22)은 빛의 통과가 가능한 투명한 물질로 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(22)은 기판의 부분으로서 템플레이트 페데스탈(template pedestal)(24)을 형성한다. 이 특정 실시예에서 템플레이트 페데스탈(24)은 기판(22)이 템플레이트 페데스탈(24)을 형성하기 위해 제작 프로세스동안 에칭되거나, 대안적으로, 몰딩 단계동안 제조된다는 점 등에서 기판(22)의 집적된 부분으로서 형성된다. 도시된 바와 같이, 이 실시예에서, 템플레이트 페데스탈(24)은 기판(22)을 에칭하거나 몰딩함으로써 기판(22)과 일체로 형성된다. 추가적으로 본 명세서에 의해 템플레이트 페데스탈(24)은 기판(22)의 표면(23)에 부착되는 별개의 구성요소로서 형성될 수 있을 것이 예상된다.
이제, 도 3을 참조하면, 최상위 표면(23)상에 템플레이트 페데스탈(24)을 한정하는 기판(22)이 도시된다. 도시된 바와 같이, 템플레이트 페데스탈(24)이 기판(22)의 표면(23)으로부터 돌출되도록 형성된다. 템플레이트 페데스탈은 최상위 표면(25)을 형성한다. 도시된 바와 같이, 템플레이트(20)는 치수 "x","y" 및 "z"를 한정한다. 예시된 치수 "x"는 기판(22)의 표면(23)으로부터의 템플레이트 페데스탈(24)의 높이를 규정한다. 예시된 치수 "y"는 기판(22)의 두께를 한정한다. 예시된 치수 "z"는 템플레이트 페데스탈(24)의 전체 폭 치수를 한정하고, 차례로 템플레이트 페데스탈(24)의 표면(25) 상에 형성된 패터닝된 영역, 또는 릴리프 이미지에 상관될 것이다. 치수 "x"는 SFIL 동안 템플레이트(20)를 잡기 위해, 산업 현장에서 현재 사용되는 것과 유사한 캐리어 디바이스를 허용하기에 충분한 치수의 깊이일 것을 필요로 하는 것으로 개시된다. 치수 "y"는 SFIL 프로세스 동안 템플레이트(20)의 강도를 보장하기 위해 상당한 치수의 두께가 될 필요가 있다. 치수 "z"는 SFIL동안 웨이퍼 상에서의 프린팅을 위해 요구되는 다이(die) 영역 또는 패터닝된 영역에 의존해서 변할 것으로 기대된다.
이제, 도 4를 참조하면, 릴리프 이미지 또는 에칭된 패턴(26)은 템플레이트 페데스탈(24)의 최상위 표면(25) 상에 형성된다. 에칭된 패턴(26)은 공지된 패터닝 기술들을 사용해 형성된다. 일반적으로, 두께 80-100nm의 크롬 층이 투명한 석영판위에 침착된다. 레지스트 층은 크롬에 적용되고 전자 빔 또는 광학 노광 시스템(optical exposure system) 중에 하나를 사용하여 패터닝된다. 레지스트는 그 후 크롬 층 상에 패턴들을 형성하기 위해 현상기에 배치된다. 레지스트는 크롬 층을 에칭하기 위해 마스크로 사용된다. 크롬은 그 후 석영판의 에칭을 위해 단단한 마스크로서 사용된다. 마지막으로, 크롬이 제거되고, 이에 의해 석영내에서 릴리프 이미지들을 포함하고 있는 석영 템플레이트를 형성한다.
이제, 도 5-7을 참조하면, 본 발명에 따른 리소그래픽 템플레이트의 제 2 실시예를 제조하기 위한 다수의 프로세스 단계들이 간단한 단면도에 도시된다. 특히 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 리소그래픽 템플레이트(30)를 제작하는 프로세스에서의 제 1 단계가 도시된다. 보다 명확하게는, 표면(33)을 가진 기판(32)이 예시된다. 기판(32)은 석영 물질, 폴리카보네이트 물질, 파이렉스 물질, 플루오르화 칼슘(CaF2) 물질, 플루오르화 마그네슘(MgF2) 물질과 같은 투명한 물질, 또는 빛을 투과하는 임의의 다른 유사한 형태의 물질로 구성된 것으로 개시된다. 기판(32)은 빛의 통과가 가능한 투명한 물질로 형성된다. 기판(32)은 그 표면상에 패터닝된 레지스트 층(34)을 형성한다. 이 특정 실시예에서 패터닝 레지스트 층(34)은 도 5에 도시된 바와 같이 기판(32)의 표면(33)상에 형성된다. 보다 명확하게는, 제작 동안, 패터닝된 레지스트 층(34)은 패터닝될 기판의 표면의 부분 상에 형성된다. 제작 동안, 패터닝된 레지스트 층(34) 아래 놓인 기판(32)의 일부분이 에칭되고, 이에 의해 도 6에 도시된 바와 같이 기판(32)의 일부분 상에 에칭된 패턴(36)이 한정된다. 이제, 도 7을 참조할 때, 기판(32)은 최상위 표면(39) 상에, 에칭된 패턴 또는 릴리프 이미지(36)를 형성하면서 템플레이트 페데스탈(38)을 한정하기 위해 에칭된다. 도 3과 관련해 이전에 설명된 바와 같이 템플레이트(30)는 강도 등에 대해 유사한 치수적 특성들을 가지면서 유사한 치수들 "x", "y" 및 "z"를 가진다.
이제, 도 8-11을 참조하면, 프로세스 단계들이 도시되며, 본 발명에 따라 제조된, 도 2-7의 템플레이트(20 또는 30)와 대체로 유사한 리소그래픽 템플레이트가 반도체 디바이스(40)를 제조하기 위해 사용된다. 반도체 디바이스의 제조는 도 8-11에 대해 설명되었으나, 마이크로 전자 디바이스들, 마이크로 전자 기계 디바이스들 및 마이크로 유체 디바이스들의 제조는 본 명세서에 의해 기대됨을 이해해야 한다.
처음에, 반도체 기판(44)이 제공된다. 반도체 기판은 기판 상에 가해지는 압력에 응답하여 변형될 수 있는 것으로 특징되는 물질층(50)으로 코팅된다. 표준 임프린트 리소그래피가 사용되는 경우에, 일반적으로 물질층(50)은 당분야에서 공지된 표준 레지스트 물질로 형성된다. 대안적으로, SFIL 기술들이 사용되는 이 특정 실시예에서 예시되는 바와 같이 물질층(50)은 광처리가능한 유기층 또는 포토레지스트 층과 같은 조사광(radiation)에 민감한 물질로서 공개된다. 반도체 기판(44)은 트렌치(trench) 및 확산 영역 등뿐 아니라, 폴리실리콘(polysilicon), 산화물(oxide), 금속 등과 같은 위에 놓이는 디바이스 또는 디바이스 층을 가질 수 있다. 리소그래픽 템플레이트(42)는 도 2-4 또는 도 5-7에 대해 주어진 설명에 따라 제작된다. 도시된 바와 같이, 리소그래픽 템플레이트(42)는 표면에, 에칭된 패턴 또는 릴리프 이미지(48)를 형성한다. 반도체 기판(44)을 코팅한 조사광에 민감한 물질 층(50)은 그 후 도 9에 도시된 바와 같이 리소그래픽 템플레이트(42)에 인접 배치된다. 예시된 바와 같이, 템플레이트(42)는 캐리어 디바이스(46)에 의해 제자리에 고정된다. 캐리어 디바이스(46)는 템플레이트(42)의 외면(47)을 붙잡도록 위치되고, 이에 의해서 SFIL프로세스동안 캐리어 디바이스(46)의 제거(clearance)를 제공한다. 다음에, 도 9에 도시된 바와 같이, 약한 압력(52)이, 조사광에 민감한 물질층(50)이 템플레이트(42)상의 릴리프 이미지들(48)내로 흐르도록 템플레이트(42)에 가해진다. 조사광(53)은 그 후 리소그래픽 템플레이트(42)를 통해 투과되고 조사광에 민감한 물질 층(50)에 패턴을 또한 한정하고 노출시키기 위해서 반도체 기판(44)을 코팅한, 조사광에 민감한 물질층(50) 상으로 이미징된다. 표준 임프린트 리소그래피가 추구되는 경우에는, 조사광 단계가 제거되는 것을 이해해야 한다. 템플레이트(42)는 그 후 도 10에 도시된 바와 같이 반도체 디바이스(44)로부터 제거되고, 이에 의해 후속 프로세스를 위해 이미지 층로서 사용되는 패터닝된 유기층(52)을 남긴다. 패터닝된 유기층(52)은 그 후 반도체 기판(44)에 주입 영역을 형성하기 위해 이온 주입과 관련하여 마스크로 사용되거나, 도 11에 예시된 바와 같이 패턴(54)을, 반도체 기판(44) 또는 반도체 기판(44)을 덮고 있는 디바이스 층들(도시되지 않음)로 전사하기 위한 종래의 습식 또는 건식 에칭들과 관련해 사용될 수 있다. 반도체 기판(44)의 패터닝 작업(54) 이후 패터닝된 유기층(52)은 제거된다. 본 발명에 따라 제작된 템플레이트는 바람직한 실시예에서 반도체 디바이스를 제작하는데 사용되는 것으로 설명되었지만, 마이크로 전자 디바이스들, 마이크로 전자 기계적 디바이스들 및 마이크로 유체 디바이스들을 형성하기 위해 일반적으로 도 2-7의 템플레이트(20 또는 30)와 유사한, 템플레이트의 사용이 기대됨을 이해해야 한다.
본 명세서에 포함된 상기 설명 및 예시들은 본 발명에 관련된 많은 이점들을 설명한다. 특히, 본 발명은 표준 리소그래픽 핸들링 및 테스팅 장비와 관련된 템플 레이트의 사용을 허용하는 템플레이트 설계(design)의 개선을 제공한다.
이렇게 본 발명에 따라 이전에 설명된 필요성 및 이점들을 충족하는 리소그래픽 템플레이트, 및 템플레이트의 형성 및 사용의 방법이 제공되어 있음이 명백하다. 본 발명은 본 발명의 특정 실시예들을 참조해 설명되고 예시되었지만, 본 발명이 이러한 예시적인 실시예들에 한정되는 것으로 의도되지는 않는다. 본 분야의 당업자는 수정들과 변형들이 본 발명의 정신으로부터 벗어나지 않고 행해질 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명은 청구항들의 범위에 속하는 그런 모든 변형들과 수정들을 포함하고 있도록 의도된다.

Claims (13)

  1. 리소그래픽 템플레이트를 형성하는 방법에 있어서,
    기판을 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 기판은 최상위 표면을 가지며, 상기 최상위 표면은 템플레이트 페데스탈(template pedestal)을 한정(define)하고, 에칭된 패턴이 상기 템플레이트 페데스탈의 최상위 표면에 형성되는, 리소그래픽 템플레이트 형성 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 리소그래픽 템플레이트에 있어서:
    표면을 가진 기판; 및
    상기 기판의 에칭 또는 몰딩함으로써 상기 기판과 일체로 형성되며, 그 최상위 표면에 릴리프 이미지가 한정되는 템플레이트 페데스탈을 포함하는, 리소그래픽 템플레이트.
  6. 삭제
  7. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    기판을 제공하는 단계;
    기판을, 가해진 압력에 응답하여 변형 가능한 것을 특징으로 하는 물질층으로 코팅하는 단계;
    리소그래픽 템플레이트를 제조하는 단계로서, 상기 리소그래픽 템플레이트는 표면을 가진 기판을 가지며, 상기 표면은 템플레이트 페데스탈을 한정하고 그 최상위 표면에 릴리프 이미지를 한정하는, 상기 리소그래픽 템플레이트 제조 단계;
    상기 물질층과 접촉하여 리소그래픽 템플레이트를 위치시키는 단계로서, 상기 물질층은 상기 템플레이트와 상기 기판 사이에 있는, 상기 리소그래픽 템플레이트를 위치시키는 단계; 및
    상기 템플레이트에 압력을 인가하는 단계로서, 이에 의해 상기 물질층이 상기 템플레이트상의 릴리프 패턴으로 변형하는, 상기 압력 인가 단계; 및
    상기 기판으로부터 상기 템플레이트를 제거하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 제공하는 단계는 직사각형상, 원형상, 정렬을 목적으로 주변 표면에 형성된 플랫(flat)을 포함하는 원형상 또는 정렬을 목적으로 주변 표면에 형성된 노치(notch)를 포함하는 원형상 중 하나인 기판을 제공하는 것을 또한 특징으로 하는, 리소그래픽 템플레이트 형성 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 제공하는 단계는,
    표면을 갖는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 표면의 일부분에 패터닝된 레지스트층(patterned resist layer)을 형성하는 단계;
    패터닝된 레지스트층 아래의 기판의 일부분을 에칭함으로써 상기 기판의 일부분에 에칭된 패턴을 한정하는 단계; 및
    최상위 표면 상에 형성되고 에칭된 패턴을 갖는 템플레이트 페데스탈을 한정하도록 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함하는, 리소그래픽 템플레이트를 형성하기 위한 방법.
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